JPH01133053A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01133053A JPH01133053A JP62291305A JP29130587A JPH01133053A JP H01133053 A JPH01133053 A JP H01133053A JP 62291305 A JP62291305 A JP 62291305A JP 29130587 A JP29130587 A JP 29130587A JP H01133053 A JPH01133053 A JP H01133053A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- aluminum
- surface acoustic
- acoustic wave
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、弾性表面波を伝播させる圧電基板上に少な
くとも２個のトランスデユーサを有し、その一方を入力
側、他方を出力側として使用する弾性表面波素子の製造
方法に関するものである。
くとも２個のトランスデユーサを有し、その一方を入力
側、他方を出力側として使用する弾性表面波素子の製造
方法に関するものである。
［従来の技術］
第３図は一般的な弾性表面波素子を示す側面図であり、
図において、１はレジスト、２はアルミニウム、３は圧
電基板であり、圧電基板３上に、アルミニウム２が真空
蒸着法やスパッタ法等により成膜されていて、その上に
レジスト１を塗布して熱処理を加えた後、光露光または
電子ビーム露光により弾性表面波素子のパターンを形成
し、さらに熱処理を加えてエツチングを行なうことによ
って、弾性表面波素子が形成されている。
図において、１はレジスト、２はアルミニウム、３は圧
電基板であり、圧電基板３上に、アルミニウム２が真空
蒸着法やスパッタ法等により成膜されていて、その上に
レジスト１を塗布して熱処理を加えた後、光露光または
電子ビーム露光により弾性表面波素子のパターンを形成
し、さらに熱処理を加えてエツチングを行なうことによ
って、弾性表面波素子が形成されている。
次に、第４図（フローチャート）により第３図に示すよ
うな弾性表面波素子を製造する従来の手順をより詳細に
説明する。前処理（ステップＳｌ）を行なった圧電基板
３上に、真空蒸着法やスパッタ法等によりアルミニウム
２の薄膜を形成する（ステップＳ２）。ついで、アルミ
ニウム２に弾性表面波素子のパターンを形成するために
、レジスト１を塗布した後（ステップＳ３）、このレジ
スト１を露光のために前熱処理（プリベーク）する（ス
テップＳ４）。そして、光露光または電子ビーム露光等
によりパターンを形成してから（ステップＳ５）、再度
、アルミニウム２のエツチングができるように、レジス
ト１を１５０℃以上の温度で後熱処理（ボストベーク）
する（ステップＳ６）。この後、アルミニウム２のエツ
チングを行ないパターンを形成する（ステップＳ７）。
うな弾性表面波素子を製造する従来の手順をより詳細に
説明する。前処理（ステップＳｌ）を行なった圧電基板
３上に、真空蒸着法やスパッタ法等によりアルミニウム
２の薄膜を形成する（ステップＳ２）。ついで、アルミ
ニウム２に弾性表面波素子のパターンを形成するために
、レジスト１を塗布した後（ステップＳ３）、このレジ
スト１を露光のために前熱処理（プリベーク）する（ス
テップＳ４）。そして、光露光または電子ビーム露光等
によりパターンを形成してから（ステップＳ５）、再度
、アルミニウム２のエツチングができるように、レジス
ト１を１５０℃以上の温度で後熱処理（ボストベーク）
する（ステップＳ６）。この後、アルミニウム２のエツ
チングを行ないパターンを形成する（ステップＳ７）。
そして、ダイシング（ウェハの状態からチップの状態へ
切断すること；ステップＳ８）を行ない、最後にパッケ
ージに組み入れてアセンブリ化する（ステップＳ９）。
切断すること；ステップＳ８）を行ない、最後にパッケ
ージに組み入れてアセンブリ化する（ステップＳ９）。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、従来の弾性表面波素子の製造手順では、レジ
スト１を硬化するために２度の熱処理（ステップＳ４．
Ｓ６）を行なうが、この熱処理に際し、圧電基板３．ア
ルミニウム２およびレジスト１の３つの物質に一度に熱
が加わることになる。
スト１を硬化するために２度の熱処理（ステップＳ４．
Ｓ６）を行なうが、この熱処理に際し、圧電基板３．ア
ルミニウム２およびレジスト１の３つの物質に一度に熱
が加わることになる。
このため、スパッタ法でアルミニウム２の薄膜を形成し
た場合、アルミニウムの原子が再結晶を起こすことにな
り、特にアルミニウム合金を用いた場合には、合金の余
分な成分が析出することになって残渣が残り、歩留りが
劣化するなどの問題点があった。
た場合、アルミニウムの原子が再結晶を起こすことにな
り、特にアルミニウム合金を用いた場合には、合金の余
分な成分が析出することになって残渣が残り、歩留りが
劣化するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レジストのみを選択的に加熱できるようにし
て、再結晶による残渣の発生を防止するとともに歩留り
の向上をはかった弾性表面波素子の製造方法を得ること
を目的とする。
たもので、レジストのみを選択的に加熱できるようにし
て、再結晶による残渣の発生を防止するとともに歩留り
の向上をはかった弾性表面波素子の製造方法を得ること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、高周波加
熱によりレジストのみを選択的に加熱して上記レジスト
の熱処理を行なうものである。
熱によりレジストのみを選択的に加熱して上記レジスト
の熱処理を行なうものである。
［作 用］
この発明における弾性表面波素子の製造方法では、レジ
ストの熱処理に際しては、高周波加熱により、レジスト
分子が振動してレジストのみが発熱し選択的に加熱され
るため、圧電基板やアルミニウムもしくはアルミニウム
合金は、加熱されず、スパッタ法でアルミニウムもしく
はアルミニウム合金の蒸着を行ない薄膜を形成した場合
でも、アルミニウムの再結晶が発生したり残渣が析出し
たりすることはない。
ストの熱処理に際しては、高周波加熱により、レジスト
分子が振動してレジストのみが発熱し選択的に加熱され
るため、圧電基板やアルミニウムもしくはアルミニウム
合金は、加熱されず、スパッタ法でアルミニウムもしく
はアルミニウム合金の蒸着を行ない薄膜を形成した場合
でも、アルミニウムの再結晶が発生したり残渣が析出し
たりすることはない。
［発明の実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による弾性表面波素子の製造方
法におけるレジストの熱処理状態を示す模式的な側面図
である。第１図において、１はレジスト、２はアルミニ
ウム、３は圧電基板、４は高周波である。
図はこの発明の一実施例による弾性表面波素子の製造方
法におけるレジストの熱処理状態を示す模式的な側面図
である。第１図において、１はレジスト、２はアルミニ
ウム、３は圧電基板、４は高周波である。
本実施例の方法においても、基本的な弾性表面波素子の
製造の工程は、第４図により示したものと全く同様であ
る。ただし、本実施例では、第４図のステップＳ４．Ｓ
６におけるレジスト１の前熱処理および後熱処理に際し
て、高周波４を用いレジスト分子を振動させレジスト１
のみを選択的に加熱する。
製造の工程は、第４図により示したものと全く同様であ
る。ただし、本実施例では、第４図のステップＳ４．Ｓ
６におけるレジスト１の前熱処理および後熱処理に際し
て、高周波４を用いレジスト分子を振動させレジスト１
のみを選択的に加熱する。
これにより、本実施例の方法によれば、圧電基板３やア
ルミニウム２は加熱されず、レジスト１のみが加熱され
て硬化される。従って、スパッタ法でアルミニウム２（
もしくはアルミニウム合金）の蒸着を行ない薄膜を形成
した場合でも、アルミニウムの再結晶が発生したり残渣
が析出したりすることかなくなって１歩留りが向上する
。
ルミニウム２は加熱されず、レジスト１のみが加熱され
て硬化される。従って、スパッタ法でアルミニウム２（
もしくはアルミニウム合金）の蒸着を行ない薄膜を形成
した場合でも、アルミニウムの再結晶が発生したり残渣
が析出したりすることかなくなって１歩留りが向上する
。
なお、本実施例では、第２図に示すように、上述のごと
く製造された弾性表面素子をダイシング（第４図のステ
ップＳ８参照）によりチップ１３にした後、このチップ
１３をパッケージ１０に組み入れてアセンブリ化する際
（第４図のステップＳ９参照）の接着剤１２の熱処理に
ついても、高周波４を用いて加熱する。なお、第２図に
おいて、１１はリードを示す。
く製造された弾性表面素子をダイシング（第４図のステ
ップＳ８参照）によりチップ１３にした後、このチップ
１３をパッケージ１０に組み入れてアセンブリ化する際
（第４図のステップＳ９参照）の接着剤１２の熱処理に
ついても、高周波４を用いて加熱する。なお、第２図に
おいて、１１はリードを示す。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、レジストの熱処理に
際して、高周波加熱によりレジストのみを選択的に加熱
するようにしたので、アルミニウムの再結晶、残渣の問
題が発生せず、これにより歩留りが向上する効果が得ら
れる。
際して、高周波加熱によりレジストのみを選択的に加熱
するようにしたので、アルミニウムの再結晶、残渣の問
題が発生せず、これにより歩留りが向上する効果が得ら
れる。
第１図はこの発明の一実施例による弾性表面波素子の製
造方法におけるレジストの熱処理状態を示す模式的な側
面図、第２図は本実施例におけるアセンブリ化の工程を
示す模式的な側面図、第３図は一般的な弾性表面波素子
を示す側面図、第４図は従来の弾性表面波素子の製造手
順を説明するためのフローチャートである。 図において、１−・レジスト、２−・アルミニウム、３
−圧電基板、４−高周波。 なお、図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。
造方法におけるレジストの熱処理状態を示す模式的な側
面図、第２図は本実施例におけるアセンブリ化の工程を
示す模式的な側面図、第３図は一般的な弾性表面波素子
を示す側面図、第４図は従来の弾性表面波素子の製造手
順を説明するためのフローチャートである。 図において、１−・レジスト、２−・アルミニウム、３
−圧電基板、４−高周波。 なお、図中、同一の符号は同一、又は相当部分を示して
いる。
Claims (1)
- 圧電基板上にアルミニウムもしくはアルミニウム合金
を蒸着してその上にレジストを塗布し、上記レジストに
熱処理を施してから露光によりパターンを形成した後、
再度、上記レジストに熱処理を施してからエッチングを
行なうことによりパターンを形成して弾性表面波素子を
製造する方法において、上記レジストに施される熱処理
を、高周波加熱により上記レジストのみを選択的に加熱
して行なうことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291305A JPH01133053A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291305A JPH01133053A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133053A true JPH01133053A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17767173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291305A Pending JPH01133053A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133053A (ja) |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62291305A patent/JPH01133053A/ja active Pending
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