JPH01128533A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置およびその製造方法に係り、特に、
超薄型・低原価のテープ・オートメーテツド・ボンディ
ング（以下、ＴＡＢと略称する）方式の適用に好適な半
導体装置およびその製造方法に関する。

【従来の技術〕

ＴＡＢ方式に用いられる従来のメタル−層テープは、た
とえば「電子材料４１９８５年５月号　７２〜７６頁に
記載されているように、単純にメタルテープをエツチン
グしてリードパターンを形成したものであった。このた
め、リードパターンと半導体素子との内部接続（以下、
インナリードボンドと称する）後の特性試験は、ポツテ
ィングによる樹脂封止後、すべてのリードパターンを外
部接続（以下、アウタリードボンドと称する）端部で切
り離し、半導体装置単体として、特殊なソケットおよび
プローブを用いて行わざるを得す、テープ状で連続して
製造、検査、実装が可能であるとするＴＡＢ方式本来の
利点を活かすことができなかった。このため、メタル−
層テープは使用者にとって魅力に乏しく、上記文献にみ
られるように、バンプ付きテープなどの形として、他の
分野でその利点を強調することにより需用を得ているの
が現状である。しかしながら、このような形の場合でも
、バンプを形成するためのエツチング工程を含むため、
製造原価が高くなり、本来の目的とする低コスト性から
離れてしまう致命的欠点があった。

（発明が解決しようとする問題点〕 上述したように、メタル−層テープを用いた半導体装置
について、従来技術においては、テープ搭載状態での特
性試験についての配慮がなされていなかったため、ＴＡ
Ｂ方式の大きな利点とする製造・試験の自動−貫ライン
化ができないという問題点があった。

本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解決し
、メタル−層テープを用いて、しかも、テープ搭載状態
での特性試験の実施を可能とする構造の低価格の半導体
装置およびその製造方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、メタル−層テープに、入出力用リードパタ
ーンの外に、電気接続には無関係の支持用リードパター
ンを設け、入出力用リードパターンのインナリードボン
ド部およびアウタリードボンド部の一部端部を残して、
リードパターンに所定形状の耐熱接着テープを貼着し、
半導体素子をリードパターン上に載置してインナリード
ボンディングを行い、半導体素子の樹脂封止を行った後
。

入出力用リードパターンのアウタリードボンディング部
端部を切断した構造とすることによって達成することが
できる。

〔作用〕

上記により得られた構造の半導体装置は、樹脂封止され
た半導体素子は耐熱性接着フィルムを介して支持用リー
ドパターンにより母材メタル−層テープに連結、保持さ
れ、かつ、入出力用リードは母材メタル−層テープから
は電気的に独立した状態となっていることによって、半
導体素子をテープ上に搭載した状態で、その特性試験を
行うことが可能になる。

また］耐熱性接着フィルムの貼着により各リードパター
ンを連結することによって、製造加工時の取扱いによっ
て発生するリードパターンの変形を防止することができ
る。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について、図によって説明する。

第２図は本発明による半導体装置の製造の中間段階の状
態を示す上面図で、メタル−層テープ１゜入出力用リー
ドパターン２、支持用リードパターン３および絶縁性耐
熱接着フィルム４からなることを示す、この種用途に用
いられるメタル−層テープとしては、通常、厚さ１０〜
１１００ＩＩの金属箔が用いられるが１本実施例におい
ては厚さ５０μｍの圧延銅箔を用いた。また、リードパ
ターンの形成は、通常、エツチングあるいは打抜きによ
って行われるが、本実施例においてはエツチング方法を
採用し、常法のエツチングにより幅７５μｍの入出力用
リードパターン２および支持用リードパターン３を作成
した。なお、ここで、パターン形状としては通常評価試
験用として使用している９ピンのパターンを採用した。

以上のようにしてパターンを形成したメタル−層テープ
について、そのリードパターン２および３上に、入出力
用リードパターン２のインナリードボンディング部およ
びアウタリードボンディング部の一部端部を残した状態
で、予め角リング状に切断した厚さ約１００μｍの市販
の絶縁性耐熱接着テープ４を貼着した。

次いで、上記リードパターン上に半導体素子（図示せず
）を載置し、入出力用リードパターンのインナリードボ
ンディング後、絶縁性耐熱接着フィルム４を含めて、通
常のポツティング樹脂（エポキシ系、キュア条件１５０
℃１０分）を用いて半導体素子の樹脂封止５を行い、つ
づいて、入出力用リードパターン２を母材メタル−層テ
ープ１から切断することによって、本発明半導体素を完
成した。

この状態は第１図に示す通りで、この状態において、樹
脂封止した半導体素子および入出力用リード２は支持用
リードパターン３により母材メタル−層テープ１に保持
されており、かつ、入出力用リード２は相互に電気的に
独立した状態となっていることによって、適切な測定用
プローブを用いることにより、メタル−層テープ１上に
搭載された姿で特性試験を行うことが可能となった。

第３図は上述した本発明半導体装置の製造工程を示す図
で、いわゆる三層テープの場合には接着剤を塗工したフ
ィルムテープに金属箔をラミネートすることなどの複雑
な工程を必要とすることに対し、本発明においては、金
属箔を常法により直接エツチングすることによってリー
ドパターンを形成し、リードパターンの必要部分に所定
形状の接着フィルムを貼着するのみで足り、以降のイン
ナリードボンディング、樹脂封止などの工程は従来工程
と同一であり、製造工程を大幅に省略することができた
。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、ＴＡＢ方式に用いる半導体装置
において、本発明による構成の半導体装置とすることお
よび本発明によるその製造方法を採ることによって、従
来の半導体装置にみられた問題点を解決し、メタル−層
テープ上に搭載した状態で特性試験を実施し得、ＴＡＢ
方式本来の大きな利点である製造・試験の自動−貫ライ
ン化を可能にすることができた。

また、同時に、テープ母材としてメタル−層テープを用
い、しかも、工程が単純化されることによって、低価格
のテープ搭載半導体装置を提供することができるように
なった。

なお、本半導体装置の供給を受けた使用者は。

支持用リードパターンを切断し、アウタリードボンディ
ングを行い、通常のＴＡＢ方式実装の場合と同一の手法
により工程を進めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体装置の完成状態を示す上面
図、第２図は本発明による半導体装置の製造の中間段階
の状態を示す上面図、第３図は本発明による半導体装置
の製造工程を示す工程図である。 １・・・メタル−層テープ ２・・・入出力用リードパターン ３・・・支持用リードパターン ４・・・絶縁性耐熱接着フィルム　　５・・・封止樹脂
代理人弁理士　　中　村　純之助 第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、厚さ１０〜１００μｍの金属箔にリードパターンを
   形成したテープ上に半導体素子を搭載した半導体装置に
   おいて、入出力用リードパターンの他に、電気接続とは
   無関係の複数のリードパターンを設け、入出力用リード
   パターンの内部接続部および外部接続部の一部を残して
   、リードパターン相互を絶縁性耐熱接着フィルムにより
   物理的に接続したテープ上に半導体素子を載置し、イン
   ナリードボンディングを行った後、半導体素子の樹脂封
   止を行い、入出力リードパターンの外部接続端部を切断
   してなることを特徴とする半導体装置。 ２、下記の工程からなることを特徴とする半導体装置の
   製造方法。 ｉ　厚さ１０〜１００μｍの金属箔について、エッチン
   グあるいは打抜きにより、入出力リードパターンと電気
   接続とは無関係のリードパターンとからなるリードパタ
   ーンを形成する工程ｉｉ　入出力用リードパターンの内
   部接続部および外部接続部の一部端部を残して、リード
   パターンに所定形状の絶縁性耐熱接着フィルムを貼着す
   る工程 ｉｉｉ　半導体素子をリードパターン上に載置し、イン
   ナリードボンディングを行う工程 ｉｖ　半導体素子の樹脂封止を行う工程 ｖ　入出力用リードパターンの外部接続部端部を切断す
   る工程