JPH01133218A - 磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01133218A JPH01133218A JP29115887A JP29115887A JPH01133218A JP H01133218 A JPH01133218 A JP H01133218A JP 29115887 A JP29115887 A JP 29115887A JP 29115887 A JP29115887 A JP 29115887A JP H01133218 A JPH01133218 A JP H01133218A
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- Japan
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- film
- aluminum substrate
- anodic oxidation
- oxidation treatment
- substrate material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、コンピュータ等における磁気記録媒体とし
ての磁気ディスクを構成するアルミニウム基板の製造方
法、特に磁性膜をスパッタリング法等により薄膜状に付
着形成せしめた形式の磁気ディスクに好適なアルミニウ
ム基板の製造方法に関する。
ての磁気ディスクを構成するアルミニウム基板の製造方
法、特に磁性膜をスパッタリング法等により薄膜状に付
着形成せしめた形式の磁気ディスクに好適なアルミニウ
ム基板の製造方法に関する。
従来の技術
磁気ディスクとしては、従来より、アルミニウム基板の
表面に磁性媒体を塗布したいわゆる塗布型のものが用い
られているが、この塗布型ディスクでは磁性膜の厚さが
厚くならざるを得ないことから、昨今要求されている磁
気ディスクの高記録密度化に対処するには限界がある。
表面に磁性媒体を塗布したいわゆる塗布型のものが用い
られているが、この塗布型ディスクでは磁性膜の厚さが
厚くならざるを得ないことから、昨今要求されている磁
気ディスクの高記録密度化に対処するには限界がある。
そこで、アルミニウム基板表面にスパッタリング法等に
より磁性媒体を薄膜状に付着形成せしめた形式の磁気デ
ィスクが開発提供されるようになってきている。
より磁性媒体を薄膜状に付着形成せしめた形式の磁気デ
ィスクが開発提供されるようになってきている。
かかる磁気ディスクに用いられるアルミニウム基板では
、表面硬度の向上、磁性膜との密着性の向上等を目的と
して、一般に、その表面に下地皮膜層が被覆形成される
ものとなされる。
、表面硬度の向上、磁性膜との密着性の向上等を目的と
して、一般に、その表面に下地皮膜層が被覆形成される
ものとなされる。
従来、上記の下地皮膜としては、無電解Ｎ１−Ｐメツキ
膜や硫酸陽極酸化皮膜、クロム酸陽極酸化皮膜が採用さ
れていたが、次のような欠点があった。
膜や硫酸陽極酸化皮膜、クロム酸陽極酸化皮膜が採用さ
れていたが、次のような欠点があった。
発明が解決しようとする問題点
即ち、下地皮膜表面に被覆形成される磁性膜が、例えば
酸化物薄膜等である場合には、該薄膜の形成工程中３０
０〜４００℃程度の加熱処理が行われるが、下地皮膜が
無電解Ｎ１−Ｐメツキ膜では、約２００℃以上の加熱に
より結晶化が進み磁性を有するようになることから、磁
気ディスクへの適用範囲が限られるという欠点があった
。また、硫酸陽極酸化皮膜では耐熱性に劣るため、加熱
時のクラックの発生を防止すべく、皮膜の厚さを３μｍ
以下に限定する必要があるが、膜厚を薄くすると充分な
硬度が得られないという欠点があった。また、クロム酸
陽極酸化皮膜では、耐熱性は比較的良好であるが、硬度
が最大３５０ Ｈｖ程度であってＮ１−Ｐメツキ膜程の
硬度を有さないため、Ｃ８Ｓ特性が悪いという欠点があ
った。しかもクロム酸陽極酸化皮膜では皮膜生成効率が
悪く、例えば１５μｍの厚さの皮膜を作るのに９０分間
程度にも及ぶ処理時間を要し、コストが高くつくという
ような問題もあった。
酸化物薄膜等である場合には、該薄膜の形成工程中３０
０〜４００℃程度の加熱処理が行われるが、下地皮膜が
無電解Ｎ１−Ｐメツキ膜では、約２００℃以上の加熱に
より結晶化が進み磁性を有するようになることから、磁
気ディスクへの適用範囲が限られるという欠点があった
。また、硫酸陽極酸化皮膜では耐熱性に劣るため、加熱
時のクラックの発生を防止すべく、皮膜の厚さを３μｍ
以下に限定する必要があるが、膜厚を薄くすると充分な
硬度が得られないという欠点があった。また、クロム酸
陽極酸化皮膜では、耐熱性は比較的良好であるが、硬度
が最大３５０ Ｈｖ程度であってＮ１−Ｐメツキ膜程の
硬度を有さないため、Ｃ８Ｓ特性が悪いという欠点があ
った。しかもクロム酸陽極酸化皮膜では皮膜生成効率が
悪く、例えば１５μｍの厚さの皮膜を作るのに９０分間
程度にも及ぶ処理時間を要し、コストが高くつくという
ような問題もあった。
この発明は、かかる技術的背景に鑑みてなされたもので
あって、高温加熱による特性変化やクラックを生じるこ
とがなく、かつ硬度も高い下地皮膜を有するアルミニウ
ム基板の提供を目的とするものである。
あって、高温加熱による特性変化やクラックを生じるこ
とがなく、かつ硬度も高い下地皮膜を有するアルミニウ
ム基板の提供を目的とするものである。
問題点を解決するための手段
かかる目的のもとに、発明者は種々実験と研究を重ねた
結果、下地皮膜を硬質酸化皮膜形成用の前段陽極酸化処
理とクロム酸電解液を用いた後段陽極酸化処理の順次的
実施により形成することで、上記目的を達成しうろこと
を見出し、この発明を完成しえたものである。
結果、下地皮膜を硬質酸化皮膜形成用の前段陽極酸化処
理とクロム酸電解液を用いた後段陽極酸化処理の順次的
実施により形成することで、上記目的を達成しうろこと
を見出し、この発明を完成しえたものである。
即ちこの発明は、アルミニウム基板材に、前段の陽極酸
化処理を行って硬質酸化皮膜を形成したのち、クロム酸
電解液を用いて後段の陽極酸化処理を行うことを特徴と
する磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法を要旨
とするものである。
化処理を行って硬質酸化皮膜を形成したのち、クロム酸
電解液を用いて後段の陽極酸化処理を行うことを特徴と
する磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法を要旨
とするものである。
アルミニウム基板材の組成は特に限定されるものではな
いが、好ましい組成のものとして純度９９．９９％以上
の高純度アルミニウムをベースとしてこれにＭｇ：４〜
５％を添加含有せしめた合金を用いるのが良い。この場
合Ｍｇは磁気ディスクとしての高速回転に耐えうる強度
を付与するための元素であるが、その含有量が４ｖｔ％
未満では該効果に乏しく、逆に５νｔ％を越えると加工
性、機械的性質、表面平滑性が劣化する。また高純度ア
ルミニウムをベースとするのは、磁気的特性に悪影響を
及ぼすＦｅ５Ｓｌの析出を可及的防止するためである。
いが、好ましい組成のものとして純度９９．９９％以上
の高純度アルミニウムをベースとしてこれにＭｇ：４〜
５％を添加含有せしめた合金を用いるのが良い。この場
合Ｍｇは磁気ディスクとしての高速回転に耐えうる強度
を付与するための元素であるが、その含有量が４ｖｔ％
未満では該効果に乏しく、逆に５νｔ％を越えると加工
性、機械的性質、表面平滑性が劣化する。また高純度ア
ルミニウムをベースとするのは、磁気的特性に悪影響を
及ぼすＦｅ５Ｓｌの析出を可及的防止するためである。
次にアルミニウム基板の製造工程について説明すると、
まず所定形状のアルミニウム板にダイヤモンド旋削、ボ
リシング加工、荒旋削加工等を施すことにより、所期す
る板厚、チャンファ−形状、表面精度を有するアルミニ
ウム基板材を製作する。
まず所定形状のアルミニウム板にダイヤモンド旋削、ボ
リシング加工、荒旋削加工等を施すことにより、所期す
る板厚、チャンファ−形状、表面精度を有するアルミニ
ウム基板材を製作する。
次いで、該基板材に前段の陽極酸化処理を行う。この陽
極酸化処理は、硬質陽極酸化皮膜を形成するためのもの
である。硬質酸化皮膜としは、蓚酸皮膜やその他の有機
酸皮膜を挙げることができ、これを形成する前段処理と
しては、電解液として蓚酸、スルホサリチル酸、クレゾ
ールスルホン酸、フェノールスルホン酸、スルホフタル
酸等の有機酸を用いた陽極酸化処理を挙げうる。なかで
も好適なものとして、蓚酸法による陽極酸化処理を挙げ
つる。この蓚酸陽極酸化処理の好ましい電解条件を例示
すると、蓚酸濃度：１〜５ｗｔ％、電流密度：１．５Ａ
／ｄｄ前後の定電流電解処理が良く、またより硬質な皮
膜を形成するために、液温：０〜２０℃に設定するのが
良い。また蓚酸皮膜に限らず、前段処理による硬質酸化
皮膜の膜厚は５〜２０μｍに設定するのが良い。５μｍ
未満では皮膜硬度が充分ではなくなるおそれがあり、逆
に２０μｍを超えると下地皮膜の耐熱性を劣化させる原
因となり、温度条件によっては皮膜にクラック等を生じ
る危険があるからである。
極酸化処理は、硬質陽極酸化皮膜を形成するためのもの
である。硬質酸化皮膜としは、蓚酸皮膜やその他の有機
酸皮膜を挙げることができ、これを形成する前段処理と
しては、電解液として蓚酸、スルホサリチル酸、クレゾ
ールスルホン酸、フェノールスルホン酸、スルホフタル
酸等の有機酸を用いた陽極酸化処理を挙げうる。なかで
も好適なものとして、蓚酸法による陽極酸化処理を挙げ
つる。この蓚酸陽極酸化処理の好ましい電解条件を例示
すると、蓚酸濃度：１〜５ｗｔ％、電流密度：１．５Ａ
／ｄｄ前後の定電流電解処理が良く、またより硬質な皮
膜を形成するために、液温：０〜２０℃に設定するのが
良い。また蓚酸皮膜に限らず、前段処理による硬質酸化
皮膜の膜厚は５〜２０μｍに設定するのが良い。５μｍ
未満では皮膜硬度が充分ではなくなるおそれがあり、逆
に２０μｍを超えると下地皮膜の耐熱性を劣化させる原
因となり、温度条件によっては皮膜にクラック等を生じ
る危険があるからである。
電解液としてクロム酸を用いる後段陽極酸化処理は、皮
膜の耐熱性を向上するために実施するものである。この
クロム酸法による電解処理条件は特に限定されるもので
はないが、皮膜の一層優れた耐熱性を実現するための好
ましい条件としては、液濃度１〜１０ｗｔ％、液温；１
５〜４５℃、電圧７０〜１２０Ｖの定電圧電解処理を挙
げることができ、また膜厚は０，５〜５μｍとするのが
良い。
膜の耐熱性を向上するために実施するものである。この
クロム酸法による電解処理条件は特に限定されるもので
はないが、皮膜の一層優れた耐熱性を実現するための好
ましい条件としては、液濃度１〜１０ｗｔ％、液温；１
５〜４５℃、電圧７０〜１２０Ｖの定電圧電解処理を挙
げることができ、また膜厚は０，５〜５μｍとするのが
良い。
前後２段の陽極酸化処理を終了したアルミニウム基板材
は、その表面を研磨して完成品とする。研磨の一例とし
ては、アルミナ粒子を研磨材するパフ研磨を挙げうる。
は、その表面を研磨して完成品とする。研磨の一例とし
ては、アルミナ粒子を研磨材するパフ研磨を挙げうる。
なお、上記により得られたアルミニウム基板を用いた磁
気ディスクの製作は、一般的には、基板表面にスパッタ
リング法等により磁性膜を形成し、さらにその上に保護
層を形成することによって行われる。
気ディスクの製作は、一般的には、基板表面にスパッタ
リング法等により磁性膜を形成し、さらにその上に保護
層を形成することによって行われる。
ところで、クロム酸法による後段陽極酸化処理の実施に
より皮膜の耐熱性が向上するのは次の理由によるものと
推測される。即ち、前段の陽極酸化処理により、第１図
に示すように、アルミニウム基板材（１）の表面には所
定膜厚の多孔性硬質酸化皮膜（２）が形成されているが
、第２図に示すように、後段の陽極酸化処理によるクロ
ム酸陽極酸化皮膜（３）の生成により、皮膜は基板材（
１）との界面において粗面化するものと考えられる。硫
酸陽極酸化皮膜等において高温加熱時にクラックが生じ
るのは、基板材と皮膜との熱膨張係数の違いに起因する
ものであるが、上記のように粗面形状を有する構造が加
熱時の皮膜中の内部応力を軽減させ、クラックの発生を
防止する結果、耐熱性が向上するものと推測される。
より皮膜の耐熱性が向上するのは次の理由によるものと
推測される。即ち、前段の陽極酸化処理により、第１図
に示すように、アルミニウム基板材（１）の表面には所
定膜厚の多孔性硬質酸化皮膜（２）が形成されているが
、第２図に示すように、後段の陽極酸化処理によるクロ
ム酸陽極酸化皮膜（３）の生成により、皮膜は基板材（
１）との界面において粗面化するものと考えられる。硫
酸陽極酸化皮膜等において高温加熱時にクラックが生じ
るのは、基板材と皮膜との熱膨張係数の違いに起因する
ものであるが、上記のように粗面形状を有する構造が加
熱時の皮膜中の内部応力を軽減させ、クラックの発生を
防止する結果、耐熱性が向上するものと推測される。
発明の効果
この発明は上述の次第であるから、表面に下地皮膜とし
て硬度及び耐熱性に優れた陽極酸化皮膜を有する磁気デ
ィスク用基板を提供できる。
て硬度及び耐熱性に優れた陽極酸化皮膜を有する磁気デ
ィスク用基板を提供できる。
従って、磁気ディスクの製作に際して下地皮膜表面に被
覆される磁性膜が、被覆形成工程において３００〜４０
０℃で加熱保持する必要のある種類のものであっても、
下地皮膜に加熱によるクラックや特性変化が生じないか
ら、これを何ら問題なく被覆形成することができ、磁気
ディスク用基板としての適用範囲を拡大することができ
る。しかも下地皮膜自体硬度に優れているのに加えて、
下地皮膜の耐熱性を向上させるため皮膜厚さを薄くする
必要がないから、皮膜厚さを充分に確保しえて愈々硬度
に優れたものとなしえ、従って磁性膜のヘッドクラッシ
ュを低減しえ、磁性膜の耐久性を向上しうる。さらにま
た、クロム酸陽極酸化処理による単独の処理ではないか
ら、皮膜の形成を短時間で行うことができ皮膜生成効率
も良いものとなり、ひいては低コストなアルミニウム基
板の提供が可能となる。
覆される磁性膜が、被覆形成工程において３００〜４０
０℃で加熱保持する必要のある種類のものであっても、
下地皮膜に加熱によるクラックや特性変化が生じないか
ら、これを何ら問題なく被覆形成することができ、磁気
ディスク用基板としての適用範囲を拡大することができ
る。しかも下地皮膜自体硬度に優れているのに加えて、
下地皮膜の耐熱性を向上させるため皮膜厚さを薄くする
必要がないから、皮膜厚さを充分に確保しえて愈々硬度
に優れたものとなしえ、従って磁性膜のヘッドクラッシ
ュを低減しえ、磁性膜の耐久性を向上しうる。さらにま
た、クロム酸陽極酸化処理による単独の処理ではないか
ら、皮膜の形成を短時間で行うことができ皮膜生成効率
も良いものとなり、ひいては低コストなアルミニウム基
板の提供が可能となる。
実施例
［実施例１コ
純度９９．９９％のアルミニウムをベースとするＡＱ−
４νｔ％Ｍｇ合金からなるドーナツ状アルミニウム板（
外径９５ｍｍ、内径２５ＩｎＩ１１、板厚１．３ｍｍ）
を複数組用意し、該合金板の表面を平滑仕上げしたのち
、非侵食性洗浄剤で洗浄してアルミニウム基板材を製作
した。
４νｔ％Ｍｇ合金からなるドーナツ状アルミニウム板（
外径９５ｍｍ、内径２５ＩｎＩ１１、板厚１．３ｍｍ）
を複数組用意し、該合金板の表面を平滑仕上げしたのち
、非侵食性洗浄剤で洗浄してアルミニウム基板材を製作
した。
次にこれら基板材を、蓚酸濃度：１．５νｔ％、液温：
１０℃の蓚酸電解液中で電流密度：１゜５Ａ／ｄＴＩｔ
、電解時間２６分の条件でまず直流定電流電解処理によ
る前段の陽極酸化処理を行い、厚さ１０μｍの蓚酸皮膜
を形成した。次いで、後段の陽極酸化処理として、クロ
ム酸濃度：３ｗｔ％、液？ｍ ： ３０℃のクロム酸電
解液中で浴電圧１００ｖの条件で定電圧電解処理を行い
、厚さ１μｍのクロム酸皮膜を形成して、本発明に係る
アルミニウム基板を得た。
１０℃の蓚酸電解液中で電流密度：１゜５Ａ／ｄＴＩｔ
、電解時間２６分の条件でまず直流定電流電解処理によ
る前段の陽極酸化処理を行い、厚さ１０μｍの蓚酸皮膜
を形成した。次いで、後段の陽極酸化処理として、クロ
ム酸濃度：３ｗｔ％、液？ｍ ： ３０℃のクロム酸電
解液中で浴電圧１００ｖの条件で定電圧電解処理を行い
、厚さ１μｍのクロム酸皮膜を形成して、本発明に係る
アルミニウム基板を得た。
一方、前段処理の処理時間を適当に変えた以外は上記と
同一の条件で前後段陽極酸化処理を行い、蓚酸皮膜の厚
さ３μｍｓ ６μｍ、２０μｍの各アルミニウム基板を
得た。
同一の条件で前後段陽極酸化処理を行い、蓚酸皮膜の厚
さ３μｍｓ ６μｍ、２０μｍの各アルミニウム基板を
得た。
［比較例１］
実施例１と同じアルミニウム基板材を用い、蓚酸濃度：
１．５ｖｔ％、液温：１０℃の蓚酸電解液中にて、電流
密度： １．５Ａ／ｄｍで電解時間を各種に変えて、直
流定電流電解処理による蓚酸性単独の陽極酸化処理を実
施し、皮膜厚さ３μｍｓ ６μｍ、１０μｍ１２０μｍ
の各種基板を得た。なお本処理においては、処理時間２
６分で膜厚１０．ｃｚｍ、４０分で膜厚１５μｍに達し
た。
１．５ｖｔ％、液温：１０℃の蓚酸電解液中にて、電流
密度： １．５Ａ／ｄｍで電解時間を各種に変えて、直
流定電流電解処理による蓚酸性単独の陽極酸化処理を実
施し、皮膜厚さ３μｍｓ ６μｍ、１０μｍ１２０μｍ
の各種基板を得た。なお本処理においては、処理時間２
６分で膜厚１０．ｃｚｍ、４０分で膜厚１５μｍに達し
た。
［比較例２］
実施例１と同じアルミニウム基板材を用い、硫酸濃度：
１５ｗｔ％、液温：１５℃の硫酸電解液中にて、電流密
度： １．５Ａ／ｄＴｄで電解時間を各種に変えて、直
流定電流電解処理による硫酸性単独の陽極酸化処理を実
施し、皮膜厚さ３μｍ、６μｍ、１０μｍ１２０μｍの
各種基板を得た。なお本処理においては、処理時間２６
分で膜厚１０μｍ、４０分で膜厚１５μｍに達した。
１５ｗｔ％、液温：１５℃の硫酸電解液中にて、電流密
度： １．５Ａ／ｄＴｄで電解時間を各種に変えて、直
流定電流電解処理による硫酸性単独の陽極酸化処理を実
施し、皮膜厚さ３μｍ、６μｍ、１０μｍ１２０μｍの
各種基板を得た。なお本処理においては、処理時間２６
分で膜厚１０μｍ、４０分で膜厚１５μｍに達した。
［比較例３］
実施例１と同じアルミニウム基板材を用い、クロム酸濃
度：３ｖｔ％、液温：４０°Ｃの無水クロム酸電解液中
にて、電流密度＋０．８Ａ／ｄＨで電解時間を各種に変
えて、直流定電流電解処理によるクロム酸性単独の陽極
酸化処理を実施し、皮膜厚さ３μｍ、６μｍ、１０μｍ
、２０μｍの各種基板を得た。なお本処理においては、
処理時間６０分で膜厚１０μｍ、９０分で膜厚１５μｍ
に達した。
度：３ｖｔ％、液温：４０°Ｃの無水クロム酸電解液中
にて、電流密度＋０．８Ａ／ｄＨで電解時間を各種に変
えて、直流定電流電解処理によるクロム酸性単独の陽極
酸化処理を実施し、皮膜厚さ３μｍ、６μｍ、１０μｍ
、２０μｍの各種基板を得た。なお本処理においては、
処理時間６０分で膜厚１０μｍ、９０分で膜厚１５μｍ
に達した。
そして上記により得られたアルミニウム合金基板につき
、耐熱性を調べるため、皮膜表面を研磨したのち電気炉
にて皮膜表面を２００°Ｃ１３００℃、４００℃の温度
にそれぞれ加熱して、クラックの有無を目視観察した。
、耐熱性を調べるため、皮膜表面を研磨したのち電気炉
にて皮膜表面を２００°Ｃ１３００℃、４００℃の温度
にそれぞれ加熱して、クラックの有無を目視観察した。
また微小硬度計を用いて加熱前の表面皮膜硬度を測定し
た。
た。
それらの結果を第１表に示す。
［以下余白］
上記結果から明らかなように、本発明実施品は比較品に
較べて基板表面の耐熱性、硬度ともに優れていることを
確認しえた。
較べて基板表面の耐熱性、硬度ともに優れていることを
確認しえた。
第１図は、前段陽極酸化処理後の皮膜と基板材との界面
付近を模式的に示す拡大部分断面図、第２図は後段陽極
酸化処理後の皮膜と基板材との界面付近を模式的に示す
拡大部分断面図である。 （１）・・・アルミニウム基板材、（２）・・・硬質皮
膜、（３）・・・クロム酸皮膜。 以上
付近を模式的に示す拡大部分断面図、第２図は後段陽極
酸化処理後の皮膜と基板材との界面付近を模式的に示す
拡大部分断面図である。 （１）・・・アルミニウム基板材、（２）・・・硬質皮
膜、（３）・・・クロム酸皮膜。 以上
Claims (5)
- （１）アルミニウム基板材に、前段の陽極酸化処理を行
って硬質酸化皮膜を形成したのち、クロム酸電解液を用
いて後段の陽極酸化処理を行うことを特徴とする磁気デ
ィスク用アルミニウム基板の製造方法。 - （２）アルミニウム基板材が、純度９９．９９％以上の
高純度アルミニウムをベースとして、Ｍｇ：４〜５ｗｔ
％を添加含有した組成のものである特許請求の範囲第１
項記載の磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法。 - （３）硬質酸化皮膜の膜厚が５〜２０μｍである特許請
求の範囲第１項または第２項記載の磁気ディスク用アル
ミニウム基板の製造方法。 - （４）前段の陽極酸化処理を蓚酸電解液を用いて行う特
許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１に記載の
磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法。 - （５）蓚酸電解液の温度が０〜２０℃である特許請求の
範囲第４項記載の磁気ディスク用アルミニウム基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29115887A JPH01133218A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29115887A JPH01133218A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133218A true JPH01133218A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17765195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29115887A Pending JPH01133218A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 磁気ディスク用アルミニウム基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133218A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270130A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-05 | Sony Corp | ハードディスク用基板及びその製造方法 |
| US6204169B1 (en) | 1997-03-24 | 2001-03-20 | Motorola Inc. | Processing for polishing dissimilar conductive layers in a semiconductor device |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP29115887A patent/JPH01133218A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270130A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-11-05 | Sony Corp | ハードディスク用基板及びその製造方法 |
| US6204169B1 (en) | 1997-03-24 | 2001-03-20 | Motorola Inc. | Processing for polishing dissimilar conductive layers in a semiconductor device |
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