JPH0113196B2 - - Google Patents
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- JPH0113196B2 JPH0113196B2 JP13068081A JP13068081A JPH0113196B2 JP H0113196 B2 JPH0113196 B2 JP H0113196B2 JP 13068081 A JP13068081 A JP 13068081A JP 13068081 A JP13068081 A JP 13068081A JP H0113196 B2 JPH0113196 B2 JP H0113196B2
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Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Description
本発明は自己温度制御性ヒータに関するもので
ある。 従来、ポリオレフインをベースとする正の温度
係数特性(以下PTC特性と言う)を有する自己
温度制御性ヒータとしては、低密度ポリエチレ
ン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体等の
ベースレジンにグラフアイトやカーボンブラツク
等の導電性付与材を添加した系が使用されてい
る。 しかし低中圧法高密度ポリエチレンベースの場
合には、高温におけるPTC特性の立ちあがりは
大きいが、低温側のPTC特性は平担に近く、し
たがつて動作温度が高くなり、結晶融点と動作温
度の差が小さいため、局部的に発熱温度が融点を
越えることが懸念される。その場合には導電性付
与材が母体中を移動するため抵抗値が変化し、抵
抗値が低下すればますます発熱する傾向を示すの
で遂には発火に至る危険性がある。 一方、高圧法低密度ポリエチレンは低温の
PTC特性は比較的良好であるが、融点が100〜
110℃と低いため、動作温度をあまり高くとるこ
とができない。この点ではエチレン共重合体では
さらに融点が低くなるため、動作温度はもつと低
目になる。 したがつて、低中圧法高密度ポリエチレンに近
い動作温度のものを得ることができればポリオレ
フイン系PTCの使用範囲を拡大することになり、
工業上の寄与は極めて大きい。 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解
消し、PTC特性を改善した自己温度制御ヒータ
を提供することにある。 すなわち本発明の要旨は、自己温度制御性ヒー
タのベースレジンとして線状低密度ポリエチレン
を用いたことにある。 ここで上記線状低密度ポリエチレンとは次のよ
うなものをいう。 高級α−オレフインモノマをエチレンと共重合
させることによつて製造したポリマであり、中低
圧法で重合した低密度ポリエチレンをいう。 密度は従来の低密度ポリエチレンと同程度であ
るが、分子は中高密度ポリエチレンと同様に直鎖
状である。従来の低密度ポリエチレンは長鎖分岐
を多くもつているのに対し、線状低密度ポリエチ
レンは短鎖分岐を多くもつているのが特徴であ
る。このポリマを単独に用いるほか、他の特性を
改善するため、エチレン共重合体等を併用しても
よい。また導電性付与材とはカーボンブラツク、
グラフアイト、有機ポリマでグラフト結合したカ
ーボンブラツク、金属粉等が該当する。 その他安定剤、滑剤、難燃剤、架橋助剤、酸化
防止剤、分散剤等を含んでいても一向に差支えな
い。これらの組成はバンバリミキサ、ロール、ニ
ーダ等で均一に混練した後押出機によつてペレツ
ト化する。 この材料を電極上に押出被覆後、電子線照射や
有機過酸化物等で架橋処理を行なう。 実施例 1 線状低密度ポリエチレン(密度0.92、MI=0.3)
100重量部、Vulcan XC―72 20重量部、トリメ
チロールプロパントリメタクレート2重量部、
4,4′―チオビス(6―ターシヤリブチル―3―
メチルフエノール)0.2重量部、ステアリン酸亜
鉛0.2重量部をバンバリミキサで均一になるまで
混練し、ロールでシート化した後ペレツト化し
た。 次に第1図に示す様に外径0.20mmのスズメツキ
線を19本撚りした2本の導体1(導体間距離5
mm)上に上記混和物を厚さ2mmになるように押出
被覆2した。次に熱可塑性エラストマTPR5190
を厚さ0.2mmになるように押出被覆3し、20Mrad
の電子線を照射した。抵抗体のPTC特性を第3
図の7に示す。 実施例 2 線状低密度ポリエチレン(密度0.92、MI=0.3)
100重量部、グラフアイトKS―2.5(ロンザ社)40
重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート2重量部、4,4′―チオビス―(6―ターシ
ヤリブチル―3―メチルフエノール)0.2重量部、
ステアリン酸亜鉛0.2重量部の組成物を実施例1
と同一条件で製造した。抵抗体のPTC特性を第
3図の8に示す。 実施例 3 実施例1の線状低密度ポリエチレン100重量部
の代りに線状低密度ポリエチレン90重量部、エチ
レン―プロピレンゴム10重量部としたほかは実施
例1と同じである。 比較例 1 実施例1の線状低密度ポリエチレン100重量部
の代りに高圧法低密度ポリエチレン(密度0.92、
MI=0.3)100重量部を用いた。他の配合剤およ
び製造法は実施例1と同じである。 比較例 2 実施例1の線状低密度ポリエチレン100重量部
の代りに中低圧法高密度ポリエチレン(密度
0.95、MI=0.3)100重量部を用いた。他の配合剤
および製造法は実施例1と同じである。 上記実施例及び比較例の結果を第1表に示す。
ある。 従来、ポリオレフインをベースとする正の温度
係数特性(以下PTC特性と言う)を有する自己
温度制御性ヒータとしては、低密度ポリエチレ
ン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体等の
ベースレジンにグラフアイトやカーボンブラツク
等の導電性付与材を添加した系が使用されてい
る。 しかし低中圧法高密度ポリエチレンベースの場
合には、高温におけるPTC特性の立ちあがりは
大きいが、低温側のPTC特性は平担に近く、し
たがつて動作温度が高くなり、結晶融点と動作温
度の差が小さいため、局部的に発熱温度が融点を
越えることが懸念される。その場合には導電性付
与材が母体中を移動するため抵抗値が変化し、抵
抗値が低下すればますます発熱する傾向を示すの
で遂には発火に至る危険性がある。 一方、高圧法低密度ポリエチレンは低温の
PTC特性は比較的良好であるが、融点が100〜
110℃と低いため、動作温度をあまり高くとるこ
とができない。この点ではエチレン共重合体では
さらに融点が低くなるため、動作温度はもつと低
目になる。 したがつて、低中圧法高密度ポリエチレンに近
い動作温度のものを得ることができればポリオレ
フイン系PTCの使用範囲を拡大することになり、
工業上の寄与は極めて大きい。 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解
消し、PTC特性を改善した自己温度制御ヒータ
を提供することにある。 すなわち本発明の要旨は、自己温度制御性ヒー
タのベースレジンとして線状低密度ポリエチレン
を用いたことにある。 ここで上記線状低密度ポリエチレンとは次のよ
うなものをいう。 高級α−オレフインモノマをエチレンと共重合
させることによつて製造したポリマであり、中低
圧法で重合した低密度ポリエチレンをいう。 密度は従来の低密度ポリエチレンと同程度であ
るが、分子は中高密度ポリエチレンと同様に直鎖
状である。従来の低密度ポリエチレンは長鎖分岐
を多くもつているのに対し、線状低密度ポリエチ
レンは短鎖分岐を多くもつているのが特徴であ
る。このポリマを単独に用いるほか、他の特性を
改善するため、エチレン共重合体等を併用しても
よい。また導電性付与材とはカーボンブラツク、
グラフアイト、有機ポリマでグラフト結合したカ
ーボンブラツク、金属粉等が該当する。 その他安定剤、滑剤、難燃剤、架橋助剤、酸化
防止剤、分散剤等を含んでいても一向に差支えな
い。これらの組成はバンバリミキサ、ロール、ニ
ーダ等で均一に混練した後押出機によつてペレツ
ト化する。 この材料を電極上に押出被覆後、電子線照射や
有機過酸化物等で架橋処理を行なう。 実施例 1 線状低密度ポリエチレン(密度0.92、MI=0.3)
100重量部、Vulcan XC―72 20重量部、トリメ
チロールプロパントリメタクレート2重量部、
4,4′―チオビス(6―ターシヤリブチル―3―
メチルフエノール)0.2重量部、ステアリン酸亜
鉛0.2重量部をバンバリミキサで均一になるまで
混練し、ロールでシート化した後ペレツト化し
た。 次に第1図に示す様に外径0.20mmのスズメツキ
線を19本撚りした2本の導体1(導体間距離5
mm)上に上記混和物を厚さ2mmになるように押出
被覆2した。次に熱可塑性エラストマTPR5190
を厚さ0.2mmになるように押出被覆3し、20Mrad
の電子線を照射した。抵抗体のPTC特性を第3
図の7に示す。 実施例 2 線状低密度ポリエチレン(密度0.92、MI=0.3)
100重量部、グラフアイトKS―2.5(ロンザ社)40
重量部、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート2重量部、4,4′―チオビス―(6―ターシ
ヤリブチル―3―メチルフエノール)0.2重量部、
ステアリン酸亜鉛0.2重量部の組成物を実施例1
と同一条件で製造した。抵抗体のPTC特性を第
3図の8に示す。 実施例 3 実施例1の線状低密度ポリエチレン100重量部
の代りに線状低密度ポリエチレン90重量部、エチ
レン―プロピレンゴム10重量部としたほかは実施
例1と同じである。 比較例 1 実施例1の線状低密度ポリエチレン100重量部
の代りに高圧法低密度ポリエチレン(密度0.92、
MI=0.3)100重量部を用いた。他の配合剤およ
び製造法は実施例1と同じである。 比較例 2 実施例1の線状低密度ポリエチレン100重量部
の代りに中低圧法高密度ポリエチレン(密度
0.95、MI=0.3)100重量部を用いた。他の配合剤
および製造法は実施例1と同じである。 上記実施例及び比較例の結果を第1表に示す。
【表】
試験方法
(1) 発熱温度:抵抗体上に熱電対を取り付け、抵
抗体電極間に交流電圧100Vを課電したときの
発熱温度を読みとる。 (2) 体積抵抗率:ホイートストンブリツジを用い
て抵抗値を読みとり、体積抵抗率に換算した。
PTC特性は恒温槽中で所定の温度に加熱した
状態で抵抗値を測定した。 (3) 課電サイクル:抵抗体の電極間に交流電圧
100Vを1h課電し、10分間課電停止する。これ
を1サイクルとして繰り返した。100サイクル
および1000サイクル後の発熱温度と体積抵抗率
を測定した。 以上説明した通り本発明は線状低密度ポリエチ
レンを用いることによつて低温のPTC特性は高
圧法低密度ポリエチレンに近く、高温では低中圧
法高密度ポリエチレンに近いため、全体の温度範
囲でPTC特性がシヤープになる。このことはス
イツチングがシヤープになり信頼性が著しく増大
する。このPTC特性のポリマの比容積一温度特
性と関連しており、線状低密度ポリエチレンに特
有なものである。
抗体電極間に交流電圧100Vを課電したときの
発熱温度を読みとる。 (2) 体積抵抗率:ホイートストンブリツジを用い
て抵抗値を読みとり、体積抵抗率に換算した。
PTC特性は恒温槽中で所定の温度に加熱した
状態で抵抗値を測定した。 (3) 課電サイクル:抵抗体の電極間に交流電圧
100Vを1h課電し、10分間課電停止する。これ
を1サイクルとして繰り返した。100サイクル
および1000サイクル後の発熱温度と体積抵抗率
を測定した。 以上説明した通り本発明は線状低密度ポリエチ
レンを用いることによつて低温のPTC特性は高
圧法低密度ポリエチレンに近く、高温では低中圧
法高密度ポリエチレンに近いため、全体の温度範
囲でPTC特性がシヤープになる。このことはス
イツチングがシヤープになり信頼性が著しく増大
する。このPTC特性のポリマの比容積一温度特
性と関連しており、線状低密度ポリエチレンに特
有なものである。
第1図は本発明自己温度制御性ヒータの一実施
例を示す断面図、第2図は本発明の線状低密度ポ
リエチレンと従来の高圧法低密度ポリエチレンと
低圧法高密度ポリエチレンの比容積一温度特性を
示す特性線図、第3図は本発明の線状低密度ポリ
エチレンをベースとした組成物のPTC特性を従
来のポリエチレンと比較して示してある特性線図
である。 1:導体(電極)、2:抵抗体、3:絶縁体、
4:線状低密度ポリエチレンの特性曲線、5:高
圧法低密度ポリエチレンの特性曲線、6:中低圧
法高密度ポリエチレンの特性曲線、7:実施例1
の特性曲線、8:実施例2の特性曲線、9:比較
例1の特性曲線、10:比較例2の特性曲線。
例を示す断面図、第2図は本発明の線状低密度ポ
リエチレンと従来の高圧法低密度ポリエチレンと
低圧法高密度ポリエチレンの比容積一温度特性を
示す特性線図、第3図は本発明の線状低密度ポリ
エチレンをベースとした組成物のPTC特性を従
来のポリエチレンと比較して示してある特性線図
である。 1:導体(電極)、2:抵抗体、3:絶縁体、
4:線状低密度ポリエチレンの特性曲線、5:高
圧法低密度ポリエチレンの特性曲線、6:中低圧
法高密度ポリエチレンの特性曲線、7:実施例1
の特性曲線、8:実施例2の特性曲線、9:比較
例1の特性曲線、10:比較例2の特性曲線。
Claims (1)
- 1 所定間隔で配置された電極の上に線状低密度
ポリエチレンに導電性付与材を添加した混合物を
設け、しかる後架橋したことを特徴とする自己温
度制御性ヒータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13068081A JPS5832382A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 自己温度制御性ヒ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13068081A JPS5832382A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 自己温度制御性ヒ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832382A JPS5832382A (ja) | 1983-02-25 |
| JPH0113196B2 true JPH0113196B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=15040039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13068081A Granted JPS5832382A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 自己温度制御性ヒ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832382A (ja) |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP13068081A patent/JPS5832382A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5832382A (ja) | 1983-02-25 |
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