JPH0113435Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0113435Y2 JPH0113435Y2 JP1980050650U JP5065080U JPH0113435Y2 JP H0113435 Y2 JPH0113435 Y2 JP H0113435Y2 JP 1980050650 U JP1980050650 U JP 1980050650U JP 5065080 U JP5065080 U JP 5065080U JP H0113435 Y2 JPH0113435 Y2 JP H0113435Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal chassis
- conductor circuit
- tongue
- thermal stress
- alumina substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は高周波回路部品、たとえば基板の表裏
主平面に銀ペーストを所定パターンに印刷し、高
温度下で焼付けた導体回路を配設し、かつ導体回
路所定位置に抵抗体がコンデンサ等のチツプ部品
を塔載してなるアルミナ基板と金属シヤーシとの
結合部品に関するものである。
主平面に銀ペーストを所定パターンに印刷し、高
温度下で焼付けた導体回路を配設し、かつ導体回
路所定位置に抵抗体がコンデンサ等のチツプ部品
を塔載してなるアルミナ基板と金属シヤーシとの
結合部品に関するものである。
従来、109Hz以上の超高周波領域で使用される
回路用基板においては、極力導体回路を短くし、
異常発振の原因となるインダクタンスを持たさな
いようにする工夫が必要であるため、前記アルミ
ナ基板と金属シヤーシの電気的機械的結合手段と
して、第１図に示すごとく前記アルミナ基板１と
金属シヤーシ２Ａとを密着状態で重ね合せたの
ち、前記アルミナ基板１と、金属シヤーシ２Ａの
折り曲げ所定部位ａ，ｂ，ｃ，ｅおよび折り曲げ
加工を施していないｄ部とを半田付けし、固定し
ていた。
回路用基板においては、極力導体回路を短くし、
異常発振の原因となるインダクタンスを持たさな
いようにする工夫が必要であるため、前記アルミ
ナ基板と金属シヤーシの電気的機械的結合手段と
して、第１図に示すごとく前記アルミナ基板１と
金属シヤーシ２Ａとを密着状態で重ね合せたの
ち、前記アルミナ基板１と、金属シヤーシ２Ａの
折り曲げ所定部位ａ，ｂ，ｃ，ｅおよび折り曲げ
加工を施していないｄ部とを半田付けし、固定し
ていた。
ところが、アルミナ基板の線膨張係数は2.8×
10-6／℃、金属シヤーシ（たとえば鉄）のそれは
11.76×10-6／℃であるため、両者間に8.96×
10-6／℃の線膨張係数差が生じ、温度が変化する
ことにより前記線膨張係数差による熱応力が発生
する。たとえば、前記高周波回路基板の形状では
＋85℃の高温度下において、約73Kg／mm2の熱応力
が結合部分に働く。また、このとき第１図に示す
各結合部分ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅの半田付強度は、
常温時約４Kg／mm2であり、＋85℃の温度下では約
３Kg／mm2に低下すると予想される。
10-6／℃、金属シヤーシ（たとえば鉄）のそれは
11.76×10-6／℃であるため、両者間に8.96×
10-6／℃の線膨張係数差が生じ、温度が変化する
ことにより前記線膨張係数差による熱応力が発生
する。たとえば、前記高周波回路基板の形状では
＋85℃の高温度下において、約73Kg／mm2の熱応力
が結合部分に働く。また、このとき第１図に示す
各結合部分ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅの半田付強度は、
常温時約４Kg／mm2であり、＋85℃の温度下では約
３Kg／mm2に低下すると予想される。
しかし、第１図の構成において、アルミナ基板
１の導体回路端部と金属シヤーシ２Ａとの接合部
ｄにおいては、線膨張係数差によつて生ずる前記
熱応力を吸収緩和する手段を設けておらず、熱衝
撃試験（たとえば−40℃〜＋85℃）を実施する
と、前記熱応力は吸収、緩和の手段を設けていな
い接合部ｄに集中し、ｄ部分の半田付け部位強度
より熱応力が大きくなり、半田付け部位にクラツ
クが発生する。また、各半田付け部位の半田付面
積を増し、半田付け強度を図つた場合、アルミナ
基板１にクラツクや割れが生じるという欠点があ
つた。本考案は前記のような結合部の半田付部に
クラツクが発生するなどの欠点をなくした高周波
回路用基板を提供するもので、以下に実施例につ
いて図面を用いて説明する。
１の導体回路端部と金属シヤーシ２Ａとの接合部
ｄにおいては、線膨張係数差によつて生ずる前記
熱応力を吸収緩和する手段を設けておらず、熱衝
撃試験（たとえば−40℃〜＋85℃）を実施する
と、前記熱応力は吸収、緩和の手段を設けていな
い接合部ｄに集中し、ｄ部分の半田付け部位強度
より熱応力が大きくなり、半田付け部位にクラツ
クが発生する。また、各半田付け部位の半田付面
積を増し、半田付け強度を図つた場合、アルミナ
基板１にクラツクや割れが生じるという欠点があ
つた。本考案は前記のような結合部の半田付部に
クラツクが発生するなどの欠点をなくした高周波
回路用基板を提供するもので、以下に実施例につ
いて図面を用いて説明する。
第２図は本考案の一実施例の概略構成図であ
る。
る。
図において、アルミナ基板１は、その表裏主平
面に銀ペーストを所定パターンに印刷し、高温度
下で焼付けた導体回路３を配設し、かつ導体回路
３の所定位置に抵抗体やコンデンサ等のチツプ部
品４を塔載してなるものである。
面に銀ペーストを所定パターンに印刷し、高温度
下で焼付けた導体回路３を配設し、かつ導体回路
３の所定位置に抵抗体やコンデンサ等のチツプ部
品４を塔載してなるものである。
２Ｂは金属シヤーシで、その所定の箇所が図に
示すようにほぼ逆三角形状に切り欠かれて、舌片
部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅが形成されてい
る。これらの舌片部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅの幅狭部側は金属シヤーシ２Ｂと一体であり、
その幅広部側にはアルミナ基板１がその導体回路
３にて接続固定されている。XYは前記線膨張係
数差によつて生ずる熱応力の方向を示す。
示すようにほぼ逆三角形状に切り欠かれて、舌片
部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅが形成されてい
る。これらの舌片部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５
ｅの幅狭部側は金属シヤーシ２Ｂと一体であり、
その幅広部側にはアルミナ基板１がその導体回路
３にて接続固定されている。XYは前記線膨張係
数差によつて生ずる熱応力の方向を示す。
第３図は金属シヤーシ２Ｂの周囲を所定形状に
切欠いて形成した舌片部５ｄの拡大図であり、
Ａ，Ｂは逆三角形状の舌片部寸法、ｘ，ｙは前記
熱応力に対するたわみ方向である。アルミナ基板
１と金属シヤーシ２Ｂとの結合手順としては、ア
ルミナ基板１と金属シヤーシ２Ｂを密着状態に重
ね合せ、アルミナ基板１に配設した導体回路３端
部と金属シヤーシ２Ｂの各舌片部５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅとを半田で結合する。この場合、
金属シヤーシ２Ｂの各舌片部５ａ，５ｂ，５ｃ，
５ｄ，５ｅの寸法は、第３図の拡大図に示すよう
に、ＡよりＢが短くなつている。Ａを長くしたの
は、半田付面積を大きくし、十分な半田付強度を
得るためであり、Ｂを短くしたのは、舌片の根元
の断面積を小さくすることにより、熱応力を受け
た際に舌片部の面方向のたわみを容易にする効果
を持たせるためである。
切欠いて形成した舌片部５ｄの拡大図であり、
Ａ，Ｂは逆三角形状の舌片部寸法、ｘ，ｙは前記
熱応力に対するたわみ方向である。アルミナ基板
１と金属シヤーシ２Ｂとの結合手順としては、ア
ルミナ基板１と金属シヤーシ２Ｂを密着状態に重
ね合せ、アルミナ基板１に配設した導体回路３端
部と金属シヤーシ２Ｂの各舌片部５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄ，５ｅとを半田で結合する。この場合、
金属シヤーシ２Ｂの各舌片部５ａ，５ｂ，５ｃ，
５ｄ，５ｅの寸法は、第３図の拡大図に示すよう
に、ＡよりＢが短くなつている。Ａを長くしたの
は、半田付面積を大きくし、十分な半田付強度を
得るためであり、Ｂを短くしたのは、舌片の根元
の断面積を小さくすることにより、熱応力を受け
た際に舌片部の面方向のたわみを容易にする効果
を持たせるためである。
第２図に示すアルミナ基板１と金属シヤーシ２
Ｂとを半田付けしてなる高周波回路用基板につい
て、熱衝撃試験（たとえば−45℃〜＋85℃）を実
施した場合、前記線膨張係数差によつて生ずる熱
応力に対して金属シヤーシ舌片部は次のように働
く。第２図において、Ｘ方向の熱応力が働いた場
合、たとえば金属シヤーシ舌片部５ｄはｘ方向
に、Ｙ方向の熱応力に対してｙ方向にたわむ。
Ｂとを半田付けしてなる高周波回路用基板につい
て、熱衝撃試験（たとえば−45℃〜＋85℃）を実
施した場合、前記線膨張係数差によつて生ずる熱
応力に対して金属シヤーシ舌片部は次のように働
く。第２図において、Ｘ方向の熱応力が働いた場
合、たとえば金属シヤーシ舌片部５ｄはｘ方向
に、Ｙ方向の熱応力に対してｙ方向にたわむ。
上述のごとく、本考案の回路用基板は、金属シ
ヤーシの複数の所定箇所に、自由端側が幅広であ
つて、幅狭部側にてこの金属シヤーシと連続する
よう形成されている舌片部を有し、絶縁物基板の
導体回路が各舌片部の幅広部側に接続されて、金
属シヤーシと絶縁物基板とが固着されて、金属シ
ャーシと絶縁物とが固着されているので、両者の
線膨張係数の差によつて生じる熱応力が、各舌片
部が各方向へたわむことにより吸収、緩和され、
各接続箇所でのクラツクの発生や、絶縁物基板の
クラツクの割れの発生が防止される。
ヤーシの複数の所定箇所に、自由端側が幅広であ
つて、幅狭部側にてこの金属シヤーシと連続する
よう形成されている舌片部を有し、絶縁物基板の
導体回路が各舌片部の幅広部側に接続されて、金
属シヤーシと絶縁物基板とが固着されて、金属シ
ャーシと絶縁物とが固着されているので、両者の
線膨張係数の差によつて生じる熱応力が、各舌片
部が各方向へたわむことにより吸収、緩和され、
各接続箇所でのクラツクの発生や、絶縁物基板の
クラツクの割れの発生が防止される。
第１図は従来の高周波用回路基板一例を示す斜
視図、第２図は本考案にかかる高周波回路基板の
一実施例の斜視図、第３図はこの実施例の舌片部
ｄの拡大図である。 １……アルミナ基板、２Ａ，２Ｂ……金属シヤ
ーシ、３……導体回路、４……チツプ部品、５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ……舌片部、ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ……半田付部、Ａ，Ｂ……舌片部
の寸法、Ｘ，Ｙ……熱応力の働く方向、ｘ，ｙ…
…舌片がたわむ方向。
視図、第２図は本考案にかかる高周波回路基板の
一実施例の斜視図、第３図はこの実施例の舌片部
ｄの拡大図である。 １……アルミナ基板、２Ａ，２Ｂ……金属シヤ
ーシ、３……導体回路、４……チツプ部品、５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ……舌片部、ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ……半田付部、Ａ，Ｂ……舌片部
の寸法、Ｘ，Ｙ……熱応力の働く方向、ｘ，ｙ…
…舌片がたわむ方向。
Claims (1)
- 主平面に導体回路を有し、かつ前記導体回路の
所定位置に電子機器部品が搭載されている絶縁物
基板と、金属シヤーシと、前記金属シヤーシの複
数の所定箇所が切り欠かれて、自由端側が幅広で
あつて、幅狭部側にて前記金属シヤーシと連続す
るよう形成されている舌片部とを有し、前記絶縁
物基板の前記導体回路が前記金属シヤーシの前記
舌片部の幅広部側に接続されて、前記金属シヤー
シと前記絶縁物基板とが固着されていることを特
徴とする回路用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980050650U JPH0113435Y2 (ja) | 1980-04-14 | 1980-04-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980050650U JPH0113435Y2 (ja) | 1980-04-14 | 1980-04-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56154094U JPS56154094U (ja) | 1981-11-18 |
| JPH0113435Y2 true JPH0113435Y2 (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=29645578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980050650U Expired JPH0113435Y2 (ja) | 1980-04-14 | 1980-04-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0113435Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-04-14 JP JP1980050650U patent/JPH0113435Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56154094U (ja) | 1981-11-18 |
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