JPH01132754A - クラッド容器 - Google Patents
クラッド容器Info
- Publication number
- JPH01132754A JPH01132754A JP62290198A JP29019887A JPH01132754A JP H01132754 A JPH01132754 A JP H01132754A JP 62290198 A JP62290198 A JP 62290198A JP 29019887 A JP29019887 A JP 29019887A JP H01132754 A JPH01132754 A JP H01132754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxides
- vessel
- dispersed
- alloy
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高温で使用するクラッド容器に関するもので
ある。
ある。
（従来技術とその問題点）
従来、Ｗ又はＷ合金にＲｈ又はＲｈ合金を被覆したクラ
フト容器は高温ガラスや金属酸化物を含む鉱石溶解用る
つぼや真空蒸着用のトレー、ボートなどに広く用いられ
ていた。これは耐酸化性に優れているが、高温で使用す
るので使用時間と共にＲｈ又はＲｈ合金膜の結晶粒が粗
大化し、粒界からの他の元素による浸入汚染や膜の機械
的強度の低下でクラッド容器の寿命が短いという欠点が
あった。
フト容器は高温ガラスや金属酸化物を含む鉱石溶解用る
つぼや真空蒸着用のトレー、ボートなどに広く用いられ
ていた。これは耐酸化性に優れているが、高温で使用す
るので使用時間と共にＲｈ又はＲｈ合金膜の結晶粒が粗
大化し、粒界からの他の元素による浸入汚染や膜の機械
的強度の低下でクラッド容器の寿命が短いという欠点が
あった。
本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり、長寿命の
容器を提供することを目的とする。
容器を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、Ｗ又はＷ合金に、酸化物を分散させたＲｈ又
はＲｈ合金が被覆されていることを特徴とするクラッド
容器である。
はＲｈ合金が被覆されていることを特徴とするクラッド
容器である。
本発明において、酸化物を分散させたＲｈ又はＲｈ合金
を用いるのは、Ｒｈの融点が１９６０℃と高く、しかも
高温における結晶粒の粗大化が起こりにくいからである
。しかし、酸化物を分散させたＲｈやＲｈ合金を板にす
るなどの加工が困難なため被覆することとした。被覆は
スパッタリングにて行うのが良い。これはイオンブレー
ティングや真空蒸着や湿式めっきでは、Ｒｈ又はＲｈ合
金に酸化物を分散させるのが困難な為である。
を用いるのは、Ｒｈの融点が１９６０℃と高く、しかも
高温における結晶粒の粗大化が起こりにくいからである
。しかし、酸化物を分散させたＲｈやＲｈ合金を板にす
るなどの加工が困難なため被覆することとした。被覆は
スパッタリングにて行うのが良い。これはイオンブレー
ティングや真空蒸着や湿式めっきでは、Ｒｈ又はＲｈ合
金に酸化物を分散させるのが困難な為である。
このように酸化物を分散させたＲｈ又はＲｈ合金を被覆
したるつぼは耐酸化性に優れ、しかも被膜中には酸化物
が分散していて高温での結晶粒の成長が抑えられている
ことから長寿命のものとなる。
したるつぼは耐酸化性に優れ、しかも被膜中には酸化物
が分散していて高温での結晶粒の成長が抑えられている
ことから長寿命のものとなる。
なお、酸化物を分散したＲｈ合金としては、Ｒｈ−ｐｔ
−酸化物、Ｒｈ−１ｒ−酸化物などがある。
−酸化物、Ｒｈ−１ｒ−酸化物などがある。
また酸化物としてはＡ ｊ！ ｚ Ｏ３、Ｚｒ０ｚ、Ｙ
２Ｏ。
２Ｏ。
などがあり、その酸化物の分散量としては、０．０２体
積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する効果が薄
り、１０体積％を超えると酸化物がクラッド容器内で溶
かすガラス等と反応するので、酸化物の量としては、０
．０２〜１０体積％が好ましい、さらに被膜の厚さとし
ては、０．１μｍ未満ではＷ又はＷ合金の酸化を防止す
る効果が薄く、１００μｍを超えると効果（長寿命化）
に対する被覆時間の割合が高くなるので、被膜の厚さと
しては０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する効果が薄
り、１０体積％を超えると酸化物がクラッド容器内で溶
かすガラス等と反応するので、酸化物の量としては、０
．０２〜１０体積％が好ましい、さらに被膜の厚さとし
ては、０．１μｍ未満ではＷ又はＷ合金の酸化を防止す
る効果が薄く、１００μｍを超えると効果（長寿命化）
に対する被覆時間の割合が高くなるので、被膜の厚さと
しては０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
以下、実施例と従来例について説明する。
（実施例１）
ＲｈとＹ ｔ Ｏｓの２つのターゲットを同時に用いて
、肉厚５報、高さ１００ｆｌ、内径８０間の断面コの字
形Ｗ製るつぼの内壁に次の条件でＲｈ ＹｔＯｓ２．
５体積％を厚さ５μｍまで２光間時スパッタリングした
。
、肉厚５報、高さ１００ｆｌ、内径８０間の断面コの字
形Ｗ製るつぼの内壁に次の条件でＲｈ ＹｔＯｓ２．
５体積％を厚さ５μｍまで２光間時スパッタリングした
。
Ａｒガス １．０ｘｌＯ−”Ｔ ｏ ｒ ｒＲｈ
ＤＣ２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ｍ１ｎＹｚ
Ｏｚ ＲＦ ＩＫＷ、スパッタ速度 ２５人／ｍｉ
ｎ高周波電源 １３．５６Ｍ Ｈｚ Ｗ製るつぼ 自公転 これを実施品１とする。
ＤＣ２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ｍ１ｎＹｚ
Ｏｚ ＲＦ ＩＫＷ、スパッタ速度 ２５人／ｍｉ
ｎ高周波電源 １３．５６Ｍ Ｈｚ Ｗ製るつぼ 自公転 これを実施品１とする。
（実施例２）
Ｒｈ Ｚｒ０ｚ０．１体積％のターゲットを用いて、
実施例１と同一形状のＷ製るつぼの内外壁に次の条件で
Ｒｈ Ｚｒ０ｚ０．１体積％を厚さ１０μｍマグネト
ロンスパッタリングした。
実施例１と同一形状のＷ製るつぼの内外壁に次の条件で
Ｒｈ Ｚｒ０ｚ０．１体積％を厚さ１０μｍマグネト
ロンスパッタリングした。
Ａｒガス ｔ、ｏｘｔｏ−”ｒ ｏ ｒ ｒＩｒ
−ＺｒＯｔ ＲＦ Ｉ Ｋ Ｗ、スパッタ速度２００
０人／ｍｉｎ高周波電源 １３．５６Ｍ Ｈｚ Ｗ製るつぼ 自転 これを実施品２とする。
−ＺｒＯｔ ＲＦ Ｉ Ｋ Ｗ、スパッタ速度２００
０人／ｍｉｎ高周波電源 １３．５６Ｍ Ｈｚ Ｗ製るつぼ 自転 これを実施品２とする。
（従来例）
実施例１で用いたＷ製るつぼの内外壁にＲｈを１０μｍ
スパッタリングしたものを従来品とした。
スパッタリングしたものを従来品とした。
次に、上記実施品ｌ、２と従来品にアルカリ亜鉛硼珪酸
ガラスを５００ｇ入れＡ「雰囲気、温度約り２００℃×
６０分間で使用した。これを１０回くり返したところ、
従来品は５μｍその容器の表面から削られたのに対し、
実施品１は２μｍ、実施品２は１μｍ削られたにとどま
った。
ガラスを５００ｇ入れＡ「雰囲気、温度約り２００℃×
６０分間で使用した。これを１０回くり返したところ、
従来品は５μｍその容器の表面から削られたのに対し、
実施品１は２μｍ、実施品２は１μｍ削られたにとどま
った。
次に、従来品、実施品２の容器の底部を大気中で直接ヒ
ーター加熱して温度約１０００℃で２０時間保持したと
ころ、従来品は１０時間では減量しなかったが、Ｒｈ被
膜の結晶粒の粗大化が著しく限界状態となり、２０時間
ではＲｈ被膜が破壊され１０ｇ減量したのに対し、実施
品２は被膜の結晶粒の成長は認められず、減量もしなか
った。
ーター加熱して温度約１０００℃で２０時間保持したと
ころ、従来品は１０時間では減量しなかったが、Ｒｈ被
膜の結晶粒の粗大化が著しく限界状態となり、２０時間
ではＲｈ被膜が破壊され１０ｇ減量したのに対し、実施
品２は被膜の結晶粒の成長は認められず、減量もしなか
った。
これらのことから本発明のクラフトるつぼは従来品に比
べて金属酸化物の溶解用るつぼとして著しく寿命が長く
、また耐消耗性にも優れていることがわかる。
べて金属酸化物の溶解用るつぼとして著しく寿命が長く
、また耐消耗性にも優れていることがわかる。
尚、上記実施例ではＷに酸化物を分散したＲｈを直接被
覆したが、必要に応じＷとＲｈの拡散を防止するための
拡散防止層を介在するようにしてもよいものである。
覆したが、必要に応じＷとＲｈの拡散を防止するための
拡散防止層を介在するようにしてもよいものである。
（発明の効果）
以上詳述したように本発明によれば、耐消耗性の優れた
長寿命のクラッド容器を提供することができる。しかも
、Ｗ製容器を完全に被覆すれば大気中でも長寿命のもの
かえられる。
長寿命のクラッド容器を提供することができる。しかも
、Ｗ製容器を完全に被覆すれば大気中でも長寿命のもの
かえられる。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- Ｗ又はＷ合金に、酸化物を分散させたＲｈ又はＲｈ合金
が被覆されていることを特徴とするクラッド容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290198A JP2565941B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | クラッド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290198A JP2565941B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | クラッド容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132754A true JPH01132754A (ja) | 1989-05-25 |
| JP2565941B2 JP2565941B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17753023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290198A Expired - Lifetime JP2565941B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | クラッド容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565941B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515550A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Smoke sensor |
| JPS60200983A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290198A patent/JP2565941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515550A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Smoke sensor |
| JPS60200983A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565941B2 (ja) | 1996-12-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1235948B1 (en) | Sputtering target and methods of making same | |
| JPH01132754A (ja) | クラッド容器 | |
| JPH01132749A (ja) | クラッド容器 | |
| US3730507A (en) | Boron nitride base evaporation vessel having a surface coating of titanium-silicon thereon | |
| JPH01132748A (ja) | クラッド容器 | |
| JPH01132753A (ja) | クラッド容器 | |
| JPH01132747A (ja) | クラッド容器 | |
| JPH01132755A (ja) | クラッド容器 | |
| JP2565939B2 (ja) | クラッド容器 | |
| JP2565937B2 (ja) | クラッド容器 | |
| JP2565938B2 (ja) | クラッド容器 | |
| JPH0317072B2 (ja) | ||
| JPH1068072A (ja) | Ｉｔｏシリンドリカルターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0317071B2 (ja) | ||
| JPH0317067B2 (ja) | ||
| JPH0317073B2 (ja) | ||
| JPH0317070B2 (ja) | ||
| JPH0317068B2 (ja) | ||
| US4528939A (en) | Electrically conductive containment vessel for molten aluminum | |
| JPH0317074B2 (ja) | ||
| JPH0317069B2 (ja) | ||
| JPH0317066B2 (ja) | ||
| JPH01279777A (ja) | クラッド容器 | |
| JPH01275780A (ja) | クラッド容器 | |
| RU2193074C2 (ru) | Устройство для ионно-плазменного нанесения пленок в вакууме |