JPH01134548A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPH01134548A
JPH01134548A JP62292893A JP29289387A JPH01134548A JP H01134548 A JPH01134548 A JP H01134548A JP 62292893 A JP62292893 A JP 62292893A JP 29289387 A JP29289387 A JP 29289387A JP H01134548 A JPH01134548 A JP H01134548A
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JP
Japan
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data
partial
check bit
register
write data
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Application number
JP62292893A
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English (en)
Inventor
Yuji Kawazu
河津 裕治
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 多数のメモリバンクを備えパイプライン制御により高速
にアクセスする記憶装置において、データの部分書込み
アクセスのための構成を備えた記憶装置に関し、 部分書き込みの各種データを保持する多段のシフトレジ
スタに部分書き込みデータを保持させないようにして回
路構成を簡単化する記憶装置を提供することを目的とし
、  ・ nバイトのデータを1アクセスの単位として読書きする
メモリバンクを複数個備えパイプライン制御により多重
にアクセスし、エラーの検出および訂正のためのチェッ
クビットを付加して記憶する記憶装置において、記憶デ
ータの一部書き換え指令により与えられた部分書き込み
データと部分書き込み位置情報をうけとるレジスタと、
部分書き込みデータと部分書き込み位置情報とにより部
分チェックビットを作成する部分チェックビット作成部
と、該部分チエツクピットと部分書き込み位置情報とを
原データが読出されるまで保持するシフトレジスタと、
記憶装置から読出した原データのうち部分書込み位置情
報により書き換えられない位置のデータについて発生し
たチェックビットと前記部分チエツクピットとにより書
き換え後のデータのチェックビットを合成するチェック
ビット合成部とを備えるよう構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、多数のメモリバンクを備えパイプライン制御
により高速にアクセスする記憶装置において、データの
部分書込みアクセスのための構成を備えた記憶装置に関
する。
近年、記憶装置の発展はめざましいものがあり、半導体
メモリの大容量化と高速化が図られている。
しかし、メモリの記憶素子の速度はプロセッサ(中央処
理装置)の速度に比して遅いため、実効的にメモリアク
セス時間を高速化するための技術が採用されている。そ
の技術の中にメモリバンクを複数個設け、インターリー
ブ方式(メモリアドレスを順次異なるメモリバンクに割
り当てる方式)によるメモリアクセスをパイプライン制
御方式で実行する方式がある。
そのような方式の記憶装置に対し、記憶されたデータの
一部分を書き換える動作を実行する場合、初めに記憶装
置から該当するデータを読出しくリードREAD)で、
その読み出したデータの一部を指令により与えられた一
部書き込みデータにより置き換えて、その置き換えられ
たデータからエラー訂正および検出のためのチェックビ
ットを作成し、前記ライトデータとともに記憶装置に書
き込む(ライト:WRITE)動作が行われており、前
記データの一部分を書き換える動作を実行する際にチェ
ックビットの発生のための構成を改善することが要望さ
れていた。
[従来の技術] 従来例のブロック構成を第3図に示す。
第3図において、30は多数のノ輸トからなる部分書き
込み指示データが設定されるライトデータレジスタ、3
1−1〜31−mは各々がレジスタ30と同一の記憶容
量のレジスタであり全体でシフトレジスタを構成する、
32は部分書き込みデータ結合回路、33−1.33−
2はチェックビット作成回路、34−1〜34〜nはラ
イトデータ選択回路、35−1〜35nhメモリライト
データレジスタ、36−1〜36nはメモリバンク1〜
n、37−1〜37−nはメモリリードレジスタ、38
はリードデータ選択回路、39はエラー検出訂正回路を
表す。
第3図の構成による部分書き込み動作を以下に説明する
。
まず、中央処理装置からメモリ制御装置(図示せず)を
介して部分書き込みアクセスが発生すると、ライトデー
タレジスタ30には部分書き込みデータDp(パリティ
ビットを含む)、書き込み位置情報BM(1アクセスで
nバイトデータを読み書きする場合、一部書き換えの対
象となるバイト位置に育効の表示をし、他のバイト位置
に無効の表示をするnビットのバイトマークと称する情
報)、およびnビットのパリティビットPが設定される
。
この時記憶装置は図示しないアドレス制[1と読み出し
制御線とが駆動されて原データ(書き換えの対象となる
データ)の読み出し動作が対応するアドレスのメモリバ
ンクに対し開始される。
一方、記憶装置のメモリサイクルは中央処理装置のサイ
クルタイムに比較して遅いので、記憶装置に読み出しア
クセスを開始して読み出しデータが出力するまでに中央
処理装置からは次々とメモリに対してアクセスが行われ
る。そのために記憶装置はメモリバンクをn(l!備え
て、インターリ一ピング方式が採用され、異なるメモリ
バンク間では同時並列にアクセス動作が行われる。
部分書き換えアクセスによりレジスタ30に設定された
各データは、原データがメモリバンクから直ぐに読み出
されないので、シフトレジスタ31−1〜31−mを中
央処理装置のサイクルで並行(多数ビット力すして順次
シフトし遅延回路として機能する。そして、メモリバン
ク36の1つ、例えばメモリバンク1  (36−1)
からメモリリードレジスタl  (37−1>に読み出
しデータが出力してセットされると、そのタイミングで
シフトレジスタ31−mに部分書き換えデータがセット
される。
メモリリードレジスタ1  (37−1)の内容はリー
ドデータ選択回路38を通ってエラー検出訂正回路39
においてチェックビットを用いてエラーの検出動作と訂
正動作を行い、正しいデータDaを部分書き込みデータ
結合回路32に供給し、シフトレジスタ31−mからの
部分書き込み位置情報BMに基づいて読み出しデータD
aと部分書き込みデータDpとを結合する。
この場合、部分書き込み位置情報BMにより無効表示が
されたバイト位置にデータDaのバイトはそのまま新デ
ータに使われ、有効表示がなされたバイト位置に部分書
き込みデータDpが新データに組み込まれる。
この結合された書き換え済データはチェックビット作成
回路33−1に供給されて、チェックビットを作成し、
データと共にライトデータ選択回路34−1  (メモ
リバンクl用)を通ってメモリライトデータレジスタ3
5にセントされて、書き込み動作が行われる。なお、チ
ェックビット作成回路33−2はアクセスするデータの
全体を書き換える場合に使用する(読み出す必要がない
場合)。
[発明が解決しようとする問題点] 従来例の構成によれば、部分書き込みアクセスの処理は
メモリリードアクセスおよびリードデータの訂正が終了
するまでの間部分書き込みデータを保持しておかなけれ
ばならない。
ところが、上記したように部分書き込みの各種データ(
部分書き込みデータDp、部分書き込み位置情報BM、
パリティビットPよりなる)は、例えば8バイト構成の
記憶装置の場合、部分書き込みデータDpは最大8バイ
ト、部分書き込み位置情報BMが8ビツト、パリティビ
ットが8ビツトの計10バイト(80ビツト)となり、
それをシフトするレジスタの回路量は真人となる。
そして近年の半導体技術の向上およびシステム性能の向
上によるマシンクロックの高速化によってさらにシフト
レジスタ段を増大させる必要性が増す傾向にあり、回路
構成が大型化、複雑化するという問題があった。
本発明は部分書き込みの各種データを保持する多段のシ
フトレジスタに部分書き込みデータを保持させないよう
にして回路構成を簡単化する記憶装置を提供することを
目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明の基本的構成を第1図に示す。
第1図において、lは部分書き込み位置情報がセットさ
れるレジスタ、2は部分書き込みデータがセットされる
レジスタ、3は部分チェックビット作成部、4−1〜4
−6はレジスタlの内容をシフト保持する多段(図の場
合6段)のシフトレジスタ、5−1〜5−6は部分チェ
ックビット(CHp)をシフト保持する多段のシフトレ
ジスタ、6は書き込みデータ選択回路、7は書き込みデ
ータレジスタ、8はメモリバンク、9は読み出しデータ
レジスタ、10は読み出しデータ選択回路、11はエラ
ー検出訂正回路、12はチェックビット合成部を表す。
なお、この第1図には図示省略されているが他に多数の
メモリバンクと関連する構成を備える。
本発明は部分書き込みデータについては、最初に部分チ
ェックビット作成部3により当該書き込みデータが関係
する部分に対してチェックビットを作成し、部分書き込
みデータDpは書き込みデ−タレジスタフにセットして
おき、部分書き込み位置情報BMと部分チェックビット
CHpだけを各々のシフトレジスタ4.5によりシフト
して、読出しデータが出力されたら、その中の書き換え
の対象に入ってないデータによりチェックビットを作成
しそのチエツクピットと前記部分チェックビットとを組
み合わせて新たな書き込みデータのチェックビットを合
成し、書き換え対象外のデータとともに書き込みデータ
レジスタにセットするものである。
[作用] 部分書き込み位置情報が端子Xに入力してレジスタ1に
セットされ、部分書き込みデータが端子yに入力してレ
ジスタ2にセットされる。この場合、人力するデータは
バスから並列にセントされる。
また書き換えの対象となるデータ(原データ)の読み出
しアクセスが図示しない回路(従来と同様対応するアド
レスの読み出し制御線を駆動する)においてされる。
部分チェックビット作成部3はレジスタ1.2にデータ
がセントされると直ちに部分書きこみデータについての
チェックビットを作成(複数バイトの各ビット位置の情
報を特定のパターンにより組み合わせて複数のチエツク
ピットを作成)する。
ただし、この時は部分書き込み位置情報BMにより指示
された部分書き込みデータだけを有効なデータとし、他
のバイト位置のデータは無効データ(オール“0′)と
して処理される。
作成された部分チェックビットCHpはシフトレジスタ
5−1に並列にセットされ、同時にシフトレジスタ4−
1にセットされた部分書き込み位置情報BMとともに処
理装置のマシンサイクルにより順次シフトされる。
部分チェックビット作成動作と並行して部分書き込みデ
ータDpは部分書き込み位置情報BMの指示により書き
込みデータ選択回路6において選択され、書き込みデー
タレジスタフの一部にセットされる。
原データの続出出力が読み出しデータレジスタ9にセフ
)され読み出しデータ選択回路10を介してエラー検出
訂正回路11に入力し、読み出しデータ中のチエツクピ
ットを用いてエラー検出・訂正動作が行われて誤りのな
いデータ(これをDaという)をチェックビット合成部
12に供給するとともに書き込みデータ選択回路6に与
える。
原データがメモリバンクから読み出されるタイミングで
シフトレジスタ4.5の最終段4−6.5−6に部分書
き込み位置情報BMと部分チエツクピッt−CHpがシ
フトされ、部分書き込み位置情報BMはチェックビット
合成部12の有効データ選択回路121の制御信号とし
て入力され、原データDaのうち書き換えられない位置
(位置情報BMにより無効表示のバイト位置は原データ
がそのまま残る位置)のデータを選択してチェックビッ
ト作成回路122へ出力する。
チェックビット作成回路122では原データの書き換え
られない部分だけでチェックビットを作成し、その結果
をチェックビット合成回路123へ供給する。この時、
チェックビット合成回路123にはシフトレジスタ5の
最終段のレジスタ5−6から部分チェックビットCHp
が入力されているので2つのチエツクピットを排他的論
理和をとることにより書き換え後のデータ全体のチエツ
クピット(これをCHという)を合成して出力する。
このチェックビットCHは書き込みデータ選択回路6を
介して書き込みデータレジスタ7のチェックビットの所
定位置に格納される。また上記の書き込みデータ選択回
路6に供給された原データDaはシフトレジスタ4−6
から出力されている部分書き込み位置情報BMの反転情
報により選択されて、書き換えが行われる部分以外の位
置のデータを有効として書き込みデータレジスタフにセ
ットされる。
これにより、原データを部分的に書き換えた新たなデー
タがチェックビットとともに書き込みデータレジスタ7
に格納され、その内容が元のアドレスに書き込まれる。
この構成の場合、シフトレジスタ4.5の各々の各段は
、部分書き込み位置情報を保持するためビット数(8バ
イトを読み書きする場合、8ビツトで位置指定できる)
と、部分チェックビットのビット数(8バイトデータに
対し、例えば8ビツトのチェックビット)の容量で足り
、従来のように多バイト(例えば8バイト)のデータを
シフトするためのシフトレジスタは必要なくなった。
[実施例] 本発明の実施例の構成を第2図(alに示し、そのなか
の部分チェックビット合成部の構成を第2図(blに示
し、エラーチエツクおよびチェックビット合成部の構成
を第2図(C1に示す。
第2図(alにおいて、21〜29は上記第1図の符号
1〜9に対応するものであり、21は部分書き込み位置
情報がセットされるレジスタ、22は部分書き込みデー
タを含むライトデータがセットされるレジスタ、23は
部分チェックビット作成部、24−1〜24−mはレジ
スタ1の内容をシフト保持する多段(図の場合6段)の
シフトレジスタ、25−1〜25−mは部分チェックビ
ット(CHp)をシフト保持する多段のシフトレジスタ
、26−1〜26−nはライトデータセレクタ、27−
1〜27−nはライトデータレジスタ、281〜28−
nはメモリバンク、29−1〜29−nはリードデータ
レジスタ、40はリードデータセレクタ、41はエラー
チエツク・チェックビット作成部を表す。
第2図+8)の基本的動作は第1図の基本的構成の作用
の説明と同様である。
動作の概略を説明すると、部分書き込みが指示されると
、原データのリード(読み出し)アクセスが行われると
ともに部分書き込み位置情報(8ビツト)BMと部分書
き込みデータ(パリティビットを含む)が各々レジスタ
21.22に入力する。
そして、部分チェックビット作成部23において部分チ
エツクピッ)CHpが作成され、部分チエツクビン)C
Hpはシフトレジスタ25の初段にセントされ、部分書
き込み位置情報はシフトレジスタ24の初段にセントさ
れる。
また、部分書き込みデータはチェックビット作成部23
を通うてライトデータセレクタ26において部分書き込
み位置情報BMにより指定されてライトデータレジスタ
27の位置にセットされる。
部分チェックビット作成部23の構成は第2図中)に示
され、同図において部分書き込みデータはライトデータ
の各バイト0〜nの位置に入力され、部分書き込み位置
情報BMは各バイト位置の有効位置指示ビット0〜nに
より構成され、ライトデータの各バイト毎のデータと有
効位置指示ビットは同じバイト対応に設けられたデータ
固定回路61−1〜61〜nに入力する。データ固定回
路6i−t〜61−nはいずれも有効位置指示ビットが
“01の場合(部分書き込みデータが与えられないバイ
ト位置の場合)は、その出力としてオール“0゛のバイ
ト出力を発生し、有効位置指示ビットが“l“のときは
入力されたライトデータバイトをそのまま出力する。
第2図(blのチェックビット発生回路62はn個のデ
ータ固定回路61−1〜61−nからの各バイトデータ
に対し、予め定められたビットパターンの組み合わせ(
誤り検出・訂正符号のアルゴリズムによる)によりチェ
ックビットを発生する。
但し、この場合は特定の部分書き込みデータについての
チェックビットが発生する。
次に第2図talの動作説明に戻ると、リードアクセス
が行われたメモリバンクから原データが読み出されてリ
ードデータレジスタ29に格納されると、リードデータ
セレクタ40において対応するメモリバンクのリードデ
ータレジスタ29が選択され(別の図示しないバンク選
択信号による)て当該リードデータがエラーチエツク・
チェックビット作成部41に供給される。
該エラーチエツク・チェックビット作成部41の構成は
第2図(C)に示されている。
この構成において、50はチェックビット合成部路、5
1はシンドローム発生回路、52はエラ−検出・訂正回
路、53はデータ固定回路、54は部分チェックビット
作成回路、55は全チェックビット作成回路を表す。
第2図(C)の動作を説明すると、チェックビット作成
回路50は第2図(alのリードデータセレクタ40か
ら出力されたり−ドデータを線路400がら受は取って
チェックビットを作成し、得られたチェックビットはシ
ンドローム発生回路51に供給する。このシンドローム
発生回路51においてリードデータ中のチェックビット
(メモリ中にデータとともに記憶されていたチェックビ
ット)を線路410から入力されて両チェックビットに
基づいてシンドローム(公知の誤りビットの訂正に用い
るビットパターン)を作成し、その出力をエラー検出・
訂正回路52に供給することによりリードデータの誤り
がこの回路52において訂正される。
一方、線路400からチェックビット作成回路50を通
ったリードデータの各バイトデータは各々データ固定回
路53−1〜53−8の対応する入力に供給される。こ
のデータ固定回路53は第2図(blに示したデータ固
定回路と同じ機能を有し、ただし有効位置指示ビットが
“1”の時出力に60″のバイト出力を発生する点が異
なる。
データ固定回路53の各回路の他の入力は第2図fat
のシフトレジスタ24の最終段24−mから出力される
部分書き込み位置情報BMの出力である有効位置指示ビ
ットO〜7である。従ってこのデータ固定回路53−1
〜53−8からはリードデータ(原データ)の中で部分
書き込みの対象にならないバイト位置のデータが出力さ
れ、次に部分チェックビット作成回路54に供給される
。
部分チェックビット作成回路54では入力された部分デ
ータ(部分書き込みに影響されないデータ)についてチ
ェックビットを作成する(実際は全バイトデータが入力
されるがその一部のバイトデータはオール“O”である
)。
なお、シンドローム発生回路51からの出力が部分チェ
ックビット作成回路54に供給されるが、これは固定デ
ータ回路53から入力される部分書き込みの対象になら
ないバイト位置のデータを訂正するために使用される。
部分チェックビット作成回路54の出力は第2図+a+
のシフトレジスタ25の最終段25−mの出力である書
き込みデータの部分チェックビットとともに全チェック
ビット作成回路55に入力されて、両者の排他的論理和
(EXOR)演算が論理回路により行われて、部分書き
込み後のデータ(書き込み用データ)のチェックビット
が作成され、第2図talのライトデータセレクタ26
を介してライトデータレジスタ27に格納される。この
時エラー検出・訂正回路52の出力である訂正済のリー
ドデータ(全バイト)も第2図(alのライトデータセ
レクタ26に入力し、この時供給される部分書き込み位
置情報BMの反転情報により書き込みの対象以外のバイ
ト位置のデータだけをライトデータレジスタ27に格納
する。
ライトデータレジスタに書き換えられたデータとそのチ
ェックビットが格納されるとその全データはメモリバン
クの元のアドレスに書き込まれる。
[発明の効果] 本発明によれば部分書き込みアクセスの際に部分書き込
み用データを遅延させてお(ための大量のシフトレジス
タを省くことができ、記憶装置の構成において大幅な回
路を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本的構成を示す図、第2図(alは
本発明の実施例の構成を示す図、第2図(b)は部分チ
ェックビット作成部の構成を示す図、第2図(C1はエ
ラーチエツク・チェックビット作成部の構成を示す図、
第3図は従来例の構成を示す図である。 第1図中、 1:レジスタ(部分書き込み位置情報用)2:レジスタ
(部分書き込みデータ用)3:部分チェックビット作成
部 4−1〜4−68シフトレジスタ 5−1〜5−6:シフトレジスタ 6:書き込みデータ選択回路 7:書き込みデータレジスタ 8:メモリバンク 9:読み出しデータレジスタ 10:読み出しデータ選択回路 11:エラー検出訂正回路 12:チエツクピット合成部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 nバイトのデータを1アクセスの単位として読書きする
    メモリバンクを複数個備えパイプライン制御により多重
    にアクセスし、エラーの検出および訂正のためのチェッ
    クビットを付加して記憶する記憶装置において、 記憶データの一部書き換え指令により与えられた部分書
    き込みデータと部分書き込み位置情報をうけとるレジス
    タ(2、1)と、 部分書き込みデータと部分書き込み位置情報とにより部
    分チェックビットを作成する部分チェックビット作成部
    (3)と、 該部分チェックビットと部分書き込み位置情報とを原デ
    ータが読出されるまで保持するシフトレジスタ(4、5
    )と、 記憶装置から読出した原データのうち部分書込み位置情
    報により書き換えられない位置のデータについて発生し
    たチェックビットと前記部分チェックビットとにより書
    き換え後のデータのチェックビットを合成するチェック
    ビット合成部(12)とを備えることを特徴とする記憶
    装置。
JP62292893A 1987-11-19 1987-11-19 記憶装置 Pending JPH01134548A (ja)

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JP62292893A JPH01134548A (ja) 1987-11-19 1987-11-19 記憶装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007305105A (ja) * 2006-04-10 2007-11-22 Toshiba Corp メモリコントローラ
US8245110B2 (en) 2006-01-31 2012-08-14 Fujitsu Limited Error correcting code generation method and memory control apparatus

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