JPH02130864A - リードフレームのダイパッド構造 - Google Patents
リードフレームのダイパッド構造Info
- Publication number
- JPH02130864A JPH02130864A JP63284677A JP28467788A JPH02130864A JP H02130864 A JPH02130864 A JP H02130864A JP 63284677 A JP63284677 A JP 63284677A JP 28467788 A JP28467788 A JP 28467788A JP H02130864 A JPH02130864 A JP H02130864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- dam
- lead frame
- stress
- soldering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体組立用リードフレームのダイパッド構造
に関する。
に関する。
[発明の概要コ
本発明は半導体組立工程で用いられるリードフレームに
おいて、ダイパッド周辺に応力ストツバ−の役割りをな
すダムを設け、半田付は時の熱応力を力学的に阻止する
ことにより、ボンディング外れ、ワイヤ切れ、および樹
脂クラックを防止し、[発明が解決しようとする課題] しかし、従来の半導体組立工程で使用されているリード
フレームのダイパッド構造は、半導体全体が熱ストレス
を受けるような半田付は方法(工R970−、vpsな
ど)により半田付けされた場合に、その熱ストレスによ
る熱膨張係数差の応力が生じ、ボンディング外れ、ワイ
ヤ切れ、および樹脂り2ツクを生じるという問題を有し
ていた。特に樹脂が吸湿している状態において、その応
力は大きくなる。そこで本発明は従来のこのような問題
を解決するため、吸湿された状態において半田付けがな
されても、ボンディング外れ、ワイヤ切れ、および樹脂
クラックを生じないことを目的とする。
おいて、ダイパッド周辺に応力ストツバ−の役割りをな
すダムを設け、半田付は時の熱応力を力学的に阻止する
ことにより、ボンディング外れ、ワイヤ切れ、および樹
脂クラックを防止し、[発明が解決しようとする課題] しかし、従来の半導体組立工程で使用されているリード
フレームのダイパッド構造は、半導体全体が熱ストレス
を受けるような半田付は方法(工R970−、vpsな
ど)により半田付けされた場合に、その熱ストレスによ
る熱膨張係数差の応力が生じ、ボンディング外れ、ワイ
ヤ切れ、および樹脂り2ツクを生じるという問題を有し
ていた。特に樹脂が吸湿している状態において、その応
力は大きくなる。そこで本発明は従来のこのような問題
を解決するため、吸湿された状態において半田付けがな
されても、ボンディング外れ、ワイヤ切れ、および樹脂
クラックを生じないことを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明のリードフレームのダイパッド構造は、リードフ
レームのダイパッドの周辺に応力ストツバ−となるダム
を設げたことを特徴とする。
レームのダイパッドの周辺に応力ストツバ−となるダム
を設げたことを特徴とする。
[作用コ
樹脂封止された半導体が、全体に熱ストレスを受けるよ
うな半田付は方法(工Rリフ ff −、V PSなど
)により半田付けされた場合、特に樹脂が水分を吸湿し
ている際、半田付は時の熱ストレスにより発生する応力
をグイパッド周辺のダムにより力学的に低減し、ボンデ
ィング外れ、ワイヤ切れ、および樹脂クラックを防止す
ることができる[実施例] 以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図においてプレスにより、リードフレーム1をつ(る際
のダイパッド2周辺へのダム3を設けたものを示す。こ
のリードフレーム1を用い樹脂封止した半導体の断面を
第2図に示す。第2図において半田付は時の熱ストレス
による応力Aをダム3で阻止され、その応力をボンディ
ングボール4.ワイヤ5に受げさせなくしているため、
ボンディング外れ、ワイヤ切れ、および樹脂クラックを
生じさせないようにできる。ダムの高さはワイヤーの高
さにより自ずと制限されているが、高い方が有効に作用
する。
うな半田付は方法(工Rリフ ff −、V PSなど
)により半田付けされた場合、特に樹脂が水分を吸湿し
ている際、半田付は時の熱ストレスにより発生する応力
をグイパッド周辺のダムにより力学的に低減し、ボンデ
ィング外れ、ワイヤ切れ、および樹脂クラックを防止す
ることができる[実施例] 以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図においてプレスにより、リードフレーム1をつ(る際
のダイパッド2周辺へのダム3を設けたものを示す。こ
のリードフレーム1を用い樹脂封止した半導体の断面を
第2図に示す。第2図において半田付は時の熱ストレス
による応力Aをダム3で阻止され、その応力をボンディ
ングボール4.ワイヤ5に受げさせなくしているため、
ボンディング外れ、ワイヤ切れ、および樹脂クラックを
生じさせないようにできる。ダムの高さはワイヤーの高
さにより自ずと制限されているが、高い方が有効に作用
する。
第6図はエツチングにより、リードフレーム6をつくる
際のダイパッド7周辺へのロー付け9によるダム8の取
りつけ方を示す。この方法はプレスフレームとは異なり
、四角に開口部なしのダムを形成することが可能で、プ
レスフレームよりは有効に作用するが、部品点数並びに
工程が増え、コストアップになりやすい。
際のダイパッド7周辺へのロー付け9によるダム8の取
りつけ方を示す。この方法はプレスフレームとは異なり
、四角に開口部なしのダムを形成することが可能で、プ
レスフレームよりは有効に作用するが、部品点数並びに
工程が増え、コストアップになりやすい。
[発明の効果コ
本発明は以上説明したようにダイパッドの周辺にダムを
設けるという簡単な方法で、従来半田付は時に熱応力に
より問題となっていたボンディング外れ、ワイヤ切れ、
および樹脂クラックを容易に防止する効果がある。
設けるという簡単な方法で、従来半田付は時に熱応力に
より問題となっていたボンディング外れ、ワイヤ切れ、
および樹脂クラックを容易に防止する効果がある。
第1図および第2図は本発明の方法による場合の第1の
実施例を示す、リードフレームの立体図および樹脂封止
後の断面図である。第3図は本発明の第2の実施例を示
す、リードフレームの立体図である。 16:・・・・・リードフレーム 2.7・・・・・・ダイパッド 5.8・・・・・・ダ ム 5 ・・・・・・ワイヤ 9 ・・・・・・ロー付は部 A ・・・・・・応 力
実施例を示す、リードフレームの立体図および樹脂封止
後の断面図である。第3図は本発明の第2の実施例を示
す、リードフレームの立体図である。 16:・・・・・リードフレーム 2.7・・・・・・ダイパッド 5.8・・・・・・ダ ム 5 ・・・・・・ワイヤ 9 ・・・・・・ロー付は部 A ・・・・・・応 力
Claims (1)
- ダイパッドの周辺に応力緩和構造を設けたことを特徴と
するリードフレームのダイパッド構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284677A JPH02130864A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | リードフレームのダイパッド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63284677A JPH02130864A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | リードフレームのダイパッド構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02130864A true JPH02130864A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17681551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63284677A Pending JPH02130864A (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | リードフレームのダイパッド構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02130864A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358905A (en) * | 1993-04-02 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having die pad locking to substantially reduce package cracking |
| WO2002069400A1 (en) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Chippac, Inc. | Plastic semiconductor package |
| US7812432B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-10-12 | Chipmos Technologies Inc. | Chip package with a dam structure on a die pad |
| FR2975827A1 (fr) * | 2011-05-27 | 2012-11-30 | St Microelectronics Rousset | Procede de fabrication d'un composant electronique et composant correspondant |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP63284677A patent/JPH02130864A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358905A (en) * | 1993-04-02 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device having die pad locking to substantially reduce package cracking |
| WO2002069400A1 (en) * | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Chippac, Inc. | Plastic semiconductor package |
| EP1378007A4 (en) * | 2001-02-27 | 2010-03-17 | Chippac Inc | PLASTIC SEMICONDUCTOR HOUSING |
| US7812432B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-10-12 | Chipmos Technologies Inc. | Chip package with a dam structure on a die pad |
| FR2975827A1 (fr) * | 2011-05-27 | 2012-11-30 | St Microelectronics Rousset | Procede de fabrication d'un composant electronique et composant correspondant |
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