JPH01136162A - 静電潜像担持体 - Google Patents
静電潜像担持体Info
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- JPH01136162A JPH01136162A JP29494687A JP29494687A JPH01136162A JP H01136162 A JPH01136162 A JP H01136162A JP 29494687 A JP29494687 A JP 29494687A JP 29494687 A JP29494687 A JP 29494687A JP H01136162 A JPH01136162 A JP H01136162A
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- electrostatic latent
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は非晶質シリコン（以下ａ−５ｉと略記する）を
主成分とする光導電層を備えた静電潜像担持体に関する
。
主成分とする光導電層を備えた静電潜像担持体に関する
。
（ロ）従来の技術
通常この種担持体は導電性の円筒形をなす支持体表面に
、＆−５ｉを主成分とする光＃＃電層を積層形成して構
成される。＊−５ｉを主成分とする光導電層はＳｓ、Ｃ
ｄＳを主成分とする旧来の光導電層と比軟して耐熱性、
耐摩耗性に冨み無公害である等の利点を有しており、そ
の開発が進められている。所るｍ−３ｉを主成分とする
光導電層表面抵抗はＨ２ＯあるいはＮＨ５を含む減圧下
で大幅に変化し、安定性に欠ける。そのために一般には
光導電層の表面保護を目的として表Ｉｌｆ［ｉ鳩を設け
た積層構造が用いられている。この表面層は可視光域で
透過率が高く、かつ高抵抗であることが必要条件である
。そこで、これまではａ−５ｉに０、Ｃ％Ｎｅｔ添加し
たａ−５ｉＯ１ａ−ＳｉＣ１＠−５ｉＮ等が検討されて
いる（１４子写真学会誌第２６巻第２ＪＩ！Ｉ（１９８
７）第６２頁乃至第６８頁）。
、＆−５ｉを主成分とする光＃＃電層を積層形成して構
成される。＊−５ｉを主成分とする光導電層はＳｓ、Ｃ
ｄＳを主成分とする旧来の光導電層と比軟して耐熱性、
耐摩耗性に冨み無公害である等の利点を有しており、そ
の開発が進められている。所るｍ−３ｉを主成分とする
光導電層表面抵抗はＨ２ＯあるいはＮＨ５を含む減圧下
で大幅に変化し、安定性に欠ける。そのために一般には
光導電層の表面保護を目的として表Ｉｌｆ［ｉ鳩を設け
た積層構造が用いられている。この表面層は可視光域で
透過率が高く、かつ高抵抗であることが必要条件である
。そこで、これまではａ−５ｉに０、Ｃ％Ｎｅｔ添加し
たａ−５ｉＯ１ａ−ＳｉＣ１＠−５ｉＮ等が検討されて
いる（１４子写真学会誌第２６巻第２ＪＩ！Ｉ（１９８
７）第６２頁乃至第６８頁）。
？９ 発明が解決しようとする問題点
然し乍ら、静電潜像担持体が組込まれる静電複写機、静
電プロッタ、レーデプリンタ、ＬＥＤプリンタ等の静電
記録装置くあってはその使用中のコロナ放電により発生
する０イオンやＮイオンの影響で、上記ａｍ８ｉ系の表
面層に親水性の物質が生成されるために、高鉦度下では
像流れ現像が発生する。従って、本発明は祈る像流れ現
像による画像劣化を解決しようとするものである。
電プロッタ、レーデプリンタ、ＬＥＤプリンタ等の静電
記録装置くあってはその使用中のコロナ放電により発生
する０イオンやＮイオンの影響で、上記ａｍ８ｉ系の表
面層に親水性の物質が生成されるために、高鉦度下では
像流れ現像が発生する。従って、本発明は祈る像流れ現
像による画像劣化を解決しようとするものである。
に）問題点を解決するための手段
本発明静電潜像担持体は、上記問題点を解決すべく、等
電性表面を有する支持体上に、少なくともａ−８ｉ’ｉ
主成分とする光導電層を配置すると共に％該光尋電層の
表面側に非晶質窒化アルミニウム（以下ａ−ＡＡＮと略
記する）を主成分とする最′Ａ面層を設けることを特徴
とする。
電性表面を有する支持体上に、少なくともａ−８ｉ’ｉ
主成分とする光導電層を配置すると共に％該光尋電層の
表面側に非晶質窒化アルミニウム（以下ａ−ＡＡＮと略
記する）を主成分とする最′Ａ面層を設けることを特徴
とする。
（ホ）作 用
上述の如く光導電層の表曲側Ｋｌ−ＡＬＮｔ主成分とす
る最表面層を設けることによって、コロナ放電による０
イオンやＮイオンに曇されても親水性の物質を生成する
に至らない。
る最表面層を設けることによって、コロナ放電による０
イオンやＮイオンに曇されても親水性の物質を生成する
に至らない。
（へ）実施例
９６１図は本発明静電潜像担持体の第１＊施例を示す模
式的断面図、第２図は祈る第１実施例の担持体における
正帯電時のエネルギバンド図を示している。
式的断面図、第２図は祈る第１実施例の担持体における
正帯電時のエネルギバンド図を示している。
（１）はアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス
等の金属材料やガラス、耐熱性プラスチック等の絶縁材
料や＊面に導電コーティングが嵐され導電性表面が付与
された支持体、（２）は該支持体（１）の導電性表面に
形成され九ａ−５ｉｔ−主収分とする阻止層、（３）は
該阻止層（２）表面く形成された同じ＜ ａ−８ｉを主
成分とする光導電層、（４）は該光導電層（３）表面に
形成され九１−Ａ ＡＮを主成分とする表面層で、本発
明の主たる特徴点は当該ａ −ＡＡＮの表面層１４）
Ｋ存在する。即ち、従来表面層１４１として検討されて
いるａ−５ｉ糸の材料は使用中のコロナ放電により親水
性の大きいＳｉｎ、ＳｉＮ等に変質されたり、その親水
性が助長されていた、と予想される。これに対し、本発
明の表面層（４）ＩＣ用いられるｍ−ＡＬＮはコロナ放
電によるＯイオンやＮイオンの影響を受けて親水性の大
きいＳｉｎ、ＳｉＮ等に変質されるべきＳｉ元素を含ん
でいないために、祈るコロナ放電により表面層（４）は
親水性に変質されることはない。更に、当該ａ−ＡＡＨ
の材料自体、他の表面層として検討されている＠−８ｉ
系の材料（ａ−５ｉＯ１ａ −Ｓｉ Ｃｓ ”−Ｓ
ｔ Ｎ ）が持つ各元素間の結合エネルギは、Ｉｔ−Ａ
ＬＮがＡ Ｌ−Ｎ＝２６６ ＫｃａＬ／ｒｎｏＬである
のに対し、１−５ｉ系では、５ｉ−８ｉ ＝７５ Ｋｃ
＊Ｌ／ｍｏｂ、Ｓ １−０−１８５ＫｃａＬ／ｍｏＬ、
Ｓ １−Ｃ＝５０ＫｃａＡ／ｍｏ４Ｓ １−Ｎ＝１０４
ＫＣＩｔ／ｍｏＡと、大きな数値を持つことからコロ
ナ放電による変質が起こりＫくい。また、１−ＡＬＮは
高品度下でも安全であり、熱伝導率が大きく、かつ絶縁
性にも優れている。代表的な物性定数を示せば、比誘電
率約８．５、抵抗率１０１４ｓ 〜１０ Ω・口、光学的禁止帯幅約６．２ｅＶと、静
電潜像担持体の表面層として極めて優れた特性を持ち、
例えば１００八〜５μｍ、好ましくは１００Ａ−ｉ！Ｓ
、ａｍ、更に好ましくは２００Ａ 〜１μｍの厚みに設
定される。
等の金属材料やガラス、耐熱性プラスチック等の絶縁材
料や＊面に導電コーティングが嵐され導電性表面が付与
された支持体、（２）は該支持体（１）の導電性表面に
形成され九ａ−５ｉｔ−主収分とする阻止層、（３）は
該阻止層（２）表面く形成された同じ＜ ａ−８ｉを主
成分とする光導電層、（４）は該光導電層（３）表面に
形成され九１−Ａ ＡＮを主成分とする表面層で、本発
明の主たる特徴点は当該ａ −ＡＡＮの表面層１４）
Ｋ存在する。即ち、従来表面層１４１として検討されて
いるａ−５ｉ糸の材料は使用中のコロナ放電により親水
性の大きいＳｉｎ、ＳｉＮ等に変質されたり、その親水
性が助長されていた、と予想される。これに対し、本発
明の表面層（４）ＩＣ用いられるｍ−ＡＬＮはコロナ放
電によるＯイオンやＮイオンの影響を受けて親水性の大
きいＳｉｎ、ＳｉＮ等に変質されるべきＳｉ元素を含ん
でいないために、祈るコロナ放電により表面層（４）は
親水性に変質されることはない。更に、当該ａ−ＡＡＨ
の材料自体、他の表面層として検討されている＠−８ｉ
系の材料（ａ−５ｉＯ１ａ −Ｓｉ Ｃｓ ”−Ｓ
ｔ Ｎ ）が持つ各元素間の結合エネルギは、Ｉｔ−Ａ
ＬＮがＡ Ｌ−Ｎ＝２６６ ＫｃａＬ／ｒｎｏＬである
のに対し、１−５ｉ系では、５ｉ−８ｉ ＝７５ Ｋｃ
＊Ｌ／ｍｏｂ、Ｓ １−０−１８５ＫｃａＬ／ｍｏＬ、
Ｓ １−Ｃ＝５０ＫｃａＡ／ｍｏ４Ｓ １−Ｎ＝１０４
ＫＣＩｔ／ｍｏＡと、大きな数値を持つことからコロ
ナ放電による変質が起こりＫくい。また、１−ＡＬＮは
高品度下でも安全であり、熱伝導率が大きく、かつ絶縁
性にも優れている。代表的な物性定数を示せば、比誘電
率約８．５、抵抗率１０１４ｓ 〜１０ Ω・口、光学的禁止帯幅約６．２ｅＶと、静
電潜像担持体の表面層として極めて優れた特性を持ち、
例えば１００八〜５μｍ、好ましくは１００Ａ−ｉ！Ｓ
、ａｍ、更に好ましくは２００Ａ 〜１μｍの厚みに設
定される。
尚、阻止層（２）は、０．２〜１０μｍ、好ましくはα
５〜７μｍ％叉に好ましくは１〜５μｍの厚さに構成さ
れており、支持体（１１からの電子、正孔のあっては周
期律表の第■族に属する元素を、また正孔の注入を阻止
する場合には周期律表の＠Ｖ族に属する元素をドーピン
グして構成される。一方、光導電層（３）は、厚さ４〜
４０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍ、更に好ましくは
２０〜３０μｍの程度の厚さに積層され、必要に応じて
アモルファスＳｔの抵抗値を高めるべく若干の酸素、窒
素、炭素等がドーピングされる。
５〜７μｍ％叉に好ましくは１〜５μｍの厚さに構成さ
れており、支持体（１１からの電子、正孔のあっては周
期律表の第■族に属する元素を、また正孔の注入を阻止
する場合には周期律表の＠Ｖ族に属する元素をドーピン
グして構成される。一方、光導電層（３）は、厚さ４〜
４０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍ、更に好ましくは
２０〜３０μｍの程度の厚さに積層され、必要に応じて
アモルファスＳｔの抵抗値を高めるべく若干の酸素、窒
素、炭素等がドーピングされる。
％３図及び第４図は本発明静電潜像担持体の第２１４施
例を示しており、第１天施例を示す第１図及び第２図と
対応し、模式的断面及びエネルギバンドを表わしている
。即ち、第２英施例は光導電層（３）上に直接１−ＡＡ
Ｎの表面層ｔ４＞を形成するのではなく、両層（３）１
４）闇の光学的禁止帯幅が急故に変化するのを抑圧する
ために％ａ−８ｉに０、Ｃ１Ｎを添加した中間層＋５）
が配挿されている。
例を示しており、第１天施例を示す第１図及び第２図と
対応し、模式的断面及びエネルギバンドを表わしている
。即ち、第２英施例は光導電層（３）上に直接１−ＡＡ
Ｎの表面層ｔ４＞を形成するのではなく、両層（３）１
４）闇の光学的禁止帯幅が急故に変化するのを抑圧する
ために％ａ−８ｉに０、Ｃ１Ｎを添加した中間層＋５）
が配挿されている。
第５図及び第６図は第６実施例を示している。
即ち、第３実施例は阻止層（６）として第１実施例の１
−８ｉを主成分とする阻止層（２）に代って、表面層＋
４）と同じａ −Ａ ｔＮを用いたものである。
−８ｉを主成分とする阻止層（２）に代って、表面層＋
４）と同じａ −Ａ ｔＮを用いたものである。
第７図乃至第１０図は更に本発明静電潜像担持体の変形
例を示している。
例を示している。
ａ−ＡｔＮは各原子の混合比を変えることＫよってより
最適な素子構造が実現できる。そこで、第７図は表面側
に向かってＮを増加させた場合の変形例であり、第８図
はまず＠−５ｉを主成分とする表面層＜５）中のＮを表
面側に向かって増加させ。
最適な素子構造が実現できる。そこで、第７図は表面側
に向かってＮを増加させた場合の変形例であり、第８図
はまず＠−５ｉを主成分とする表面層＜５）中のＮを表
面側に向かって増加させ。
次にａ −Ａ ｔＨの表面層１４）中のＮｔ−表面側に
向かって増加させて最表面近傍は一定の濃度を保持した
場合の変形例である。第９図は＊−５ｉｆ：主成分とす
る表面層キ５）は一定として、次にａ−ＡｔＮの表面層
＋４１中のＮを表面側に向かって増加させた場合のｆ杉
例である。更に、第１０図はａ−ｓｉを主成分とする表
面層（５）と、５ｌ−ＡＡＮの表ｒＭ層（４）中のＮを
それぞれ最適化することによって表面層！５）と表面層
（４）をできるだけなめらかに接続した変形例である。
向かって増加させて最表面近傍は一定の濃度を保持した
場合の変形例である。第９図は＊−５ｉｆ：主成分とす
る表面層キ５）は一定として、次にａ−ＡｔＮの表面層
＋４１中のＮを表面側に向かって増加させた場合のｆ杉
例である。更に、第１０図はａ−ｓｉを主成分とする表
面層（５）と、５ｌ−ＡＡＮの表ｒＭ層（４）中のＮを
それぞれ最適化することによって表面層！５）と表面層
（４）をできるだけなめらかに接続した変形例である。
次に第１１図に示された製造装置に基づいて本発明静電
潜像担持体の具体的実施例１〜実施例２について説明す
る。
潜像担持体の具体的実施例１〜実施例２について説明す
る。
（実施例１）
原料ガスが等大される密封容器（６１内に中空円筒状の
放電電極（７）を配置したプラズマＣＶＤ装置を利用し
、とのＣＶＤ装置の放電電極１７）内部に外周表−が清
浄化された導電性の支持体（１）ｔ−同心的に回転自在
に内挿する。このように支持体田を密封容器（６１内に
回転自在に装填した後、該密封容！ （６）内をロータ
リポンプ（８）及びメカニカルブースタ・ポンプ（９）
を稼妨させて１×１ｃｒ４気圧程度まで減圧排気する。
放電電極（７）を配置したプラズマＣＶＤ装置を利用し
、とのＣＶＤ装置の放電電極１７）内部に外周表−が清
浄化された導電性の支持体（１）ｔ−同心的に回転自在
に内挿する。このように支持体田を密封容器（６１内に
回転自在に装填した後、該密封容！ （６）内をロータ
リポンプ（８）及びメカニカルブースタ・ポンプ（９）
を稼妨させて１×１ｃｒ４気圧程度まで減圧排気する。
そして、上記支持体（１）をモータを介して回転させつ
つ支持体（１）の内部に挿入されているヒータ（図示せ
ず）ＩＩｃよって２００〜３００℃程Ｋまで昇温加熱す
るとともに、密封容器内ＫＳｉＨ４ガス及びＨ２ガスを
ベースとする３３２Ｈ６ガス、更に希釈用ガスとしてＨ
２ガスを尋人してガス圧をｌＸｌＣｒ”ｉ！Ｉｔ、圧程
度に保持する。このときＢ２Ｈ６ガスのＳｉＨ４ガス忙
対する混合比を約故ｔｏｏｏｐｐｍＮ故１００１００ｐ
ｐガスの希釈率（ＳｉＨ４／（ＳｉＨ４＋Ｈ２））を０
．１以上ニマスフローコントローラー（ＩＩＫより設定
制御する。この状態にて周［欽が１＆５６ＭＨ！の高周
波電力を高周波電１ｊＡ（社）から放電電極（７）を高
周波電位とし、支持体（１）をアース電位としたＱ、Ｉ
Ｗ／ｃｄ程度の高周波電力を印加して上記支持体（１）
と放電ｉ１極１７）との闇にプラズマを生起させ、上記
ＳｉＨ４ガス等の原料ガスを一定時間分解させ、支持体
（１）の表面に膜厚１〜５μｍの阻止層（２）が形成さ
れる。
つ支持体（１）の内部に挿入されているヒータ（図示せ
ず）ＩＩｃよって２００〜３００℃程Ｋまで昇温加熱す
るとともに、密封容器内ＫＳｉＨ４ガス及びＨ２ガスを
ベースとする３３２Ｈ６ガス、更に希釈用ガスとしてＨ
２ガスを尋人してガス圧をｌＸｌＣｒ”ｉ！Ｉｔ、圧程
度に保持する。このときＢ２Ｈ６ガスのＳｉＨ４ガス忙
対する混合比を約故ｔｏｏｏｐｐｍＮ故１００１００ｐ
ｐガスの希釈率（ＳｉＨ４／（ＳｉＨ４＋Ｈ２））を０
．１以上ニマスフローコントローラー（ＩＩＫより設定
制御する。この状態にて周［欽が１＆５６ＭＨ！の高周
波電力を高周波電１ｊＡ（社）から放電電極（７）を高
周波電位とし、支持体（１）をアース電位としたＱ、Ｉ
Ｗ／ｃｄ程度の高周波電力を印加して上記支持体（１）
と放電ｉ１極１７）との闇にプラズマを生起させ、上記
ＳｉＨ４ガス等の原料ガスを一定時間分解させ、支持体
（１）の表面に膜厚１〜５μｍの阻止層（２）が形成さ
れる。
祈る阻止層（２）の形成後、該阻止層形成と同じく第１
１図に示され九プラズマＣＶＤ装置１を用いて、光等電
層（３）′の形成を行なう。
１図に示され九プラズマＣＶＤ装置１を用いて、光等電
層（３）′の形成を行なう。
先ず、密封容器（６）内の伐餉ガスを排気すべく１０−
６気圧程度まで減圧する。そして原料ガスとしてＳｉＨ
４ガス、Ｈ２ガス、Ｈ２ガスをベースとし九Ｂ２Ｈ６ガ
ス′ｔ−導入する。今回の反応に於いてはガス圧はｌＸ
ｌ０ ’気圧程度に保持され、水素希釈率（ＳｉＨ為／
（！３ｉＨａ＋Ｈ２））は０゜１以上、Ｂ２）１６ガス
流菫比（Ｉｌｆ（６／（ＳｉＨ４＋Ｈ２Ｈ６））は０．
０１ ｐｐｍ 〜１０００ ｐｐｍ。
６気圧程度まで減圧する。そして原料ガスとしてＳｉＨ
４ガス、Ｈ２ガス、Ｈ２ガスをベースとし九Ｂ２Ｈ６ガ
ス′ｔ−導入する。今回の反応に於いてはガス圧はｌＸ
ｌ０ ’気圧程度に保持され、水素希釈率（ＳｉＨ為／
（！３ｉＨａ＋Ｈ２））は０゜１以上、Ｂ２）１６ガス
流菫比（Ｉｌｆ（６／（ＳｉＨ４＋Ｈ２Ｈ６））は０．
０１ ｐｐｍ 〜１０００ ｐｐｍ。
好ましくはα０１ｐｐｍ〜１１００ｐｐ、更に好ましく
はα０１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍになるようにマスフロ・コ
ントロークー（至）により設定制御される。この状急に
て周液数がＩＬ５６ＭＨｚの高周波電源Ｉから０．１Ｗ
／−程度の高周波電力を印加して一定時圏プラズマを生
起させ、前記阻止層（２）上に膜厚１〜２００μｍの光
導電層（３）が形成された。
はα０１ｐｐｍ〜１０ｐｐｍになるようにマスフロ・コ
ントロークー（至）により設定制御される。この状急に
て周液数がＩＬ５６ＭＨｚの高周波電源Ｉから０．１Ｗ
／−程度の高周波電力を印加して一定時圏プラズマを生
起させ、前記阻止層（２）上に膜厚１〜２００μｍの光
導電層（３）が形成された。
所る光導電層（３）の形成後、該光等電層（３）形成と
同じ＜！ｆｉ１１図に示されたプラズマＣＶＤ装置を用
いて、本発明の特徴であるｉｋ面層憾４）の形成を行な
う。
同じ＜！ｆｉ１１図に示されたプラズマＣＶＤ装置を用
いて、本発明の特徴であるｉｋ面層憾４）の形成を行な
う。
先ず、密封容器（６）内の伐蕾ガスを排気すべく１０−
６気圧程度まで減圧する。
６気圧程度まで減圧する。
そして原料ガスとしてＮＩＢガス、（ＣＨｓ）ｉＡＬガ
スを尋人する。ガス圧力は１×１０−ｓ気圧程度に保持
される。Ｎ）ＩＩｓＩ２ガス００％ＮＨ１で（ＣＨｓ）
！ｉＡＡガニｐ＜１ａｕ２でｆｅｒ釈ｆ；ｂｌｈ＆が多
く好ましくｆｌｌ ０〜３０％の濃度のガスを使用する
。ガスの流量比（ＣＨｓ ）ＢＡＡ／ＮＨ３はα０１〜
１００の範囲好ましくは０．１〜１０の範囲で選択され
マスフローコントローラー４１１により設定制御される
。この状急において１３．５６ＭＨ２の高周波電源曲か
らαＩＷ／−程度の高周波電力を一定時間印加してプラ
ズマを生起させ第１図厚は１００Ａ〜５μｍ好ましくは
１００Ａ〜３μｍ更に好ましくは２００Ａ〜１μｍＫ設
定される。
スを尋人する。ガス圧力は１×１０−ｓ気圧程度に保持
される。Ｎ）ＩＩｓＩ２ガス００％ＮＨ１で（ＣＨｓ）
！ｉＡＡガニｐ＜１ａｕ２でｆｅｒ釈ｆ；ｂｌｈ＆が多
く好ましくｆｌｌ ０〜３０％の濃度のガスを使用する
。ガスの流量比（ＣＨｓ ）ＢＡＡ／ＮＨ３はα０１〜
１００の範囲好ましくは０．１〜１０の範囲で選択され
マスフローコントローラー４１１により設定制御される
。この状急において１３．５６ＭＨ２の高周波電源曲か
らαＩＷ／−程度の高周波電力を一定時間印加してプラ
ズマを生起させ第１図厚は１００Ａ〜５μｍ好ましくは
１００Ａ〜３μｍ更に好ましくは２００Ａ〜１μｍＫ設
定される。
こうして得られた静電潜像担持体のトータル膜厚は１μ
ｍ〜２００μｍ１）ｆましくけ５μｍ〜６０μｍ更に好
ましくは１０μｍ〜６０μｍに設定される。この電子写
真特性は優れており静電記録装置において良好な画像が
得られた。また連続使用に対しても抜群の耐久性を発揮
し５０万枚までは初期性能が維持できた。
ｍ〜２００μｍ１）ｆましくけ５μｍ〜６０μｍ更に好
ましくは１０μｍ〜６０μｍに設定される。この電子写
真特性は優れており静電記録装置において良好な画像が
得られた。また連続使用に対しても抜群の耐久性を発揮
し５０万枚までは初期性能が維持できた。
（実施例２）
実施例１と同様の操作により導電性支持体（１）上に阻
止層（２）、光尋電８３１ ｔ−形成した後、第１１図
に示したプラズマＣＶＤ装置を用いて表面層１４１、（
５）の形成を行なう。
止層（２）、光尋電８３１ ｔ−形成した後、第１１図
に示したプラズマＣＶＤ装置を用いて表面層１４１、（
５）の形成を行なう。
先ず密封容器（６）内の残留ガスを排気すべく１０−６
気圧程度まで減圧する。そして原料ガスとしてＳｉＨ
４、Ｈ２ガス、ＮＨ５ガスを尋人する。
気圧程度まで減圧する。そして原料ガスとしてＳｉＨ
４、Ｈ２ガス、ＮＨ５ガスを尋人する。
ガス圧力はｌＸｌ０−５気圧程度に保持され、水素希釈
率（ＳｉＨ４／（Ｓｉ）１４＋１（２））はα１以上、
ガス流量比（ＮＨ！／（ＳｉＨ４＋ＮＨｓ））は１〜２
００％程度、好ましくは１０〜１７源Ｕυから０．１Ｗ
／−程度の高周波電力を一定時間（印加してプラズマを
生起させ、第６図に示し良知＜Ｓｉ、Ｎを主成分とする
非晶質膜の中間層（５）を形成する。続いて再度密封容
器（６）内の残照ガスを１０−６気圧程度まで減圧する
。そして原料ガスとしてＮｌ２、（ＣＨ３）ＢＡｔガｘ
ｔ−尋人する。
率（ＳｉＨ４／（Ｓｉ）１４＋１（２））はα１以上、
ガス流量比（ＮＨ！／（ＳｉＨ４＋ＮＨｓ））は１〜２
００％程度、好ましくは１０〜１７源Ｕυから０．１Ｗ
／−程度の高周波電力を一定時間（印加してプラズマを
生起させ、第６図に示し良知＜Ｓｉ、Ｎを主成分とする
非晶質膜の中間層（５）を形成する。続いて再度密封容
器（６）内の残照ガスを１０−６気圧程度まで減圧する
。そして原料ガスとしてＮｌ２、（ＣＨ３）ＢＡｔガｘ
ｔ−尋人する。
ガス圧力＃−ｔＩＸ１０’気圧程度に保持される。Ｎ１
、ｓガスは１００％ＮＨ３で（ＣＨ３）５ＡｔガスはＨ
２で希釈する場合が多く好ましくは１０〜６０％の濃度
のガスを使用する。ガスの流量比（ＣＨａ ） ３ Ａ
ｔ／ＮＨｓは０．０１〜１００（７）範囲好ましくはα
１〜１ｏの範囲で選択されマスフローコントローラーｔ
ｌ［）Ｋより設定制御される。この状１１において１３
．５６ＭＨｚの高周波電源（ｌυから０゜１Ｗ／−程度
の高周波電力を一定時間印加してプラズマを生起させ第
３図に示した如＜ｈｔ％Ｎを主成分とする非晶質膜の表
面層（４）を形成する。表面層の膜厚は各々１００Ａ〜
５μｍ好ましくは１００ Ａ〜５ ｐ ｍｊ！に好まし
くは２００Ａ 〜ＬａｍＫ設定される。
、ｓガスは１００％ＮＨ３で（ＣＨ３）５ＡｔガスはＨ
２で希釈する場合が多く好ましくは１０〜６０％の濃度
のガスを使用する。ガスの流量比（ＣＨａ ） ３ Ａ
ｔ／ＮＨｓは０．０１〜１００（７）範囲好ましくはα
１〜１ｏの範囲で選択されマスフローコントローラーｔ
ｌ［）Ｋより設定制御される。この状１１において１３
．５６ＭＨｚの高周波電源（ｌυから０゜１Ｗ／−程度
の高周波電力を一定時間印加してプラズマを生起させ第
３図に示した如＜ｈｔ％Ｎを主成分とする非晶質膜の表
面層（４）を形成する。表面層の膜厚は各々１００Ａ〜
５μｍ好ましくは１００ Ａ〜５ ｐ ｍｊ！に好まし
くは２００Ａ 〜ＬａｍＫ設定される。
こうして得られた静電潜像担持体のトータル膜厚は１μ
ｍ〜２００．＃ｍ好ましくは５μｍ〜６０μｍ更に好ま
しくは１０μｍ〜３０μｍＫ設定される。この電子写真
特性は優れて詔り静電記録装置に詔いて良好な画像が得
られた。また連続使用に対しても抜群の耐久性を発揮し
５０万枚までは初期性能が維持できた。いずれの場合も
ａ−ＡＡＮｔ−形成する時に存在するＣはＣＨ４となっ
て気体として排気され膜中にはほとんど存在しない。
ｍ〜２００．＃ｍ好ましくは５μｍ〜６０μｍ更に好ま
しくは１０μｍ〜３０μｍＫ設定される。この電子写真
特性は優れて詔り静電記録装置に詔いて良好な画像が得
られた。また連続使用に対しても抜群の耐久性を発揮し
５０万枚までは初期性能が維持できた。いずれの場合も
ａ−ＡＡＮｔ−形成する時に存在するＣはＣＨ４となっ
て気体として排気され膜中にはほとんど存在しない。
また場合によってはＲＦ電極＋７）と支持体（１）の闇
にメツシュ電極Ｕをセットしこれをアースにすることで
放電をＲＦ電極＋７）とメツシュ電極叫の間に閉じこめ
るようコントロールしてもよい。
にメツシュ電極Ｕをセットしこれをアースにすることで
放電をＲＦ電極＋７）とメツシュ電極叫の間に閉じこめ
るようコントロールしてもよい。
（ト）発明の効果
本発明静電潜像担持体は以上の説明から明らかな如く、
光等′＃ＩＬ層の表面側１（ａ−ＡｔＮを主成分とする
最表面層を設けることによって、コロナ放電によるＯイ
オンやＮイオンに暴されても親水性の物質を生成するに
至らないので、高湿度下でも像流れ現像は発生せず、品
質の高い良好な画像を得ることができる。
光等′＃ＩＬ層の表面側１（ａ−ＡｔＮを主成分とする
最表面層を設けることによって、コロナ放電によるＯイ
オンやＮイオンに暴されても親水性の物質を生成するに
至らないので、高湿度下でも像流れ現像は発生せず、品
質の高い良好な画像を得ることができる。
第１図及び第２図は本発明静電潜像担持体の第１実施例
を示し、第１図は模式的断面図、第２図はエネルギバン
ド図、第６図及び第４図は本発明の第２実施例を示し、
第３図は模式的断面図、第４図はエネルギバンド図、第
５図及び第６図は本発明の第６実施例を示し、第５図は
模式的断面図、第６図はエネルギバンド図、第７図乃至
第１０図は本発明の種々の変形例を示すエネルギバンド
図、第１１図は本発明静電潜像担持体の製造に好適に用
いられるプラズマＣＶＤ装置の模式図、を夫々示してい
る。 （１）・・・叉持俸、（２）・・・阻止層、（３）・・
・光等−層、（４）・・・表面層。
を示し、第１図は模式的断面図、第２図はエネルギバン
ド図、第６図及び第４図は本発明の第２実施例を示し、
第３図は模式的断面図、第４図はエネルギバンド図、第
５図及び第６図は本発明の第６実施例を示し、第５図は
模式的断面図、第６図はエネルギバンド図、第７図乃至
第１０図は本発明の種々の変形例を示すエネルギバンド
図、第１１図は本発明静電潜像担持体の製造に好適に用
いられるプラズマＣＶＤ装置の模式図、を夫々示してい
る。 （１）・・・叉持俸、（２）・・・阻止層、（３）・・
・光等−層、（４）・・・表面層。
Claims (2)
- （１）等電性表面を有する支持体上に、少なくとも非晶
質シリコンを主成分とする光導電層を配置すると共に、
該光導電層の表面側に非晶質窒化アルミニウムを主成分
とする最表面層を設けることを特徴とした静電潜像担持
体。 - （２）上記非晶質窒化アルミニウムを主成分とする最表
面層は表面に近づくほど光学的禁止帯の幅が大きいこと
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載の静電潜像担持
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29494687A JPH01136162A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 静電潜像担持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29494687A JPH01136162A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 静電潜像担持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136162A true JPH01136162A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17814327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29494687A Pending JPH01136162A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 静電潜像担持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136162A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007310300A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法、並びにプロセスカートリッジ、画像形成装置 |
| JP2007328099A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP29494687A patent/JPH01136162A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007310300A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及びその製造方法、並びにプロセスカートリッジ、画像形成装置 |
| JP2007328099A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
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