JPH01126445A - 摩擦ディスク - Google Patents
摩擦ディスクInfo
- Publication number
- JPH01126445A JPH01126445A JP62281853A JP28185387A JPH01126445A JP H01126445 A JPH01126445 A JP H01126445A JP 62281853 A JP62281853 A JP 62281853A JP 28185387 A JP28185387 A JP 28185387A JP H01126445 A JPH01126445 A JP H01126445A
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- JP
- Japan
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- silicon carbide
- friction disk
- silicon
- converted
- friction disc
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、摩擦ディスクに関し、詳しくは車両、自動車
、航空機などの車輪の回転を摺動摩擦によってコントロ
ールするブレーキディスク等に関する。
、航空機などの車輪の回転を摺動摩擦によってコントロ
ールするブレーキディスク等に関する。
（従来の技術）
車両、自動車、航空機などのブレーキディスクには、鋳
鉄やアスベスト、あるいは耐摩耗性を与えたり、摩擦性
能の安定化のため鋳鉄に黒鉛を添加したものが従来より
用いられており、最近ではアスベスト粉の人体や環境に
及ぼす悪影響の点から、炭素結合炭素繊維複合材料から
なる。いわゆるＣ／Ｃ複合体よりなるブレーキディスク
が使用されるようになってきている。
鉄やアスベスト、あるいは耐摩耗性を与えたり、摩擦性
能の安定化のため鋳鉄に黒鉛を添加したものが従来より
用いられており、最近ではアスベスト粉の人体や環境に
及ぼす悪影響の点から、炭素結合炭素繊維複合材料から
なる。いわゆるＣ／Ｃ複合体よりなるブレーキディスク
が使用されるようになってきている。
Ｃ／Ｃ複合体は炭素繊維をフィラメントワインディング
などによって一方向を強化したものや、炭素繊維で編ん
だ布、不織布を重ね合わして二方向を強化したもの、あ
るいは多方向に編み込むことによつて多方向に強化した
ものなどがあり、これらのＣ／Ｃ複合体は機械的強度が
大きく、耐熱性や熱伝導性に優れているため、摩擦熱の
急速な放散が可能であり、高強度で焼付きや腐食、サビ
などが発生しないため、航空機のように高速のものや、
一部の特殊な車両や自動車のブレーキディスクに使用さ
れている。
などによって一方向を強化したものや、炭素繊維で編ん
だ布、不織布を重ね合わして二方向を強化したもの、あ
るいは多方向に編み込むことによつて多方向に強化した
ものなどがあり、これらのＣ／Ｃ複合体は機械的強度が
大きく、耐熱性や熱伝導性に優れているため、摩擦熱の
急速な放散が可能であり、高強度で焼付きや腐食、サビ
などが発生しないため、航空機のように高速のものや、
一部の特殊な車両や自動車のブレーキディスクに使用さ
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のＣ／Ｃ複合体より成るブレーキデ
ィスクである摩擦ディスクは強度の点で、強化された方
向は問題なかったが、摺動面の耐摩耗性が不十分であっ
た。
ィスクである摩擦ディスクは強度の点で、強化された方
向は問題なかったが、摺動面の耐摩耗性が不十分であっ
た。
又、高速での摩擦熱は部分的に炭素繊維の酸化反応を開
始させる温度以上になることがあり、その結果、酸化消
耗を起こし、急激な強度劣化が見られた。
始させる温度以上になることがあり、その結果、酸化消
耗を起こし、急激な強度劣化が見られた。
本発明はこのような問題点を解決し、高強度で耐摩耗性
と耐酸化性に優れた摩擦ディスクを提供することを目的
とする。
と耐酸化性に優れた摩擦ディスクを提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明はＣ／Ｃ複合体より成る摩擦ディスク
において、その一部又は全部を炭化珪素に転化して成る
摩擦ディスクを脣旨とするものである。
において、その一部又は全部を炭化珪素に転化して成る
摩擦ディスクを脣旨とするものである。
Ｃ／Ｃ複合体はポリアクリロニトリル、レーヨン、フェ
ノール樹脂等の合成高分子材料を出発原料とする炭素繊
維か、又は石油ピッチ、石炭ピッチ等を出発原料とする
炭素繊維を用いて一次元。
ノール樹脂等の合成高分子材料を出発原料とする炭素繊
維か、又は石油ピッチ、石炭ピッチ等を出発原料とする
炭素繊維を用いて一次元。
二次元、三次元構造、あるいはもっと高次元の構造に組
み立てられる。
み立てられる。
次いでこれらの構造体はフェノール樹脂やフラン樹脂等
の炭化性樹脂な含浸したり、ピッチ類を含浸し、硬化後
、７００℃以上で焼成炭化する。
の炭化性樹脂な含浸したり、ピッチ類を含浸し、硬化後
、７００℃以上で焼成炭化する。
この工程でより緻密て高強度のＣ／Ｃ複合体を得るには
樹脂含浸−硬化一炭化のプロセスを数回綴り返す必要が
ある。
樹脂含浸−硬化一炭化のプロセスを数回綴り返す必要が
ある。
又、この他にも樹脂含浸に換えて、ＣＶＤ処理によって
熱分解炭素を階素繊維構造体内に均一に沈積させてもよ
い。
熱分解炭素を階素繊維構造体内に均一に沈積させてもよ
い。
このようにして成形加工したＣ／Ｃ複合体より成る摩擦
ディスクの一部又は全部を炭化珪素に。
ディスクの一部又は全部を炭化珪素に。
特に耐摩耗性に優れたβ型炭化珪素に転化させる方法と
しては、珪素蒸気又は各種珪素化合物と反応させるコン
バージョン法、コンバージョン法のガス発生源と同じ充
填剤といっしょに被処理物を埋め込んで加熱処理するバ
ックセメンチージョンを応用した方法がある。最も好ま
しい方法として一酸化珪素ガスと摩擦ディスクを次式の
ように反応させることにより、摩擦ディスクの形状を保
持したまま行うコンバージョン法があげられる。
しては、珪素蒸気又は各種珪素化合物と反応させるコン
バージョン法、コンバージョン法のガス発生源と同じ充
填剤といっしょに被処理物を埋め込んで加熱処理するバ
ックセメンチージョンを応用した方法がある。最も好ま
しい方法として一酸化珪素ガスと摩擦ディスクを次式の
ように反応させることにより、摩擦ディスクの形状を保
持したまま行うコンバージョン法があげられる。
Ｓ ｉ Ｏ（ｇ） ＋２Ｃ＝Ｓ ｉ ｃ＋ｃｏ （ｇ）
この反応は１３００℃〜２３００℃の温度範囲で加熱す
ることにより進行する。ここで−酸化珪素ガスを発生さ
せるには、ガス発生源として珪素粉と二酸化珪素粉の混
合体、又は炭化珪素粉と二酸化珪素粉の混合体、あるい
は炭素粉と二酸化珪素粉の混合体、その他各種珪素化合
物を１２００°Ｃ〜２３００℃に加熱することにより行
うことができる。
この反応は１３００℃〜２３００℃の温度範囲で加熱す
ることにより進行する。ここで−酸化珪素ガスを発生さ
せるには、ガス発生源として珪素粉と二酸化珪素粉の混
合体、又は炭化珪素粉と二酸化珪素粉の混合体、あるい
は炭素粉と二酸化珪素粉の混合体、その他各種珪素化合
物を１２００°Ｃ〜２３００℃に加熱することにより行
うことができる。
摩擦ディスクの一部又は全部を炭化珪素に転化させるに
は一酸化珪素ガスの発生源と接触しないように同一黒鉛
容器に４を置し、−酸化珪素ガス発生源から摩擦ディス
クの表面へ一酸化珪素ガスを導入して摩擦ディスクの微
細気孔を通して、−酸化珪素ガスを拡散させて珪化反応
を行わせる。
は一酸化珪素ガスの発生源と接触しないように同一黒鉛
容器に４を置し、−酸化珪素ガス発生源から摩擦ディス
クの表面へ一酸化珪素ガスを導入して摩擦ディスクの微
細気孔を通して、−酸化珪素ガスを拡散させて珪化反応
を行わせる。
摩擦ディスクの希望する部分だけを炭化珪素層に転化さ
せるには、希望する部分以外は黒鉛板等を当ててマスク
させることによって、−酸化珪素ガスとの接触を断つこ
とにより行うことかできる。。
せるには、希望する部分以外は黒鉛板等を当ててマスク
させることによって、−酸化珪素ガスとの接触を断つこ
とにより行うことかできる。。
１！ｌ擦デイスクと一酸化珪素とを反応させてｙ？擦デ
ィスク表面層を炭化珪素に転化させるとき、処理温度を
１３００℃〜２３００℃の範囲で選択することによって
摩擦ディスク表面層の珪化層の中に未反応炭素を残留さ
せ、用途に応じて炭化珪素層の割合である珪化率をいろ
いろ変えたものをつくることができる。又、処理温度の
ほかに処理時間を調節することによっても摩擦ディスク
表面の珪化層の厚さをコントロールすることができる。
ィスク表面層を炭化珪素に転化させるとき、処理温度を
１３００℃〜２３００℃の範囲で選択することによって
摩擦ディスク表面層の珪化層の中に未反応炭素を残留さ
せ、用途に応じて炭化珪素層の割合である珪化率をいろ
いろ変えたものをつくることができる。又、処理温度の
ほかに処理時間を調節することによっても摩擦ディスク
表面の珪化層の厚さをコントロールすることができる。
珪化層の厚さは０．１ｍｍ〜３．５ｍｍが好ましい。そ
の他、−酸化珪素の濃度を調節することによって珪化率
、珪化層の厚さをコントロールすることができる。
の他、−酸化珪素の濃度を調節することによって珪化率
、珪化層の厚さをコントロールすることができる。
以上のような方法のほかに、Ｃ／Ｃ複合体を構成する炭
素繊維自体を前記の方法を用いて、繊維表面層の一部又
は全部を炭化珪素に転化させ、この炭素繊維を用いて１
次元、２次元、又は３次元、あるいはそれ以上の高次元
のＣ／Ｃ複合体に編み上げて樹脂含浸−硬化一炭化ある
いはＣＶＤ処理の工程を経てＳ！擦ディスクを得ること
もてきる。
素繊維自体を前記の方法を用いて、繊維表面層の一部又
は全部を炭化珪素に転化させ、この炭素繊維を用いて１
次元、２次元、又は３次元、あるいはそれ以上の高次元
のＣ／Ｃ複合体に編み上げて樹脂含浸−硬化一炭化ある
いはＣＶＤ処理の工程を経てＳ！擦ディスクを得ること
もてきる。
摩擦ディスクの表面層を炭化珪素に転化した珪化層の中
には未反応炭素を少なくともｌＯ％以Ｅは残留させてお
くことが望ましい。このことによって炭化珪素成分固有
の耐摩耗性付与効果に炭素成分固有の熱伝導性が加わり
、長時間の使用寿命が保証されるからである。
には未反応炭素を少なくともｌＯ％以Ｅは残留させてお
くことが望ましい。このことによって炭化珪素成分固有
の耐摩耗性付与効果に炭素成分固有の熱伝導性が加わり
、長時間の使用寿命が保証されるからである。
（発明の作用）
本発明ではＣ／Ｃ複合体より成る摩擦ディスクの表面層
を一酸化珪素ガスを浸透拡散させ、摩擦ディスク自体と
反応させて炭化珪素に転化させることが特徴となってお
り、ＣＶＤ法やＰＶＤ法。
を一酸化珪素ガスを浸透拡散させ、摩擦ディスク自体と
反応させて炭化珪素に転化させることが特徴となってお
り、ＣＶＤ法やＰＶＤ法。
あるいは、メツキ、溶射、塗布のような方法を使って炭
素繊維の上に各種物質を沈積被膜化したものとは根本的
に違っている。
素繊維の上に各種物質を沈積被膜化したものとは根本的
に違っている。
つまり、ＣＶＤ法やＰＶＤ法、あるいはメツキ、溶射、
塗布などによって得られた炭素繊維表面は各種の沈積被
膜物質と炭素繊維表面がファン・デル・ワールスカ等に
よる物理的接着のみで結合しており、このような炭素繊
維より成るＣ／Ｃ複合体の摩擦ディスクを用いた場合、
高温高圧下での繰り返し使用では沈積被膜物質が熱膨張
差や剪断応力等が原因となって剥離を起こし、耐摩耗性
、耐酸化性を早期に損う。
塗布などによって得られた炭素繊維表面は各種の沈積被
膜物質と炭素繊維表面がファン・デル・ワールスカ等に
よる物理的接着のみで結合しており、このような炭素繊
維より成るＣ／Ｃ複合体の摩擦ディスクを用いた場合、
高温高圧下での繰り返し使用では沈積被膜物質が熱膨張
差や剪断応力等が原因となって剥離を起こし、耐摩耗性
、耐酸化性を早期に損う。
しかし、本発明の摩擦ディスクの表面層は素材が最も安
定で化学的に腐食されない耐酸化性と耐摩耗性に優れた
炭化珪素が主成分であり、摩擦ディスクの表層自体が一
酸化珪素と反応して炭化珪素に変化したものであるから
境界は完全な連続の組織となっており、高温高圧下での
繰り返し使用によって珪化層が剥離することはなく長期
にわたって耐酸化性、耐摩耗性を確保する。
定で化学的に腐食されない耐酸化性と耐摩耗性に優れた
炭化珪素が主成分であり、摩擦ディスクの表層自体が一
酸化珪素と反応して炭化珪素に変化したものであるから
境界は完全な連続の組織となっており、高温高圧下での
繰り返し使用によって珪化層が剥離することはなく長期
にわたって耐酸化性、耐摩耗性を確保する。
次に、本発明を実施例によつて具体的に説明する。
（実施例）
実施例１
炭素繊維で編んだ布を重ね合わせてフェノール樹脂に含
浸した後、ホットプレスを用いて１５０ｋ ｇ ／ ｃ
ｒｎ’の圧力で加圧硬化させ、直径２５０ｍｍΦ、厚
さ１’５ ｍ ｍの成形体を得た。これを９００°Ｃで
焼成炭化しＣ／Ｃ複合体より成る摩擦ディスクを得た。
浸した後、ホットプレスを用いて１５０ｋ ｇ ／ ｃ
ｒｎ’の圧力で加圧硬化させ、直径２５０ｍｍΦ、厚
さ１’５ ｍ ｍの成形体を得た。これを９００°Ｃで
焼成炭化しＣ／Ｃ複合体より成る摩擦ディスクを得た。
ここで、得られた摩擦ディスクに更に４回フェノール樹
脂含浸と焼成炭化を繰り返し、密度１．５８ｇ／ｃｍ″
、曲げ強さ１１５０ｋｇ／ｃｍ″ＡＧ、弾性率１３００
ｋｇ／ｍｍ２の摩擦ディスクを作製した。
脂含浸と焼成炭化を繰り返し、密度１．５８ｇ／ｃｍ″
、曲げ強さ１１５０ｋｇ／ｃｍ″ＡＧ、弾性率１３００
ｋｇ／ｍｍ２の摩擦ディスクを作製した。
この摩擦ディスクを珪素粉と二酸化珪素粉の混合成形体
１．５ｋｇ （モル比１：１）と接触しないように同一
黒鉛容器に入れ密閉し、１８００”Ｃで加熱し、この温
度で９０分間保持して１表面層を炭化珪素に転化した。
１．５ｋｇ （モル比１：１）と接触しないように同一
黒鉛容器に入れ密閉し、１８００”Ｃで加熱し、この温
度で９０分間保持して１表面層を炭化珪素に転化した。
この処理の結果、第１図の断面図に示すようにＣ／Ｃ＃
１合体（３）の表面層が約２．６ｍｍの厚さで未反応炭
素を含んだβ型炭化珪素に転化した層（２）を持った摩
擦ディスク（１）を作製した。
１合体（３）の表面層が約２．６ｍｍの厚さで未反応炭
素を含んだβ型炭化珪素に転化した層（２）を持った摩
擦ディスク（１）を作製した。
炭化珪素に転化した層（２）は第２図の略図に示したよ
うに、表面から約２．６ｍｍの厚さで炭化珪素に添加し
た部分（５）と未反応炭素部分（６）からなる炭素繊維
、及び炭化珪素に転化した部分（７）と未反応炭素（８
）からなる炭素マトリックスより構成されている。
うに、表面から約２．６ｍｍの厚さで炭化珪素に添加し
た部分（５）と未反応炭素部分（６）からなる炭素繊維
、及び炭化珪素に転化した部分（７）と未反応炭素（８
）からなる炭素マトリックスより構成されている。
以上のようにして得られた表面層を炭化珪素に転化した
Ｃ／Ｃ複合体より成る摩耗ディスクの密度は１．６１ｇ
／ｃｒｎ’、曲げ強度１８２０ｋｇ／Ｃゴ、弾性率１９
１０ｋｇ／ｍｍ２となった。
Ｃ／Ｃ複合体より成る摩耗ディスクの密度は１．６１ｇ
／ｃｒｎ’、曲げ強度１８２０ｋｇ／Ｃゴ、弾性率１９
１０ｋｇ／ｍｍ２となった。
この摩擦ディスクを６００℃の空気雰囲気中に置き、１
００時間後の酸化消耗率を測定した結果１表面層を炭化
珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの酸化消耗率
の約１／１５であった。
００時間後の酸化消耗率を測定した結果１表面層を炭化
珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの酸化消耗率
の約１／１５であった。
又、この摩擦ディスクを相手材ステンレス鋼の回転体に
、圧力５８８Ｎで接して摩耗率を測定した結果、表面層
を炭化珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの摩耗
率の約１７３であった。
、圧力５８８Ｎで接して摩耗率を測定した結果、表面層
を炭化珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの摩耗
率の約１７３であった。
実施例２
第３図に示したように、表面層をβ型炭化珪素に転化し
た！（５）を持った炭素繊維を用いて２次元の布を作製
し、これを重ね合わせてフェノール樹脂に含浸した後、
ホットプレスを用いて１５０ｋ ｇ ／ ｃ ｍ″の圧
力で加圧硬化させ、直径２５０ｍｍΦ、厚さ１５ｍｍの
成形体を得た。これを９００℃で焼成、炭化しＣ／Ｃ複
合体より成る摩擦ディスクを作製した。この摩擦ディス
クに更に４回フェノール樹脂含浸と焼成炭化を繰り返し
。
た！（５）を持った炭素繊維を用いて２次元の布を作製
し、これを重ね合わせてフェノール樹脂に含浸した後、
ホットプレスを用いて１５０ｋ ｇ ／ ｃ ｍ″の圧
力で加圧硬化させ、直径２５０ｍｍΦ、厚さ１５ｍｍの
成形体を得た。これを９００℃で焼成、炭化しＣ／Ｃ複
合体より成る摩擦ディスクを作製した。この摩擦ディス
クに更に４回フェノール樹脂含浸と焼成炭化を繰り返し
。
密度１．５９ｇ／ｃｍ″、曲げ強さ１４７０ｋｇ／ｃ
ｒｎ’ Ａ Ｇ、弾性率１４ ’） Ｏｋ ｇ ／ ｍ
ｍ ”のａ！擦ディスクを得た。
ｒｎ’ Ａ Ｇ、弾性率１４ ’） Ｏｋ ｇ ／ ｍ
ｍ ”のａ！擦ディスクを得た。
この摩擦ディスクを６００℃の空気雰囲気中に置き、１
００時間後の酸化消耗率を測定した結果、炭化珪素に転
化していない従来のｆｆｉ擦ディスクの酸化消耗率の約
ｌ／２０であった。
００時間後の酸化消耗率を測定した結果、炭化珪素に転
化していない従来のｆｆｉ擦ディスクの酸化消耗率の約
ｌ／２０であった。
又、この摩擦ディスクを相手材ステンレス鋼の回転体に
、圧力５８８Ｎで接して摩耗率を測定した結果、炭化珪
素に転化していない従来の摩擦ディスクの摩耗率の約１
７２であった。
、圧力５８８Ｎで接して摩耗率を測定した結果、炭化珪
素に転化していない従来の摩擦ディスクの摩耗率の約１
７２であった。
実施例３
実施例１と同様に、炭素繊維で編んだ布を重ね合わせて
フェノール樹脂に含浸した後、ホットプレスを用いて１
５０ｋｇ／ｃｒｎ’の圧力で加圧硬化させ、直径２５０
ｍｍΦ、厚さ１５ｍｍの成形体を得た。これを９００℃
で焼成炭化しＣ／Ｃ＃１合体より成る摩擦ディスクを得
た。
フェノール樹脂に含浸した後、ホットプレスを用いて１
５０ｋｇ／ｃｒｎ’の圧力で加圧硬化させ、直径２５０
ｍｍΦ、厚さ１５ｍｍの成形体を得た。これを９００℃
で焼成炭化しＣ／Ｃ＃１合体より成る摩擦ディスクを得
た。
ここで、得られたＰｌ！擦ディスクに更に４回フェノー
ル５ＪＷｆＩ含浸と焼成炭化を訝り返し、密度１．５８
ｇ／ｃｒｎ”、曲げ強さ１０８０ｋｇ／ｃｍ″ＡＧ、弾
性率１３００ｋｇ／ｍｍ２の摩擦ディスクを作製した。
ル５ＪＷｆＩ含浸と焼成炭化を訝り返し、密度１．５８
ｇ／ｃｒｎ”、曲げ強さ１０８０ｋｇ／ｃｍ″ＡＧ、弾
性率１３００ｋｇ／ｍｍ２の摩擦ディスクを作製した。
この摩擦ディスクを炭素粉と二酸化珪素粉の混合粉１ｋ
ｇ（モル比３：ｌ）といっしょに黒鉛製容器内に充填し
、１８００℃で加熱し、この温度で１時間保持した。
ｇ（モル比３：ｌ）といっしょに黒鉛製容器内に充填し
、１８００℃で加熱し、この温度で１時間保持した。
この処理の結果１表面層をβ型炭化珪素に転化したＣ／
Ｃ複合体より成る摩耗ディスクを得た。
Ｃ複合体より成る摩耗ディスクを得た。
この摩擦ディスクを６００℃の空気雰囲気中に置き、１
００時間後の酸化消耗率を測定した結果、表面層を炭化
珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの酸化消耗率
の約１７１２であった。
００時間後の酸化消耗率を測定した結果、表面層を炭化
珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの酸化消耗率
の約１７１２であった。
又、こめ摩擦ディスクを相手材ステンレス鋼の回転体に
、圧力５８８Ｎ″ｒ！接して摩耗率を測定した結果、表
面層を炭化珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの
摩耗率の約１／３であった。
、圧力５８８Ｎ″ｒ！接して摩耗率を測定した結果、表
面層を炭化珪素に転化していない従来の摩擦ディスクの
摩耗率の約１／３であった。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の摩擦ディスクは、その一
部又は全部を炭化珪素に転化させているため、摩擦熱に
よって炭素繊維が酸化反応を開始する温度の５００℃を
越えることがあっても、表面層の炭化珪素によって酸化
消耗はおさえられ、急激なる強度劣化を起こさないので
安心して使える。
部又は全部を炭化珪素に転化させているため、摩擦熱に
よって炭素繊維が酸化反応を開始する温度の５００℃を
越えることがあっても、表面層の炭化珪素によって酸化
消耗はおさえられ、急激なる強度劣化を起こさないので
安心して使える。
又、本発明の摩擦ディスクはその表面層の炭化珪素によ
って、炭化珪素固有の耐摩耗性付与効果と炭素繊維の熱
伝導性、熱放散性材ヶ効果によって、耐摩耗性のある熱
放散性に優れた摩耗ディスクを提供する。
って、炭化珪素固有の耐摩耗性付与効果と炭素繊維の熱
伝導性、熱放散性材ヶ効果によって、耐摩耗性のある熱
放散性に優れた摩耗ディスクを提供する。
さらに、本発明の摩擦ディスクは炭化珪素によって強化
された炭素繊維より成る摩擦ディスクの構造になってい
るので、従来の炭素繊維の編み構造によって機械的強度
をもたせた摩擦ディスクに較べ、高強度、高弾性のもの
を得ることができる。
された炭素繊維より成る摩擦ディスクの構造になってい
るので、従来の炭素繊維の編み構造によって機械的強度
をもたせた摩擦ディスクに較べ、高強度、高弾性のもの
を得ることができる。
第１図は本発明に係る摩擦ディスクの断面図、第２図は
第１図Ａ部の模式的にあられたし拡大図、第３図は珪化
処理前、珪化処理後の炭素繊維の断面図である。 符 号 の 説 明 ｌ・・・摩擦ディスク。 ２・・・未反応炭素を含んだ炭化珪素に転化した層。 ３−Ｃ／ Ｃ複合体、４−・・炭素繊維、５−・・炭素
繊維の炭化珪素に転化した部分、６−炭素ａ腫の未反応
ＷＮ部分、７−・・炭素マトリックスの炭化珪素に転化
した部分、８−＊素マトリックスの未反応炭素部分。 （以 上） 第３図
第１図Ａ部の模式的にあられたし拡大図、第３図は珪化
処理前、珪化処理後の炭素繊維の断面図である。 符 号 の 説 明 ｌ・・・摩擦ディスク。 ２・・・未反応炭素を含んだ炭化珪素に転化した層。 ３−Ｃ／ Ｃ複合体、４−・・炭素繊維、５−・・炭素
繊維の炭化珪素に転化した部分、６−炭素ａ腫の未反応
ＷＮ部分、７−・・炭素マトリックスの炭化珪素に転化
した部分、８−＊素マトリックスの未反応炭素部分。 （以 上） 第３図
Claims (1)
- Ｃ／Ｃ複合体より成る摩擦ディスクにおいて、その一
部又は全部を炭化珪素に転化して成る摩擦ディスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281853A JPH01126445A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 摩擦ディスク |
| JP3319307A JPH0559350A (ja) | 1987-11-06 | 1991-12-03 | 摩擦デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281853A JPH01126445A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 摩擦ディスク |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3319307A Division JPH0559350A (ja) | 1987-11-06 | 1991-12-03 | 摩擦デイスクの製造方法 |
| JP3319308A Division JPH0539478A (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 摩擦デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126445A true JPH01126445A (ja) | 1989-05-18 |
| JPH033086B2 JPH033086B2 (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=17644906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281853A Granted JPH01126445A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 摩擦ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01126445A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04506953A (ja) * | 1989-07-25 | 1992-12-03 | ダンロップ・エアロスペース・リミテッド | 炭素―炭素複合体 |
| FR2696219A1 (fr) * | 1992-09-30 | 1994-04-01 | Dunlop Ltd | Disque de frein en matériau composite au carbone et empilement de disques de frein comportant ce disque. |
| WO1997022815A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-26 | Sab Wabco (Bromborough) Limited | Friction engaging device |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62281853A patent/JPH01126445A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04506953A (ja) * | 1989-07-25 | 1992-12-03 | ダンロップ・エアロスペース・リミテッド | 炭素―炭素複合体 |
| FR2696219A1 (fr) * | 1992-09-30 | 1994-04-01 | Dunlop Ltd | Disque de frein en matériau composite au carbone et empilement de disques de frein comportant ce disque. |
| US5503254A (en) * | 1992-09-30 | 1996-04-02 | Dunlop Limited | Toughened carbon composite brake discs |
| US5782320A (en) * | 1992-09-30 | 1998-07-21 | Dunlop Limited | Toughened carbon composite brake discs |
| WO1997022815A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-06-26 | Sab Wabco (Bromborough) Limited | Friction engaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH033086B2 (ja) | 1991-01-17 |
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