JPH01241809A - 積層セラミックチップ部品 - Google Patents
積層セラミックチップ部品Info
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- JPH01241809A JPH01241809A JP7054888A JP7054888A JPH01241809A JP H01241809 A JPH01241809 A JP H01241809A JP 7054888 A JP7054888 A JP 7054888A JP 7054888 A JP7054888 A JP 7054888A JP H01241809 A JPH01241809 A JP H01241809A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 45
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 244000062175 Fittonia argyroneura Species 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は積層セラミックチップ部品に関し、特にハイブ
リッドＩＣ基板等高密度実装（こ供される積層セラミッ
クチップ部品に関する。
リッドＩＣ基板等高密度実装（こ供される積層セラミッ
クチップ部品に関する。
近年、電子装置、電子機器の小型化及びトータルコスト
ダウンを目的としてハイブリットＩＣ化の進展、部品実
装の高密度化が加速されている。
ダウンを目的としてハイブリットＩＣ化の進展、部品実
装の高密度化が加速されている。
これに伴ない電子回路基板の高密度配線ならびに搭載部
品のチップ化が必要不可欠の要素となっている。
品のチップ化が必要不可欠の要素となっている。
一方ハイブリッドＩＣ基板の高密度配線の進展に伴ない
従来より部品実装後、搭載部品を含め基め板表面にエポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂等をオーバーコートし、耐湿
性能の向上、基板面配線間あるいはチップ部品端子電極
等に用いられている銀糸材料のマイグレーション防止を
図っている。
従来より部品実装後、搭載部品を含め基め板表面にエポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂等をオーバーコートし、耐湿
性能の向上、基板面配線間あるいはチップ部品端子電極
等に用いられている銀糸材料のマイグレーション防止を
図っている。
さらにハイブリツドＩＣ化に伴ない小型、薄型でかつ表
面実装可能なチップ型部品として特に従来より積層タイ
プのセラミックチップ部品としてコンデンサ、インダク
タ、バリスタ等が多量に搭載されている。これらの積層
セラミックチップ部品の構造としては第４図に示すよう
に、セラミック焼結体１．内部電極２及び外部電極５か
ら構成される。これらの構成材料は内部電極２としてパ
ラジウム・主成分、外部電極１５としてはガラスフリッ
トを含む銀−パラジウム系金域が基本である。積層化す
ることにより、小型形状に高性能を付与しており、今後
とも積層数、すなわちセラミック焼結体１内の内部電極
２０枚数も１０枚程度から２０〜５０枚程度へ増加しつ
つある。
面実装可能なチップ型部品として特に従来より積層タイ
プのセラミックチップ部品としてコンデンサ、インダク
タ、バリスタ等が多量に搭載されている。これらの積層
セラミックチップ部品の構造としては第４図に示すよう
に、セラミック焼結体１．内部電極２及び外部電極５か
ら構成される。これらの構成材料は内部電極２としてパ
ラジウム・主成分、外部電極１５としてはガラスフリッ
トを含む銀−パラジウム系金域が基本である。積層化す
ることにより、小型形状に高性能を付与しており、今後
とも積層数、すなわちセラミック焼結体１内の内部電極
２０枚数も１０枚程度から２０〜５０枚程度へ増加しつ
つある。
上述した従来の積層セラミックチップ部品はハイプリッ
）ＩＣ基板、高密度電子回路基板上に搭載後、コーティ
ング樹脂にオーバーコートされて、各種電子機器、装置
に組込まれる。％（こオーバーコート樹脂が加熱硬化型
シリコーン材の場合には積層セラミックチップ部品の劣
化を経験した。これは加熱硬化型シリコーンから硬化反
応時に発生した水素ガスが従来の積層セラミックチップ
部品の構成要素である外部電極５の成分であるパラジウ
ム金属に吸収され、これを径由して内部電極２の主成分
であるパラジウムあるいは白金金属に吸蔵され、体積膨
張によりセラミック焼結体１の破壊、すなわち積層セラ
ミックチップ部品のクラックに至る。いわゆるパラジウ
ムあるいは白金金属の水素吸収現象により積層セラミッ
ク部品の信頼性低下につながるという欠点がある。
）ＩＣ基板、高密度電子回路基板上に搭載後、コーティ
ング樹脂にオーバーコートされて、各種電子機器、装置
に組込まれる。％（こオーバーコート樹脂が加熱硬化型
シリコーン材の場合には積層セラミックチップ部品の劣
化を経験した。これは加熱硬化型シリコーンから硬化反
応時に発生した水素ガスが従来の積層セラミックチップ
部品の構成要素である外部電極５の成分であるパラジウ
ム金属に吸収され、これを径由して内部電極２の主成分
であるパラジウムあるいは白金金属に吸蔵され、体積膨
張によりセラミック焼結体１の破壊、すなわち積層セラ
ミックチップ部品のクラックに至る。いわゆるパラジウ
ムあるいは白金金属の水素吸収現象により積層セラミッ
ク部品の信頼性低下につながるという欠点がある。
本発明の目的は、水素ガス放置下あるいは加熱硬化型シ
リコン樹脂によりオーバーコートされる使用環境下にお
いて水素吸収現象による信頼性劣化を抑制できるセラミ
ック焼結体内に形成されたパラジウム、白金を主成分と
する導電性金属の内部電極を有する積層セラミックチッ
プ部品を提供することにある。
リコン樹脂によりオーバーコートされる使用環境下にお
いて水素吸収現象による信頼性劣化を抑制できるセラミ
ック焼結体内に形成されたパラジウム、白金を主成分と
する導電性金属の内部電極を有する積層セラミックチッ
プ部品を提供することにある。
本発明の積層セラミックチップ部品は、セラミック焼結
体とこのセラミック焼結体内に複数枚形成され、かつ交
互にその一端部が外部に露出されたパラジウムを主成分
とする内部電極と、該内部電極の露出端を電気的ｌこ接
続する外部電極層とを備える積層セラミックチップ部品
において、前記外部電極層がパラジウム、白金を含まな
い少くも１つの導電性金属被膜層を含んで構成される。
体とこのセラミック焼結体内に複数枚形成され、かつ交
互にその一端部が外部に露出されたパラジウムを主成分
とする内部電極と、該内部電極の露出端を電気的ｌこ接
続する外部電極層とを備える積層セラミックチップ部品
において、前記外部電極層がパラジウム、白金を含まな
い少くも１つの導電性金属被膜層を含んで構成される。
本発明によれば、水素ガスを発生する使用環境下で、積
層セラミックチップ部品の内部電極層へ水素ガスが吸収
誘引されるのを防止することができる。
層セラミックチップ部品の内部電極層へ水素ガスが吸収
誘引されるのを防止することができる。
また、本発明はセラミックコンデンサ、セラミックイン
ダクタ、セラミックバリスタに適用でき、また、外部電
極層としてセラミック焼結体面と内部電極端とを接続す
る接続界面層と、その接続界面層上に形成されたパラジ
ウム、白金を含まない少なくとも１つの導電性金属被膜
層を含んで構成することにより効果的に実施できる。
ダクタ、セラミックバリスタに適用でき、また、外部電
極層としてセラミック焼結体面と内部電極端とを接続す
る接続界面層と、その接続界面層上に形成されたパラジ
ウム、白金を含まない少なくとも１つの導電性金属被膜
層を含んで構成することにより効果的に実施できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の概略断面図である。セ
ラミック焼結体１の内部に複数枚形成され、かつ交互に
その一端部が外部に露出された内部電極２を有する積層
セラミックチップにおいてガラスフリットを含む銀ペー
ストを塗布節句した接続界面層３の上部に導電性金属被
膜層４を形成する。導電性金属被膜層４の要件としては
水素ガスの吸収性を示すパラジウム、白金を含まない金
属をスパッタ、メツキにより形成する。本実施例ではニ
ッケルメッキ５〜１０μｍ付与した。第２図、第３図は
本発明の第２、第３の実施例の概略断面図である。
ラミック焼結体１の内部に複数枚形成され、かつ交互に
その一端部が外部に露出された内部電極２を有する積層
セラミックチップにおいてガラスフリットを含む銀ペー
ストを塗布節句した接続界面層３の上部に導電性金属被
膜層４を形成する。導電性金属被膜層４の要件としては
水素ガスの吸収性を示すパラジウム、白金を含まない金
属をスパッタ、メツキにより形成する。本実施例ではニ
ッケルメッキ５〜１０μｍ付与した。第２図、第３図は
本発明の第２、第３の実施例の概略断面図である。
第２図においては、第１の実施例の外部電極、すなわち
接続界面層３、導電性金属被膜層４の上に更に外部電極
層５を付加したもので接続特性等を改善できる。また第
３図ではスパッタや蒸着によりパラジウム、白金を含ま
ない金属を直接付着させ導電性金属被膜層４を第１層に
形成した例である。
接続界面層３、導電性金属被膜層４の上に更に外部電極
層５を付加したもので接続特性等を改善できる。また第
３図ではスパッタや蒸着によりパラジウム、白金を含ま
ない金属を直接付着させ導電性金属被膜層４を第１層に
形成した例である。
次に、本発明の積層セラミックチップ部品を積厚ざ１．
０順の外形形状を有し、内部電極材料としてパラジウム
を用い、本発明例の外部電極としてガラスフリット含有
銀層を接続界面層とし、次いで電気メツキによりニッケ
ル層を導電性金属被膜層とした第１図に示す＃４遣のチ
ップ部品と、従来例の外部電極としてガラスフリットを
含む銀８５％−パラジウム１５％とし第４図の構造のチ
ップ部品とを用いた。試験条件としては（１）供試サン
プルをセラミック基板上に半田付実装後、加熱硬化型シ
リコーン樹脂をコーテイング後、温度８５°Ｃにて５０
０時間放Ｗ、後の靜電容１を測定し初期静電容蓋に対す
る変化率３０％以上のものを不良とする。次に（２）供
試サンプルをｌａｔｍ、室温の水素ガス中に４８時間放
置し、その後サンプルの外観を１０倍の拡大鏡で観察し
、クラック、割れ等の不良個数を確認した。試験結果を
第１表に示す。
０順の外形形状を有し、内部電極材料としてパラジウム
を用い、本発明例の外部電極としてガラスフリット含有
銀層を接続界面層とし、次いで電気メツキによりニッケ
ル層を導電性金属被膜層とした第１図に示す＃４遣のチ
ップ部品と、従来例の外部電極としてガラスフリットを
含む銀８５％−パラジウム１５％とし第４図の構造のチ
ップ部品とを用いた。試験条件としては（１）供試サン
プルをセラミック基板上に半田付実装後、加熱硬化型シ
リコーン樹脂をコーテイング後、温度８５°Ｃにて５０
０時間放Ｗ、後の靜電容１を測定し初期静電容蓋に対す
る変化率３０％以上のものを不良とする。次に（２）供
試サンプルをｌａｔｍ、室温の水素ガス中に４８時間放
置し、その後サンプルの外観を１０倍の拡大鏡で観察し
、クラック、割れ等の不良個数を確認した。試験結果を
第１表に示す。
第 １ 表
上表申分数は 不良個数／試験数
なお、試験条件（１）の従来例積層セラミックコンデン
サの不良品を試験後構造解析したところ、いずれもセラ
ミック焼結体が割れていることによりオープンとなって
いることを確認した。さらに本発明例第２図、第３図の
構造についても同様の試験を実施したが不良、異常は認
められなかった。
サの不良品を試験後構造解析したところ、いずれもセラ
ミック焼結体が割れていることによりオープンとなって
いることを確認した。さらに本発明例第２図、第３図の
構造についても同様の試験を実施したが不良、異常は認
められなかった。
以上説明したように本発明はセラミック焼結体内に形成
されるパラジウムあるいは白金を主成分とする内部電極
の露出端を１気的ｌこ接続する外部電極層として、パラ
ジウム、白金を含まない少くも１つの′４電住金属被膜
層を有することにより、（１）水素ガス放置下あるいは
（２）加熱硬化型シリコン樹脂によりオーバーコートさ
れる使用環境下における積層セラミックチップ部品の水
素吸収現象による信頼性劣化を抑制できる効果がある。
されるパラジウムあるいは白金を主成分とする内部電極
の露出端を１気的ｌこ接続する外部電極層として、パラ
ジウム、白金を含まない少くも１つの′４電住金属被膜
層を有することにより、（１）水素ガス放置下あるいは
（２）加熱硬化型シリコン樹脂によりオーバーコートさ
れる使用環境下における積層セラミックチップ部品の水
素吸収現象による信頼性劣化を抑制できる効果がある。
第１図〜第３図は何れも本発明の積層セラミックチップ
部品の実施例の概略断面図、第４図は従来例の積層セラ
ミックチップ部品の概略断面図である。 １・・・・・・セラミック焼結体、２・・・・・・内部
電極、３・・・・・・接続界面層、４・・・・・導電性
金属被膜層、５・・・・・・外部電極層、１５・・・・
・外部電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
部品の実施例の概略断面図、第４図は従来例の積層セラ
ミックチップ部品の概略断面図である。 １・・・・・・セラミック焼結体、２・・・・・・内部
電極、３・・・・・・接続界面層、４・・・・・導電性
金属被膜層、５・・・・・・外部電極層、１５・・・・
・外部電極。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (3)
- （１）セラミック焼結体と、該セラミック焼結体内に複
数枚形成され、かつ交互にその一端部が外部に露出され
たパラジウム，白金を主成分とする導電性金属である内
部電極と、前記内部電極の露出端に電気的に接続される
外部電極層とを備える積層セラミックチップ部品におい
て、前記外部電極層がパラジウム，白金を含まない少く
とも１つの導電性金属層を含むことを特徴とする積層セ
ラミックチップ部品。 - （２）積層セラミックチップ部品がセラミックコンデン
サ，セラミックインダクタ，セラミックバリスタである
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の積層
セラミックチップ部品。 - （３）外部電極層がセラミック焼結体面と内部電極の露
出端との接続界面層と、該接続界面層上に形成されたパ
ラジウム，白金を含まない少くとも１つの導電性金属被
膜層とを含むことを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項又は第（２）項記載の積層セラミックチップ部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7054888A JPH01241809A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 積層セラミックチップ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7054888A JPH01241809A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 積層セラミックチップ部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241809A true JPH01241809A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0440849B2 JPH0440849B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=13434682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7054888A Granted JPH01241809A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 積層セラミックチップ部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241809A (ja) |
Cited By (2)
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-
1988
- 1988-03-23 JP JP7054888A patent/JPH01241809A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0440849B2 (ja) | 1992-07-06 |
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