JPS5866321A - 積層セラミツクコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5866321A JPS5866321A JP56165187A JP16518781A JPS5866321A JP S5866321 A JPS5866321 A JP S5866321A JP 56165187 A JP56165187 A JP 56165187A JP 16518781 A JP16518781 A JP 16518781A JP S5866321 A JPS5866321 A JP S5866321A
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- Japan
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- silicone
- multilayer ceramic
- silver
- electrodes
- ceramic capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコーン被覆を有し、両端部に銀または銀−
パラジウム合金、ニッケル及びスズ−鉛合金からなる電
極部を有する耐湿性の良好な積層セラミックコンデンサ
の製造方法に関するものである。
パラジウム合金、ニッケル及びスズ−鉛合金からなる電
極部を有する耐湿性の良好な積層セラミックコンデンサ
の製造方法に関するものである。
２／、−・・
従来より、積層セラミックコンデンサは電子回路の小型
化と相まって小型大容量化が図られてきており、現在ノ
・イブリッドＩＣ用及びプリント基板直付は用のチップ
部品としてその需要は急増している。
化と相まって小型大容量化が図られてきており、現在ノ
・イブリッドＩＣ用及びプリント基板直付は用のチップ
部品としてその需要は急増している。
この積層セラミックコンデンサは、一般にセラミック誘
電体とパラジウム及び／または白金の薄膜層を交互に積
層して得られる積層体に基づくものであり、内部の金属
薄膜が誘電体を挟持する形で並列回路を形成するように
端部の銀または銀−パラジウム合金電極と接続する構成
をなしている。
電体とパラジウム及び／または白金の薄膜層を交互に積
層して得られる積層体に基づくものであり、内部の金属
薄膜が誘電体を挟持する形で並列回路を形成するように
端部の銀または銀−パラジウム合金電極と接続する構成
をなしている。
この積層セラミックコンデンサに使用される誘電体の厚
みは１６〜１０−０μｍ程度であり、このような薄い誘
電体平面に電極を設けて折りたたんだよう表構造をして
いる。
みは１６〜１０−０μｍ程度であり、このような薄い誘
電体平面に電極を設けて折りたたんだよう表構造をして
いる。
一般に、コンデンサの静電容量は、
ｃ＝ｔｔ互
ｔ
であちわされる。ここで、εは真空の誘電率、ε。
は誘電体の比誘電率、Ｓは電極面積、及びｔは電極部距
離を示す。したがって、体積当りの容ｌをｓ／ニー＝’ 考えると、 となり、厚みの２乗に反比例する。そこで、単板型のセ
ラミックコンデンサと積層セラミックコンデンサの体積
当りの容量を比較すると、積層セラミックコンデンサの
方が円板型セラミックコンデンサの厚みの約殉以下にす
ることが可能であるから、約１００倍以上の容量が同一
体積で得ることができる。（尚、円板型セラミックコン
デンサでは強度的に厚みを薄くすることが不可能だから
、現在では５００μｍ前後が限度である。）このように
積層セラミックコンデンサは小型かつ大静電容量を有す
るものであり、電子回路の小型化に適合しており、さら
に電極にスズ及び鉛の合金メッキをほどこすことにより
、プリント基板への直付けが容易にできるようになって
きている。
離を示す。したがって、体積当りの容ｌをｓ／ニー＝’ 考えると、 となり、厚みの２乗に反比例する。そこで、単板型のセ
ラミックコンデンサと積層セラミックコンデンサの体積
当りの容量を比較すると、積層セラミックコンデンサの
方が円板型セラミックコンデンサの厚みの約殉以下にす
ることが可能であるから、約１００倍以上の容量が同一
体積で得ることができる。（尚、円板型セラミックコン
デンサでは強度的に厚みを薄くすることが不可能だから
、現在では５００μｍ前後が限度である。）このように
積層セラミックコンデンサは小型かつ大静電容量を有す
るものであり、電子回路の小型化に適合しており、さら
に電極にスズ及び鉛の合金メッキをほどこすことにより
、プリント基板への直付けが容易にできるようになって
きている。
しかしながら、このような積層セラミックコンデンサの
欠点もいくつかあり、その欠点の一つは、誘電体厚みを
薄くするために生ずる欠陥である。
欠点もいくつかあり、その欠点の一つは、誘電体厚みを
薄くするために生ずる欠陥である。
すなわち、セラミック自身もともと多結晶体から孔を有
している。このような気孔はまた均一な大きさではなく
、大きな気孔も存在する。この気孔を小さく均一分布化
することは一つの課題であり、積々研究されてはいるが
、未だ十分とはいえたい。
している。このような気孔はまた均一な大きさではなく
、大きな気孔も存在する。この気孔を小さく均一分布化
することは一つの課題であり、積々研究されてはいるが
、未だ十分とはいえたい。
このような気孔の及ぼす影響としては、耐湿性を弱くす
ることである。特に、ニッケルあるいはスズー鉛合金メ
ッキなどにより、電解液を用いる工程において、電解質
の残存などが問題となったりする。電解質が残存すると
、湿気が再び浸透することにより絶縁抵抗が低下するこ
とがある。このようなことは製品としての信頼性を著し
く損なうものであり、市場にて問題を発生することが少
なくない。このため、特にメッキ電極を付与する積層セ
ラミックコンデンサについては注意を要したものであっ
た。
ることである。特に、ニッケルあるいはスズー鉛合金メ
ッキなどにより、電解液を用いる工程において、電解質
の残存などが問題となったりする。電解質が残存すると
、湿気が再び浸透することにより絶縁抵抗が低下するこ
とがある。このようなことは製品としての信頼性を著し
く損なうものであり、市場にて問題を発生することが少
なくない。このため、特にメッキ電極を付与する積層セ
ラミックコンデンサについては注意を要したものであっ
た。
本発明は以上の欠点を考慮し、種々の実験を通して得ら
れたものである。
れたものである。
以下、本発明の詳細について実施例に基づき説明する。
チタン酸バリウム７１．４重量部、ジルコン酸バリウム
２０．４重量部、チタン酸カルシウム７．４重量部、酸
化亜鉛０．２重量部、二酸化マンガン０．１６重量部、
酸化タングステン０．２５重量部及び酸化アルミニウム
０．２５重量部よりなる混合粉末に対して、エチルセル
ローズを主体とするバインダーを用いてスラリーを作製
し、４０±２μｍの厚みのシートをドクターブレード法
を用いて成型した。
２０．４重量部、チタン酸カルシウム７．４重量部、酸
化亜鉛０．２重量部、二酸化マンガン０．１６重量部、
酸化タングステン０．２５重量部及び酸化アルミニウム
０．２５重量部よりなる混合粉末に対して、エチルセル
ローズを主体とするバインダーを用いてスラリーを作製
し、４０±２μｍの厚みのシートをドクターブレード法
を用いて成型した。
このシートを一定のサイズに打抜いた後、パラジウム電
極を印刷した。この電極印刷済みのシートを電極がクシ
形状になるように積重ねて圧着した後、３．６１１１１
×ｊ、８ ＮＭ Ｘ Ｏ，４５ｆｆの大きさに切断し
た。このチップを１３７０℃±２０°Ｃで２時間焼成し
て得た焼結体の両端面に銀ペーストをほどこし、８００
℃で焼付けた。このようにして作製された積層体の全面
にシリコーンを付着し、２６０〜３ｏｏ℃の範囲で４〜
６時間熱処理してシリコ−ツを重合させた後、その熱処
理済みの積層体を内径１５０１１１のポリポット内に投
入し９６〜１ｏ０６７、−コ・ ｒ、ｐ、 ｍ の回転速度にて３０分間共ズリして両端
部の銀電極部のシリコーンを除去した８ついで、シリコ
ーンの除去された両端部の銀電極部に二゛ツケルメッキ
を１〜２μｍ、さらにその上にスズと鉛の合金メッキを
１〜２μｍはどこした。
極を印刷した。この電極印刷済みのシートを電極がクシ
形状になるように積重ねて圧着した後、３．６１１１１
×ｊ、８ ＮＭ Ｘ Ｏ，４５ｆｆの大きさに切断し
た。このチップを１３７０℃±２０°Ｃで２時間焼成し
て得た焼結体の両端面に銀ペーストをほどこし、８００
℃で焼付けた。このようにして作製された積層体の全面
にシリコーンを付着し、２６０〜３ｏｏ℃の範囲で４〜
６時間熱処理してシリコ−ツを重合させた後、その熱処
理済みの積層体を内径１５０１１１のポリポット内に投
入し９６〜１ｏ０６７、−コ・ ｒ、ｐ、 ｍ の回転速度にて３０分間共ズリして両端
部の銀電極部のシリコーンを除去した８ついで、シリコ
ーンの除去された両端部の銀電極部に二゛ツケルメッキ
を１〜２μｍ、さらにその上にスズと鉛の合金メッキを
１〜２μｍはどこした。
第１図はこのようにして得られた本発明の積層セラミッ
クコンデンサを示し、図中１は磁器誘電体層、２はパラ
ジウム電極層、３は銀電極、４はニッケルメッキ層、５
はスズと鉛の合金メッキ層、６はシリコーン層である。
クコンデンサを示し、図中１は磁器誘電体層、２はパラ
ジウム電極層、３は銀電極、４はニッケルメッキ層、５
はスズと鉛の合金メッキ層、６はシリコーン層である。
また、第２図は本発明の方法に基づく積層セラミックコ
ンデンサと、従来の方法に基づくシリコーン処理のない
積層セラミックコンデンサ（シリコーン処理以外は本発
明方法と同一である）の４０’Ｃ，相対湿度９５チ中で
のＳＯＶ印加時の耐湿特性の様子を示したものである。
ンデンサと、従来の方法に基づくシリコーン処理のない
積層セラミックコンデンサ（シリコーン処理以外は本発
明方法と同一である）の４０’Ｃ，相対湿度９５チ中で
のＳＯＶ印加時の耐湿特性の様子を示したものである。
第２図で亀は本発明品の特性、ｂは従来品の特性である
。この第２図から明らかなように１本発明の方法に基づ
く積層セラミックコンデンサの耐湿特性は極めて安定し
ていることが明白である。
。この第２図から明らかなように１本発明の方法に基づ
く積層セラミックコンデンサの耐湿特性は極めて安定し
ていることが明白である。
７ベー２
以上述べたように、本発明の方法によれば、メッキ電極
を設けた積層セラミックコンデンサにありがちな耐湿特
性の不安定性といった問題点を解決し得た点で極めて有
意義なものである。
を設けた積層セラミックコンデンサにありがちな耐湿特
性の不安定性といった問題点を解決し得た点で極めて有
意義なものである。
尚、上記実施例ではチタン酸バリウム、ジルコン酸バリ
ウム及びチタン酸カルシウムを主体とする磁器誘電体材
料を使用したが、他の誘電体材料に関しても適用可能な
ととは言うまでもないことである。また、両端面に銀電
極をほどこした場合について説明したが、銀−パラジウ
ム合金電極でもよいものである。
ウム及びチタン酸カルシウムを主体とする磁器誘電体材
料を使用したが、他の誘電体材料に関しても適用可能な
ととは言うまでもないことである。また、両端面に銀電
極をほどこした場合について説明したが、銀−パラジウ
ム合金電極でもよいものである。
第１図は本発明方法に基づく積層セラミックコンデ／す
の一部切欠斜視図、第２図は本発明方法と従来方法に基
づく積層セラミックコンデンサの耐湿特性の比較図であ
る。 １・・・・・・磁器誘電体層、２・・・・・・電極層（
パラジウム電極層）、３・・・・・・銀電極、４・−・
・・ニッケルメッキ層゛、６・・・・・・スズと鉛の合
金メッキ層、６・・・・・・シ）フコーン層。 第１図 第２図 →拭Ｉ＃持閤（ｈｒｓ）
の一部切欠斜視図、第２図は本発明方法と従来方法に基
づく積層セラミックコンデンサの耐湿特性の比較図であ
る。 １・・・・・・磁器誘電体層、２・・・・・・電極層（
パラジウム電極層）、３・・・・・・銀電極、４・−・
・・ニッケルメッキ層゛、６・・・・・・スズと鉛の合
金メッキ層、６・・・・・・シ）フコーン層。 第１図 第２図 →拭Ｉ＃持閤（ｈｒｓ）
Claims (1)
- 両端部ｋＩｌまたは銀−パラジウム合金電極を有する、
磁器誘電体層及びクシ形状に電極層が交互に積層されて
なる積層体の全面属シリコーンを付着すると共にこのシ
リコーンの付着した積層体を熱処理してシリコーンを重
合させ、その後両端部の鋼重極部に付着したシリコーン
を除去し、ついでニッケルメッキを両端部の銀電極部に
ほどこし、このニッケルメッキ処理一部分にスズと鉛の
合金メッキをほどこすようにした積層セラミックコンデ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165187A JPS5866321A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56165187A JPS5866321A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866321A true JPS5866321A (ja) | 1983-04-20 |
| JPH0113206B2 JPH0113206B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=15807487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56165187A Granted JPS5866321A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866321A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202618A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS62122104A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPH01241809A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 積層セラミックチップ部品 |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP56165187A patent/JPS5866321A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202618A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツクコンデンサの製造方法 |
| JPS62122104A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの電極処理方法 |
| JPH01241809A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 積層セラミックチップ部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0113206B2 (ja) | 1989-03-03 |
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