JPH01136356A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH01136356A JPH01136356A JP62295768A JP29576887A JPH01136356A JP H01136356 A JPH01136356 A JP H01136356A JP 62295768 A JP62295768 A JP 62295768A JP 29576887 A JP29576887 A JP 29576887A JP H01136356 A JPH01136356 A JP H01136356A
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- Japan
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- semiconductor element
- resin
- sealed
- semiconductor device
- sealing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体素子とリードとがボンディングワイヤに
より結線され、この半導体素子及びリードが樹脂により
封止された樹脂封止型半導体装置に関する。
より結線され、この半導体素子及びリードが樹脂により
封止された樹脂封止型半導体装置に関する。
［従来の技術］
従来の樹脂封止型半導体装置においては、第５図に示す
ように、半導体素子１とリード２とがボンディングワイ
ヤ３により結線されており、半導体素子１の周囲、ボン
ディングワイヤ３及びリード２の一部が樹脂４により封
止されている。
ように、半導体素子１とリード２とがボンディングワイ
ヤ３により結線されており、半導体素子１の周囲、ボン
ディングワイヤ３及びリード２の一部が樹脂４により封
止されている。
つまり、ワイヤボンディング式で半導体素子の搭載部を
有しない樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子
１と共に、半導体素子１とリード２との結線部分が樹脂
４に覆われて埋込まれている。
有しない樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子
１と共に、半導体素子１とリード２との結線部分が樹脂
４に覆われて埋込まれている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上述した従来の樹脂封止型半導体装置に
おいては、半導体素子１の周囲に加えて゛半導体素子１
とリード２との結線部分が樹脂４により封止されている
ため、熱放散性が悪く、半導体装置の作動時に、半導体
素子１から発生する熱により回路特性に異常が発生する
ことがある。
おいては、半導体素子１の周囲に加えて゛半導体素子１
とリード２との結線部分が樹脂４により封止されている
ため、熱放散性が悪く、半導体装置の作動時に、半導体
素子１から発生する熱により回路特性に異常が発生する
ことがある。
また、この熱により半導体素子１及びリード２と封止樹
脂４とが膨張すると、その相互間の熱膨張係数の差によ
り、これらの半導体素子１、リード２及び封止樹脂４に
応力が印加されるため、樹脂４及び半導体素子１にクラ
ックが発生しやすい。
脂４とが膨張すると、その相互間の熱膨張係数の差によ
り、これらの半導体素子１、リード２及び封止樹脂４に
応力が印加されるため、樹脂４及び半導体素子１にクラ
ックが発生しやすい。
このため従来の樹脂封止型半導体装置は信頼性が劣ると
いう問題点がある。
いう問題点がある。
更に、半導体素子ｌはリード２に対してボンディングワ
イヤ３を介してのみ支持された状態で樹脂封止されるの
で、この封止時に注入樹脂により半導体素子１が押され
て移動し、半導体素子１とボンディングワイヤ３との間
、リード２とボンディングワイヤ３との間、及び隣接す
るボンディングワイヤ３同士の間で、接触又は結線部不
良等が発生するという欠点がある。
イヤ３を介してのみ支持された状態で樹脂封止されるの
で、この封止時に注入樹脂により半導体素子１が押され
て移動し、半導体素子１とボンディングワイヤ３との間
、リード２とボンディングワイヤ３との間、及び隣接す
るボンディングワイヤ３同士の間で、接触又は結線部不
良等が発生するという欠点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
樹脂又は半導体素子に熱応力によるクラックが発生する
ことがなく、また回路特性の異常発生が防止されて信頼
性が向上すると共に、樹脂の封止工程において半導体素
子を外部手段により支持することを可能としてその封止
時の移動が防止された樹脂封止型半導体装置を提供する
ことを目的とする。
樹脂又は半導体素子に熱応力によるクラックが発生する
ことがなく、また回路特性の異常発生が防止されて信頼
性が向上すると共に、樹脂の封止工程において半導体素
子を外部手段により支持することを可能としてその封止
時の移動が防止された樹脂封止型半導体装置を提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、半導体素子とリ
ードとがボンディングワイヤにより結線され、前記半導
体素子及びリードが樹脂で封止されている樹脂封止型半
導体装置において、前記半導体素子はその一部に前記封
止用樹脂に被覆されていない領域を有することを特徴と
する。
ードとがボンディングワイヤにより結線され、前記半導
体素子及びリードが樹脂で封止されている樹脂封止型半
導体装置において、前記半導体素子はその一部に前記封
止用樹脂に被覆されていない領域を有することを特徴と
する。
［作用］
本発明においては、半導体素子がその一部の領域におい
て、封止用樹脂に被覆されていない、このため、樹脂封
止時には、この露出領域となる部分を介して半導体素子
を支持することにより、封止樹脂により半導体素子が押
されて移動してしまうという事態が回避される。また、
樹脂封止されて製品として組立てられた後は、この露出
領域を介して、半導体素子から発生する熱を離散させる
ことができ、更に、積極的に半導体素子を冷却すること
ができる。従って、熱膨張差に起因する半導体素子又は
封止樹脂のクラックの発生及び熱に起因する半導体素子
の回路特性の異常発生を回避することができる。
て、封止用樹脂に被覆されていない、このため、樹脂封
止時には、この露出領域となる部分を介して半導体素子
を支持することにより、封止樹脂により半導体素子が押
されて移動してしまうという事態が回避される。また、
樹脂封止されて製品として組立てられた後は、この露出
領域を介して、半導体素子から発生する熱を離散させる
ことができ、更に、積極的に半導体素子を冷却すること
ができる。従って、熱膨張差に起因する半導体素子又は
封止樹脂のクラックの発生及び熱に起因する半導体素子
の回路特性の異常発生を回避することができる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について、添付の図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施例を示す
部分断面図であり、夫々その変形例を示、す。半導体素
子１は、リード２に対して、ボンディングワイヤ３によ
り結線されている。そして、第１図（ａ）に示す樹脂封
止型半導体装置においては、半導体素子１の表面におけ
るボンディングワイヤ３との接続部分、ボンディングワ
イヤ３、リード２の一部及び半導体素子１の裏面が樹脂
４により被覆されて、半導体素子１及びリード２が樹脂
封止されている。つまり、樹脂４は、半導体素子１の表
面に露出孔５を有し、この露出孔５において、半導体素
子１の回路表面の一部分が露出している。
部分断面図であり、夫々その変形例を示、す。半導体素
子１は、リード２に対して、ボンディングワイヤ３によ
り結線されている。そして、第１図（ａ）に示す樹脂封
止型半導体装置においては、半導体素子１の表面におけ
るボンディングワイヤ３との接続部分、ボンディングワ
イヤ３、リード２の一部及び半導体素子１の裏面が樹脂
４により被覆されて、半導体素子１及びリード２が樹脂
封止されている。つまり、樹脂４は、半導体素子１の表
面に露出孔５を有し、この露出孔５において、半導体素
子１の回路表面の一部分が露出している。
一方、第１図（ｂ）に示す樹脂封止型半導体装置におい
ては、樹脂４は半導体素子１の裏面に露出孔５を有し、
半導体素子１の裏面の一部の領域が露出している。
ては、樹脂４は半導体素子１の裏面に露出孔５を有し、
半導体素子１の裏面の一部の領域が露出している。
また、第１図（Ｃ）に示す樹脂封止型半導体装置におい
ては、半導体素子１の表面及び裏面の双方の一部の領域
に整合して露出孔５が形成されており、この領域にて半
導体素子１が露出している。
ては、半導体素子１の表面及び裏面の双方の一部の領域
に整合して露出孔５が形成されており、この領域にて半
導体素子１が露出している。
このように、本発明の実施例に係る樹脂封止型半導体装
置においては、半導体素子１の表面の一部分に外部に露
出した露出領域を有する。
置においては、半導体素子１の表面の一部分に外部に露
出した露出領域を有する。
このため、金型に半導体素子１を設置しその周囲に樹脂
を供給して半導体素子１を樹脂封止する半導体装置の組
立工程においては、例えば、第３図に示すように、半導
体素子１の露出孔５を形成すべき領域を介して、真空吸
着管７により半導体素子１を吸着固定することができる
。つまり、樹脂封止用金型の下型を挿通してこの下型外
部から半導体素子１の裏面まで到達するようにして真空
吸着管７を設置し、この吸着管７の吸引孔８を介して半
導体素子１を真空吸引する。これにより、樹脂封止工程
において、半導体素子１はボンディングワイヤ３以外に
、外部支持手段（吸着管７）によっても支持されること
になる。
を供給して半導体素子１を樹脂封止する半導体装置の組
立工程においては、例えば、第３図に示すように、半導
体素子１の露出孔５を形成すべき領域を介して、真空吸
着管７により半導体素子１を吸着固定することができる
。つまり、樹脂封止用金型の下型を挿通してこの下型外
部から半導体素子１の裏面まで到達するようにして真空
吸着管７を設置し、この吸着管７の吸引孔８を介して半
導体素子１を真空吸引する。これにより、樹脂封止工程
において、半導体素子１はボンディングワイヤ３以外に
、外部支持手段（吸着管７）によっても支持されること
になる。
従って、この状態で半導体素子１を樹脂封止す、ると、
樹脂封止時の半導体素子１の位置ずれがなくなり、この
位置ずれに起因するボンディングワイヤの結線不良を防
止することができる。更に、この真空吸着管７を上・下
方向に移動することができるようにすると、リード２の
位置に対する半導体素子１の高・低位置関係も調節する
ことができ、半導体素子１の周辺部とボンディングワイ
ヤ３との間の接触による結線不良も減少し、半導体装置
の組立歩留が向上する。
樹脂封止時の半導体素子１の位置ずれがなくなり、この
位置ずれに起因するボンディングワイヤの結線不良を防
止することができる。更に、この真空吸着管７を上・下
方向に移動することができるようにすると、リード２の
位置に対する半導体素子１の高・低位置関係も調節する
ことができ、半導体素子１の周辺部とボンディングワイ
ヤ３との間の接触による結線不良も減少し、半導体装置
の組立歩留が向上する。
また、半導体素子を樹脂封止して組立てた後の製品にお
いては、露出孔５を介して半導体素子１の一部の領域が
露出しているため、その熱放散性が優れている。従って
、半導体素子１の回路動作時に熱が発生しても、それに
よるクラックの発生及び回路特性の異常発生が抑制され
る。
いては、露出孔５を介して半導体素子１の一部の領域が
露出しているため、その熱放散性が優れている。従って
、半導体素子１の回路動作時に熱が発生しても、それに
よるクラックの発生及び回路特性の異常発生が抑制され
る。
更に、第３図に示すように、半導体装置の露出孔５に冷
却部材、９等を取付けることができる。これにより、半
導体素子１を直接冷却することが可能である。このため
−半導体装置の動作時に熱が発生しても、この熱による
回路特性の異常を防止することができる。また、半導体
素子１の温度上昇を抑制することができるため、半導体
素子１、リード２及び封止用樹脂４の膨張を抑制するこ
とができる。従って、これらの半導体素子１、リード２
及び封止用樹脂４に印加される応力が小さくなり、クラ
ックの発生が回避されて半導体装置の信頼性が向上する
。
却部材、９等を取付けることができる。これにより、半
導体素子１を直接冷却することが可能である。このため
−半導体装置の動作時に熱が発生しても、この熱による
回路特性の異常を防止することができる。また、半導体
素子１の温度上昇を抑制することができるため、半導体
素子１、リード２及び封止用樹脂４の膨張を抑制するこ
とができる。従って、これらの半導体素子１、リード２
及び封止用樹脂４に印加される応力が小さくなり、クラ
ックの発生が回避されて半導体装置の信頼性が向上する
。
第４図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明の第２の実施例を示す
部分断面図である。第４図（ａ）乃至（Ｃ）に示す樹脂
封止型半導体装置は、第１図（ａ）乃至（Ｃ）に示す樹
脂封止型半導体装置と同様に、夫々半導体素子１の回路
表面、半導体素子１の裏面及び半導体素子１の表裏両面
の夫々−部分が露出孔５を介して露出している。しかし
、この実施例においては、半導体素子１はコーティング
用樹脂膜６により極めて薄く被覆されている。
部分断面図である。第４図（ａ）乃至（Ｃ）に示す樹脂
封止型半導体装置は、第１図（ａ）乃至（Ｃ）に示す樹
脂封止型半導体装置と同様に、夫々半導体素子１の回路
表面、半導体素子１の裏面及び半導体素子１の表裏両面
の夫々−部分が露出孔５を介して露出している。しかし
、この実施例においては、半導体素子１はコーティング
用樹脂膜６により極めて薄く被覆されている。
このコーティング用樹脂膜６は封止用樹脂４との密着性
が良いと共に、耐湿性が優れた材料からなる。
が良いと共に、耐湿性が優れた材料からなる。
このように、この第２の実施例においては、半導体装置
の半導体素子１には、封止用樹脂４との密着性が良いと
共に、耐湿性が優れた樹脂を極めて薄く被着することに
より、コーティング用樹脂膜６を被覆しであるから、半
導体素子１の表面にキズがつきにくくなるばかりでなく
、半導体素子１とリード２又は封止用樹脂４との間の熱
膨張の差が緩和される。このため、熱膨張時に半導体素
子１、封止用樹脂４及びリード２に印加される応力が更
に一層減少して、半導体素子１及び封止用樹脂４にクラ
ックが発生しにくくなるので、半導体装置の信頼性が更
に一層向上する。
の半導体素子１には、封止用樹脂４との密着性が良いと
共に、耐湿性が優れた樹脂を極めて薄く被着することに
より、コーティング用樹脂膜６を被覆しであるから、半
導体素子１の表面にキズがつきにくくなるばかりでなく
、半導体素子１とリード２又は封止用樹脂４との間の熱
膨張の差が緩和される。このため、熱膨張時に半導体素
子１、封止用樹脂４及びリード２に印加される応力が更
に一層減少して、半導体素子１及び封止用樹脂４にクラ
ックが発生しにくくなるので、半導体装置の信頼性が更
に一層向上する。
［発明の効果］
本発明によれば、半導体素子の一部の領域が封止用樹脂
に被覆されていないから、半導体素子の熱放散性が向上
すると共に、この領域を介して半導体素子を強制冷却す
ることができ、回路動作時に発生する熱による種々の不
都合（半導体素子及び封止樹脂のクラック発生並びに半
導体素子の回路特性の異常発生）・を回避することがで
きる。また、半導体素子を樹脂封止する工程においては
、この領域を利用して半導体素子を支持固定することが
できるから、半導体素子の移動による結線不良の発生等
を防止することができる。
に被覆されていないから、半導体素子の熱放散性が向上
すると共に、この領域を介して半導体素子を強制冷却す
ることができ、回路動作時に発生する熱による種々の不
都合（半導体素子及び封止樹脂のクラック発生並びに半
導体素子の回路特性の異常発生）・を回避することがで
きる。また、半導体素子を樹脂封止する工程においては
、この領域を利用して半導体素子を支持固定することが
できるから、半導体素子の移動による結線不良の発生等
を防止することができる。
第１図（ａ）乃至（Ｃ）は本発明の第１の実施例を示す
樹脂封止型半導体装置の部分断面図、第２図及び第３図
は第１図（ｂ）に示す樹脂封止型半導体装置を使用して
本発明の効果を示す部分断面図、第４図（ａ）乃至（Ｃ
）は本発明の第２の実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の部分断面図、第５図は従来の樹脂封止型半導体装置を
示す部分断面図である。 １；半導体素子、２；リード、３；ボンディングワイヤ
、４；封止用樹脂、５；露出孔、６；コーティング用樹
脂、７；吸着管、８；吸引孔、９；冷却部材
樹脂封止型半導体装置の部分断面図、第２図及び第３図
は第１図（ｂ）に示す樹脂封止型半導体装置を使用して
本発明の効果を示す部分断面図、第４図（ａ）乃至（Ｃ
）は本発明の第２の実施例を示す樹脂封止型半導体装置
の部分断面図、第５図は従来の樹脂封止型半導体装置を
示す部分断面図である。 １；半導体素子、２；リード、３；ボンディングワイヤ
、４；封止用樹脂、５；露出孔、６；コーティング用樹
脂、７；吸着管、８；吸引孔、９；冷却部材
Claims (2)
- （１）半導体素子とリードとがボンディングワイヤによ
り結線され、前記半導体素子及びリードが樹脂で封止さ
れている樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素
子はその一部に前記封止用樹脂に被覆されていない領域
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）前記半導体素子には、コーティング用樹脂の薄膜
が被着されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295768A JPH01136356A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62295768A JPH01136356A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136356A true JPH01136356A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17824917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62295768A Pending JPH01136356A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136356A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0566872A3 (en) * | 1992-04-21 | 1994-05-11 | Motorola Inc | A thermally enhanced semiconductor device and method for making the same |
| EP0582705A4 (en) * | 1992-03-02 | 1995-02-22 | Motorola Inc | RING ENVELOPED SEMICONDUCTOR PACK. |
| EP0690499A3 (en) * | 1994-06-30 | 1997-05-28 | Digital Equipment Corp | Strapless plastic encapsulated semiconductor chip packaging |
| US5776800A (en) * | 1994-06-30 | 1998-07-07 | Hamburgen; William Riis | Paddleless molded plastic semiconductor chip package |
| WO2014188632A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | パナソニック株式会社 | 放熱構造を有する半導体装置および半導体装置の積層体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS552112B2 (ja) * | 1976-01-14 | 1980-01-18 | ||
| JPS5577160A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP62295768A patent/JPH01136356A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5776800A (en) * | 1994-06-30 | 1998-07-07 | Hamburgen; William Riis | Paddleless molded plastic semiconductor chip package |
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