JPH01129472A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPH01129472A JPH01129472A JP62288199A JP28819987A JPH01129472A JP H01129472 A JPH01129472 A JP H01129472A JP 62288199 A JP62288199 A JP 62288199A JP 28819987 A JP28819987 A JP 28819987A JP H01129472 A JPH01129472 A JP H01129472A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/198—Contact-type image sensors [CIS]
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
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- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ｌｅ業七の利用分野］
本発明は光電変換装置に係り、特に原稿に密着した状Ｉ
Ｅで画像読取りに係る原稿を相対的に、移動させつつ画
像を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、ディ
ジタル複写装置等に好適に用いられる光電変換装置に関
する。
Ｅで画像読取りに係る原稿を相対的に、移動させつつ画
像を読み取るファクシミリ装置、イメージリーダ、ディ
ジタル複写装置等に好適に用いられる光電変換装置に関
する。
［従来技術］
従来、この種の密着型とよばれる光電変換装置としては
、ロッドレンズアレイ、あるいは集束性ファイバー等を
用いて、原稿上の画像を光電変換素子を有する光センサ
もしくはその群上に投影することにより読み取りを行な
うものが、多く作製されてきた。
、ロッドレンズアレイ、あるいは集束性ファイバー等を
用いて、原稿上の画像を光電変換素子を有する光センサ
もしくはその群上に投影することにより読み取りを行な
うものが、多く作製されてきた。
これに対し最近では、コストダウン及び−層の小型化等
を目的として、ロッドレンズアレイ、集束性ファイバー
等を使用せず、光センサ−Ｌに薄い透明保護層を被膜し
、この上を密着状１息で原稿を移動させつつ読み取りを
行なう方式の光電変換装置の開発が盛んである。
を目的として、ロッドレンズアレイ、集束性ファイバー
等を使用せず、光センサ−Ｌに薄い透明保護層を被膜し
、この上を密着状１息で原稿を移動させつつ読み取りを
行なう方式の光電変換装置の開発が盛んである。
第５図は、この種の光電変換装置の一構成部の一例を示
す概略的断面図である。
す概略的断面図である。
第６図は、上記光電変換装置の一構成部の等価回路図で
ある。
ある。
第６図に示すように、透光性絶縁基体ｌの裏面側に配置
された不図示の光源から放出された光は透光性絶縁基体
ｌの反対面の開口部１０を通って原稿７に照射され、こ
の原稿７を反射して光電変換部１２に照射される。照射
光脣は半導体層の導電率を変化させ、この光電変換部１
２（第６図中、Ｒｓに対応する）で光電変換された電荷
は、電荷蓄積部１３（第６図中、Ｃｓに対応する）の」
二層電極１０に蓄積される。
された不図示の光源から放出された光は透光性絶縁基体
ｌの反対面の開口部１０を通って原稿７に照射され、こ
の原稿７を反射して光電変換部１２に照射される。照射
光脣は半導体層の導電率を変化させ、この光電変換部１
２（第６図中、Ｒｓに対応する）で光電変換された電荷
は、電荷蓄積部１３（第６図中、Ｃｓに対応する）の」
二層電極１０に蓄積される。
光゛心変換部１２および電荷蓄積部１３は、透光性絶縁
基体ＩＬに不透光性層２、電荷蓄積部１３川のド層電極
３を形成し、その上に絶縁層４、゛ト導体層５、不透光
性のＬ周電極６を順次積層して、さらに光電変換部１２
となる上層電極６の一部を光入射用に開口部１１を設け
、その上に複数の透ＩＪＩの透光性絶縁保護層３０１゜
３０２．３０３を形成することによって作製される。
基体ＩＬに不透光性層２、電荷蓄積部１３川のド層電極
３を形成し、その上に絶縁層４、゛ト導体層５、不透光
性のＬ周電極６を順次積層して、さらに光電変換部１２
となる上層電極６の一部を光入射用に開口部１１を設け
、その上に複数の透ＩＪＩの透光性絶縁保護層３０１゜
３０２．３０３を形成することによって作製される。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、Ｌ記従来の光電変換装置は最上部の透光
性絶縁保護層３０３が一般に高い絶縁性を有するために
、原稿７が透光性絶縁保護層３０３上を密着状態で移動
していくと透光性絶縁保護層３０３上に静′屯気が発生
し、第６図に示すように、コンデンサＣｐを構成して、
信号のレベルシフトや信号処理部の誤動作等を引き起こ
す問題点があった。
性絶縁保護層３０３が一般に高い絶縁性を有するために
、原稿７が透光性絶縁保護層３０３上を密着状態で移動
していくと透光性絶縁保護層３０３上に静′屯気が発生
し、第６図に示すように、コンデンサＣｐを構成して、
信号のレベルシフトや信号処理部の誤動作等を引き起こ
す問題点があった。
［問題点を解決するための手段］
本発明の光電変換装置は、透光性絶縁基体ヒに不透光性
層、絶縁層、半導体層、第一の電極を順次積層してなる
光電変換部と、 前記透光性絶縁基体トに第二の電極、誘電体層、第三の
電極を順次積層してなる電荷蓄積部と、 前記光電変換部と前記電荷蓄積部上に透光性絶縁保護層
を有する光電変換装置において、前記第一の電極と前記
第二の電極とが電気的接続され、前記第三の電極の電位
が一定に保持されたことを特徴とする。
層、絶縁層、半導体層、第一の電極を順次積層してなる
光電変換部と、 前記透光性絶縁基体トに第二の電極、誘電体層、第三の
電極を順次積層してなる電荷蓄積部と、 前記光電変換部と前記電荷蓄積部上に透光性絶縁保護層
を有する光電変換装置において、前記第一の電極と前記
第二の電極とが電気的接続され、前記第三の電極の電位
が一定に保持されたことを特徴とする。
なお、ここで、第三の電極の電位が一定に保持されたと
４よ、第三の電極が、実質的に電位変動しない部分１例
えばＧＮＤに接続されていることで電位が一定に保持さ
れていることをいう。
４よ、第三の電極が、実質的に電位変動しない部分１例
えばＧＮＤに接続されていることで電位が一定に保持さ
れていることをいう。
［作用］
本発明は、電荷蓄積部を透光性絶縁基体上に第二の電極
、誘電体層、第三の電極、透光性絶縁保護層を順次積層
した構成とし、光電変換部の第一の電極と該第二の電極
とを電気的接続させて、光電変換部で光電変換された電
荷を第二の電極に蓄積し、第三の電極の電位を一定に保
持することで、 透光性絶縁保護層上に発生する静電気の第二の電極に及
ぼす影響を抑えるものである。
、誘電体層、第三の電極、透光性絶縁保護層を順次積層
した構成とし、光電変換部の第一の電極と該第二の電極
とを電気的接続させて、光電変換部で光電変換された電
荷を第二の電極に蓄積し、第三の電極の電位を一定に保
持することで、 透光性絶縁保護層上に発生する静電気の第二の電極に及
ぼす影響を抑えるものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
なお以下の説明において、第６図、第７図に示した光電
変換装置−構成部および等価回路図と同一構成部材を用
いる場合は同一符号を用いるものとする。
変換装置−構成部および等価回路図と同一構成部材を用
いる場合は同一符号を用いるものとする。
第１図に本発明になる光電変換装置の２ビットに対応す
る部分が示されである。第１図（Ａ）はその平面図、第
１図（Ｂ）は第１図（Ａ）におけるＢ−Ｂ ′断面図、
第１図（Ｃ）は第１図（Ａ）におけるｃ−ｃ ′断面図
をそれぞれ示す。
る部分が示されである。第１図（Ａ）はその平面図、第
１図（Ｂ）は第１図（Ａ）におけるＢ−Ｂ ′断面図、
第１図（Ｃ）は第１図（Ａ）におけるｃ−ｃ ′断面図
をそれぞれ示す。
第２図は、上記光電変換装置の一構成部の等価回路図で
ある。
ある。
本実施例では、光電変換部、電荷蓄積部、スイッチング
用？？、ＨＩＱトランジスタ部、配線用マトリクス部を
同一・基板上に一体的に形成した構成の光電変換装置を
示した。第１図（Ａ）には２ビット分が図示されている
が、実際の光電変換装置にはこの１ビツトに対応する部
分を基板」−にライン状に複数個並べて、−次元の光電
変換装置としている９例えば、原稿Ｐの幅方向（原稿Ｐ
の移動方向と直交する方向）にＡ４サイズ相当の２１６
ｍｍにＹって８木／ｍｍの解像度を持たせるとすれば、
１７２８個の光電変換部を配列させることになる。
用？？、ＨＩＱトランジスタ部、配線用マトリクス部を
同一・基板上に一体的に形成した構成の光電変換装置を
示した。第１図（Ａ）には２ビット分が図示されている
が、実際の光電変換装置にはこの１ビツトに対応する部
分を基板」−にライン状に複数個並べて、−次元の光電
変換装置としている９例えば、原稿Ｐの幅方向（原稿Ｐ
の移動方向と直交する方向）にＡ４サイズ相当の２１６
ｍｍにＹって８木／ｍｍの解像度を持たせるとすれば、
１７２８個の光電変換部を配列させることになる。
また、本例では、光電変換部と、光電変換部の出力を蓄
積する電荷蓄積部と、当該蓄積された電荷を転送して信
号処理に共するためのスイッチ部と、心安な配線パター
ン等とを同一の製造工程で基板上に形成しである。
積する電荷蓄積部と、当該蓄積された電荷を転送して信
号処理に共するためのスイッチ部と、心安な配線パター
ン等とを同一の製造工程で基板上に形成しである。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）において、透光性絶縁基板ｌトに
は、マトリックス配線部１８、光電変換部１２、電荷蓄
積部１３、転送用スイッチ２０ａおよび゛這々蓄積部１
３の電荷をリセットする放電用スイッチ２０ｂを含むス
イッチ部２０、転送用スイッチ２０ａの信号出力を後述
の信号処理部に接続する配線２１、転送用スイッチ２０
ａによって転送される電荷を蓄積し読み出すための負荷
コンデンサ２２がそれぞれ構成されている。
は、マトリックス配線部１８、光電変換部１２、電荷蓄
積部１３、転送用スイッチ２０ａおよび゛這々蓄積部１
３の電荷をリセットする放電用スイッチ２０ｂを含むス
イッチ部２０、転送用スイッチ２０ａの信号出力を後述
の信号処理部に接続する配線２１、転送用スイッチ２０
ａによって転送される電荷を蓄積し読み出すための負荷
コンデンサ２２がそれぞれ構成されている。
この実施例では、光電変換部３．転送用スイッチ２０ａ
および放電用スイッチ２０ｂを構成する半導体層５とし
てＡ−３ｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁層４としてグロー放
電による窒化シリコン膜（Ｓ ｉ ＮＨ）が用いられて
いる。
および放電用スイッチ２０ｂを構成する半導体層５とし
てＡ−３ｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁層４としてグロー放
電による窒化シリコン膜（Ｓ ｉ ＮＨ）が用いられて
いる。
なお、第１図（Ａ）においては、煩雑さを避けるために
、上下二層の電極配線のみを示し、半導体層５および絶
縁層４、ならびに透光性絶縁層（パッシベーション層、
接着層、耐摩耗層）は図示していない。また、半導体層
５および絶縁層４は光電変換部３、電荷蓄積部４、スイ
ッチ部２０に形成されているほか、上層電極と基板との
間にも形成されている。
、上下二層の電極配線のみを示し、半導体層５および絶
縁層４、ならびに透光性絶縁層（パッシベーション層、
接着層、耐摩耗層）は図示していない。また、半導体層
５および絶縁層４は光電変換部３、電荷蓄積部４、スイ
ッチ部２０に形成されているほか、上層電極と基板との
間にも形成されている。
また、本例の光電変換装置の配線パターンにおいては、
各光電変換部から出力される信号経路はすべて他の配線
と交差しないように配線されており、各信号成分間のク
ロストーク並びにゲート電極配線からの誘導ノイズの発
生を防いでいる。
各光電変換部から出力される信号経路はすべて他の配線
と交差しないように配線されており、各信号成分間のク
ロストーク並びにゲート電極配線からの誘導ノイズの発
生を防いでいる。
光電変換部１２において、２３および２４は上層゛電極
であり、２は不透光性層である。
であり、２は不透光性層である。
電荷蓄積部１３は、下層電極３、この下層電極３にに形
成された絶縁層４および半導体層５との誘電体と、半導
体層５上に形成され、光電変換部１２の上層電極２４に
連続した配線とから構成される。この電荷蓄積部１２の
構造はいわゆるＭ Ｉ Ｓ （Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌ
ａｔｅｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｅｔｏｒ）コンデンサと
同じ構造である。
成された絶縁層４および半導体層５との誘電体と、半導
体層５上に形成され、光電変換部１２の上層電極２４に
連続した配線とから構成される。この電荷蓄積部１２の
構造はいわゆるＭ Ｉ Ｓ （Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌ
ａｔｅｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｅｔｏｒ）コンデンサと
同じ構造である。
第１図（Ｃ）は、転送用スイッチ２０ａおよび放１ヒ用
スイッチ２０ｂを含むＴＦＴ構造のスイッチ部２０を示
し、転送用スイッチ２０ａは、ゲート電極たる下層電極
２５と、ゲート絶縁層をなす絶縁層４と、半導体層５と
、ソース電極たる上層電極２６と、ドレイン電極たる−
Ｌ層電極２６等とから構成される。放電用スイッチ２０
ｂのゲート絶縁層および光導電性半導体層は絶縁層４お
よび光導電性半導体層５と同一層であり、ソース電極は
上層電極２６、ゲート電極は下層電極２７、ドレイン電
極は上層電極２８である。また、下層電極２９は転送用
スイッチ２０ａのゲート電極に接続される。
スイッチ２０ｂを含むＴＦＴ構造のスイッチ部２０を示
し、転送用スイッチ２０ａは、ゲート電極たる下層電極
２５と、ゲート絶縁層をなす絶縁層４と、半導体層５と
、ソース電極たる上層電極２６と、ドレイン電極たる−
Ｌ層電極２６等とから構成される。放電用スイッチ２０
ｂのゲート絶縁層および光導電性半導体層は絶縁層４お
よび光導電性半導体層５と同一層であり、ソース電極は
上層電極２６、ゲート電極は下層電極２７、ドレイン電
極は上層電極２８である。また、下層電極２９は転送用
スイッチ２０ａのゲート電極に接続される。
さらに、上層電極の上に主として半導体層表面の保護安
定化を目的とする透光性絶縁層（パッシベーションＡ層
）３０１が形成され、原稿と直接接触する最−Ｌ部には
耐摩耗層とよばれる原稿による傷等から装置全体を守る
高硬度の透光性絶縁層３０３が設けられ、さらに透光性
絶縁層３０１と１Ｉ１１摩耗層の間に、双方の密着性向
上と耐湿性向上を目的とした透光性絶縁層（パワシベー
ションＢ層）３０２が形成されている。
定化を目的とする透光性絶縁層（パッシベーションＡ層
）３０１が形成され、原稿と直接接触する最−Ｌ部には
耐摩耗層とよばれる原稿による傷等から装置全体を守る
高硬度の透光性絶縁層３０３が設けられ、さらに透光性
絶縁層３０１と１Ｉ１１摩耗層の間に、双方の密着性向
上と耐湿性向上を目的とした透光性絶縁層（パワシベー
ションＢ層）３０２が形成されている。
本実施例では、透光性絶縁層３０１はポリイミド系樹脂
塗布、透光性絶縁層３０２はエポキシ系樹脂塗布、透光
性絶縁層３０３は５０ｇｍ程度のマイクロシートガラス
で形成される。
塗布、透光性絶縁層３０２はエポキシ系樹脂塗布、透光
性絶縁層３０３は５０ｇｍ程度のマイクロシートガラス
で形成される。
第１図（Ｂ）及び第２図に示すように、第５図、第６図
に示した従来の光電変換装置と同様にして、透光性絶縁
基体１の裏面側に配置された不図示の光源から放出され
た光は透光性絶縁基体ｌの反対面の開口部１０を通って
原稿７に照射され、この原稿７を反射して光電変換部１
２に照射される。上層電極２３．２４間の間隙部ｌｌに
照射された光は半導体層５の導電率を変化さぜ、この光
電変換部１２（第２図中、Ｒｓに対応する）で光電変換
された電荷は、電荷蓄積部１３（第２図中、Ｃｓに対応
する）に蓄積される。
に示した従来の光電変換装置と同様にして、透光性絶縁
基体１の裏面側に配置された不図示の光源から放出され
た光は透光性絶縁基体ｌの反対面の開口部１０を通って
原稿７に照射され、この原稿７を反射して光電変換部１
２に照射される。上層電極２３．２４間の間隙部ｌｌに
照射された光は半導体層５の導電率を変化さぜ、この光
電変換部１２（第２図中、Ｒｓに対応する）で光電変換
された電荷は、電荷蓄積部１３（第２図中、Ｃｓに対応
する）に蓄積される。
本発明の構成の特徴とするところは、第１図に示すよう
に、光電変換部１２の上層電極６ａと電荷蓄積部１３の
下層電極３とが、スルーホール９を通して接続されて、
光電変換部１２で光電変換された電荷が下層電極３に蓄
積され、」−層重極６ｂが実質的に電位変動しない部分
、例えばＧＮＤに接続されていることである。
に、光電変換部１２の上層電極６ａと電荷蓄積部１３の
下層電極３とが、スルーホール９を通して接続されて、
光電変換部１２で光電変換された電荷が下層電極３に蓄
積され、」−層重極６ｂが実質的に電位変動しない部分
、例えばＧＮＤに接続されていることである。
以下、このような構成の効果について説１１する。
静電気発生面となる透光性絶縁保護層３０３の面と゛重
荷蓄積部１３の出力となる下層電極３とは、第２図に示
すように、透光性絶縁保護層３０１．３０２．３０３に
よって生ずるコンデンサｅｐｂと゛ト導体層５と絶縁層
４とで生ずるコンデンサＣｓとを介して接続されること
になるが、」−層重Ｊ４ｉ６ｂがＧＮＤとなっているの
で、透光性絶縁保護層３０３トに静電気が発生してもそ
の影響を受けない、また、スルーホール９のために不浮
容州Ｃｐａが生ずるが、Ｃｐａを非常に小さくできるた
め静電気の影響を低く抑えることができる。
荷蓄積部１３の出力となる下層電極３とは、第２図に示
すように、透光性絶縁保護層３０１．３０２．３０３に
よって生ずるコンデンサｅｐｂと゛ト導体層５と絶縁層
４とで生ずるコンデンサＣｓとを介して接続されること
になるが、」−層重Ｊ４ｉ６ｂがＧＮＤとなっているの
で、透光性絶縁保護層３０３トに静電気が発生してもそ
の影響を受けない、また、スルーホール９のために不浮
容州Ｃｐａが生ずるが、Ｃｐａを非常に小さくできるた
め静電気の影響を低く抑えることができる。
以下、本発明の光電変換装置の製造方法について説ＩＪ
Ｊする。
Ｊする。
第３図は、本発明の光電変換装置の製造工程を説明する
ための工程図である。
ための工程図である。
なお、ここでは光電変換部１２、電荷蓄積部１３に加え
て、蓄積された電荷を転送する転送用薄膜トランジスタ
部１４および信号線用マトリクス配線部１５を同時に作
製する場合に゛ついて説明する。
て、蓄積された電荷を転送する転送用薄膜トランジスタ
部１４および信号線用マトリクス配線部１５を同時に作
製する場合に゛ついて説明する。
また、木工程図における光電変換装置の断面形状は、製
造工程を理解するために、模式的に描かれており、前述
した第１図の光電変換装置と直接の対応関係はない。し
かしながら、第１図の光電変換装置も同様な製造工程で
作製される。
造工程を理解するために、模式的に描かれており、前述
した第１図の光電変換装置と直接の対応関係はない。し
かしながら、第１図の光電変換装置も同様な製造工程で
作製される。
まず、両面研磨済のガラス基体（コーこング社゛′
製） ７０５９）に中性洗剤もしくは有機アル
カリ系洗剤を用いて通常の洗浄を施した０次に、電子ビ
ーム蒸着法でＯｒを０．１１Ｌｖａ厚に堆積せしめ、ポ
ジ型７オトレジスト（シプレー社１ａｚ−ｔ３７０）を
用いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成した
後、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸の混
合水溶液を用いて不要なＣｒを除去し、光電用変換部の
不透光製層２、マトリクス配線部の下層電極３ｄ、コン
デンサ部の下層電極３ｂおよび薄膜トランジスタ部のゲ
ート電極３ｃを形成した（第３図（Ａ））。
製） ７０５９）に中性洗剤もしくは有機アル
カリ系洗剤を用いて通常の洗浄を施した０次に、電子ビ
ーム蒸着法でＯｒを０．１１Ｌｖａ厚に堆積せしめ、ポ
ジ型７オトレジスト（シプレー社１ａｚ−ｔ３７０）を
用いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成した
後、硝酸第２セリウムアンモニウムおよび過塩素酸の混
合水溶液を用いて不要なＣｒを除去し、光電用変換部の
不透光製層２、マトリクス配線部の下層電極３ｄ、コン
デンサ部の下層電極３ｂおよび薄膜トランジスタ部のゲ
ート電極３ｃを形成した（第３図（Ａ））。
次いで、容量結合型のグロー放電分解装を内にガラス基
体１をセットし、ｌ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒの真空中で
２３０℃に維持した０次いで装置内にＨ２で１０％に希
釈したＳｉＨ４を５ＳＣＣＮのｆｆｔ量で、またＮＨ３
を２０ＳＣＣＭの流量で同時に流入させ、１１−１１−
５Ｅｉの高周波゛市原を用い、ＲＦ放放電上心力１５Ｗ
２時間グロー放゛屯し、窒化シリコンからなる絶縁層４
を０．３７ｚ厚に形成した０次にＳｉＨ４ガスをｌ０３
ＧＧＦＫのｆｆｔ 、：Ｌで流入させ、放電・、に力８
Ｗ、ガス圧０．７Ｔｏｒｒで２．５時間グロー放電し、
半導体層たる非晶質シリコンイントリンシック層５を０
．５０７Ｌ厚に形成した。続いてＨ２で１０％に希釈し
たＳｉＨ４とＨ２で１１００ｐｐに希釈したＰＨ３とを
混合比１：１０で混合したガスを原料として用い、放１
［電力３０Ｗでオーミックコンタクト層であるｎ十層１
７を０．１２ｇ堆積せしめた（第３図（Ｂ）） 次にポジ型フォトレジスト（東京応化製０ＦＰＲ−１３
００）を用いてコンタクトホールのパターンを形成し、
プラズマエツチング法でＲＦ放電電力ｉｏｏｗ、ガス圧
０．３０丁ｏｒｒでＧＦ４Ｆスによるドライエツチング
を行ってｎ十層および非晶質シリコンのイントリンシッ
ク層の不要部を除去し、コンタクトホール１６を形成し
た。（第３［４（Ｃ） ’） 。
体１をセットし、ｌ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒの真空中で
２３０℃に維持した０次いで装置内にＨ２で１０％に希
釈したＳｉＨ４を５ＳＣＣＮのｆｆｔ量で、またＮＨ３
を２０ＳＣＣＭの流量で同時に流入させ、１１−１１−
５Ｅｉの高周波゛市原を用い、ＲＦ放放電上心力１５Ｗ
２時間グロー放゛屯し、窒化シリコンからなる絶縁層４
を０．３７ｚ厚に形成した０次にＳｉＨ４ガスをｌ０３
ＧＧＦＫのｆｆｔ 、：Ｌで流入させ、放電・、に力８
Ｗ、ガス圧０．７Ｔｏｒｒで２．５時間グロー放電し、
半導体層たる非晶質シリコンイントリンシック層５を０
．５０７Ｌ厚に形成した。続いてＨ２で１０％に希釈し
たＳｉＨ４とＨ２で１１００ｐｐに希釈したＰＨ３とを
混合比１：１０で混合したガスを原料として用い、放１
［電力３０Ｗでオーミックコンタクト層であるｎ十層１
７を０．１２ｇ堆積せしめた（第３図（Ｂ）） 次にポジ型フォトレジスト（東京応化製０ＦＰＲ−１３
００）を用いてコンタクトホールのパターンを形成し、
プラズマエツチング法でＲＦ放電電力ｉｏｏｗ、ガス圧
０．３０丁ｏｒｒでＧＦ４Ｆスによるドライエツチング
を行ってｎ十層および非晶質シリコンのイントリンシッ
ク層の不要部を除去し、コンタクトホール１６を形成し
た。（第３［４（Ｃ） ’） 。
次に′Ｉｋ子ビーム蒸着法でＡｆＬを０．５に厚に堆積
せしめて、導電層を形成し、続いて所望の形状にフォト
レジストパターンを形成した後、リン酸（８５容量％水
溶液）、硝酸（６０容賃％水溶液）、氷酢酸および水を
１６：ｌ：２：１の要量比で混合した液で露出部分の導
電層を除去し、上部電極６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄを形成
した。しかる後に先に述べたプズマエッチング法でＣＦ
４ガスによるドライエッシチングを行って露出部分のｎ
＋層を除去し、所望のｎ十層を形成した０次いでフォト
レジストを剥離した（第３図（Ｄ））。
せしめて、導電層を形成し、続いて所望の形状にフォト
レジストパターンを形成した後、リン酸（８５容量％水
溶液）、硝酸（６０容賃％水溶液）、氷酢酸および水を
１６：ｌ：２：１の要量比で混合した液で露出部分の導
電層を除去し、上部電極６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄを形成
した。しかる後に先に述べたプズマエッチング法でＣＦ
４ガスによるドライエッシチングを行って露出部分のｎ
＋層を除去し、所望のｎ十層を形成した０次いでフォト
レジストを剥離した（第３図（Ｄ））。
次に素子間分離用にフォトレジストパターンを形成する
０本発明の手段と構成は、以下の工程で実施される。
０本発明の手段と構成は、以下の工程で実施される。
次に、この素子間分離パターンをマスクとして、イント
リンシック半導体層のみをエツチング除去する。この際
、プラズマエツチング法により、ＣＦ４ガ、スを反応ガ
スとして用い、エツチング時間を制御することにより、
イントリンシック半導体層６０００人と窒化シリコン膜
を５００人はどエツチングし、２５００人はどの窒化シ
リコン膜を。
リンシック半導体層のみをエツチング除去する。この際
、プラズマエツチング法により、ＣＦ４ガ、スを反応ガ
スとして用い、エツチング時間を制御することにより、
イントリンシック半導体層６０００人と窒化シリコン膜
を５００人はどエツチングし、２５００人はどの窒化シ
リコン膜を。
素ｒ−間全面に残した。
その上にポリイミド樹脂を用いて、透光性絶縁保護層（
パッシベーションＡ層）３０１を形成し、次に透光性絶
縁保護層（パワシベーションＢ層）３０２として、エポ
キシ樹脂を塗布し、最後にマイクロガラスシートを接着
し、透光性絶縁保護層３０３を形成する（第３図（Ｅ）
）。
パッシベーションＡ層）３０１を形成し、次に透光性絶
縁保護層（パワシベーションＢ層）３０２として、エポ
キシ樹脂を塗布し、最後にマイクロガラスシートを接着
し、透光性絶縁保護層３０３を形成する（第３図（Ｅ）
）。
次に、本発明の光電変換装置の具体例について説明する
。
。
第４図は１本実施例を用いたファクシミリ装置の概略的
構成図である。
構成図である。
同図において、原稿送信時では、密着型イメージセンサ
２０１上に原稿２０５がプラテンローラ２０３によって
圧着し、プラテンローラ２０３および給送ローラ２０４
によって矢印方向へ移動する。原稿表面は光源であるキ
セノンランプ２０２によって照明され、その反射光が本
実施例の光電変換装置に対応するセンサ２０１に入射し
て原稿の画像情報に対応した電気信号に変換され送信さ
れる。
２０１上に原稿２０５がプラテンローラ２０３によって
圧着し、プラテンローラ２０３および給送ローラ２０４
によって矢印方向へ移動する。原稿表面は光源であるキ
セノンランプ２０２によって照明され、その反射光が本
実施例の光電変換装置に対応するセンサ２０１に入射し
て原稿の画像情報に対応した電気信号に変換され送信さ
れる。
また、受信時には、記録紙２０６がプラテンローラ２０
７によって搬送され、サーマルヘッド２０８によって受
信信号に対応した画像が再生される。
７によって搬送され、サーマルヘッド２０８によって受
信信号に対応した画像が再生される。
なお、装置全体はシステムコントロール基板２０９のコ
ントローラによって制御され、また各駆動系および各回
路には電源２１０から電力が供給される。
ントローラによって制御され、また各駆動系および各回
路には電源２１０から電力が供給される。
このような装置に本実施例である光電変換装置を用いる
ことで、信号のレベルシフトや信号処理部の誤動作等を
防止でき、読み取り誤差を減少させることができる。
ことで、信号のレベルシフトや信号処理部の誤動作等を
防止でき、読み取り誤差を減少させることができる。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明の光電変換装置によ
れば、保護層上に発生した静電気によって、蓄積電荷に
あたえる影響を軽減又は抑えることができ、信号のレベ
ルシフトや信号処理部の誤動作等を防止することができ
る。
れば、保護層上に発生した静電気によって、蓄積電荷に
あたえる影響を軽減又は抑えることができ、信号のレベ
ルシフトや信号処理部の誤動作等を防止することができ
る。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の光電変換装置の一実
施例の概略的説明図である。 第２図は、］二記画像読取装置の一構成部の等価回路図
である。 第３図は、光電変換装δの製造工程を説明するだめの工
程図である。 第４図は１本実施例を用いたファクシミリ装置の概略的
構成図である。 第５は、従来の画像読取装置の一構成部の一例を示す概
略的断面図である。 第６図は、上記従来の画像読取装置の一構成部の等価回
路図である。 ｌ：透光性絶縁基体、２：不透光性層、３：下層電極、
４：絶縁層、５：半導体層、θａ、１３ｂ、２３，２４
：上層電極、７：原稿、３０１．３０２，３０３ ：
透光性絶縁保護層、９ニスルーホール、ｌＯ：開口部。 １１：間隙部ｉｔ、１２：光電変換部。 １３：電荷蓄積部。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 （Ａ） 第２図
施例の概略的説明図である。 第２図は、］二記画像読取装置の一構成部の等価回路図
である。 第３図は、光電変換装δの製造工程を説明するだめの工
程図である。 第４図は１本実施例を用いたファクシミリ装置の概略的
構成図である。 第５は、従来の画像読取装置の一構成部の一例を示す概
略的断面図である。 第６図は、上記従来の画像読取装置の一構成部の等価回
路図である。 ｌ：透光性絶縁基体、２：不透光性層、３：下層電極、
４：絶縁層、５：半導体層、θａ、１３ｂ、２３，２４
：上層電極、７：原稿、３０１．３０２，３０３ ：
透光性絶縁保護層、９ニスルーホール、ｌＯ：開口部。 １１：間隙部ｉｔ、１２：光電変換部。 １３：電荷蓄積部。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第１図 （Ａ） 第２図
Claims (3)
- （１）透光性絶縁基体上に不透光性層、絶縁層、半導体
層、第一の電極を順次積層してなる光電変換部と、 前記透光性絶縁基体上に第二の電極、誘電体層、第三の
電極を順次積層してなる電荷蓄積部と、 前記光電変換部と前記電荷蓄積部上に透光性絶縁保護層
を有する光電変換装置において、 前記第一の電極と前記第二の電極とが電気的接続され、
前記第三の電極の電位が一定に保持されたことを特徴と
する光電変換装置。 - （２）前記光電変換部は原稿の全幅に対応させて直線上
に配列され、前記透光性絶縁基体の裏面側より透光性絶
縁基体を介して前記光電変換部の上部に置かれた原稿面
に照射された光の反射光を前記光電変換部において受容
する特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。 - （３）前記誘電体層が前記絶縁層と前記半導体層からな
る特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288199A JP2680002B2 (ja) | 1987-11-14 | 1987-11-14 | 光電変換装置 |
| US07/269,703 US5060040A (en) | 1987-11-14 | 1988-11-10 | Photoelectric conversion apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62288199A JP2680002B2 (ja) | 1987-11-14 | 1987-11-14 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129472A true JPH01129472A (ja) | 1989-05-22 |
| JP2680002B2 JP2680002B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=17727095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62288199A Expired - Fee Related JP2680002B2 (ja) | 1987-11-14 | 1987-11-14 | 光電変換装置 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP2680002B2 (ja) |
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| JPH02305064A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nippon Steel Corp | 完全密着型イメージセンサ |
| US5360744A (en) * | 1990-01-11 | 1994-11-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of manufacturing image sensor |
| US5198685A (en) * | 1990-08-01 | 1993-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus with shock-absorbing layer |
| JP2991354B2 (ja) * | 1990-11-07 | 1999-12-20 | キヤノン株式会社 | 画像読取装置およびそれを備えた画像情報処理装置 |
| JP2547916B2 (ja) * | 1992-01-08 | 1996-10-30 | 株式会社東芝 | 画像形成装置 |
| JP3565453B2 (ja) | 1994-08-23 | 2004-09-15 | キヤノン株式会社 | 画像入出力装置 |
| US5812109A (en) * | 1994-08-23 | 1998-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Image input/output apparatus |
| JP3183390B2 (ja) | 1995-09-05 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置 |
| JP3416351B2 (ja) | 1995-09-28 | 2003-06-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法、それを用いたｘ線撮像装置及びその駆動方法 |
| US5841180A (en) * | 1996-03-27 | 1998-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method of driving photoelectric conversion device, and system having the device |
| JP4100739B2 (ja) * | 1996-10-24 | 2008-06-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3847889B2 (ja) | 1997-04-08 | 2006-11-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3805100B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2006-08-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3636579B2 (ja) | 1997-11-04 | 2005-04-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換装置の駆動方法及びその光電変換装置を有するシステム |
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| JP3984808B2 (ja) | 2000-09-07 | 2007-10-03 | キヤノン株式会社 | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置並びに放射線撮像システム |
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| JPS61263157A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
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| US4788445A (en) * | 1986-01-24 | 1988-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Long array photoelectric converting apparatus with insulated matrix wiring |
| EP0232083B1 (en) * | 1986-01-24 | 1995-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
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| US4953000A (en) * | 1987-11-14 | 1990-08-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-11-14 JP JP62288199A patent/JP2680002B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-10 US US07/269,703 patent/US5060040A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5060040A (en) | 1991-10-22 |
| JP2680002B2 (ja) | 1997-11-19 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |