JPH01132755A - クラッド容器 - Google Patents
クラッド容器Info
- Publication number
- JPH01132755A JPH01132755A JP29019987A JP29019987A JPH01132755A JP H01132755 A JPH01132755 A JP H01132755A JP 29019987 A JP29019987 A JP 29019987A JP 29019987 A JP29019987 A JP 29019987A JP H01132755 A JPH01132755 A JP H01132755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxides
- vessel
- dispersed
- alloy
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高温で使用するクラッド容器に関するもので
ある。
ある。
（従来技術とその問題点）
従来、Ｗ又はＷ合金にｐｔ又はＰｔ合金被覆したクラッ
ド容器は高温ガラスや金属酸化物を含む鉱石溶解用るつ
ぼや真空蒸着用のトレー、ボートなどに広く用いられて
いた。これは耐酸化性に優れているが、高温で使用する
ので使用時間と共にｐｔ又はｐｔ合金膜の結晶粒が粗大
化し、粒界からの他の元素による浸入汚染や膜の機械的
強度の低下でクランド容器の寿命が短いという欠点があ
った。
ド容器は高温ガラスや金属酸化物を含む鉱石溶解用るつ
ぼや真空蒸着用のトレー、ボートなどに広く用いられて
いた。これは耐酸化性に優れているが、高温で使用する
ので使用時間と共にｐｔ又はｐｔ合金膜の結晶粒が粗大
化し、粒界からの他の元素による浸入汚染や膜の機械的
強度の低下でクランド容器の寿命が短いという欠点があ
った。
本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり、長寿命の
容器を提供することを目的とする。
容器を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、Ｗ又はＷ合金に、酸化物を分散させたｐｔ又
はＰｔ合金被覆されていることを特徴とするクラッド容
器である。
はＰｔ合金被覆されていることを特徴とするクラッド容
器である。
本発明において、酸化物を分散させたｐｔ又はＰｔ合金
を用いるのは、ｐｔの融点が１７６９℃と高く、しかも
高温における結晶粒の粗大化が起こりにくいからである
。しかし、酸化物を分散させたｐｔやＰｔ合金仮にする
などの加工が困難なため被覆することとした。被覆はス
パッタリングにて行うのが良い。これはイオンブレーテ
ィングや真空蒸着や湿式めっきでは、ｐｔ又はＰｔ合金
酸化物を分散させるのが困難な為である。
を用いるのは、ｐｔの融点が１７６９℃と高く、しかも
高温における結晶粒の粗大化が起こりにくいからである
。しかし、酸化物を分散させたｐｔやＰｔ合金仮にする
などの加工が困難なため被覆することとした。被覆はス
パッタリングにて行うのが良い。これはイオンブレーテ
ィングや真空蒸着や湿式めっきでは、ｐｔ又はＰｔ合金
酸化物を分散させるのが困難な為である。
このように酸化物を分散させたｐｔ又はＰｔ合金被覆し
たるつぼは耐酸化性に優れ、しかも被膜中には酸化物が
分散していて高温での結晶粒の成長が抑えられているこ
とから長寿命のものとなる。
たるつぼは耐酸化性に優れ、しかも被膜中には酸化物が
分散していて高温での結晶粒の成長が抑えられているこ
とから長寿命のものとなる。
なお、酸化物を分散したＰｔ合金しては、ｐｔ−Ｉｒ−
酸化物、Ｐｔ−Ｒｈ−酸化物などがある。
酸化物、Ｐｔ−Ｒｈ−酸化物などがある。
マタ酸化物トシテはＡ ｌ ｔ Ｏｘ、ＺｒＯ２、Ｙ
ｚ Ｏ３などがあり、その酸化物の分散量としては、０
．０２体積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する
効果が薄く、１０体積％を超えると酸化物がクラッド容
器内で溶かすガラス等と反応するので、酸化物の量とし
ては、０．０２〜１０体積％が好ましい。さらに被膜の
厚さとしては、０．１μｍ未満ではＷ又はＷ合金の酸化
を防止する効果が薄＜、１００μｍを超えると効果（長
寿命化）に対する被覆時間の割合が高くなるので、被膜
の厚さとしては０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
ｚ Ｏ３などがあり、その酸化物の分散量としては、０
．０２体積％未満では高温での結晶粒の成長を抑制する
効果が薄く、１０体積％を超えると酸化物がクラッド容
器内で溶かすガラス等と反応するので、酸化物の量とし
ては、０．０２〜１０体積％が好ましい。さらに被膜の
厚さとしては、０．１μｍ未満ではＷ又はＷ合金の酸化
を防止する効果が薄＜、１００μｍを超えると効果（長
寿命化）に対する被覆時間の割合が高くなるので、被膜
の厚さとしては０．１〜１００μｍの範囲が好ましい。
以下、実施例と従来例について説明する。
（実施例１）
Ｐ ｔ （！：Ｙ２０：ｌの２つのターゲットを同時に
用いて、肉厚５龍、高さ１００ｍｍ、内径８０ｍ■の断
面コの字形Ｗ製るつぼの内壁に次の条件でＰｔ Ｙｚ
Ｏ３２，５体積％を厚さ５μｍまで２元同時スパッタリ
ングした。
用いて、肉厚５龍、高さ１００ｍｍ、内径８０ｍ■の断
面コの字形Ｗ製るつぼの内壁に次の条件でＰｔ Ｙｚ
Ｏ３２，５体積％を厚さ５μｍまで２元同時スパッタリ
ングした。
Ａｒガス １．０Ｘ１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒＰｔ
ＤＣ２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ ｍ ｉ ｎ
ＹｚＣｈ ＲＦ Ｉ Ｋ Ｗ、スパッタ速度 ２５
人／ｍｉｎ高周波電源 １３．５６Ｍ ）（ｚ Ｗ製るつぼ 自公転 これを実施品１とする。
ＤＣ２ＫＷ、スパッタ速度 １０００人／ ｍ ｉ ｎ
ＹｚＣｈ ＲＦ Ｉ Ｋ Ｗ、スパッタ速度 ２５
人／ｍｉｎ高周波電源 １３．５６Ｍ ）（ｚ Ｗ製るつぼ 自公転 これを実施品１とする。
（実施例２）
Ｐｔ Ｚｒ０ｚ０．１体積％のターゲットを用いて、
実施例１と同一形状のＷ製るっぽの内外壁に次の条件で
Ｐｔ Ｚｒ０ｚ０．１体積％を厚さ１０μｍマグネト
ロンスパッタリングした。
実施例１と同一形状のＷ製るっぽの内外壁に次の条件で
Ｐｔ Ｚｒ０ｚ０．１体積％を厚さ１０μｍマグネト
ロンスパッタリングした。
Ａｒガス ｔ、ｏｘｌｏ−”ｒ ｏ ｒ ｒＩｒ
−ＺｒＯｚ ＲＦ Ｉ Ｋ Ｗ、スパッタ速度２００
０人／ｍｉｎ高周波電源 １３．５６Ｍ Ｈｚ Ｗ製るつぼ 自転 これを実施品２とする。
−ＺｒＯｚ ＲＦ Ｉ Ｋ Ｗ、スパッタ速度２００
０人／ｍｉｎ高周波電源 １３．５６Ｍ Ｈｚ Ｗ製るつぼ 自転 これを実施品２とする。
（従来例）
実施例１で用いたＷ製るっぽの内外壁にｐｔを１０μｍ
スパッタリングしたものを従来品とした。
スパッタリングしたものを従来品とした。
次に、上記実施品１．２と従来品にアルカリ亜鉛硼珪酸
ガラスを５００ｇ入れＡ「雰囲気、温度約り２００℃×
６０分間で使用した。これを１０回くり返したところ、
従来品は３μｍその容器の表面から削られたのに対し、
実施品Ｉは１μｍ、実施品２は０．５μｍ削られたにと
どまった。
ガラスを５００ｇ入れＡ「雰囲気、温度約り２００℃×
６０分間で使用した。これを１０回くり返したところ、
従来品は３μｍその容器の表面から削られたのに対し、
実施品Ｉは１μｍ、実施品２は０．５μｍ削られたにと
どまった。
次に、従来品、実施品２の容器の底部を大気中で直接ヒ
ーター加熱して温度約１０００℃で２０時間保持したと
ころ、従来品は１０時間では減量しなかったが、Ｐｔ被
膜の結晶粒の粗大化が著しく限界状態となり、２０時間
ではＰｔ被膜が破壊され１０ｇｆＩｉ量したのに対し、
実施品２は被膜の結晶粒の成長は認められず、減量もし
なかった。
ーター加熱して温度約１０００℃で２０時間保持したと
ころ、従来品は１０時間では減量しなかったが、Ｐｔ被
膜の結晶粒の粗大化が著しく限界状態となり、２０時間
ではＰｔ被膜が破壊され１０ｇｆＩｉ量したのに対し、
実施品２は被膜の結晶粒の成長は認められず、減量もし
なかった。
これらのことから本発明のクラッドるつぼは従来品に比
べて金属酸化物の溶解用るつぼとして著しく寿命が長く
、また耐消耗性にも優れているこ 、とかわかる。
べて金属酸化物の溶解用るつぼとして著しく寿命が長く
、また耐消耗性にも優れているこ 、とかわかる。
尚、上記実施例ではＷに酸化物を分散したｐｔを直接被
覆したが、必要に応じＷとｐｔの拡散を防止するための
拡散防止層を介在するようにしてもよいものである。
覆したが、必要に応じＷとｐｔの拡散を防止するための
拡散防止層を介在するようにしてもよいものである。
（発明の効果）
以上詳述したように本発明によれば、耐消耗性の優れた
長寿命のクラッド容器を提供することができる。しかも
、Ｗ製容器を完全に被覆すれば大気中でも長寿命のもの
かえられる。
長寿命のクラッド容器を提供することができる。しかも
、Ｗ製容器を完全に被覆すれば大気中でも長寿命のもの
かえられる。
出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- Ｗ又はＷ合金に、酸化物を分散させたＰｔ又はＰｔ合金
が被覆されていることを特徴とするクラッド容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290199A JP2565942B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | クラッド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62290199A JP2565942B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | クラッド容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132755A true JPH01132755A (ja) | 1989-05-25 |
| JP2565942B2 JP2565942B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=17753035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62290199A Expired - Lifetime JP2565942B2 (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | クラッド容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565942B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515550A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Smoke sensor |
| JPS60200976A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62290199A patent/JP2565942B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515550A (en) * | 1978-07-18 | 1980-02-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Smoke sensor |
| JPS60200976A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | クラツド容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565942B2 (ja) | 1996-12-18 |
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