JPH0113406Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0113406Y2 JPH0113406Y2 JP17307583U JP17307583U JPH0113406Y2 JP H0113406 Y2 JPH0113406 Y2 JP H0113406Y2 JP 17307583 U JP17307583 U JP 17307583U JP 17307583 U JP17307583 U JP 17307583U JP H0113406 Y2 JPH0113406 Y2 JP H0113406Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- shaped
- electrode
- capacitor
- dielectric material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、小形で大容量を有するセラミツクコ
ンデンサに関するものである。
ンデンサに関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、電子機器の小形化、軽量化の動きはめざ
ましいものがあり、その電子機器に数多く用いら
れているセラミツクコンデンサも、小形で大容量
のものが要求されている。その要求に応えるコン
デンサとして、第１図に示す如き構造を有する積
層セラミツクコンデンサが開発され、広く使用さ
れるに至り、さらにその需要が急激に増加しつつ
ある。
ましいものがあり、その電子機器に数多く用いら
れているセラミツクコンデンサも、小形で大容量
のものが要求されている。その要求に応えるコン
デンサとして、第１図に示す如き構造を有する積
層セラミツクコンデンサが開発され、広く使用さ
れるに至り、さらにその需要が急激に増加しつつ
ある。
このような積層セラミツクコンデンサは、パラ
ジウムなどの貴金属を主成分とする内部電極２を
セラミツク誘電体材料１中に埋込み、電極面積を
増加させるとともに、電極間の距離を数10ミクロ
ンないし数100ミクロンと狭くすることにより、
小形で、かつ大容量のコンデンサとしている。
ジウムなどの貴金属を主成分とする内部電極２を
セラミツク誘電体材料１中に埋込み、電極面積を
増加させるとともに、電極間の距離を数10ミクロ
ンないし数100ミクロンと狭くすることにより、
小形で、かつ大容量のコンデンサとしている。
しかし、従来の積層セラミツクコンデンサで
は、内部電極をセラミツク誘電体材料中に埋込ん
だ形でセラミツク誘電体材料と同時に焼結して製
造する必要があるため、内部電極の材料として
は、セラミツク誘電体材料の焼結に必要な高温に
おいても溶解したりあるいはセラミツク材料と反
応したりすることのない安定なものを用いる必要
がある。
は、内部電極をセラミツク誘電体材料中に埋込ん
だ形でセラミツク誘電体材料と同時に焼結して製
造する必要があるため、内部電極の材料として
は、セラミツク誘電体材料の焼結に必要な高温に
おいても溶解したりあるいはセラミツク材料と反
応したりすることのない安定なものを用いる必要
がある。
セラミツク誘電体材料としては、チタン酸バリ
ウム、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン
酸マグネシウムなどを主成分とし、これに種々の
添加物を加えたものが広く利用されている。これ
らの焼結温度は概ね1200℃から1400℃程度であ
り、従つて上に述べた理由により、内部電極とし
てはこのような高温でも安定ではあるが極めて高
価な白金あるいはパラジウムを用いており、この
内部電極の材料費が積層セラミツクコンデンサの
材料費全体の大部分を占めていた。
ウム、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン
酸マグネシウムなどを主成分とし、これに種々の
添加物を加えたものが広く利用されている。これ
らの焼結温度は概ね1200℃から1400℃程度であ
り、従つて上に述べた理由により、内部電極とし
てはこのような高温でも安定ではあるが極めて高
価な白金あるいはパラジウムを用いており、この
内部電極の材料費が積層セラミツクコンデンサの
材料費全体の大部分を占めていた。
さらに、小形化、大容量化を図る上で、セラミ
ツク誘電体材料の比誘電率を増加させることも有
効な手段の１つである。公知の粒界層絶縁層形、
あるいは表面再酸化形の半導体コンデンサ材料を
用いた場合には、これらの材料の見掛けの誘電率
が非常に大きいため、小形化、高容量量化をさら
に進めることができる。しかしこれらの半導体コ
ンデンサ材料を積層セラミツクコンデンサに応用
しようとする場合、これらの材料は還元雰囲気中
で焼成した後、粒界層を絶縁化するために酸化銅
を拡散させたり、あるいは電極に接するごく薄い
厚さのセラミツク部分のみを再酸化させる必要が
あるため、内部電極を有する積層セラミツクコン
デンサを作製することは不可能であつた。
ツク誘電体材料の比誘電率を増加させることも有
効な手段の１つである。公知の粒界層絶縁層形、
あるいは表面再酸化形の半導体コンデンサ材料を
用いた場合には、これらの材料の見掛けの誘電率
が非常に大きいため、小形化、高容量量化をさら
に進めることができる。しかしこれらの半導体コ
ンデンサ材料を積層セラミツクコンデンサに応用
しようとする場合、これらの材料は還元雰囲気中
で焼成した後、粒界層を絶縁化するために酸化銅
を拡散させたり、あるいは電極に接するごく薄い
厚さのセラミツク部分のみを再酸化させる必要が
あるため、内部電極を有する積層セラミツクコン
デンサを作製することは不可能であつた。
（考案の目的）
本考案は、小形、大容量を達成するための積層
構造を持ちながら、内部電極をセラミツク誘電体
材料中に埋込んでセラミツク誘電体材料と同時に
焼結する必要がないため、安価な銀あるいは銀系
合金、ニツケル系合金などを用いることのできる
積層セラミツクコンデンサを提供するものであ
る。
構造を持ちながら、内部電極をセラミツク誘電体
材料中に埋込んでセラミツク誘電体材料と同時に
焼結する必要がないため、安価な銀あるいは銀系
合金、ニツケル系合金などを用いることのできる
積層セラミツクコンデンサを提供するものであ
る。
（考案の構成）
本考案は、セラミツクコンデンサ材料を用いて
断面がコの字形の焼結素体を予め作製し、その内
周面及び外周面に、相互に電気的に接続すること
のないように間隔を設けて電極ペーストを塗布
し、素体空間部に嵌合する板状のセラミツクを挿
入した後、塗布されたペーストが導電性を示すよ
うに熱処理するものである。
断面がコの字形の焼結素体を予め作製し、その内
周面及び外周面に、相互に電気的に接続すること
のないように間隔を設けて電極ペーストを塗布
し、素体空間部に嵌合する板状のセラミツクを挿
入した後、塗布されたペーストが導電性を示すよ
うに熱処理するものである。
（実施例の説明）
本考案の一実施例を第２図に示す。第２図ａに
示す４はセラミツク誘電体材料、好ましくは半導
体コンデンサ材料を焼結して得たコの字形のセラ
ミツクであり、その内周面及び外周面に、第２図
ｂに示したように、電極ペースト５，６を塗布す
る。第２図ｃの４′はセラミツク誘電体材料（コ
の字形素体と同一の材料）、またはアルミナなど
の高強度材料より作製された板状のセラミツクで
あり、上記コの字形素体４の空間部に嵌合しうる
形状のものである。この板状セラミツク４′を、
第２図ｄに示したように、素体４に嵌着した後熱
処理を行い、ペースト５，６を金属化する。その
後、第２図ｄの素体の一部をガラスなどの絶縁体
７で覆つて、第２図ｅの構造のものとして用いる
か、あるいはリード線８をハンダ付けなどの方法
で接合した後全体を絶縁性の樹脂９で覆つて第２
図ｆの構造のものとして用いる。
示す４はセラミツク誘電体材料、好ましくは半導
体コンデンサ材料を焼結して得たコの字形のセラ
ミツクであり、その内周面及び外周面に、第２図
ｂに示したように、電極ペースト５，６を塗布す
る。第２図ｃの４′はセラミツク誘電体材料（コ
の字形素体と同一の材料）、またはアルミナなど
の高強度材料より作製された板状のセラミツクで
あり、上記コの字形素体４の空間部に嵌合しうる
形状のものである。この板状セラミツク４′を、
第２図ｄに示したように、素体４に嵌着した後熱
処理を行い、ペースト５，６を金属化する。その
後、第２図ｄの素体の一部をガラスなどの絶縁体
７で覆つて、第２図ｅの構造のものとして用いる
か、あるいはリード線８をハンダ付けなどの方法
で接合した後全体を絶縁性の樹脂９で覆つて第２
図ｆの構造のものとして用いる。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案によれば、内部電
極材料としてパラジウム、白金などの極めて高価
な貴金属にかえて、安価な銀、銀系合金、ニツケ
ル系合金などを使用することができるため、小形
で大容量のセラミツクコンデンサを安価に供給で
きる。
極材料としてパラジウム、白金などの極めて高価
な貴金属にかえて、安価な銀、銀系合金、ニツケ
ル系合金などを使用することができるため、小形
で大容量のセラミツクコンデンサを安価に供給で
きる。
さらに、電極を形成した後、外周面の電極の一
部を削除するという容易な方法で静電容量を調整
することが可能である。
部を削除するという容易な方法で静電容量を調整
することが可能である。
また、第２図ｃの板状の素体をアルミナなどの
高強度材料で作製することにより、第２図ａの素
体が比較的強度の弱い半導体コンデンサ材料で形
成された場合でも、強度の向上を図りうるもので
ある。
高強度材料で作製することにより、第２図ａの素
体が比較的強度の弱い半導体コンデンサ材料で形
成された場合でも、強度の向上を図りうるもので
ある。
上述の如く、従来、積層セラミツクコンデンサ
の作製が困難であつた半導体コンデンサ材料を用
いて、積層形に類似したセラミツクコンデンサを
構成することが可能であり、小形、大容量のセラ
ミツクコンデンサを簡単な方法で安価に供給する
ことができるため、その工業的価値は非常に大き
い。
の作製が困難であつた半導体コンデンサ材料を用
いて、積層形に類似したセラミツクコンデンサを
構成することが可能であり、小形、大容量のセラ
ミツクコンデンサを簡単な方法で安価に供給する
ことができるため、その工業的価値は非常に大き
い。
第１図は、従来の積層セラミツクコンデンサの
断面図、第２図は、本考案の一実施例の製造段階
を示す断面図である。 ４……コの字形セラミツク、４′……板状セラ
ミツク、５，６……ペースト（電極）、７……絶
縁体、９……樹脂。
断面図、第２図は、本考案の一実施例の製造段階
を示す断面図である。 ４……コの字形セラミツク、４′……板状セラ
ミツク、５，６……ペースト（電極）、７……絶
縁体、９……樹脂。
Claims (1)
- 断面がコの字形をしたセラミツク誘電体からな
る焼結素体の内周面及び外周面に、各々が互いに
電気的に導通しないように間隔を設けて電極材料
からなるペーストを塗布し、前記焼結素体のコの
字の内側空間部に板状セラミツクを嵌着して、前
記塗布されたペーストが電極となるように熱処理
してなることを特徴とするセラミツクコンデン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17307583U JPS6081638U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17307583U JPS6081638U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081638U JPS6081638U (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0113406Y2 true JPH0113406Y2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=30377120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17307583U Granted JPS6081638U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081638U (ja) |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP17307583U patent/JPS6081638U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6081638U (ja) | 1985-06-06 |
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