JPH0113206B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0113206B2 JPH0113206B2 JP56165187A JP16518781A JPH0113206B2 JP H0113206 B2 JPH0113206 B2 JP H0113206B2 JP 56165187 A JP56165187 A JP 56165187A JP 16518781 A JP16518781 A JP 16518781A JP H0113206 B2 JPH0113206 B2 JP H0113206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- silicone
- electrodes
- multilayer ceramic
- tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコーン被覆を有し、両端部に銀ま
たは銀―パラジウム合金，ニツケル及びスズ―鉛
合金からなる電極部を有する耐湿性の良好な積層
セラミツクコンデンサの製造方法に関するもので
ある。
たは銀―パラジウム合金，ニツケル及びスズ―鉛
合金からなる電極部を有する耐湿性の良好な積層
セラミツクコンデンサの製造方法に関するもので
ある。
従来より、積層セラミツクコンデンサは電子回
路の小型化と相まつて小型大容量化が図られてき
ており、現在ハイブリツドIC用及びプリント基
板直付け用のチツプ部品としてその需要は急増し
ている。
路の小型化と相まつて小型大容量化が図られてき
ており、現在ハイブリツドIC用及びプリント基
板直付け用のチツプ部品としてその需要は急増し
ている。
この積層セラミツクコンデンサは、一般にセラ
ミツク誘電体とパラジウム及び／または白金の薄
膜層を交互に積層して得られる積層体に基づくも
のであり、内部の金属薄膜が誘電体を狭持する形
で並列回路を形成するように端部の銀または銀―
パラジウム合金電極と接続する構成をなしてい
る。この積層セラミツクコンデンサに使用される
誘電体の厚みは15〜100μm程度であり、このよう
な薄い誘電体平面に電極を設けて折りたたんだよ
うな構造をしている。
ミツク誘電体とパラジウム及び／または白金の薄
膜層を交互に積層して得られる積層体に基づくも
のであり、内部の金属薄膜が誘電体を狭持する形
で並列回路を形成するように端部の銀または銀―
パラジウム合金電極と接続する構成をなしてい
る。この積層セラミツクコンデンサに使用される
誘電体の厚みは15〜100μm程度であり、このよう
な薄い誘電体平面に電極を設けて折りたたんだよ
うな構造をしている。
一般に、コンデンサの静電容量は、
Ｃ＝εε0Ｓ／ｔ
であらわされる。ここで、εは真空の誘電率、ε0
は誘電体の比誘電率、Ｓは電極面積、及びｔは電
極間距離を示す。したがつて、体積当りの容量を
考えると、 Ｃ／Ｖ∝１／t2（Ｖはコンデンサの体積） となり、厚みの２乗に反比例する。そこで、単板
型のセラミツクコンデンサと積層セラミツクコン
デンサの体積当りの容量を比較すると、積層セラ
ミツクコンデンサの方が円板型セラミツクコンデ
ンサの厚みの約1/10以下にすることが可能である
から、約100倍以上の容量が同一体積で得ること
ができる。（尚、円板型セラミツクコンデンサで
は強度的に厚みを薄くすることが不可能だから、
現在では500μm前後が限度である。） このように積層セラミツクコンデンサは小型か
つ大静電容量を有するものであり、電子回路の小
型化に適合しており、さらに電極にスズ及び鉛の
合金メツキをほどこすことにより、プリント基板
への直付けが容易にできるようになつてきてい
る。
は誘電体の比誘電率、Ｓは電極面積、及びｔは電
極間距離を示す。したがつて、体積当りの容量を
考えると、 Ｃ／Ｖ∝１／t2（Ｖはコンデンサの体積） となり、厚みの２乗に反比例する。そこで、単板
型のセラミツクコンデンサと積層セラミツクコン
デンサの体積当りの容量を比較すると、積層セラ
ミツクコンデンサの方が円板型セラミツクコンデ
ンサの厚みの約1/10以下にすることが可能である
から、約100倍以上の容量が同一体積で得ること
ができる。（尚、円板型セラミツクコンデンサで
は強度的に厚みを薄くすることが不可能だから、
現在では500μm前後が限度である。） このように積層セラミツクコンデンサは小型か
つ大静電容量を有するものであり、電子回路の小
型化に適合しており、さらに電極にスズ及び鉛の
合金メツキをほどこすことにより、プリント基板
への直付けが容易にできるようになつてきてい
る。
しかしながら、このような積層セラミツクコン
デンサの欠点もいくつかあり、その欠点の一つ
は、誘電体厚みを薄くするために生ずる欠陥であ
る。すなわち、セラミツク自身もともと多結晶体
からなるもので、緻密な単結晶とは異なり、無数
の気孔を有している。このような気孔はまた均一
な大きさではなく、大きな気孔も存在する。この
気孔を小さく均一分布化することは一つの課題で
あり、積々研究されてはいるが、未だ十分とはい
えない。このような気孔の及ぼす影響としては、
耐湿性を弱くすることである。特に、ニツケルあ
るいはスズ―鉛合金メツキなどにより、電解液を
用いる工程において、電解質の残存などが問題と
なつたりする。電解質が残存すると、湿気が再び
浸透することにより絶縁抵抗が低下することがあ
る。このようなことは製品としての信頼性を著し
く損なうものであり、市場にて問題を発生するこ
とが少なくない。このため、特にメツキ電極を付
与する積層セラミツクコンデンサについては注意
を要したものであつた。
デンサの欠点もいくつかあり、その欠点の一つ
は、誘電体厚みを薄くするために生ずる欠陥であ
る。すなわち、セラミツク自身もともと多結晶体
からなるもので、緻密な単結晶とは異なり、無数
の気孔を有している。このような気孔はまた均一
な大きさではなく、大きな気孔も存在する。この
気孔を小さく均一分布化することは一つの課題で
あり、積々研究されてはいるが、未だ十分とはい
えない。このような気孔の及ぼす影響としては、
耐湿性を弱くすることである。特に、ニツケルあ
るいはスズ―鉛合金メツキなどにより、電解液を
用いる工程において、電解質の残存などが問題と
なつたりする。電解質が残存すると、湿気が再び
浸透することにより絶縁抵抗が低下することがあ
る。このようなことは製品としての信頼性を著し
く損なうものであり、市場にて問題を発生するこ
とが少なくない。このため、特にメツキ電極を付
与する積層セラミツクコンデンサについては注意
を要したものであつた。
本発明は以上の欠点を考慮し、種々の実験を通
して得られたものである。
して得られたものである。
以下、本発明の詳細について実施例に基づき説
明する。
明する。
＜実施例＞
チタン酸バリウム71.4重量部，ジルコン酸バリ
ウム20.4重量部，チタン酸カルシウム7.4重量部，
酸化亜鉛0.2重量部，二酸化マンガン0.15重量部，
酸化タングステン0.25重量部及び酸化アルミニウ
ム0.25重量部よりなる混合粉末に対して、エチル
セルローズを主体とするバインダーを用いてスラ
リーを作製し、40±2μmの厚みのシートをドクタ
ーブレード法を用いて成型した。このシートを一
定のサイズに打抜いた後、パラジウム電極を印刷
した。この電極印刷済みのシートを電極がクシ形
状になるように積重ねて圧着した後、3.6mm×1.8
mm×0.45mmの大きさに切断した。このチツプを
1370℃±20℃で２時間焼成して得た焼結体の両端
面に銀ペーストをほどこし、800℃で焼付けた。
このようにして作製された積層体の全面にシリコ
ーンを付着し、250〜300℃の範囲で４〜６時間熱
処理してシリコーンを重合させた後、その熱処理
済みの積層体を内径150mmのポリポツト内に投入
し95〜100r・ｐ・ｍの回転速度にて30分間共ズリ
して両端部の銀電極部のシリコーンを除去した。
ついで、シリコーンの除去された両端部の銀電極
部にニツケルメツキを１〜2μm、さらにその上に
スズと鉛の合金メツキを１〜2μmほどこした。
ウム20.4重量部，チタン酸カルシウム7.4重量部，
酸化亜鉛0.2重量部，二酸化マンガン0.15重量部，
酸化タングステン0.25重量部及び酸化アルミニウ
ム0.25重量部よりなる混合粉末に対して、エチル
セルローズを主体とするバインダーを用いてスラ
リーを作製し、40±2μmの厚みのシートをドクタ
ーブレード法を用いて成型した。このシートを一
定のサイズに打抜いた後、パラジウム電極を印刷
した。この電極印刷済みのシートを電極がクシ形
状になるように積重ねて圧着した後、3.6mm×1.8
mm×0.45mmの大きさに切断した。このチツプを
1370℃±20℃で２時間焼成して得た焼結体の両端
面に銀ペーストをほどこし、800℃で焼付けた。
このようにして作製された積層体の全面にシリコ
ーンを付着し、250〜300℃の範囲で４〜６時間熱
処理してシリコーンを重合させた後、その熱処理
済みの積層体を内径150mmのポリポツト内に投入
し95〜100r・ｐ・ｍの回転速度にて30分間共ズリ
して両端部の銀電極部のシリコーンを除去した。
ついで、シリコーンの除去された両端部の銀電極
部にニツケルメツキを１〜2μm、さらにその上に
スズと鉛の合金メツキを１〜2μmほどこした。
第１図はこのようにして得られた本発明の積層
セラミツクコンデンサを示し、図中１は磁器誘電
体層、２はパラジウム電極層、３は銀電極、４は
ニツケルメツキ層、５はスズと鉛の合金メツキ
層、６はシリコーン層である。
セラミツクコンデンサを示し、図中１は磁器誘電
体層、２はパラジウム電極層、３は銀電極、４は
ニツケルメツキ層、５はスズと鉛の合金メツキ
層、６はシリコーン層である。
また、第２図は本発明の方法に基づく積層セラ
ミツクコンデンサと、従来の方法に基づくシリコ
ーン処理のない積層セラミツクコンデンサ（シリ
コーン処理以外は本発明方法と同一である）の40
℃、相対湿度95％中での50V印加時の耐湿特性の
様子を示したものである。第２図でａは本発明品
の特性、ｂは従来品の特性である。この第２図か
ら明らかなように、本発明の方法に基づく積層セ
ラミツクコンデンサの耐湿特性は極めて安定して
いることが明白である。
ミツクコンデンサと、従来の方法に基づくシリコ
ーン処理のない積層セラミツクコンデンサ（シリ
コーン処理以外は本発明方法と同一である）の40
℃、相対湿度95％中での50V印加時の耐湿特性の
様子を示したものである。第２図でａは本発明品
の特性、ｂは従来品の特性である。この第２図か
ら明らかなように、本発明の方法に基づく積層セ
ラミツクコンデンサの耐湿特性は極めて安定して
いることが明白である。
以上述べたように、本発明の方法によれば、メ
ツキ電極を設けた積層セラミツクコンデンサにあ
りがちな耐湿特性の不安定性といつた問題点を解
決し得た点で極めて有意義なものである。
ツキ電極を設けた積層セラミツクコンデンサにあ
りがちな耐湿特性の不安定性といつた問題点を解
決し得た点で極めて有意義なものである。
尚、上記実施例ではチタン酸バリウム，ジルコ
ン酸バリウム及びチタン酸カルシウムを主体とす
る磁器誘電体材料を使用したが、他の誘電体材料
に関しても適用可能なことは言うまでもないこと
である。また、両端面に銀電極をほどこした場合
について説明したが、銀―パラジウム合金電極で
もよいものである。
ン酸バリウム及びチタン酸カルシウムを主体とす
る磁器誘電体材料を使用したが、他の誘電体材料
に関しても適用可能なことは言うまでもないこと
である。また、両端面に銀電極をほどこした場合
について説明したが、銀―パラジウム合金電極で
もよいものである。
第１図は本発明方法に基づく積層セラミツクコ
ンデンサの一部切欠斜視図、第２図は本発明方法
と従来方法に基づく積層セラミツクコンデンサの
耐湿特性の比較図である。 １……磁器誘電体層、２……電極層（パラジウ
ム電極層）、３……銀電極、４……ニツケルメツ
キ層、５……スズと鉛の合金メツキ層、６……シ
リコーン層。
ンデンサの一部切欠斜視図、第２図は本発明方法
と従来方法に基づく積層セラミツクコンデンサの
耐湿特性の比較図である。 １……磁器誘電体層、２……電極層（パラジウ
ム電極層）、３……銀電極、４……ニツケルメツ
キ層、５……スズと鉛の合金メツキ層、６……シ
リコーン層。
Claims (1)
- １ 両端部に銀または銀―パラジウム合金電極を
有する、磁器誘電体層及びクシ形状に電極層が交
互に積層されてなる積層体の全面にシリコーンを
付着すると共にこのシリコーンの付着した積層体
を熱処理してシリコーンを重合させ、その後両端
部の銀電極部に付着したシリコーンを除去し、つ
いでニツケルメツキを両端部の銀電極部にほどこ
し、このニツケルメツキ処理部分にスズと鉛の合
金メツキをほどこすようにした積層セラミツクコ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165187A JPS5866321A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165187A JPS5866321A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866321A JPS5866321A (ja) | 1983-04-20 |
| JPH0113206B2 true JPH0113206B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=15807487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165187A Granted JPS5866321A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866321A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202618A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPH0727803B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPH01241809A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 積層セラミックチップ部品 |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56165187A patent/JPS5866321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5866321A (ja) | 1983-04-20 |
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