JPH01125942A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01125942A JPH01125942A JP62285820A JP28582087A JPH01125942A JP H01125942 A JPH01125942 A JP H01125942A JP 62285820 A JP62285820 A JP 62285820A JP 28582087 A JP28582087 A JP 28582087A JP H01125942 A JPH01125942 A JP H01125942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- resin
- semiconductor device
- mold
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にフルモ
ールドタイプのパワーデバイス等の製造に使用される半
導体装置の製造方法に関する。
ールドタイプのパワーデバイス等の製造に使用される半
導体装置の製造方法に関する。
第３図は従来のフルモールドタイプの半導体装置の製造
方法における一工程を示す概略断面図である。同図を参
照しながら従来の半導体装置の製造方法をその製造手順
に沿って説明すると、Ｃｕ系フレーム１は放熱フィン２
と３本のり−ド３（第３図紙面垂直方向に阻隔をおいて
配置される）とで構成されており、このフレーム１のほ
ぼ全面にこの後で行なわれる半田着けを確実にするため
にＮ１メツキ４を施す。次に放熱フィン２上に半導体素
子５を半田ソルダ６により溶着した後、半導体素子５と
リード３とをワイヤ７で接続する。
方法における一工程を示す概略断面図である。同図を参
照しながら従来の半導体装置の製造方法をその製造手順
に沿って説明すると、Ｃｕ系フレーム１は放熱フィン２
と３本のり−ド３（第３図紙面垂直方向に阻隔をおいて
配置される）とで構成されており、このフレーム１のほ
ぼ全面にこの後で行なわれる半田着けを確実にするため
にＮ１メツキ４を施す。次に放熱フィン２上に半導体素
子５を半田ソルダ６により溶着した後、半導体素子５と
リード３とをワイヤ７で接続する。
こうして半導体素子５を搭載したフレーム１をモールド
金型８内に配置し、注入口１０より樹脂９を注入してフ
レーム１および半導体素子５を樹脂封止し、樹１９の硬
化後モールド金型８を外すことにより第４図に示す半導
体装置が得られる。
金型８内に配置し、注入口１０より樹脂９を注入してフ
レーム１および半導体素子５を樹脂封止し、樹１９の硬
化後モールド金型８を外すことにより第４図に示す半導
体装置が得られる。
しかしながら、上記のような半導体装置の製造方法では
、モールド金１８による樹脂封止作業を繰り返し行なっ
ているうちに樹脂９に混入されている離型剤が金型面に
付着して金型面に汚れが生じる。一般に第３図に示すよ
うなフルモールドタイブの半導体装置では、フレーム１
の放熱フィン２の裏面側に形成される樹脂９の肉厚を濃
く設定してその部分の熱伝導性を萬める工夫がなされて
おり、そのためその部分が外力により変形を受けやすく
なっている。したがって、モールド金型８の金型面に上
記のような汚れが生じると、フレーム１の裏面側の樹脂
９が金型面にくっついて、モールド金型８を外す際にそ
の樹脂９がフレーム１の裏面から引き外され、第４図に
示すようなすき間１１が発生するという問題を有してい
た。このようなすき間１１が発生すると、すき間１１に
熱がたまって熱伝導性が損われ、半導体素子５の熱破壊
につながるという重大な問題が生じる。
、モールド金１８による樹脂封止作業を繰り返し行なっ
ているうちに樹脂９に混入されている離型剤が金型面に
付着して金型面に汚れが生じる。一般に第３図に示すよ
うなフルモールドタイブの半導体装置では、フレーム１
の放熱フィン２の裏面側に形成される樹脂９の肉厚を濃
く設定してその部分の熱伝導性を萬める工夫がなされて
おり、そのためその部分が外力により変形を受けやすく
なっている。したがって、モールド金型８の金型面に上
記のような汚れが生じると、フレーム１の裏面側の樹脂
９が金型面にくっついて、モールド金型８を外す際にそ
の樹脂９がフレーム１の裏面から引き外され、第４図に
示すようなすき間１１が発生するという問題を有してい
た。このようなすき間１１が発生すると、すき間１１に
熱がたまって熱伝導性が損われ、半導体素子５の熱破壊
につながるという重大な問題が生じる。
この発明は上記従来技術の問題を解消し、半導体素子を
搭載したフレームとそれを封止する樹脂との間にすき間
が発生することのない半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
搭載したフレームとそれを封止する樹脂との間にすき間
が発生することのない半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明は、半導体素子を搭載したフレームをモールド
金型を用いて樹脂封止する半導体装置の製造方法であっ
て、上記目的を達成するため、前記フレームを加熱処理
して酸化させた後に樹脂封止を行うようにしている。
金型を用いて樹脂封止する半導体装置の製造方法であっ
て、上記目的を達成するため、前記フレームを加熱処理
して酸化させた後に樹脂封止を行うようにしている。
この発明における半導体装置の製造方法は、フレームを
加熱処理して酸化させた後樹脂封止を行うことにより、
樹脂とフレームの酸化物との接着性能が高くなり、モー
ルド金型を外す際にモールド金型に追随して樹脂がフレ
ームから引き外されるのが防止される。
加熱処理して酸化させた後樹脂封止を行うことにより、
樹脂とフレームの酸化物との接着性能が高くなり、モー
ルド金型を外す際にモールド金型に追随して樹脂がフレ
ームから引き外されるのが防止される。
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の製造方
法の説明図である。同図（ａ）に示すように、ＣＩＪ系
フレーム１の放熱フィン２およびリード３の上面側にの
みＮ１メツキ４を施してから、同図（ｂ）に示すように
半導体素子５を半田ソルダ６により放熱フィン２に溶着
し、その後同図（Ｃ）に示すように半導体素子５とリー
ド３とをワイヤ７で接続する。次に、同図（ｄ）に示す
ように、空気中雰囲気において温度２００〜４００℃１
時間１〜１０分の条件で放熱フィン２の裏面側を酸化す
ることにより、酸化膜１２を形成する。その後、同図（
ｅ）に示すようにモールド金型８を用いて注入口１０よ
り樹脂９を注入してフレーム１および半導体素子５を樹
脂封止する。そして、樹脂９の硬化後モールド金型８を
外すことにより、第２図に示すような半導体装置が得ら
れる。
法の説明図である。同図（ａ）に示すように、ＣＩＪ系
フレーム１の放熱フィン２およびリード３の上面側にの
みＮ１メツキ４を施してから、同図（ｂ）に示すように
半導体素子５を半田ソルダ６により放熱フィン２に溶着
し、その後同図（Ｃ）に示すように半導体素子５とリー
ド３とをワイヤ７で接続する。次に、同図（ｄ）に示す
ように、空気中雰囲気において温度２００〜４００℃１
時間１〜１０分の条件で放熱フィン２の裏面側を酸化す
ることにより、酸化膜１２を形成する。その後、同図（
ｅ）に示すようにモールド金型８を用いて注入口１０よ
り樹脂９を注入してフレーム１および半導体素子５を樹
脂封止する。そして、樹脂９の硬化後モールド金型８を
外すことにより、第２図に示すような半導体装置が得ら
れる。
以上のように、この半導体装置の製造方法によれば、フ
レーム１の放熱フィン２の裏面側に酸化１！２１２を形
成した後、樹脂封止しているため、フレーム１の裏面側
における樹脂９は酸化膜１２と接着してフレーム１との
接着力が従来よりも強くなり、したがってモールド金型
８の連続使用により金型面に汚れが生じたとしても、モ
ールド金型８を外す際に金型面に追随して樹脂９がフレ
ーム１の裏面側から引き外されることはなく、フレーム
１と樹脂９の間にすき間が発生することはない。
レーム１の放熱フィン２の裏面側に酸化１！２１２を形
成した後、樹脂封止しているため、フレーム１の裏面側
における樹脂９は酸化膜１２と接着してフレーム１との
接着力が従来よりも強くなり、したがってモールド金型
８の連続使用により金型面に汚れが生じたとしても、モ
ールド金型８を外す際に金型面に追随して樹脂９がフレ
ーム１の裏面側から引き外されることはなく、フレーム
１と樹脂９の間にすき間が発生することはない。
このため、フレーム１の裏面側から放熱を充分に行なえ
て半導体素子５の熱破壊を防止できる。また、フレーム
１と樹脂９との接着性が高くなるため、それらの間に水
分が浸入することもなく、耐湿性能も向上する。
て半導体素子５の熱破壊を防止できる。また、フレーム
１と樹脂９との接着性が高くなるため、それらの間に水
分が浸入することもなく、耐湿性能も向上する。
以上のように、この発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、フレームを酸化した後樹脂封止しているため、フレ
ームと樹脂との接着性能が向上し、モールド金型を外す
際にモールド金型に追随して樹脂がフレームから引き外
されるようなことはなく、樹脂とフレームとの間にすき
間が発生しなくなるという効果が得られる。
ば、フレームを酸化した後樹脂封止しているため、フレ
ームと樹脂との接着性能が向上し、モールド金型を外す
際にモールド金型に追随して樹脂がフレームから引き外
されるようなことはなく、樹脂とフレームとの間にすき
間が発生しなくなるという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例である半導体装置の製造方
法を示す説明図、第２図はその方法により製造された半
導体装置を示す概略断面図、第３図は従来の半導体装置
の製造方法の一工程を示す概略断面図、第４図は従来の
方法により製造された半導体装置の概略断面図である。 図において、１はフレーム、８はモールド金型、９は樹
脂、１２は酸化膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
法を示す説明図、第２図はその方法により製造された半
導体装置を示す概略断面図、第３図は従来の半導体装置
の製造方法の一工程を示す概略断面図、第４図は従来の
方法により製造された半導体装置の概略断面図である。 図において、１はフレーム、８はモールド金型、９は樹
脂、１２は酸化膜である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体素子を搭載したフレームをモールド金型を
用いて樹脂封止する半導体装置の製造方法において、 前記フレームを加熱処理して酸化させた後に前記樹脂封
止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）前記フレームがＣｕ系フレームである特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285820A JPH01125942A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285820A JPH01125942A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125942A true JPH01125942A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17696509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285820A Pending JPH01125942A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125942A (ja) |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62285820A patent/JPH01125942A/ja active Pending
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