JPH01131002A - 水素吸蔵合金の製造方法 - Google Patents
水素吸蔵合金の製造方法Info
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- JPH01131002A JPH01131002A JP62289717A JP28971787A JPH01131002A JP H01131002 A JPH01131002 A JP H01131002A JP 62289717 A JP62289717 A JP 62289717A JP 28971787 A JP28971787 A JP 28971787A JP H01131002 A JPH01131002 A JP H01131002A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B3/00—Hydrogen; Gaseous mixtures containing hydrogen; Separation of hydrogen from mixtures containing it; Purification of hydrogen; Reversible storage of hydrogen
- C01B3/0005—Reversible storage of hydrogen, e.g. by hydrogen getters or electrodes
- C01B3/001—Reversible storage of hydrogen, e.g. by hydrogen getters or electrodes characterised by the uptaking media; Treatment thereof
- C01B3/0084—Solid storage media characterised by their shape, e.g. porous compacts or hollow particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
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- C01B3/001—Reversible storage of hydrogen, e.g. by hydrogen getters or electrodes characterised by the uptaking media; Treatment thereof
- C01B3/0078—Composite solid storage media, e.g. mixtures of polymers and metal hydrides, coated solid compounds or structurally heterogeneous solid compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、水素吸蔵合金の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
半導体の還元工程等で大量に使用される高純度水素は、
例えば銀・パラジウム合金膜透過法を利用した水素精製
装置によって製造されている。しかし、この装置は銀・
パラジウム合金が高価であること、精製時に４００°Ｃ
以上の高温が必要であることと云う欠点がある。
例えば銀・パラジウム合金膜透過法を利用した水素精製
装置によって製造されている。しかし、この装置は銀・
パラジウム合金が高価であること、精製時に４００°Ｃ
以上の高温が必要であることと云う欠点がある。
そこで、安価な水素吸蔵合金を用いた薄帯、薄６号公報
に開示されている。
に開示されている。
Ｑ今発明が解決しようとする問題点
しかし、薄膜と成ると、合金表面積が相対的に大であり
、薄膜表面が空気に対して活性であることから、空気中
での曝露により薄膜表面が簡単に酸化し、この酸化被膜
により初期の水素化が阻害される。
、薄膜表面が空気に対して活性であることから、空気中
での曝露により薄膜表面が簡単に酸化し、この酸化被膜
により初期の水素化が阻害される。
本発明は、薄く形成された水素吸蔵合金の酸化を抑制せ
んとするものである。
んとするものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明による解決手段は、板状或いは薄体状の第１の水
素吸蔵合金の表面に、水素吸収反応によって空気に対し
て不活性な水素化物を形成する第２の水素吸蔵合金を被
覆し、この第２の水素吸蔵合金被覆後、空気中に曝す前
に水素化処理を行なう構成である。
素吸蔵合金の表面に、水素吸収反応によって空気に対し
て不活性な水素化物を形成する第２の水素吸蔵合金を被
覆し、この第２の水素吸蔵合金被覆後、空気中に曝す前
に水素化処理を行なう構成である。
（ホ）作 用
第１水素吸蔵合金に第２水素吸蔵合金を被覆し、空気中
に曝すこと無く水素化処理すると、第２水素吸蔵合金は
水素化物を形成する。この水素化物は空気に対して不活
性であり、空気中において水素をほとんど放出せず、或
いは酸化物をほとんど形成しない安定なものである。従
って、第１水素吸蔵合金は空気中でこの水素化物によっ
て酸化から保護される。かくして、この第１、第２の合
金から成る水素吸蔵合金は、水素中に曝して水素を透過
させると、極めて円滑に透過させることに成る。
に曝すこと無く水素化処理すると、第２水素吸蔵合金は
水素化物を形成する。この水素化物は空気に対して不活
性であり、空気中において水素をほとんど放出せず、或
いは酸化物をほとんど形成しない安定なものである。従
って、第１水素吸蔵合金は空気中でこの水素化物によっ
て酸化から保護される。かくして、この第１、第２の合
金から成る水素吸蔵合金は、水素中に曝して水素を透過
させると、極めて円滑に透過させることに成る。
（へ）実施例
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、ＬａＮｉ５、ＣａＮｉ５を第１の水素吸蔵合金と
して、その薄帯、薄板（以下基板）をスパッタ法、急冷
圧延法、熱間圧延法等によって作成する。この基板の厚
さは１〜５０μｍであるが、より厚いものも可能である
。
して、その薄帯、薄板（以下基板）をスパッタ法、急冷
圧延法、熱間圧延法等によって作成する。この基板の厚
さは１〜５０μｍであるが、より厚いものも可能である
。
次に、基板の表面（全表面であるのが望しい）に、Ｔ１
Ｎｉ或いはＴ ｉ Ｎ ｉｏ５或いはＴ ｉ Ｏ，５Ｚ
ｒｏ、５ＮｉＯ，７を各々第２の水素吸蔵合金として以
下の方法及び膜厚で被覆する。
Ｎｉ或いはＴ ｉ Ｎ ｉｏ５或いはＴ ｉ Ｏ，５Ｚ
ｒｏ、５ＮｉＯ，７を各々第２の水素吸蔵合金として以
下の方法及び膜厚で被覆する。
（１） スパッタ法
膜厚；約０．１〜１μｍ
（２）蒸着法（真空蒸着法、フラッシュ蒸着法）膜厚；
約０．１〜１μｍ （３１ＭＢＥ法 膜厚；約０．０１〜１μｍ 但し、いずれの方法でも基板はＬａＮｉ５、ＣａＮｉ５
であり、ターゲット或いは蒸発源はＴ１Ｎｉ或いはＴｉ
Ｎ１ｏ、ｓ或いはＴ ｉ ｏ、５Ｚ ｒｏ、５Ｎｉｏ、
ｙ。
約０．１〜１μｍ （３１ＭＢＥ法 膜厚；約０．０１〜１μｍ 但し、いずれの方法でも基板はＬａＮｉ５、ＣａＮｉ５
であり、ターゲット或いは蒸発源はＴ１Ｎｉ或いはＴｉ
Ｎ１ｏ、ｓ或いはＴ ｉ ｏ、５Ｚ ｒｏ、５Ｎｉｏ、
ｙ。
このように基板表面に第２水素吸蔵合金を被覆した後に
、空気中に曝すこと無く、同一装置内で続いて試料温度
が約１００°Ｃ及び約５ａｔｍの水素雰囲気中に約２４
時間曝露し、第２水素吸蔵合金を水素化させる。この水
素化による水素吸収量は、Ｔ１Ｎｉでは１．０ ｗ ｔ
％、Ｔ ｉ Ｎ ｉ ｏ、５テは０゜９ｗｔ％、Ｔ ｉ
ｏ、ｓＺ ｒｏ、５Ｎ ｉｏ、７では０．７ｗｔ％であ
った。
、空気中に曝すこと無く、同一装置内で続いて試料温度
が約１００°Ｃ及び約５ａｔｍの水素雰囲気中に約２４
時間曝露し、第２水素吸蔵合金を水素化させる。この水
素化による水素吸収量は、Ｔ１Ｎｉでは１．０ ｗ ｔ
％、Ｔ ｉ Ｎ ｉ ｏ、５テは０゜９ｗｔ％、Ｔ ｉ
ｏ、ｓＺ ｒｏ、５Ｎ ｉｏ、７では０．７ｗｔ％であ
った。
かくして、作成された薄い水素吸蔵合金を空気中に取出
した後に、この合金の水素透過試験を行なった。この試
験は、作成された薄い合金膜を介して、水素透過前の１
次側圧力を３ａｔｍとし、水素透過後の２次側圧力を約
１０ｔｏｒｒに排気し、この後の２次側圧力の変化によ
り調べたものである。その結果を従来例と共に次表に示
した。尚、加圧された１次側水素の純度は約３Ｎ、精製
水素の純度は７〜８Ｎ、合金薄膜の温度は１００°Ｃで
あった。
した後に、この合金の水素透過試験を行なった。この試
験は、作成された薄い合金膜を介して、水素透過前の１
次側圧力を３ａｔｍとし、水素透過後の２次側圧力を約
１０ｔｏｒｒに排気し、この後の２次側圧力の変化によ
り調べたものである。その結果を従来例と共に次表に示
した。尚、加圧された１次側水素の純度は約３Ｎ、精製
水素の純度は７〜８Ｎ、合金薄膜の温度は１００°Ｃで
あった。
水素透過試験
この表から判るように、従来例では６０分以上要した透
過開始時間が、本発明にあってはいずれも５分以内であ
り、水素吸収の円滑化が顕著である。
過開始時間が、本発明にあってはいずれも５分以内であ
り、水素吸収の円滑化が顕著である。
因みに、空気中に曝した合金をＸ線回折分析したところ
、従来例では酸化物が広範に形成されているが、本発明
にあっては酸化物の形成がほとんど無いことが確認され
た。
、従来例では酸化物が広範に形成されているが、本発明
にあっては酸化物の形成がほとんど無いことが確認され
た。
尚、被覆される第２水素吸蔵合金のＴｉＮ１ｙにあって
は０．５≦ｙ≦１を条件とする。これはこの範囲でのＴ
ｉＮ１ｏ、５〜Ｔ１Ｎｉの混合相は水素吸収を行なう相
であるが、ｙ＜ｏ、ｓやｙ＞１の範囲での混合相には水
素吸収を行なわない相が生じるためである。また、Ｔｉ
５−ｘＺｒｘＮｉｙにあっても同様の理由で０≦Ｘ≦
１であって０．５≦ｙ≦１を条件とする。
は０．５≦ｙ≦１を条件とする。これはこの範囲でのＴ
ｉＮ１ｏ、５〜Ｔ１Ｎｉの混合相は水素吸収を行なう相
であるが、ｙ＜ｏ、ｓやｙ＞１の範囲での混合相には水
素吸収を行なわない相が生じるためである。また、Ｔｉ
５−ｘＺｒｘＮｉｙにあっても同様の理由で０≦Ｘ≦
１であって０．５≦ｙ≦１を条件とする。
（ト）発明の効果
本発明に依れば、第２の水素吸蔵合金を被覆して空気中
に曝す前に水素化処理したので、第２水素吸蔵合金が空
気に対して不活性な水素化物を形成して保護し、合金の
酸化を抑制でき、初期の水素透過を極めて短時間で円滑
に行なわせ、水素の分離、精製用に最適の合金薄体の製
造方法を提供できるものである。
に曝す前に水素化処理したので、第２水素吸蔵合金が空
気に対して不活性な水素化物を形成して保護し、合金の
酸化を抑制でき、初期の水素透過を極めて短時間で円滑
に行なわせ、水素の分離、精製用に最適の合金薄体の製
造方法を提供できるものである。
Claims (1)
- （１）板状或いは薄体状の第１の水素吸蔵合金の表面に
、水素吸収反応によって空気に対して不活性な水素化物
を形成する第２の水素吸蔵合金を被覆し、この第２の水
素吸蔵合金被覆後、空気中に曝す前に水素化処理を行な
うことを特徴とする水素吸蔵合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289717A JPH01131002A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 水素吸蔵合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62289717A JPH01131002A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 水素吸蔵合金の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131002A true JPH01131002A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17746838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62289717A Pending JPH01131002A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 水素吸蔵合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01131002A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536586A (en) * | 1993-02-22 | 1996-07-16 | Mazda Motor Corporation | Composite hydrogen storage alloy material |
| JP2007069183A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Mitsubishi Materials Corp | 水素高純度精製装置の高圧操業ですぐれた水素分離透過機能を長期に亘って発揮する水素分離透過膜 |
| CN108602668A (zh) * | 2016-01-21 | 2018-09-28 | 艾合知识产权控股有限公司 | 提高氢气加载比率的方法 |
| JP2019189510A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 学校法人 関西大学 | 表面被覆した水素吸蔵合金水素化物含有複合体、その製造方法および使用 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62289717A patent/JPH01131002A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536586A (en) * | 1993-02-22 | 1996-07-16 | Mazda Motor Corporation | Composite hydrogen storage alloy material |
| JP2007069183A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Mitsubishi Materials Corp | 水素高純度精製装置の高圧操業ですぐれた水素分離透過機能を長期に亘って発揮する水素分離透過膜 |
| CN108602668A (zh) * | 2016-01-21 | 2018-09-28 | 艾合知识产权控股有限公司 | 提高氢气加载比率的方法 |
| JP2019189510A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | 学校法人 関西大学 | 表面被覆した水素吸蔵合金水素化物含有複合体、その製造方法および使用 |
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