JPH04236434A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04236434A JPH04236434A JP3005238A JP523891A JPH04236434A JP H04236434 A JPH04236434 A JP H04236434A JP 3005238 A JP3005238 A JP 3005238A JP 523891 A JP523891 A JP 523891A JP H04236434 A JPH04236434 A JP H04236434A
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- semiconductor chip
- bed
- semiconductor device
- wire
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/461—Leadframes specially adapted for cooling
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止された半導体装
置およびその製造方法に関する。
置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８により、従来のワイヤボンディング
型半導体装置について説明する。図８において、ワイヤ
ボンディング型半導体装置はベッド５、インナリード７
、およびアウタリード６を一体に有する金属性のリード
フレーム３と、ベッド５上に載置された半導体チップ１
とを備えている。また、半導体チップ１とインナリード
７との間はボンディングワイヤ４により接続され、半導
体チップ１およびボンディングワイヤ４の周囲は合成樹
脂２によって封止されている。
型半導体装置について説明する。図８において、ワイヤ
ボンディング型半導体装置はベッド５、インナリード７
、およびアウタリード６を一体に有する金属性のリード
フレーム３と、ベッド５上に載置された半導体チップ１
とを備えている。また、半導体チップ１とインナリード
７との間はボンディングワイヤ４により接続され、半導
体チップ１およびボンディングワイヤ４の周囲は合成樹
脂２によって封止されている。
【０００３】ところで、近年の半導体装置における高集
積化および高速度化により、半導体チップ１の発熱量が
増加しており、発熱した半導体チップ１を効果的に放熱
させることが求められている。
積化および高速度化により、半導体チップ１の発熱量が
増加しており、発熱した半導体チップ１を効果的に放熱
させることが求められている。
【０００４】半導体チップ１を効果的に放熱させるもの
として、図９に示すワイヤボンディング型半導体装置が
考えられている。図９のワイヤボンディング型半導体装
置は、半導体チップ１が載置されるベッド５の形状を半
導体チップ１の形状と無関係に大きくし、合成樹脂２の
外形近傍まで拡大したものである。図９のワイヤボンデ
ィング型半導体装置によれば熱伝導の悪い合成樹脂２内
において、発熱する半導体チップ１と当接する熱伝導の
良好なヘッド５の形状を拡大させたことにより、効果的
に半導体チップ１の放熱を行なうことができる。しかし
ながら、図９のようにベッド５の形状を拡大させた場合
、半導体チップ１とインナリード７との間の距離が長く
なる。これにともなってボンディングワイヤ４の長さも
長くなり、このボンディングワイヤ４がベッド５に接触
し、リーク不良になることがある。
として、図９に示すワイヤボンディング型半導体装置が
考えられている。図９のワイヤボンディング型半導体装
置は、半導体チップ１が載置されるベッド５の形状を半
導体チップ１の形状と無関係に大きくし、合成樹脂２の
外形近傍まで拡大したものである。図９のワイヤボンデ
ィング型半導体装置によれば熱伝導の悪い合成樹脂２内
において、発熱する半導体チップ１と当接する熱伝導の
良好なヘッド５の形状を拡大させたことにより、効果的
に半導体チップ１の放熱を行なうことができる。しかし
ながら、図９のようにベッド５の形状を拡大させた場合
、半導体チップ１とインナリード７との間の距離が長く
なる。これにともなってボンディングワイヤ４の長さも
長くなり、このボンディングワイヤ４がベッド５に接触
し、リーク不良になることがある。
【０００５】一方、従来のＴＡＢ型半導体装置として、
図１０に示すものが知られている。図１０においてＴＡ
Ｂ型半導体装置は、ミドルリード８およびアウタリード
６を一体に有する金属製のリードフレーム３と、インナ
ワイヤ１３およびミドルワイヤ１４を有するＴＡＢテー
プ１１とを備えている。インナワイヤ１３とミドルワイ
ヤ１４は連結ワイヤ１５を介して互いに連結されておリ
、インナワイヤ１３には、バンプ１２を介して半導体チ
ップ１が接続されている。またＴＡＢテープ１１のミド
リワイヤ１４はリードフレーム３のミドルリード８に接
続されている。また、半導体チップ１およびＴＡＢテー
プ１１と、その周囲は合成樹脂２により樹脂封止されて
いる。
図１０に示すものが知られている。図１０においてＴＡ
Ｂ型半導体装置は、ミドルリード８およびアウタリード
６を一体に有する金属製のリードフレーム３と、インナ
ワイヤ１３およびミドルワイヤ１４を有するＴＡＢテー
プ１１とを備えている。インナワイヤ１３とミドルワイ
ヤ１４は連結ワイヤ１５を介して互いに連結されておリ
、インナワイヤ１３には、バンプ１２を介して半導体チ
ップ１が接続されている。またＴＡＢテープ１１のミド
リワイヤ１４はリードフレーム３のミドルリード８に接
続されている。また、半導体チップ１およびＴＡＢテー
プ１１と、その周囲は合成樹脂２により樹脂封止されて
いる。
【０００６】次に図１０に示すＴＡＢ型半導体装置の製
造方法について、図９乃至図１３により説明する。図１
１に示すように、まずポリイミド製の基材を準備し、こ
の基材をパンチングした後、銅箔をラミネートする。次
に銅箔に対してフォトパタン作業、エッチング作業およ
びめっき作業を順次施して、図１２に示すようなＴＡＢ
テープ１１を製造する。他方、図１１に示すように、通
常ウェハを準備し、このウェハに対してバンプ形成作業
、プロービング作業を順次施して半導体チップ１を製造
する。また、これらと平行して図１１に示すように金属
製素材を準備し、この素材に対してフォトパタン作業、
エッチング作業、およびめっき作業を順次施して、図１
３に示すようなリードフレーム３を製造する。次に半導
体チップ１とＴＡＢテープ１１のインナワイヤ１３とを
バンプ１２を塊して接続する。その後、ＴＡＢテープ１
１のミドルワイヤ１４の外方部分を切断し、ミドルワイ
ヤ１４を外方に露出させる。次にＴＡＢテープ１１のミ
ドルワイヤ１４と、リードフレーム３のミドルリード８
とを接続し、その後、半導体チップ１およびＴＡＢテー
プ１１とその周囲を合成樹脂により封止する。その後、
外装処理作業、アウターリードフォーム作業が施され、
このように図１０に示すＴＡＢ型半導体装置が製造され
る。この半導体装置に対して、その後検査作業が行なわ
れる。図１０に示す半導体装置において、半導体チップ
１は金属製リードフレームに当接していないので、半導
体チップ１で発生した熱は半導体チップ１から熱伝導の
悪い合成樹脂２を通って放熱されることになる。このた
め図１０の半導体装置の放熱特性は良好でない。
造方法について、図９乃至図１３により説明する。図１
１に示すように、まずポリイミド製の基材を準備し、こ
の基材をパンチングした後、銅箔をラミネートする。次
に銅箔に対してフォトパタン作業、エッチング作業およ
びめっき作業を順次施して、図１２に示すようなＴＡＢ
テープ１１を製造する。他方、図１１に示すように、通
常ウェハを準備し、このウェハに対してバンプ形成作業
、プロービング作業を順次施して半導体チップ１を製造
する。また、これらと平行して図１１に示すように金属
製素材を準備し、この素材に対してフォトパタン作業、
エッチング作業、およびめっき作業を順次施して、図１
３に示すようなリードフレーム３を製造する。次に半導
体チップ１とＴＡＢテープ１１のインナワイヤ１３とを
バンプ１２を塊して接続する。その後、ＴＡＢテープ１
１のミドルワイヤ１４の外方部分を切断し、ミドルワイ
ヤ１４を外方に露出させる。次にＴＡＢテープ１１のミ
ドルワイヤ１４と、リードフレーム３のミドルリード８
とを接続し、その後、半導体チップ１およびＴＡＢテー
プ１１とその周囲を合成樹脂により封止する。その後、
外装処理作業、アウターリードフォーム作業が施され、
このように図１０に示すＴＡＢ型半導体装置が製造され
る。この半導体装置に対して、その後検査作業が行なわ
れる。図１０に示す半導体装置において、半導体チップ
１は金属製リードフレームに当接していないので、半導
体チップ１で発生した熱は半導体チップ１から熱伝導の
悪い合成樹脂２を通って放熱されることになる。このた
め図１０の半導体装置の放熱特性は良好でない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のようにワイヤボ
ンディング型半導体装置において、ベッド５の形状を大
きくした場合、ボンディングワイヤ４が長くなりすぎて
ボンディングワイヤ４がベッド５に接触し、リークの問
題が生じることがある。一方、ＴＡＢ型半導体装置はリ
ークの問題がなくなるが、半導体チップに発生した熱を
熱伝導の悪い合成樹脂２から放熱しなければならず、放
熱特性が悪いという問題がある。本発明はこのような点
を考慮してなされたものであり、リークの問題を生じさ
せることなく、かつ放熱特性の良好な半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
ンディング型半導体装置において、ベッド５の形状を大
きくした場合、ボンディングワイヤ４が長くなりすぎて
ボンディングワイヤ４がベッド５に接触し、リークの問
題が生じることがある。一方、ＴＡＢ型半導体装置はリ
ークの問題がなくなるが、半導体チップに発生した熱を
熱伝導の悪い合成樹脂２から放熱しなければならず、放
熱特性が悪いという問題がある。本発明はこのような点
を考慮してなされたものであり、リークの問題を生じさ
せることなく、かつ放熱特性の良好な半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はインナワイヤお
よびミドルワイヤを有するＴＡＢテープと、前記ＴＡＢ
テープのインナワイヤにバンプを介して接続された半導
体チップと、前記ＴＡＢテープのミドルワイヤに接続さ
れたミドルリード、このミドルリードに連結されたアウ
タリードおよび前記半導体チップと当接するベッドを一
体に有するリードフレームと、前記半導体チップおよび
前記ＴＡＢテープとその周囲を封止する樹脂とを備えた
ことを特徴とする半導体装置、およびＴＡＢテープのイ
ンナワイヤにパンプを介して半導体チップを接続し、前
記半導体チップにリードフレームのベッドを当接させる
とともに、前記ＴＡテープのミドルワイヤにリードフレ
ームのミドルリードを接続し、前記半導体チップおよび
その周囲を樹脂封止してなる半導体装置の製造方法であ
る。
よびミドルワイヤを有するＴＡＢテープと、前記ＴＡＢ
テープのインナワイヤにバンプを介して接続された半導
体チップと、前記ＴＡＢテープのミドルワイヤに接続さ
れたミドルリード、このミドルリードに連結されたアウ
タリードおよび前記半導体チップと当接するベッドを一
体に有するリードフレームと、前記半導体チップおよび
前記ＴＡＢテープとその周囲を封止する樹脂とを備えた
ことを特徴とする半導体装置、およびＴＡＢテープのイ
ンナワイヤにパンプを介して半導体チップを接続し、前
記半導体チップにリードフレームのベッドを当接させる
とともに、前記ＴＡテープのミドルワイヤにリードフレ
ームのミドルリードを接続し、前記半導体チップおよび
その周囲を樹脂封止してなる半導体装置の製造方法であ
る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、半導体チップと当接するベッ
ドを有しているので、半導体チップで発生する熱をベッ
ドを介して良好に外部に放熱することができる。
ドを有しているので、半導体チップで発生する熱をベッ
ドを介して良好に外部に放熱することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１乃至図５は本発明による半導体装置およびその製造方
法の第１の実施例に示す図である。図１において、本発
明による半導体装置は、ベッド５、ミドルリード８およ
びアウタリード６を一体に有する金属製のリードフレー
ム３と、インナワイヤ１３およびミドルワイヤ１４を有
するＴＡＢテープ１１とを備えたＴＡＢ型の半導体装置
となっている。インナワイヤ１３とミドルワイヤ１４は
連結ワイヤ１５を介して互いに連結されており、インナ
ワイヤ１３にはバンプ１２を介して半導体チップ１が接
続されている。またＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１
４はリードフレーム３のミドルリード８に接続されてい
る。さらに、半導体チップ１およびＴＡＢテープ１１と
、その周囲は合成樹脂２により樹脂封止されている。
１乃至図５は本発明による半導体装置およびその製造方
法の第１の実施例に示す図である。図１において、本発
明による半導体装置は、ベッド５、ミドルリード８およ
びアウタリード６を一体に有する金属製のリードフレー
ム３と、インナワイヤ１３およびミドルワイヤ１４を有
するＴＡＢテープ１１とを備えたＴＡＢ型の半導体装置
となっている。インナワイヤ１３とミドルワイヤ１４は
連結ワイヤ１５を介して互いに連結されており、インナ
ワイヤ１３にはバンプ１２を介して半導体チップ１が接
続されている。またＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１
４はリードフレーム３のミドルリード８に接続されてい
る。さらに、半導体チップ１およびＴＡＢテープ１１と
、その周囲は合成樹脂２により樹脂封止されている。
【００１１】またリードフレーム３のベッド５は半導体
チップ１の上面に当接しており、このベッド５の形状は
半導体チップ１の形状と無関係に拡大している。すなわ
ち、ベッド５の形状は、合成樹脂２の外縁から内側へ５
ｍｍ程度入った地点まで拡大している。なお、図１にお
いて、リードフレーム３のミドルリード８およびＴＡＢ
テープ１１は略同一水平面上に配置され、リードフレー
ム３のベッド５は半導体チップ１の厚さ分だけミドルリ
ード８より上方に位置している。
チップ１の上面に当接しており、このベッド５の形状は
半導体チップ１の形状と無関係に拡大している。すなわ
ち、ベッド５の形状は、合成樹脂２の外縁から内側へ５
ｍｍ程度入った地点まで拡大している。なお、図１にお
いて、リードフレーム３のミドルリード８およびＴＡＢ
テープ１１は略同一水平面上に配置され、リードフレー
ム３のベッド５は半導体チップ１の厚さ分だけミドルリ
ード８より上方に位置している。
【００１２】次にこのような構成からなる半導体装置の
製造方法について説明する。図２に示すように、まずポ
リイミド性の基材を準備し、この基材をパンチングした
後、銅箔をラミネートする。次に銅箔に対してフォトパ
タン作業、エッチング作業およびめっき作業を順次施し
て、図３に示すようなＴＡＢテープ１１を製造する。他
方、図２に示すように、通常ウェハを準備し、このウェ
ハに対してバンプ形成作業、プロービング作業、および
ダイシング作業を順次施して半導体チップ１を製造する
。またこれらと平行して図２に示すように金属製素材を
準備し、この素材に対してフォトパタン作業、エッチン
グ作業、めっき作業およびプレス作業を順次施して、図
４に示すようなリードフレーム３を製造する。このうち
デプレス作業は、リードフレーム３のうち、ベッド５の
部分を押圧してリードフレーム３の他の部分との間に段
差を形成するものであり、この段差は半導体チップ１の
厚さに略一致している（図５）。
製造方法について説明する。図２に示すように、まずポ
リイミド性の基材を準備し、この基材をパンチングした
後、銅箔をラミネートする。次に銅箔に対してフォトパ
タン作業、エッチング作業およびめっき作業を順次施し
て、図３に示すようなＴＡＢテープ１１を製造する。他
方、図２に示すように、通常ウェハを準備し、このウェ
ハに対してバンプ形成作業、プロービング作業、および
ダイシング作業を順次施して半導体チップ１を製造する
。またこれらと平行して図２に示すように金属製素材を
準備し、この素材に対してフォトパタン作業、エッチン
グ作業、めっき作業およびプレス作業を順次施して、図
４に示すようなリードフレーム３を製造する。このうち
デプレス作業は、リードフレーム３のうち、ベッド５の
部分を押圧してリードフレーム３の他の部分との間に段
差を形成するものであり、この段差は半導体チップ１の
厚さに略一致している（図５）。
【００１３】次に半導体チップ１とＴＡＢテープ１１イ
ンナワイヤ１３とをバンプ１２を介して接続する。その
後、ＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４の外方部分お
よび不要のテープ部分１１ａを切断し、ミドルワイヤ１
４を外方に露出させる。次にＴＡＢテープ１１のミドル
ワイヤ１４と、リードフレーム３のミドルリード８とを
接続させ、同時に半導体チップ１とリードフレーム３の
ベッド５とを接続させる。その後、半導体チップ１およ
びＴＡＢテープ１１とその周囲を合成樹脂２により樹脂
封止する。その後、外装処理作業、アウターリードフォ
ーム作業が順次施され、このようにして図１１に示すＴ
ＡＢ型半導体装置が製造される。この半導体装置に対し
て、その後検査作業が行なわれる。
ンナワイヤ１３とをバンプ１２を介して接続する。その
後、ＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４の外方部分お
よび不要のテープ部分１１ａを切断し、ミドルワイヤ１
４を外方に露出させる。次にＴＡＢテープ１１のミドル
ワイヤ１４と、リードフレーム３のミドルリード８とを
接続させ、同時に半導体チップ１とリードフレーム３の
ベッド５とを接続させる。その後、半導体チップ１およ
びＴＡＢテープ１１とその周囲を合成樹脂２により樹脂
封止する。その後、外装処理作業、アウターリードフォ
ーム作業が順次施され、このようにして図１１に示すＴ
ＡＢ型半導体装置が製造される。この半導体装置に対し
て、その後検査作業が行なわれる。
【００１４】本実施例によれば、半導体チップ１で発生
した熱は、半導体チップ１に接続された金属製ベッド５
によって放熱されることになる。この場合、ベッド５の
形状を合成樹脂２の外縁近傍まで拡大させたので、半導
体チップ１の熱を熱伝導の良好なシリコン製の半導体チ
ップ１、および金属製ベッド５を通って合成樹脂２の外
縁近傍まで良好に放熱することができる。このため高集
積化・高速化により消費電力が高くなった半導体チップ
１についても、良好に放熱することができるので、半導
体チップの正常な動作を維持することができる。
した熱は、半導体チップ１に接続された金属製ベッド５
によって放熱されることになる。この場合、ベッド５の
形状を合成樹脂２の外縁近傍まで拡大させたので、半導
体チップ１の熱を熱伝導の良好なシリコン製の半導体チ
ップ１、および金属製ベッド５を通って合成樹脂２の外
縁近傍まで良好に放熱することができる。このため高集
積化・高速化により消費電力が高くなった半導体チップ
１についても、良好に放熱することができるので、半導
体チップの正常な動作を維持することができる。
【００１５】具体例
次に本実施例の具体例について説明する。ＱＦＰ（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ ）１４４ピンおよび
５ｍｍ角の半導体チップを有する従来の半導体装置にお
いて、その熱抵抗は８０℃／ｗ程度であった。一方、本
発明による半導体装置において、その熱抵抗は６０℃／
ｗ程度まで改善された。このことによって、例えば半導
体チップの使用限界温度が８５℃の場合、常温２５℃に
おける本発明の半導体装置の使用が可能となった。すな
わち従来の半導体装置においては、同一の半導体チップ
を用いた場合、周囲温度を５℃以下に保つか、あるいは
封止体を合成樹脂からセラミック等に変更させる必要が
ある。
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ ）１４４ピンおよび
５ｍｍ角の半導体チップを有する従来の半導体装置にお
いて、その熱抵抗は８０℃／ｗ程度であった。一方、本
発明による半導体装置において、その熱抵抗は６０℃／
ｗ程度まで改善された。このことによって、例えば半導
体チップの使用限界温度が８５℃の場合、常温２５℃に
おける本発明の半導体装置の使用が可能となった。すな
わち従来の半導体装置においては、同一の半導体チップ
を用いた場合、周囲温度を５℃以下に保つか、あるいは
封止体を合成樹脂からセラミック等に変更させる必要が
ある。
【００１６】次に本発明の第２の実施例について、図６
および図７により説明する。図６に示すように、本実施
例による半導体装置は、リードフレーム３のミドルリー
ド８とベッド５とを同一水平面上に配置するとともに、
ＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４を上方に折曲げリ
ードフレーム３のミドルリード８に接続したものであり
、他は第１の実施例と略同様の構成となっている。
および図７により説明する。図６に示すように、本実施
例による半導体装置は、リードフレーム３のミドルリー
ド８とベッド５とを同一水平面上に配置するとともに、
ＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４を上方に折曲げリ
ードフレーム３のミドルリード８に接続したものであり
、他は第１の実施例と略同様の構成となっている。
【００１７】次にこのような構成からなる半導体装置の
製造方法について図７により説明する。図７に示すよう
に、まずポリイミド製の基材を準備し、この基材をパン
チングした後、銅箔をラミネートする。次に銅箔に対し
てフォトパタン作業、エッチング作業およびめっき作業
を順次施して、ＴＡＢテープ１１を製造する（図３参照
）。他方、図７に示すように、通常ウェハを準備し、こ
のウェハに対してバンプ成形作業、プロービング作業、
およびダイシング作業を順次施して半導体チップ１を製
造する。また、これらと平行して図７に示すように金属
製素材を準備し、この素材に対してフォトパタン作業、
エッチング作業、およびめっき作業を順次施して、リー
ドフレーム３を製造する（図４参照）。
製造方法について図７により説明する。図７に示すよう
に、まずポリイミド製の基材を準備し、この基材をパン
チングした後、銅箔をラミネートする。次に銅箔に対し
てフォトパタン作業、エッチング作業およびめっき作業
を順次施して、ＴＡＢテープ１１を製造する（図３参照
）。他方、図７に示すように、通常ウェハを準備し、こ
のウェハに対してバンプ成形作業、プロービング作業、
およびダイシング作業を順次施して半導体チップ１を製
造する。また、これらと平行して図７に示すように金属
製素材を準備し、この素材に対してフォトパタン作業、
エッチング作業、およびめっき作業を順次施して、リー
ドフレーム３を製造する（図４参照）。
【００１８】次に、半導体チップ１とＴＡＢテープ１１
のインナワイヤ１３とをパンプ１２を介して接続する。 その後、ＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４の外方部
分および不要のテープ部分１１ａを切断し、ミドルワイ
ヤ１４を外方に露出させる。その後、ＴＡＢテープ１１
のミドルワイヤ１４をフォーミングして上方に折曲げ、
リードフレーム３のミドルリード８と接続し易いように
する。次にＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４と、リ
ードフレーム３のミドルリード８とを接続させ、同時に
半導体チップ１とリードフレーム３のベッド５とを接続
させる。その後、半導体チップ１およびＴＡＢテープ１
１とその周囲を合成樹脂２により樹脂封止する。その後
、外装処理作業、アウターリードフォーム作業が順次施
され、このようにして図６に示すＴＡＢ型半導体装置が
製造される。この半導体装置に対して、その後検査作業
が行なわれる。
のインナワイヤ１３とをパンプ１２を介して接続する。 その後、ＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４の外方部
分および不要のテープ部分１１ａを切断し、ミドルワイ
ヤ１４を外方に露出させる。その後、ＴＡＢテープ１１
のミドルワイヤ１４をフォーミングして上方に折曲げ、
リードフレーム３のミドルリード８と接続し易いように
する。次にＴＡＢテープ１１のミドルワイヤ１４と、リ
ードフレーム３のミドルリード８とを接続させ、同時に
半導体チップ１とリードフレーム３のベッド５とを接続
させる。その後、半導体チップ１およびＴＡＢテープ１
１とその周囲を合成樹脂２により樹脂封止する。その後
、外装処理作業、アウターリードフォーム作業が順次施
され、このようにして図６に示すＴＡＢ型半導体装置が
製造される。この半導体装置に対して、その後検査作業
が行なわれる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップと当接するベッドを有しているので、半導
体チップに発生する熱を、リーク不良の問題を生じさせ
ることなくベッドを介して良好に放熱させることができ
る。
半導体チップと当接するベッドを有しているので、半導
体チップに発生する熱を、リーク不良の問題を生じさせ
ることなくベッドを介して良好に放熱させることができ
る。
【図１】本発明による半導体装置の第１の実施例を示す
側断面図。
側断面図。
【図２】図１の半導体装置の製造方法を示すフロー図。
【図３】半導体装置の製造に用いるＴＡＢテープの平面
図。
図。
【図４】半導体装置の製造に用いるリードフレームの平
面図。
面図。
【図５】図くの５−５線断面図。
【図６】本発明による半導体装置の第２の実施例を示す
側断面図。
側断面図。
【図７】図６の半導体装置の製造方法を示すフロー図。
【図８】従来のワイヤボンディング型半導体装置を示す
側断面図。
側断面図。
【図９】従来のワイヤボンディング型半導体装置を示す
側断面図。
側断面図。
【図１０】従来のＴＡＢ型半導体装置を示す側断面図。
【図１１】従来のＴＡＢ型半導体装置の製造方法を示す
フロー図。
フロー図。
【図１２】従来のＴＡＢ型半導体装置の製造に用いるＴ
ＡＢテープの平面図。
ＡＢテープの平面図。
【図１３】従来のＴＡＢ型半導体装置の製造に用いるリ
ードフレームの平面図。
ードフレームの平面図。
１ 半導体チップ
２ 合成樹脂
３ リードフレーム
５ ベッド
６ アウタリード
８ ミドルリード
１１ ＴＡＢテープ
１２ バンプ
１３ インナワイヤ
１４ ミドルワイヤ
１５ 連結ワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】インナワイヤおよびミドルワイヤを有する
ＴＡＢテープと、前記ＴＡＢテープのインナワイヤにバ
ンプを介して接続された半導体チップと、前記ＴＡＢテ
ープのミドルワイヤに接続されたミドルリード、このミ
ドルリードに連結されたアウタリードおよび前記半導体
チップと当接するベッドを一体に有するリードフレーム
と、前記半導体チップおよび前記ＴＡＢテープとその周
囲を封止する樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、半導
体チップと当接するベッドを一体に有するリードフレー
ムの関係は、前記ベッドの底面に半導体チップが当接し
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体装置において、前記
ベッドの形状を前記樹脂外縁近傍まで拡大させるととも
に、前記半導体チップの形状と無関係に略一定としたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体装置において、半導
体チップと当接するベッドを一体に有するリードフレー
ムの関係は、前記ベッドの底面に半導体チップが当接し
ていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】ＴＡＢテープのインナワイヤにパンプを介
して半導体チップを接続し、前記半導体チップにリード
フレームのベッドを当接させるとともに、前記ＴＡＢテ
ープのミドルワイヤにリードフレームのミドルリードを
接続し、前記半導体チップおよび前記ＴＡＢテープとそ
の周囲を樹脂止してなる半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP3005238A JP2501246B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体装置 |
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| JP3005238A JP2501246B2 (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|
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1992
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