JPH01125941A - 半導体装置のリードフレーム - Google Patents
半導体装置のリードフレームInfo
- Publication number
- JPH01125941A JPH01125941A JP62285815A JP28581587A JPH01125941A JP H01125941 A JPH01125941 A JP H01125941A JP 62285815 A JP62285815 A JP 62285815A JP 28581587 A JP28581587 A JP 28581587A JP H01125941 A JPH01125941 A JP H01125941A
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- JP
- Japan
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- chip
- lead frame
- resin
- semiconductor device
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07353—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in shapes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/331—Shapes of die-attach connectors
- H10W72/334—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置のリードフレーム構造に関するも
のである。
のである。
第３図は従来の一般的な半導体装置の製造方法をごく簡
単にダイポンディング工程を示す展開斜視因で、図にお
いて、（１１はリードフレーム、（２）は半田、（３１
はチップである。図のように、まず加熱されたリードフ
レーム＋１１のポンディングパット（４）上に、適当な
大きさに成形された半田（２）を配置する。半田（２）
は熱により溶解し、次にその溶解した半田（２）の真上
にチップ（３）を配置する。リードフレーム１１＋を冷
却すれば、リードフレーム（１）とチップ（３１は半田
Ｔ’ｌ！Ｉによって接合を完了する。
単にダイポンディング工程を示す展開斜視因で、図にお
いて、（１１はリードフレーム、（２）は半田、（３１
はチップである。図のように、まず加熱されたリードフ
レーム＋１１のポンディングパット（４）上に、適当な
大きさに成形された半田（２）を配置する。半田（２）
は熱により溶解し、次にその溶解した半田（２）の真上
にチップ（３）を配置する。リードフレーム１１＋を冷
却すれば、リードフレーム（１）とチップ（３１は半田
Ｔ’ｌ！Ｉによって接合を完了する。
第４図に従来のリードフレームを使用した樹脂封止後の
断面図である。図中、（６１は封止用樹脂を示す。
断面図である。図中、（６１は封止用樹脂を示す。
従来の半導体装置では、チップサイズが拡大されるにつ
れ、シリコンと銅系金属フレームの線膨張係数の差や、
銅系金属フレームと封止材の線膨張係数の差によるヒー
トサイクル時の繰りかえし応力が問題となってきた。ま
た、応力によりチップが破壊したり、繰りかえしにより
半田の疲労破壊を生ずる場合がある。またこの時、応力
の緩衝材として働らく半田の厚みがコントロールできな
いなどの問題点があった。
れ、シリコンと銅系金属フレームの線膨張係数の差や、
銅系金属フレームと封止材の線膨張係数の差によるヒー
トサイクル時の繰りかえし応力が問題となってきた。ま
た、応力によりチップが破壊したり、繰りかえしにより
半田の疲労破壊を生ずる場合がある。またこの時、応力
の緩衝材として働らく半田の厚みがコントロールできな
いなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ヒートサイクル時に生じる応力を減少できる
とともに、半田厚のコントロールを容易にし、信頼性の
高い、動作寿命の長い半導体装置のリードフレームを得
ることを目的とする。
たもので、ヒートサイクル時に生じる応力を減少できる
とともに、半田厚のコントロールを容易にし、信頼性の
高い、動作寿命の長い半導体装置のリードフレームを得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置のリードフレームはポンディ
ングパッドに凹部を設け、さらにその外側を凹部の２倍
以上の深さを持つ溝によって囲ったものである。
ングパッドに凹部を設け、さらにその外側を凹部の２倍
以上の深さを持つ溝によって囲ったものである。
この発明におけるポンディングパッド上の凹部は、半田
の厚さを構造的に決定し、またその外側を囲う溝は樹脂
封止の際に樹脂が充填され、外部時の樹脂と銅系金属フ
レーム変位中心をチップ中心の近傍とするため、ｓｔｇ
ｈによるチップに対する応力が最小となる。
の厚さを構造的に決定し、またその外側を囲う溝は樹脂
封止の際に樹脂が充填され、外部時の樹脂と銅系金属フ
レーム変位中心をチップ中心の近傍とするため、ｓｔｇ
ｈによるチップに対する応力が最小となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例におけるダイポンド後の斜視断
面図で、図において、ｔｌｌｆｌｌＪ−ドフレーム、＋
２１［半田、ｔ３１Ｈチップ、ｆ５１Ｈ溝である。
図はこの発明の一実施例におけるダイポンド後の斜視断
面図で、図において、ｔｌｌｆｌｌＪ−ドフレーム、＋
２１［半田、ｔ３１Ｈチップ、ｆ５１Ｈ溝である。
チップ（３）ハボンデイングパツド（４）に設けられた
凹部上に接合されている。この時、半田（２）の厚さが
凹部の深さ以上であることは明らかである。
凹部上に接合されている。この時、半田（２）の厚さが
凹部の深さ以上であることは明らかである。
第２図はこの実施例における樹脂封止後の断面図である
。ここで示すように、ボンディングパッド（４）は封止
用樹脂（６）が充填した溝（５）に囲まれている。−船
釣に封止用樹脂と鋼フレームの熱漬等率にＨ１１００〜
５００倍程度の差がある。従ってチップ温度が室温から
１５０℃に上昇する場合、銅フレームの温度上昇率とｍ
脂の織度上昇率では前者の方が圧倒的に大きい。その結
果、温度の高い銅フレームの膨張により、樹脂との間に
応力が生じるが、樹脂が充填した＃（６）によって、樹
脂と銅系フレームの変位中心がチップ中心の近傍となる
ために、チップに対する剪断応カバ、樹脂が充填した溝
（５）に剪断応力が発生する分だけ小さくなる。
。ここで示すように、ボンディングパッド（４）は封止
用樹脂（６）が充填した溝（５）に囲まれている。−船
釣に封止用樹脂と鋼フレームの熱漬等率にＨ１１００〜
５００倍程度の差がある。従ってチップ温度が室温から
１５０℃に上昇する場合、銅フレームの温度上昇率とｍ
脂の織度上昇率では前者の方が圧倒的に大きい。その結
果、温度の高い銅フレームの膨張により、樹脂との間に
応力が生じるが、樹脂が充填した＃（６）によって、樹
脂と銅系フレームの変位中心がチップ中心の近傍となる
ために、チップに対する剪断応カバ、樹脂が充填した溝
（５）に剪断応力が発生する分だけ小さくなる。
以上のようにこの発明によれば、半導体装置のチップ接
合用半田厚を厚くコントロールし、さらにその部分にか
かるヒートサイクル時の応力？小さくすることができる
ので、信頼性の高い動作寿命の長い半導体装置のリード
フレームが得られる効果がある。
合用半田厚を厚くコントロールし、さらにその部分にか
かるヒートサイクル時の応力？小さくすることができる
ので、信頼性の高い動作寿命の長い半導体装置のリード
フレームが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置のダイポ
ンディング後の斜視断面図、第２図はこの発明の一実施
例による樹脂封止後の断面斜視図、第３図は従来の半導
体装置のダイホンディング工程を示す展開斜視図、第４
図は従来の半導体装置の樹脂封止後の断面図である。 図において、ｆｌｌＨＩＪ−ドフレーム、＋２１Ｈ半田
、（３）ハチツブ、＋４）ｔ’ｉポンディングパッド、
（ｂ）は溝、（６）は封止用樹脂を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ンディング後の斜視断面図、第２図はこの発明の一実施
例による樹脂封止後の断面斜視図、第３図は従来の半導
体装置のダイホンディング工程を示す展開斜視図、第４
図は従来の半導体装置の樹脂封止後の断面図である。 図において、ｆｌｌＨＩＪ−ドフレーム、＋２１Ｈ半田
、（３）ハチツブ、＋４）ｔ’ｉポンディングパッド、
（ｂ）は溝、（６）は封止用樹脂を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- チップを銅系金属フレーム上に接合材を介して溶着し
、これを樹脂により封止することにより製造する半導体
装置のリードフレームにおいて、ボンディングパッド上
に５０〜２００μｍ程度の深さで、かつチップで外周形
状とほぼ相似で、前記チップよりも小なる面積の凹部を
持ち、さらにチップ外周形状とほぼ相似で前記チップよ
りも大なる外周長で、深さが１００μｍ〜１ｍｍ程度の
チップを取り囲むように形成された溝構造を持つことを
特徴とする半導体装置のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285815A JPH01125941A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 半導体装置のリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285815A JPH01125941A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 半導体装置のリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125941A true JPH01125941A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17696445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285815A Pending JPH01125941A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 半導体装置のリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125941A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072239A (en) * | 1995-11-08 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Device having resin package with projections |
| WO2004016368A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | リードフレーム加工用コイニングポンチ、そのコイニングポンチの製造方法、及びリードフレーム |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| EP4318578A1 (en) * | 2022-08-02 | 2024-02-07 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Package structure assembly for tvs devices |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62285815A patent/JPH01125941A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072239A (en) * | 1995-11-08 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Device having resin package with projections |
| US6856017B2 (en) | 1995-11-08 | 2005-02-15 | Fujitsu Limited | Device having resin package and method of producing the same |
| US7144754B2 (en) | 1995-11-08 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | Device having resin package and method of producing the same |
| WO2004016368A1 (ja) * | 2002-08-06 | 2004-02-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | リードフレーム加工用コイニングポンチ、そのコイニングポンチの製造方法、及びリードフレーム |
| WO2009041657A1 (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Fujifilm Corporation | 太陽電池用基板および太陽電池 |
| EP4318578A1 (en) * | 2022-08-02 | 2024-02-07 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Package structure assembly for tvs devices |
| US20240047317A1 (en) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Package structure assembly for tvs devices |
| TWI873753B (zh) * | 2022-08-02 | 2025-02-21 | 大陸商力特半導體（無錫）有限公司 | 封裝結構、半導體封裝以及形成封裝結構的方法 |
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