JPH01129961A - ダイヤモンドヒートシンクの製造法 - Google Patents
ダイヤモンドヒートシンクの製造法Info
- Publication number
- JPH01129961A JPH01129961A JP29031287A JP29031287A JPH01129961A JP H01129961 A JPH01129961 A JP H01129961A JP 29031287 A JP29031287 A JP 29031287A JP 29031287 A JP29031287 A JP 29031287A JP H01129961 A JPH01129961 A JP H01129961A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- vapor deposition
- composition
- physical vapor
- deposition method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 39
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 23
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 22
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は合金の物理蒸着法に関するものである。
蒸気圧の異なる２種以上の元素で構成される合金を真空
蒸着法、スパッター法またはイオンブレーティング法な
どの物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ： Ｐ Ｖ Ｄ ）の手段によって基
材表面に蒸着させる場合、従来は目的組成そのままの合
金が蒸発源に用いられて来た。通常物理蒸着法において
は予め蒸発源内の不純物を除去するために、蒸発源を一
定時間加熱溶融し、いわゆるガス抜きを行なうが、この
際に蒸気圧の異なる合金元素のうち蒸発しやすい元素が
優先的に蒸発して蒸発源に残留する合金組成は変化する
ことになる。したがって、基材表面に形成される合金被
膜の組成は目的組成とは異るものとなり均一組成のもの
も得られなくなる。そこで、このような欠点を避けるた
めに、たとえば特開昭６１−５１９５１号公報のように
、共晶合金の共晶比よりも蒸発しやすい元素の組成比を
大きくした合金を蒸発源とする方法が開示されているが
、このような方法ではＡｕＳｎ共品合金品合金、検量線
を求めて、ガス出し時間とＳｎの量とを正確に実施しな
ければ高価な金を有する合金の全体が使用できなくなっ
てしまうので、経済的に有利な方法とは決して言えない
。
蒸着法、スパッター法またはイオンブレーティング法な
どの物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ： Ｐ Ｖ Ｄ ）の手段によって基
材表面に蒸着させる場合、従来は目的組成そのままの合
金が蒸発源に用いられて来た。通常物理蒸着法において
は予め蒸発源内の不純物を除去するために、蒸発源を一
定時間加熱溶融し、いわゆるガス抜きを行なうが、この
際に蒸気圧の異なる合金元素のうち蒸発しやすい元素が
優先的に蒸発して蒸発源に残留する合金組成は変化する
ことになる。したがって、基材表面に形成される合金被
膜の組成は目的組成とは異るものとなり均一組成のもの
も得られなくなる。そこで、このような欠点を避けるた
めに、たとえば特開昭６１−５１９５１号公報のように
、共晶合金の共晶比よりも蒸発しやすい元素の組成比を
大きくした合金を蒸発源とする方法が開示されているが
、このような方法ではＡｕＳｎ共品合金品合金、検量線
を求めて、ガス出し時間とＳｎの量とを正確に実施しな
ければ高価な金を有する合金の全体が使用できなくなっ
てしまうので、経済的に有利な方法とは決して言えない
。
以上述べたように、従来の技術においては、基材表面に
目的とする合金組成の被膜を形成するために必要な蒸発
源の合金組成のｆｆ１ｆを簡便でしかも経済的に行なう
方法は未だ見出されていないという問題点があった。
目的とする合金組成の被膜を形成するために必要な蒸発
源の合金組成のｆｆ１ｆを簡便でしかも経済的に行なう
方法は未だ見出されていないという問題点があった。
上記の問題点を解決するために、この発明は目的組成の
合金と、その合金を構成する元素単体のうちで蒸発しや
すい成分とを二つ以上の別の蒸発源から同時に蒸発させ
て合金の物理蒸着法を行なうという手段を採用したもの
である。
合金と、その合金を構成する元素単体のうちで蒸発しや
すい成分とを二つ以上の別の蒸発源から同時に蒸発させ
て合金の物理蒸着法を行なうという手段を採用したもの
である。
二つ以上の別の蒸発源のうちの一つに目的組成の合金を
用い、ほかの蒸発源に蒸発しやすい金属元素を用いるこ
とによって、目的組成の合金から消失する蒸発しやすい
金属元素をほかの蒸発源から蒸発量を任意に調整しなが
ら補給することが可能になり、基材表面に形成される合
金被膜の組成を均一でしかも目的組成に合致させるうえ
で、きわめて有意義な作用を発揮させ得ることになる。
用い、ほかの蒸発源に蒸発しやすい金属元素を用いるこ
とによって、目的組成の合金から消失する蒸発しやすい
金属元素をほかの蒸発源から蒸発量を任意に調整しなが
ら補給することが可能になり、基材表面に形成される合
金被膜の組成を均一でしかも目的組成に合致させるうえ
で、きわめて有意義な作用を発揮させ得ることになる。
まず、この発明の合金の物理蒸着法を実施するにあたっ
ては、目的組成の合金の量を、基材表面に形成する合金
蒸着膜に必要な量以上に過剰に投入すると、蒸着処理終
了後に、蒸発源に残った合金の組成は、目的合金の組成
とは大きく変るため、再使用は不可能となる。したがっ
て、蒸発源の一つに使用する目的組成の合金量は、基材
表面に形成される合金被膜に見合う量とすることが望ま
しく、過剰な量とすることは経済的に好ましくない。
ては、目的組成の合金の量を、基材表面に形成する合金
蒸着膜に必要な量以上に過剰に投入すると、蒸着処理終
了後に、蒸発源に残った合金の組成は、目的合金の組成
とは大きく変るため、再使用は不可能となる。したがっ
て、蒸発源の一つに使用する目的組成の合金量は、基材
表面に形成される合金被膜に見合う量とすることが望ま
しく、過剰な量とすることは経済的に好ましくない。
つぎに、この発明の合金の物理蒸着法は、通常蒸着によ
って接合する技術分野においてはすべて活用し得るもの
であり、金属同士の接合、非金属物質と金属との接合な
どに有用であるが、特に融点の調整の厳しい技術分野、
たとえば、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素等を主体とす
る材料のように、高温ではろう付けが出来ない材料に対
しては有効である。さらに、低温で蒸発しやすい錫Ｓｎ
、鉛Ｐｂ、ｌ！ｌＡｇ、アンチモンｓｂ等の金属を成分
とするような合金の蒸着に際しては、この発明の方法は
特に効果的であるといえる。したがって、目的組成の合
金が金Ａｕと錫Ｓｎとの共晶組成であり、蒸発しやすい
金属がＳｎであるような場合には、この発明の方法は格
好の方法といえる。以下、具体的な実施例を示す。
って接合する技術分野においてはすべて活用し得るもの
であり、金属同士の接合、非金属物質と金属との接合な
どに有用であるが、特に融点の調整の厳しい技術分野、
たとえば、ダイヤモンド、立方晶窒化硼素等を主体とす
る材料のように、高温ではろう付けが出来ない材料に対
しては有効である。さらに、低温で蒸発しやすい錫Ｓｎ
、鉛Ｐｂ、ｌ！ｌＡｇ、アンチモンｓｂ等の金属を成分
とするような合金の蒸着に際しては、この発明の方法は
特に効果的であるといえる。したがって、目的組成の合
金が金Ａｕと錫Ｓｎとの共晶組成であり、蒸発しやすい
金属がＳｎであるような場合には、この発明の方法は格
好の方法といえる。以下、具体的な実施例を示す。
実施例１：
ＡｕＳｎ共晶組成（Ｓｎ２０重量％）の合金被膜をダイ
ヤモンドヒートシンク（１ｍＸ１ｍＸ０．３−の単結晶
）表面に形成するために、共晶組成のＡｕＳｎ合金ｌ′
ｏｇを図に示すような蒸着装置の蒸発源１に、また蒸発
しやすい金属としてＳｎ１０ｇを蒸発源２に用いて、１
分間ガス抜きを行なった後、シャッター３を開いて蒸着
を始めた。蒸発源１に用いたＡｕＳｎ共晶合金の被蒸着
体４への蒸発速度が毎秒２０人で、蒸発源２のＳｎの蒸
発速度が毎秒４〜６人となるように、それぞれ膜厚モニ
ター５および６によって制御しながら蒸発源１および２
をそれぞれ加熱し、蒸着膜厚が３ｎになるまで同時蒸着
を実施した。被蒸着体４の表面に形成された蒸着膜の組
成はＳｎ２０重量％で目的とするＡｕＳｎの共晶組成と
同じであった。なお蒸発源２のＳｎの消費量は１．１ｇ
であった。
ヤモンドヒートシンク（１ｍＸ１ｍＸ０．３−の単結晶
）表面に形成するために、共晶組成のＡｕＳｎ合金ｌ′
ｏｇを図に示すような蒸着装置の蒸発源１に、また蒸発
しやすい金属としてＳｎ１０ｇを蒸発源２に用いて、１
分間ガス抜きを行なった後、シャッター３を開いて蒸着
を始めた。蒸発源１に用いたＡｕＳｎ共晶合金の被蒸着
体４への蒸発速度が毎秒２０人で、蒸発源２のＳｎの蒸
発速度が毎秒４〜６人となるように、それぞれ膜厚モニ
ター５および６によって制御しながら蒸発源１および２
をそれぞれ加熱し、蒸着膜厚が３ｎになるまで同時蒸着
を実施した。被蒸着体４の表面に形成された蒸着膜の組
成はＳｎ２０重量％で目的とするＡｕＳｎの共晶組成と
同じであった。なお蒸発源２のＳｎの消費量は１．１ｇ
であった。
実施例２：
ＰｂＡｇＳｎ共晶成分（Ａｇ１．４重量％、５ｎ６２．
５重量％）の合金被膜をタングステン・銅（Ｃｕ１０重
量％）合金（２ｗｘ５ｍｘ１ｍｍ）の表面に形成するた
めに、共晶組成のＰｂＡｇＳｎ共晶合金５ｇと単体Ｐｂ
１０ｇを用いてこの発明の方法による蒸着処理を行なっ
た。実施例１と同様、１分間ガス抜きをした後、ＰｂＡ
ｇＳｎ共晶合金の蒸着速度が毎秒３０人に、またＰｂ単
体の蒸着速度が毎秒２〜３人になるよう制御しながら、
１−の膜厚を形成するまで同時蒸着した。その結果、所
望の共晶組成のＰｂＡｇＳｎ合金被膜が得られた。
５重量％）の合金被膜をタングステン・銅（Ｃｕ１０重
量％）合金（２ｗｘ５ｍｘ１ｍｍ）の表面に形成するた
めに、共晶組成のＰｂＡｇＳｎ共晶合金５ｇと単体Ｐｂ
１０ｇを用いてこの発明の方法による蒸着処理を行なっ
た。実施例１と同様、１分間ガス抜きをした後、ＰｂＡ
ｇＳｎ共晶合金の蒸着速度が毎秒３０人に、またＰｂ単
体の蒸着速度が毎秒２〜３人になるよう制御しながら、
１−の膜厚を形成するまで同時蒸着した。その結果、所
望の共晶組成のＰｂＡｇＳｎ合金被膜が得られた。
以上、実施例１においてはＡｕＳｎ二元共晶合金を、ま
た、実施例２においてはＰｂＡｇＳｎ三元共晶合金を例
示したが、二元もしくは三元または共晶組成の合金に限
定するものではな（、その他任意の多元合金に対しても
同様の方法を適用することが出来る。
た、実施例２においてはＰｂＡｇＳｎ三元共晶合金を例
示したが、二元もしくは三元または共晶組成の合金に限
定するものではな（、その他任意の多元合金に対しても
同様の方法を適用することが出来る。
以上述べたように、この発明の合金の物理蒸着法に従っ
て、目的成分組成の合金を蒸発源として蒸発させると同
時に薫発しやすい元素を別の蒸発源から制御しながら蒸
発させると、基材面上に所望の成分組成の合金被膜が得
られ、その操作は簡便で被膜組成も従来法では見られな
い正確さが認められた。したがって、この発明の意義は
きわめて大きい。
て、目的成分組成の合金を蒸発源として蒸発させると同
時に薫発しやすい元素を別の蒸発源から制御しながら蒸
発させると、基材面上に所望の成分組成の合金被膜が得
られ、その操作は簡便で被膜組成も従来法では見られな
い正確さが認められた。したがって、この発明の意義は
きわめて大きい。
図はこの発明の合金の物理蒸着法に使用する装置の概要
を例示する装置図である。 １．２・・・・・・蒸発源、 ３・・・・・・シャッタ
ー、４・・・・・・被蒸着体、 ５．６・・・・・・
膜厚モニター。 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 １） 文 二
を例示する装置図である。 １．２・・・・・・蒸発源、 ３・・・・・・シャッタ
ー、４・・・・・・被蒸着体、 ５．６・・・・・・
膜厚モニター。 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 １） 文 二
Claims (1)
- 目的組成の合金と、その合金を構成する元素単体のう
ちで蒸発しやすい成分とを二つ以上の別の蒸発源から同
時に蒸発させることを特徴とする合金の物理蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290312A JP2582095B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ダイヤモンドヒートシンクの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290312A JP2582095B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ダイヤモンドヒートシンクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129961A true JPH01129961A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2582095B2 JP2582095B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17754473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290312A Expired - Lifetime JP2582095B2 (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 | ダイヤモンドヒートシンクの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582095B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943876A (ja) * | 1982-09-04 | 1984-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 蒸発源 |
| JPS5943875A (ja) * | 1982-09-04 | 1984-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 蒸発源及びその使用方法 |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP62290312A patent/JP2582095B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943876A (ja) * | 1982-09-04 | 1984-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 蒸発源 |
| JPS5943875A (ja) * | 1982-09-04 | 1984-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 蒸発源及びその使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582095B2 (ja) | 1997-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59230741A (ja) | 形状記憶複合材料 | |
| JPH0371510B2 (ja) | ||
| JP4851672B2 (ja) | 改良されたスパッタリングターゲット及びその製法並びに使用 | |
| US4281041A (en) | Hard solderable metal layers on ceramic | |
| JP2003160826A (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
| KR20030024891A (ko) | 물리적 증착 타겟 및 그 형성방법 | |
| JP2008038249A (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット | |
| JP2898515B2 (ja) | モザイクターゲット | |
| JP4427831B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH01129961A (ja) | ダイヤモンドヒートシンクの製造法 | |
| US4377607A (en) | Process for producing vacuum deposition films | |
| JP2671397B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング用ターゲット | |
| JP3347342B2 (ja) | 合金はんだバンプの形成方法 | |
| JPS62158597A (ja) | 多成分系の一致溶融性ろう材料の製造方法 | |
| JPH02107757A (ja) | アモルファス超格子合金の作製法 | |
| JPS61269998A (ja) | Ｓｎ合金はんだ箔材の製造法 | |
| JPH0459075B2 (ja) | ||
| JPH07103454B2 (ja) | 高耐食アモルファス合金 | |
| Wang et al. | Intermetallic compounds formed during the interfacial reactions between liquid In-49Sn solder and Ni substrates | |
| JP2896518B2 (ja) | 低融点スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP3705368B2 (ja) | Ｔｉ系傾斜機能材料とその製造方法 | |
| JP3538664B2 (ja) | Ｔｉ系材料のコーティング方法 | |
| JPH05255843A (ja) | スパッタリング用高純度チタンターゲット | |
| JPH09228037A (ja) | 化合物薄膜の高速作成用ターゲットおよび蒸発源 | |
| JPS63140794A (ja) | 高温で高い接合強度を示すＧｅ合金ろう材 |