JPH01131100A - 炭化ケイ素短繊維の製造方法 - Google Patents
炭化ケイ素短繊維の製造方法Info
- Publication number
- JPH01131100A JPH01131100A JP62286261A JP28626187A JPH01131100A JP H01131100 A JPH01131100 A JP H01131100A JP 62286261 A JP62286261 A JP 62286261A JP 28626187 A JP28626187 A JP 28626187A JP H01131100 A JPH01131100 A JP H01131100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon carbide
- temperature
- gas
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は短繊維状の炭化ケイ素の製造方法に関し、さら
に詳しく言えば連続的に、かつ短時間に量産可能な炭化
ケイ素短繊維の製造方法に関する。
に詳しく言えば連続的に、かつ短時間に量産可能な炭化
ケイ素短繊維の製造方法に関する。
[従来の技術]
従来の炭化ケイ素ウィスカの製造方法として、SiO2
:Cが所定モル比になるように微粉の珪酸物質と炭素等
を混合した原料混合物へと、微粉の炭素等よりなる原料
Bとを、所定のモル比になるように近接して配置し、両
者を1300〜1600℃の温度範囲で非酸化性雰囲気
中において加熱し、原料Bに炭化ケイ素ウィスカーを生
成させる方法が知られている(特開昭58−12059
9号公報)。
:Cが所定モル比になるように微粉の珪酸物質と炭素等
を混合した原料混合物へと、微粉の炭素等よりなる原料
Bとを、所定のモル比になるように近接して配置し、両
者を1300〜1600℃の温度範囲で非酸化性雰囲気
中において加熱し、原料Bに炭化ケイ素ウィスカーを生
成させる方法が知られている(特開昭58−12059
9号公報)。
またSiO2を主成分とするケイ泉源原料とファーネス
カーボンブラックを非酸生竹雰囲気下で1300〜18
00℃の温度に加熱して炭化ケイ素ウィスカを製造する
方法も知られている(特開昭58−172297号公報
)。
カーボンブラックを非酸生竹雰囲気下で1300〜18
00℃の温度に加熱して炭化ケイ素ウィスカを製造する
方法も知られている(特開昭58−172297号公報
)。
さらに、炭化ケイ素粉末の製造方法として、金属ケイ素
粉末を酸化性ガス雰囲気中で酸化して超微粒子状あるい
はガス状の一酸化ケイ素とする炭化工程と、この一酸化
ケイ素を炭素を含む還元性ガス雰囲気中で炭化する炭化
工程と、からなる方法が知られている。(特開昭61−
1784.13号公報) [発明が解決しようとする問題点] 上記2つの炭化ケイ素ウィスカの製造方法では、(1)
生成反応が吸熱のため多量の電気を必要とすること、(
2)バッチ処理のため、生産性が悪く、そのためコスト
がかかること、(3)反応時間が長いこと、く4)製造
されるウィスカのアスペクト比(長さ/直径)が大きい
ので、繊維強化金属等として使用するときの成形性が悪
いこと、−3= 等の問題がある。
粉末を酸化性ガス雰囲気中で酸化して超微粒子状あるい
はガス状の一酸化ケイ素とする炭化工程と、この一酸化
ケイ素を炭素を含む還元性ガス雰囲気中で炭化する炭化
工程と、からなる方法が知られている。(特開昭61−
1784.13号公報) [発明が解決しようとする問題点] 上記2つの炭化ケイ素ウィスカの製造方法では、(1)
生成反応が吸熱のため多量の電気を必要とすること、(
2)バッチ処理のため、生産性が悪く、そのためコスト
がかかること、(3)反応時間が長いこと、く4)製造
されるウィスカのアスペクト比(長さ/直径)が大きい
ので、繊維強化金属等として使用するときの成形性が悪
いこと、−3= 等の問題がある。
また前記の伯の製造方法は、炭化ケイ素粉末を製造する
方法であり、これは比較的高温にし、均一核生成を行な
わせることにより粉末を製造することに特徴があり、こ
れでは短繊維を得ることができない。
方法であり、これは比較的高温にし、均一核生成を行な
わせることにより粉末を製造することに特徴があり、こ
れでは短繊維を得ることができない。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、連
続的に、かつ短時間に量産可能な炭化ケイ素短繊維を得
る製造方法を提供することを目的とする。
続的に、かつ短時間に量産可能な炭化ケイ素短繊維を得
る製造方法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明の!llll決方法金属ケイ素粉末を酸化性ガス
雰囲気中で酸化して超微粒子状あるいはガス状の一酸化
ケイ素とする酸化工程と、 該一酸化ケイ素を、炭素を含む還元性ガス雰囲気中で、
粉末を製造する場合の温度よりも低くて炭化ケイ素の不
均一核生成を生じさせる温度下にて炭化する炭化工程と
、からなることを特徴とする。
雰囲気中で酸化して超微粒子状あるいはガス状の一酸化
ケイ素とする酸化工程と、 該一酸化ケイ素を、炭素を含む還元性ガス雰囲気中で、
粉末を製造する場合の温度よりも低くて炭化ケイ素の不
均一核生成を生じさせる温度下にて炭化する炭化工程と
、からなることを特徴とする。
本発明にいう酸化工程は本発明の1つの特色を成すもの
であり、金属ケイ素粉末を酸化性ガス雰囲気中で酸化し
て一酸化ケイ素とする工程である。
であり、金属ケイ素粉末を酸化性ガス雰囲気中で酸化し
て一酸化ケイ素とする工程である。
この金属ケイ素粉末は、粒子が細かい方が好ましく、2
00メツシユ以下のものが特に望ましい。
00メツシユ以下のものが特に望ましい。
なお、金属ケイ素粉末は純度の特に高いものを用いるよ
うな必要はない。
うな必要はない。
酸化性ガスの代表的なものとして、空気、酸素ガス、オ
ゾンガス等があり、金属ケイ素粉末を酸化して一酸化ケ
イ素とするものを用いることができる。そして金属ケイ
索粉末と酸化性ガスとを反応させるに当っては、種々の
方法が考えられるが、金属ケイ素粉末ど酸化性ガスとに
よって、粉塵雲を形成させ、この粉塵雲に着火して爆発
、燃焼させることにより、酸化することが望ましい。こ
の方法によれば、酸化反応の際に生ずる発熱により、他
の金属ケイ素粉末の酸化が促進され、高温となって超微
粒子状、あるいはガス状の一酸化ケイ素が生成する。そ
して酸化の際の反応炎の熱エネルギーを利用して後述の
炭化工程を行なうことが可能となる。この着火手段とし
ては、バーナー、ブラズマジェット、アーク放電、レー
ザー光などを使用することができる。また粉塵雲の濃度
は、用いる金属ケイ素粉末の粒径および着火手段等によ
って、最適濃度を決めることが好ましい。なお、金属ケ
イ素粉末は、極く短い時間を区切って、間欠的に供給し
てもよいし、連続的に供給してもよい。ただし熱効率の
面から、反応炎は連続的に形成することが望ましい。
ゾンガス等があり、金属ケイ素粉末を酸化して一酸化ケ
イ素とするものを用いることができる。そして金属ケイ
索粉末と酸化性ガスとを反応させるに当っては、種々の
方法が考えられるが、金属ケイ素粉末ど酸化性ガスとに
よって、粉塵雲を形成させ、この粉塵雲に着火して爆発
、燃焼させることにより、酸化することが望ましい。こ
の方法によれば、酸化反応の際に生ずる発熱により、他
の金属ケイ素粉末の酸化が促進され、高温となって超微
粒子状、あるいはガス状の一酸化ケイ素が生成する。そ
して酸化の際の反応炎の熱エネルギーを利用して後述の
炭化工程を行なうことが可能となる。この着火手段とし
ては、バーナー、ブラズマジェット、アーク放電、レー
ザー光などを使用することができる。また粉塵雲の濃度
は、用いる金属ケイ素粉末の粒径および着火手段等によ
って、最適濃度を決めることが好ましい。なお、金属ケ
イ素粉末は、極く短い時間を区切って、間欠的に供給し
てもよいし、連続的に供給してもよい。ただし熱効率の
面から、反応炎は連続的に形成することが望ましい。
炭化工程は、前記酸化工程により得られた一酸化ケイ素
を還元し、かつ炭化して炭化ケイ素短繊維とする工程で
ある。
を還元し、かつ炭化して炭化ケイ素短繊維とする工程で
ある。
本発明では、この炭化工程の温度が粉末を製造する場合
の温度よりも低くて炭化ケイ素の不均一核生成を生じさ
せる温度であることに特徴がある。
の温度よりも低くて炭化ケイ素の不均一核生成を生じさ
せる温度であることに特徴がある。
この温度は通常1300℃〜1800℃程度である。1
300℃未満では還元反応が生じにくい。
300℃未満では還元反応が生じにくい。
また1 800℃を越えると均一核生成を生じて粉末が
生成してくるので、1800℃以下として炭化ケイ素の
不均一核生成を生じさせるためである。
生成してくるので、1800℃以下として炭化ケイ素の
不均一核生成を生じさせるためである。
またこの湿度は、使用する還元性ガスの種類、その供給
量、酸化工程の条件等により、適宜調整することができ
る。
量、酸化工程の条件等により、適宜調整することができ
る。
この炭化工程に用いられる炭素を含む還元性ガスは、一
酸化ケイ素を還元するのに充分な水素と、炭化するのに
充分な炭素をもつアセチレン、メタン、エタン、プロパ
ン等の炭化水素系ガスを用いることが望ましい。この炭
化水素系ガスを用いた場合には、含まれる水素原子及び
炭素原子による還元反応が生じ、続いて炭素による炭化
反応が生じる。なお炭素を含む還元性ガスは予め加熱し
てお(こともできる。
酸化ケイ素を還元するのに充分な水素と、炭化するのに
充分な炭素をもつアセチレン、メタン、エタン、プロパ
ン等の炭化水素系ガスを用いることが望ましい。この炭
化水素系ガスを用いた場合には、含まれる水素原子及び
炭素原子による還元反応が生じ、続いて炭素による炭化
反応が生じる。なお炭素を含む還元性ガスは予め加熱し
てお(こともできる。
一酸化ケイ素は、高温で上記炭素を含む還元性ガスと接
触することにより、還元、炭化されて炭化ケイ素となる
。この場合、酸化工程の熱を利用する意味において、酸
化工程と炭化工程とは連続して行なうことが望ましい。
触することにより、還元、炭化されて炭化ケイ素となる
。この場合、酸化工程の熱を利用する意味において、酸
化工程と炭化工程とは連続して行なうことが望ましい。
酸化工程で金属ケイ素粉末と酸化性ガスとによる粉塵雲
を形成した場合には、金属ケイ素粉末と酸化性ガスとに
よる、一酸化ケイ素を5間に含む連続反応炎が形成され
る。従って、この連続反応炎を上記還元性雰囲気中で生
ぜしめることにより、この連続反応炎の熱エネルギーに
よって連続的に還元、炭化反応が進み、超微粒子状ある
いはガス状の一酸化ケイ素は短繊維状炭化ケイ素とする
ことができる。
を形成した場合には、金属ケイ素粉末と酸化性ガスとに
よる、一酸化ケイ素を5間に含む連続反応炎が形成され
る。従って、この連続反応炎を上記還元性雰囲気中で生
ぜしめることにより、この連続反応炎の熱エネルギーに
よって連続的に還元、炭化反応が進み、超微粒子状ある
いはガス状の一酸化ケイ素は短繊維状炭化ケイ素とする
ことができる。
得られた炭化ケイ素は、バグフィルタ−等周知の捕集装
置によって捕集することができる。なお捕集装置を通過
したガス体には通常、未反応の酸化性ガス、および炭素
を含む還元性ガスが含まれているので、燃焼等の処理後
排出することが望ましい。
置によって捕集することができる。なお捕集装置を通過
したガス体には通常、未反応の酸化性ガス、および炭素
を含む還元性ガスが含まれているので、燃焼等の処理後
排出することが望ましい。
[発明の効果]
本発明の製造方法によれば、不均一核生成が生じるよう
な比較的低温度下にて炭化させるので、粉末でなく、短
繊維を製造することができる。
な比較的低温度下にて炭化させるので、粉末でなく、短
繊維を製造することができる。
また本製造方法によれば、バーナー、プラズマジェット
等の着火手段を用いるのみで、金属ケイ素粉末と酸化性
ガスの反応の際生じる発熱により、他の金属ケイ素粉末
の反応が促進される。従って熱効率が極めて高く、低コ
スト化が図れる。そして超微粒子状、あるいはガス状の
一酸化ケイ素を含む反応炎が連続的に形成され、この反
応炎に炭素を含む還元性ガスを接触させる事で、連続的
に大量に、かつ極めて短時間に炭化ケイ素短繊維が製造
される。
等の着火手段を用いるのみで、金属ケイ素粉末と酸化性
ガスの反応の際生じる発熱により、他の金属ケイ素粉末
の反応が促進される。従って熱効率が極めて高く、低コ
スト化が図れる。そして超微粒子状、あるいはガス状の
一酸化ケイ素を含む反応炎が連続的に形成され、この反
応炎に炭素を含む還元性ガスを接触させる事で、連続的
に大量に、かつ極めて短時間に炭化ケイ素短繊維が製造
される。
さらに、本製造方法によれば、従来の方法による場合と
比べて、アスパラ1へ比の小さな短繊維を製造できるの
で、繊維強化金属、!li帷強化セラミックス等として
使用する場合、その成形性は極めて良い。
比べて、アスパラ1へ比の小さな短繊維を製造できるの
で、繊維強化金属、!li帷強化セラミックス等として
使用する場合、その成形性は極めて良い。
[実施例]
第1図に本発明の製造方法に係わる製造装置を示す。こ
の製造装置は、内壁を耐熱レンガ15で囲まれ、一方の
側壁に排出通路30を有する反応炉10と、反応炉10
の他方の側壁に設けられ、反応炉10に火炎を送るバー
ナー20とから主として構成されている。バーナー20
には金属ケイ素粉末を供給する粉末供給装置21と、酸
素を供給する酸素供給管22及び種火用のIPGを供給
するLPG供給管23が配設されている。反応炉10上
壁には余熱炉11を介してプロパンガスを供給するプロ
パンガス供給管12が反応炉1o内に開口するように設
けられている。
の製造装置は、内壁を耐熱レンガ15で囲まれ、一方の
側壁に排出通路30を有する反応炉10と、反応炉10
の他方の側壁に設けられ、反応炉10に火炎を送るバー
ナー20とから主として構成されている。バーナー20
には金属ケイ素粉末を供給する粉末供給装置21と、酸
素を供給する酸素供給管22及び種火用のIPGを供給
するLPG供給管23が配設されている。反応炉10上
壁には余熱炉11を介してプロパンガスを供給するプロ
パンガス供給管12が反応炉1o内に開口するように設
けられている。
また排出通路30には粉末捕集装置31が設けられ、粉
末捕集装置31の後方には未捕集の炭化ケイ素を短繊維
を捕集するペーパーフィルター32が設けられている。
末捕集装置31の後方には未捕集の炭化ケイ素を短繊維
を捕集するペーパーフィルター32が設けられている。
そしてペーパーフィルター32を通過してきた排ガスは
、ブロア33により燃焼処理部34を通過後、屋外へ排
出されるように構成されている。
、ブロア33により燃焼処理部34を通過後、屋外へ排
出されるように構成されている。
上記のように構成された反応装置により、以下のように
して反応を行ない、炭化ケイ素短繊維を製造した。
して反応を行ない、炭化ケイ素短繊維を製造した。
まず酸素供給管22とLPG供給管23のバルブ24.
25を開き、バーナー20に着火して反応炉10内を充
分に乾燥させ、脱酸素を行なった。
25を開き、バーナー20に着火して反応炉10内を充
分に乾燥させ、脱酸素を行なった。
その後、粉末供給袋@21により、200〜350メツ
シュ通過の金属ケイ素粉末を約2kg/時程度の供給速
度で連続的に供給し、同時に酸素供給管22より、21
01/ c m 2に加圧された酸素を金属ケイ素粉末
の反応当量分く1〜2Nm3/時)供給した。またこれ
と同時にプロパン(5000mmHzO)を0.4Nm
3/時、LPG供給管23より導入し、シリコン−酸素
気流に着火した。
シュ通過の金属ケイ素粉末を約2kg/時程度の供給速
度で連続的に供給し、同時に酸素供給管22より、21
01/ c m 2に加圧された酸素を金属ケイ素粉末
の反応当量分く1〜2Nm3/時)供給した。またこれ
と同時にプロパン(5000mmHzO)を0.4Nm
3/時、LPG供給管23より導入し、シリコン−酸素
気流に着火した。
この火炎を反応炉10内に導入後直ちに、プロパンガス
供給管12のバルブ13を開き、予熱炉11により約4
00℃に加熱されたプロパンガス(5000mmH20
)を2〜3Nm3/時の流量で火炎中に導入して、この
火炎を激しく撹拌した。このときのプロパン供給量は、
5to1s;02ガスが均一核生成を起こさない程度の
温度に維持されるように調整した。この渇iは、還元雰
囲気であること、火炎の位置により温度が異なること等
により測定が困難のため、実測値をあげることはできな
いが、炉壁周辺の湿度が1000〜1200℃であるこ
と、熱力学的的計算によることを考慮すると、1300
〜1800℃程度になっていると考えられる。なおこの
温度が低すぎると、3iQxとCとの混合状態となり、
還元、炭化反応は生じない。
供給管12のバルブ13を開き、予熱炉11により約4
00℃に加熱されたプロパンガス(5000mmH20
)を2〜3Nm3/時の流量で火炎中に導入して、この
火炎を激しく撹拌した。このときのプロパン供給量は、
5to1s;02ガスが均一核生成を起こさない程度の
温度に維持されるように調整した。この渇iは、還元雰
囲気であること、火炎の位置により温度が異なること等
により測定が困難のため、実測値をあげることはできな
いが、炉壁周辺の湿度が1000〜1200℃であるこ
と、熱力学的的計算によることを考慮すると、1300
〜1800℃程度になっていると考えられる。なおこの
温度が低すぎると、3iQxとCとの混合状態となり、
還元、炭化反応は生じない。
この時バーナ−20前面では連続的に金属ケイ素粉末の
酸化反応による反応炎26が形成され、その熱エネルギ
ーを得てプロパンガスによって還元、炭化されて炭化ケ
イ衆知van生成され、これは還元ガス(Co、H2)
とともに粉末捕集装置31およびパイプ35を通してペ
ーパーフィルター32に導入され、3.2kg/時の収
量で捕集された。
酸化反応による反応炎26が形成され、その熱エネルギ
ーを得てプロパンガスによって還元、炭化されて炭化ケ
イ衆知van生成され、これは還元ガス(Co、H2)
とともに粉末捕集装置31およびパイプ35を通してペ
ーパーフィルター32に導入され、3.2kg/時の収
量で捕集された。
またペーパーフィルター32を通過した排ガスは、ブロ
ア33により燃焼処理部34へ送られて燃焼処理された
後、屋外へ排出された。
ア33により燃焼処理部34へ送られて燃焼処理された
後、屋外へ排出された。
得られた短11雑は、電子顕微鏡観察(TFM像)及び
X線回折により、β型の立方晶+B茄のものと同定され
た。このTEM像の写真図(10万倍)をトレースした
ものを第2図に示す。この図によれば中心の黒色部は炭
化ケイ素であり、その周囲の被覆層は二酸化ケイ素であ
る。この短繊維の直径は約0.05μm程麿、長さは2
〜3μm程度であり、アスペクト比は40〜60と比較
的小さかった。またフッ酸処理後のTEM像をトレース
したちの第3図に示す。この図によれば、表皮の二酸化
ケイ素は溶解し、β−炭化ケイ素のみが残存し、高純度
のβ−炭化ケイ素の短繊維が生成していることを示して
いる。なお先端の球形状のものは3iと同定され、VL
S (Vapor−L iqu 1d−8o l id
)機構で結晶成長したものと推定された。また本実施例
では、連続的にかつ短時間(反応時間は1秒以下)に炭
化ケイ素短繊維を製造でき、そのため極めて量産性が良
い。
X線回折により、β型の立方晶+B茄のものと同定され
た。このTEM像の写真図(10万倍)をトレースした
ものを第2図に示す。この図によれば中心の黒色部は炭
化ケイ素であり、その周囲の被覆層は二酸化ケイ素であ
る。この短繊維の直径は約0.05μm程麿、長さは2
〜3μm程度であり、アスペクト比は40〜60と比較
的小さかった。またフッ酸処理後のTEM像をトレース
したちの第3図に示す。この図によれば、表皮の二酸化
ケイ素は溶解し、β−炭化ケイ素のみが残存し、高純度
のβ−炭化ケイ素の短繊維が生成していることを示して
いる。なお先端の球形状のものは3iと同定され、VL
S (Vapor−L iqu 1d−8o l id
)機構で結晶成長したものと推定された。また本実施例
では、連続的にかつ短時間(反応時間は1秒以下)に炭
化ケイ素短繊維を製造でき、そのため極めて量産性が良
い。
第1図は本発明の実施例に係わる製造装置の系統的説明
図である。第2図は実施例で製造された短illの形状
を示す説明図である。第3図は実施例で製造された短繊
維をフッ酸処理した後の短繊維の形状を示す説明図であ
る。 10・・・反応炉 12・・・プロパンガス供給管
20・・・バーナー 21・・・粉末供給装置22・
・・酸素供給管 23・・・LPG供給管30・・・排
出通路 31・・・粉末捕集装置特許出願人 トヨタ
自動車株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 第1図
図である。第2図は実施例で製造された短illの形状
を示す説明図である。第3図は実施例で製造された短繊
維をフッ酸処理した後の短繊維の形状を示す説明図であ
る。 10・・・反応炉 12・・・プロパンガス供給管
20・・・バーナー 21・・・粉末供給装置22・
・・酸素供給管 23・・・LPG供給管30・・・排
出通路 31・・・粉末捕集装置特許出願人 トヨタ
自動車株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 第1図
Claims (5)
- (1)金属ケイ素粉末を酸化性ガス雰囲気中で酸化して
超微粒子状あるいはガス状の一酸化ケイ素とする酸化工
程と、 前記一酸化ケイ素を、炭素を含む還元性ガス雰囲気中で
、粉末を製造する場合の温度よりも低くて炭化ケイ素の
不均一核生成を生じさせる温度下にて炭化する炭化工程
と、から成ることを特徴とする炭化ケイ素短繊維の製造
方法。 - (2)炭化工程における温度は、1300℃〜1800
℃である特許請求の範囲第1項記載の炭化ケイ素短繊維
の製造方法。 - (3)炭素を含む還元性ガスは炭化水素系ガスである特
許請求の範囲第2項記載の炭化ケイ素短繊維の製造方法
。 - (4)酸化工程は、金属ケイ素粉末と酸化性ガスとで粉
塵雲を形成し、該粉塵雲に着火して爆発、燃焼させるこ
とにより行なう特許請求の範囲第1項記載の炭化ケイ素
短繊維の製造方法。 - (5)着火はバーナあるいはプラズマジェットにより行
なう特許請求の範囲第4項記載の炭化ケイ素短繊維の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286261A JPH01131100A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 炭化ケイ素短繊維の製造方法 |
| DE3838178A DE3838178A1 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | Verfahren zur herstellung von kurzen siliciumcarbidfasern |
| US07/269,339 US4917866A (en) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | Production process of silicon carbide short fibers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62286261A JPH01131100A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 炭化ケイ素短繊維の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01131100A true JPH01131100A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17702075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62286261A Pending JPH01131100A (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 炭化ケイ素短繊維の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4917866A (ja) |
| JP (1) | JPH01131100A (ja) |
| DE (1) | DE3838178A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1038124C (zh) * | 1994-07-19 | 1998-04-22 | 中国科学院金属研究所 | 有机硅烷激光气相合成硅基超细粉 |
| US6653790B2 (en) * | 2002-03-19 | 2003-11-25 | Marty Willamor | Automatic gas lamp with safety control circuit |
| AU2012220808A1 (en) * | 2011-02-21 | 2013-09-12 | Lp Amina Llc | Cyclone reactor and method for producing usuable by-products using cyclone reactor |
| CN104302175B (zh) | 2012-03-14 | 2017-04-12 | 诺万公司 | 释放一氧化氮的药物组合物 |
| US11285171B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-03-29 | Novan, Inc. | Nitric oxide releasing suppositories and methods of use thereof |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1187591B (de) * | 1961-09-08 | 1965-02-25 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von Siliziumcarbid oder dieses enthaltenden Mischungen |
| JPS5325300A (en) * | 1976-08-20 | 1978-03-08 | Nippon Crucible Co | Process for preparing betaatype silicon carbide particle |
| JPS5417720A (en) * | 1977-07-08 | 1979-02-09 | Ricoh Co Ltd | Diazo type copying method |
| JPS5771812A (en) * | 1980-10-22 | 1982-05-04 | Ibiden Co Ltd | Fine powder of high-purity silicon carbide with high dispersibility, its production and composite plating therwith |
| JPS57111300A (en) * | 1980-12-25 | 1982-07-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of ceramic whisker |
| JPS58120599A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-18 | Onoda Cement Co Ltd | β−炭化珪素ウイスカ−の製造方法 |
| JPS5945640B2 (ja) * | 1982-03-31 | 1984-11-07 | 東海カ−ボン株式会社 | SiCウイスカ−の製造方法 |
| US4613490A (en) * | 1984-05-08 | 1986-09-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for preparing silicon nitride, silicon carbide or fine powdery mixture thereof |
| JPS6197126A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 炭化ケイ素微粒子の製造方法 |
| DE3602647A1 (de) * | 1985-02-02 | 1986-08-07 | Toyota Jidosha K.K., Toyota, Aichi | Herstellung von siliziumkeramik-pulvern |
| JPS61178413A (ja) * | 1985-02-02 | 1986-08-11 | Toyota Motor Corp | 炭化ケイ素粉末の製造方法 |
| JPH085652B2 (ja) * | 1987-01-12 | 1996-01-24 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素粉末の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62286261A patent/JPH01131100A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-10 DE DE3838178A patent/DE3838178A1/de active Granted
- 1988-11-10 US US07/269,339 patent/US4917866A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3838178A1 (de) | 1989-05-24 |
| US4917866A (en) | 1990-04-17 |
| DE3838178C2 (ja) | 1991-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4705762A (en) | Process for producing ultra-fine ceramic particles | |
| US2819151A (en) | Process for burning silicon fluorides to form silica | |
| JPS60255602A (ja) | 酸化物超微粒子の製造方法 | |
| US4719095A (en) | Production of silicon ceramic powders | |
| US4917866A (en) | Production process of silicon carbide short fibers | |
| JP2868039B2 (ja) | 低級金属酸化物の製造方法 | |
| JPH05193928A (ja) | シリカガラス粉末の製造方法 | |
| JPH0536363B2 (ja) | ||
| JPS63147812A (ja) | 炭化珪素粉末の製造方法 | |
| JP3225073B2 (ja) | 金属酸化物粉末の製造方法 | |
| JPH085652B2 (ja) | 炭化珪素粉末の製造方法 | |
| JP2929815B2 (ja) | 炭化物粉末の製造方法 | |
| JP3400498B2 (ja) | カーボンブラックの製造方法 | |
| WO1986004937A1 (fr) | Procede de fabrication de fibres de carbone en phase gazeuse | |
| JP2679216B2 (ja) | 酸化物粉末の製造方法 | |
| JPH05193908A (ja) | 金属酸化物粉末の製造方法 | |
| JPH01167215A (ja) | 高度分散酸化アルミニウム粒子の製造方法および製造装置 | |
| CN117597307A (zh) | 一氧化硅的制造方法 | |
| JPS6016809A (ja) | 炭化珪素ウイスカ−の製造方法 | |
| JPH01124626A (ja) | 気相法炭素繊維の製造法 | |
| JP2679242B2 (ja) | 酸化物粉末の製造方法 | |
| JPS63201011A (ja) | 炭化珪素粉末の製造方法 | |
| JPH02225572A (ja) | カーボンブラックの製造方法 | |
| JPS6117764B2 (ja) | ||
| JPS6479001A (en) | Production of composite oxide powder |