JPS6355904A - 酸化物抵抗体 - Google Patents
酸化物抵抗体Info
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- JPS6355904A JPS6355904A JP61198856A JP19885686A JPS6355904A JP S6355904 A JPS6355904 A JP S6355904A JP 61198856 A JP61198856 A JP 61198856A JP 19885686 A JP19885686 A JP 19885686A JP S6355904 A JPS6355904 A JP S6355904A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、遮断器などの開閉サージ吸収に好適な抵抗体
で、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムを
基本成分とし、副成分に他の酸化物を含有させ相対密度
７０〜９０％の焼結体を用いた直線抵抗体及びその製法
に関する。
で、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムを
基本成分とし、副成分に他の酸化物を含有させ相対密度
７０〜９０％の焼結体を用いた直線抵抗体及びその製法
に関する。
直線性抵抗体はオームの法則にしたがう電圧−電流特性
をもち、近似的に工（電流）＝ Ｖ（電圧）／Ｃ（定数
） αで示してα（直線性指数）が１．３以下で、かつ
、抵抗の温度係数が正であることが遮断器などの開閉時
に発生するサージを吸収するのに大きな効果を示すこと
がわかっている。
をもち、近似的に工（電流）＝ Ｖ（電圧）／Ｃ（定数
） αで示してα（直線性指数）が１．３以下で、かつ
、抵抗の温度係数が正であることが遮断器などの開閉時
に発生するサージを吸収するのに大きな効果を示すこと
がわかっている。
このような直線抵抗体のうち代表的なものは炭素の含有
量で抵抗値を制御している酸化アルミニウムー粘土−炭
素系がある。この直線抵抗体の製造法の概要は酸化アル
ミニウム、炭素を主成分とし、これに焼結助剤として粘
土や低融点酸化物などを加え、十分に混合する。混合粉
には水やポリビニールアルコール水溶液などの適当なバ
インダを加えて造粒、成形、焼成する。焼成は炭素粉の
酸化を防止するため、還元雰囲気の電気炉中１０００〜
１５００℃で焼結され、抵抗値は炭素粉の含有量、すな
わち、炭素粉と炭素粉との接触面積及び炭素粉との密着
性などで抑制している。
量で抵抗値を制御している酸化アルミニウムー粘土−炭
素系がある。この直線抵抗体の製造法の概要は酸化アル
ミニウム、炭素を主成分とし、これに焼結助剤として粘
土や低融点酸化物などを加え、十分に混合する。混合粉
には水やポリビニールアルコール水溶液などの適当なバ
インダを加えて造粒、成形、焼成する。焼成は炭素粉の
酸化を防止するため、還元雰囲気の電気炉中１０００〜
１５００℃で焼結され、抵抗値は炭素粉の含有量、すな
わち、炭素粉と炭素粉との接触面積及び炭素粉との密着
性などで抑制している。
上記の従来技術で得られた抵抗体には次のような欠点が
ある。第一には焼結体の相対密度が５０〜６０％と低い
ため抵抗値を抑制している炭素粉と炭素粉との密着性が
悪いため、放電サージ吸収時に炭素粉と炭素粉との接触
面で放電し、放電耐量が小さいこと、第二には抵抗温度
係数が負で一９Ｘ１０−エΩ／’Ｃ（２０〜２５０℃）
と大きいために放電サージを吸収して温度上昇すると抵
抗値が低下し、電圧が一定の場合には電流の急激な増加
により一層発熱して熱暴走状態におちいることなどの欠
点がある。このため、炭素粉分散型抵抗体を使用する場
合には、抵抗体の形状を大きくして、単位体積当りの吸
収エネルギを小さくする方法をとっていた。しかし、こ
の方法では、抵抗体を入れる碍子等の容器が大型になり
、価格が高くなる。また、遮断器などの機器が大型にな
るため、設置面積も大きくなるなどの問題を生じる。
ある。第一には焼結体の相対密度が５０〜６０％と低い
ため抵抗値を抑制している炭素粉と炭素粉との密着性が
悪いため、放電サージ吸収時に炭素粉と炭素粉との接触
面で放電し、放電耐量が小さいこと、第二には抵抗温度
係数が負で一９Ｘ１０−エΩ／’Ｃ（２０〜２５０℃）
と大きいために放電サージを吸収して温度上昇すると抵
抗値が低下し、電圧が一定の場合には電流の急激な増加
により一層発熱して熱暴走状態におちいることなどの欠
点がある。このため、炭素粉分散型抵抗体を使用する場
合には、抵抗体の形状を大きくして、単位体積当りの吸
収エネルギを小さくする方法をとっていた。しかし、こ
の方法では、抵抗体を入れる碍子等の容器が大型になり
、価格が高くなる。また、遮断器などの機器が大型にな
るため、設置面積も大きくなるなどの問題を生じる。
本発明の目的は酸化亜鉛、酸化マグネシウム。
酸化アルミニウムを基本成分とし、これに酸化アンチモ
ンや酸化珪素、酸化リチウムなどから選ばれた一成分以
上を０．０１〜３０モル％添加して得られる焼結体で、
かつ、その焼結体は放電サージ耐量の向上及び正の抵抗
温度係数をもたせるため、焼結体の相対密度を７０〜９
０％にし、さらに、焼成後の焼成冷却速度を１５０℃／
ｈ以下とする酸化物直線抵抗体並びにその製造法を提供
することにある。
ンや酸化珪素、酸化リチウムなどから選ばれた一成分以
上を０．０１〜３０モル％添加して得られる焼結体で、
かつ、その焼結体は放電サージ耐量の向上及び正の抵抗
温度係数をもたせるため、焼結体の相対密度を７０〜９
０％にし、さらに、焼成後の焼成冷却速度を１５０℃／
ｈ以下とする酸化物直線抵抗体並びにその製造法を提供
することにある。
１〔問題点を解決するための手段〕
本発明の特徴は酸化亜鉛、酸化アルミニウム及び酸化マ
グネシウムを基本成分とした焼結体から成る酸化物直線
抵抗体において、その焼結体の相対密度を７０〜９０％
にして高い放電サージ耐量と正の抵抗温度係数とをもた
せ、かつ、焼成後の冷却速度を１５０℃／ｈ以下で徐冷
することによって、電圧−電流特性の直線性を良くし、
焼結体の上下両端面に電極を形成したものである。なお
。
グネシウムを基本成分とした焼結体から成る酸化物直線
抵抗体において、その焼結体の相対密度を７０〜９０％
にして高い放電サージ耐量と正の抵抗温度係数とをもた
せ、かつ、焼成後の冷却速度を１５０℃／ｈ以下で徐冷
することによって、電圧−電流特性の直線性を良くし、
焼結体の上下両端面に電極を形成したものである。なお
。
本発明の電圧−電流特性の直線性指数１．３以下の酸化
物直線抵抗体の構造を第７図に示した。さらに、第８図
に示すように、得られる酸化物直線抵抗体の中心部付近
に孔を設けても良いことはいうまでもない。
物直線抵抗体の構造を第７図に示した。さらに、第８図
に示すように、得られる酸化物直線抵抗体の中心部付近
に孔を設けても良いことはいうまでもない。
発明者らは種々検討の結果、■放電サージ耐量は得られ
る焼結体の相対密度が７０％以下、及び９０％以上にす
ると従来の炭素分散型抵抗体の放電サージ耐量４００Ｊ
／ｃｌｉよりも小さくなること、■抵抗の温度係数は放
電サージ耐量と同様に、得られる焼結体の相対密度を９
０％以上にすると従来の炭素分散型抵抗体と同様に負と
なること、■一方、電圧−電流特性の直線性は焼成後の
冷却速度を１５０℃／ｈ以上にすると直線性指数αが目
標値１．３ よりも大きくなり、わるくなることなどか
ら遮断器用抵抗体として不適当になることがわかった。
る焼結体の相対密度が７０％以下、及び９０％以上にす
ると従来の炭素分散型抵抗体の放電サージ耐量４００Ｊ
／ｃｌｉよりも小さくなること、■抵抗の温度係数は放
電サージ耐量と同様に、得られる焼結体の相対密度を９
０％以上にすると従来の炭素分散型抵抗体と同様に負と
なること、■一方、電圧−電流特性の直線性は焼成後の
冷却速度を１５０℃／ｈ以上にすると直線性指数αが目
標値１．３ よりも大きくなり、わるくなることなどか
ら遮断器用抵抗体として不適当になることがわかった。
本発明の酸化物直線抵抗体は一般の窯業的製造法で得ら
れる。すなわち、酸化亜鉛に酸化マグネシウム５〜４０
モル％、酸化アルミニウム０．５〜３０モル％を加えた
ものを基本成分とし、さらに、望ましくは、酸化アンチ
モン、酸化珪素及び酸化リチウムなどから選ばれた一成
分以上を０．０１〜３０モル％加えて十分に混合し、こ
れに水及びポリビニールアルコール等の適当なバインダ
を加え造粒し、金型を用いて成形する。成形体は電気炉
を用いて大気中１０００〜１５００℃の温度で焼成後１
５０”Ｃ／ｈ以下の冷却速度で除冷する。ここでの焼成
後の除冷は上記のように、得られる抵抗体の電圧−電流
特性の直線性に影響を及ぼす。また、得られる焼結体は
相対密度が７０〜９０％になるように、上記の酸化亜鉛
、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなどの基本成分
の最適配合割合や酸化アンチモン、酸化リチウム、酸化
珪素などの別成分の最適添加量及びそれに対応する最適
焼成温度などを選定してやることが重要である。なぜな
らば、相対密度は放電サージ耐量及び抵抗温度係数に影
響を及ぼすからである。さらに、得られる焼結体中には
、ＺｎＯ結晶粒よりも高抵抗のＺｎＡ ｊｌ ｚＯ＋ｔ
ＭｇＡ Ｑ ｚｏａｅＺｎｚｓｉｏ番ｔＭｇｓｉｏ４．
Ｚｎｎ５ｂｚＯｔｚｐＬｉｚＳｉＯａ などの結晶粒
を生成させ、かつ、各結晶粒間には、少なくとも、Ｚｎ
Ｏ結晶粒よりも抵抗の高い粒界相が形成されていないこ
とである。従って、酸化ビスマスなどの添加は結晶粒界
相などに高抵抗層を形成するため望ましくない、このよ
うにして焼成された焼結体は電極を形成する両端面を研
磨し。
れる。すなわち、酸化亜鉛に酸化マグネシウム５〜４０
モル％、酸化アルミニウム０．５〜３０モル％を加えた
ものを基本成分とし、さらに、望ましくは、酸化アンチ
モン、酸化珪素及び酸化リチウムなどから選ばれた一成
分以上を０．０１〜３０モル％加えて十分に混合し、こ
れに水及びポリビニールアルコール等の適当なバインダ
を加え造粒し、金型を用いて成形する。成形体は電気炉
を用いて大気中１０００〜１５００℃の温度で焼成後１
５０”Ｃ／ｈ以下の冷却速度で除冷する。ここでの焼成
後の除冷は上記のように、得られる抵抗体の電圧−電流
特性の直線性に影響を及ぼす。また、得られる焼結体は
相対密度が７０〜９０％になるように、上記の酸化亜鉛
、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムなどの基本成分
の最適配合割合や酸化アンチモン、酸化リチウム、酸化
珪素などの別成分の最適添加量及びそれに対応する最適
焼成温度などを選定してやることが重要である。なぜな
らば、相対密度は放電サージ耐量及び抵抗温度係数に影
響を及ぼすからである。さらに、得られる焼結体中には
、ＺｎＯ結晶粒よりも高抵抗のＺｎＡ ｊｌ ｚＯ＋ｔ
ＭｇＡ Ｑ ｚｏａｅＺｎｚｓｉｏ番ｔＭｇｓｉｏ４．
Ｚｎｎ５ｂｚＯｔｚｐＬｉｚＳｉＯａ などの結晶粒
を生成させ、かつ、各結晶粒間には、少なくとも、Ｚｎ
Ｏ結晶粒よりも抵抗の高い粒界相が形成されていないこ
とである。従って、酸化ビスマスなどの添加は結晶粒界
相などに高抵抗層を形成するため望ましくない、このよ
うにして焼成された焼結体は電極を形成する両端面を研
磨し。
電気溶射または焼付は法によって電極を形成する。
得られた抵抗体は使用中における沿面放電を防止するた
め、抵抗体の側面に高抵抗セラミックス層やガラス層を
設けても良い、なお、得られた抵抗ゝ−は電圧−電流特
性に直線性を示すが、非直線性を示す場合には高抵抗の
部分（特に１粒界層）を破壊することが有効である。
め、抵抗体の側面に高抵抗セラミックス層やガラス層を
設けても良い、なお、得られた抵抗ゝ−は電圧−電流特
性に直線性を示すが、非直線性を示す場合には高抵抗の
部分（特に１粒界層）を破壊することが有効である。
〔実施例１〕
酸化亜鉛（ＺｎＯ）３４００ｇ、酸拡マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）１０１ｇ＝酸化アルミニウム（Ａ ｎ ｚＯｓ）
５１０ｇを湿式ボールミルで中玉時間混合する。
ｇＯ）１０１ｇ＝酸化アルミニウム（Ａ ｎ ｚＯｓ）
５１０ｇを湿式ボールミルで中玉時間混合する。
混電粉は乾燥した後、Ｓｗｔ％ポリビニールアルコール
水溶液を乾燥原料粉に対して７ｗｔ％加えて造粒する。
水溶液を乾燥原料粉に対して７ｗｔ％加えて造粒する。
造粒粉は金型を用いてφ５０Ｘ１５１に成形する。成形
体は大気中１３００℃、三時間保持した後７０℃／ｈで
１００℃まで冷却した。得られた焼結体の相対密度は８
５％であった。
体は大気中１３００℃、三時間保持した後７０℃／ｈで
１００℃まで冷却した。得られた焼結体の相対密度は８
５％であった。
別に、低融点結晶化ガラスの岩城硝子社製ＡＧＦ−７２
ガラス粉（ＰｂＯ−Ａ Ｑ ｚｏａ−５ｉＯｚ系）をエ
チルセルローズ・ブチルカルピトール溶液に懸濁してお
き、これを焼成した焼結体の側面に厚さ５０〜３００μ
ｍになるように筆塗りした。ガラス粉を塗布した焼結体
は大気中５００℃、玉子分間熱処理してガラスを焼付け
た。ガラスを形成しＹ焼結体はその両端面をラップマス
タで約０．５閣ずつ研磨し、トリクロルエチレンで洗浄
した。洗浄した焼結体は電溶射法によってＡＪＩ電極を
形成して抵抗体とした。この発明品と従来品（炭素分散
型抵抗体）との放電サージ耐量、抵抗温度係数。
ガラス粉（ＰｂＯ−Ａ Ｑ ｚｏａ−５ｉＯｚ系）をエ
チルセルローズ・ブチルカルピトール溶液に懸濁してお
き、これを焼成した焼結体の側面に厚さ５０〜３００μ
ｍになるように筆塗りした。ガラス粉を塗布した焼結体
は大気中５００℃、玉子分間熱処理してガラスを焼付け
た。ガラスを形成しＹ焼結体はその両端面をラップマス
タで約０．５閣ずつ研磨し、トリクロルエチレンで洗浄
した。洗浄した焼結体は電溶射法によってＡＪＩ電極を
形成して抵抗体とした。この発明品と従来品（炭素分散
型抵抗体）との放電サージ耐量、抵抗温度係数。
大気中５００℃熱処理前後の抵抗値変化率及び電圧−電
流特性の直線性指数αを比較すると第１表となる。
流特性の直線性指数αを比較すると第１表となる。
第 １ 表
本発明品は従来品よりも放電サージ耐量が大きく、抵抗
温度係数が正で、大気中５００℃熱処理前後の抵抗値変
化が小さく、かつ、直線性指数が１に近づきすぐれてい
ることがわかる。
温度係数が正で、大気中５００℃熱処理前後の抵抗値変
化が小さく、かつ、直線性指数が１に近づきすぐれてい
ることがわかる。
〔実施例２〕
抵抗率ＳＯＯ〜６００Ω・国で焼結体の相対密度が６０
〜９８％の抵抗体を得るために、酸化亜鉛（ＺｎＯ）Ｌ
、ｌ−酸化マグネシラＡ（ＭｇＯ）５〜４０モル％、酸
化アルミニウム（ＡＱｚＯ＋ｓ ）０．５〜３０モル％
に変え、さらに酸化アンチモン（ＳｂｚＯａ）、酸化珪
素（Ｓｉｎｓ）及び酸化リチウム（Ｌｉｔｕ）から選ば
れた一成分を０．０１〜３０モル％加え、その配合量を
正確に秤量した。
〜９８％の抵抗体を得るために、酸化亜鉛（ＺｎＯ）Ｌ
、ｌ−酸化マグネシラＡ（ＭｇＯ）５〜４０モル％、酸
化アルミニウム（ＡＱｚＯ＋ｓ ）０．５〜３０モル％
に変え、さらに酸化アンチモン（ＳｂｚＯａ）、酸化珪
素（Ｓｉｎｓ）及び酸化リチウム（Ｌｉｔｕ）から選ば
れた一成分を０．０１〜３０モル％加え、その配合量を
正確に秤量した。
秤量した原料粉は実施例１と同様に、混合、造粒。
成形して焼成温度を１２００−１４００℃に変えて三時
間保持して大気中で焼成した。焼成後の冷却速度は１３
３℃／ｈであった。得られた焼結体は両端面をラップマ
スタで約０．５ｍａずつ研磨し、トリクロルエチレン中
で超音波洗浄した。洗浄した焼結体は研磨面にＡＱ溶射
電極を形成して抵抗体とした。得られた抵抗体の焼結体
の相対密度と抵抗率。
間保持して大気中で焼成した。焼成後の冷却速度は１３
３℃／ｈであった。得られた焼結体は両端面をラップマ
スタで約０．５ｍａずつ研磨し、トリクロルエチレン中
で超音波洗浄した。洗浄した焼結体は研磨面にＡＱ溶射
電極を形成して抵抗体とした。得られた抵抗体の焼結体
の相対密度と抵抗率。
放電サージ耐量及び抵抗温度係数との関係を第１図に示
す。
す。
第１図から、抵抗体の放電サージ耐量及び抵抗温度係数
は焼結体の相対密度に著しく影響されていることがわか
る。すなわち、放電サージ耐量は焼結体の相対密度を７
０％以下及び９０％以上にすると４００Ｊ／ｄ以下で従
来品（炭素分散型抵抗体）よりも小さくなる。一方、抵
抗温度係数は焼結体の相対密度を約９５％以上にすると
負になり遮断器用の抵抗体として好ましくなくなる。
は焼結体の相対密度に著しく影響されていることがわか
る。すなわち、放電サージ耐量は焼結体の相対密度を７
０％以下及び９０％以上にすると４００Ｊ／ｄ以下で従
来品（炭素分散型抵抗体）よりも小さくなる。一方、抵
抗温度係数は焼結体の相対密度を約９５％以上にすると
負になり遮断器用の抵抗体として好ましくなくなる。
これらのことから、遮断用抵抗体として特に望ましいの
は焼結体の相対密度を７０〜９０％にすることである。
は焼結体の相対密度を７０〜９０％にすることである。
〔実施例３〕
酸化亜鉛（Ｚ ｎ Ｏ） ４８８０ｇ、酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）４００ｇ、酸化アルミニウム（ＡＱｚＯａ
）２５５０ｇ、酸化珪素（Ｓ ｉ Ｏｚ） ３００ ｆ
を酸化リチウム（ＬｉｚＯ）２ｇを湿式ボールミルで
中玉時間混合する。混合した原料粉は、実施例１及び２
と麹様に、造粒、成形して焼成する。焼成方法は１３５
０℃、工時間保持した後、その冷却速度を１７’Ｃ／ｈ
ｒ、３０℃／ｈｒ、６０℃／ｈｒ、１３３’Ｃ／ｈｒ、
２００℃／ ｈ ｒ及び３００℃／ｈｒに変えて行なっ
た。得られた焼結体の相対密度は８０〜８５％であった
。焼成した焼結体は面端面をラップマスタで約０．５ｍ
づつ研磨し、トリコルエチレン中で超音波洗浄した。洗
浄後の焼結体は研磨面にＡＩ２溶射電極を形成して抵抗
体とした。得られた抵抗体の抵抗率は４５０〜５００Ω
・■であった。得られた抵抗体の焼成後の冷却速度と電
圧−電流特性の直線性指数α、放電サージ耐量及び抵抗
温度係数との関係を第２図に示す。
ム（ＭｇＯ）４００ｇ、酸化アルミニウム（ＡＱｚＯａ
）２５５０ｇ、酸化珪素（Ｓ ｉ Ｏｚ） ３００ ｆ
を酸化リチウム（ＬｉｚＯ）２ｇを湿式ボールミルで
中玉時間混合する。混合した原料粉は、実施例１及び２
と麹様に、造粒、成形して焼成する。焼成方法は１３５
０℃、工時間保持した後、その冷却速度を１７’Ｃ／ｈ
ｒ、３０℃／ｈｒ、６０℃／ｈｒ、１３３’Ｃ／ｈｒ、
２００℃／ ｈ ｒ及び３００℃／ｈｒに変えて行なっ
た。得られた焼結体の相対密度は８０〜８５％であった
。焼成した焼結体は面端面をラップマスタで約０．５ｍ
づつ研磨し、トリコルエチレン中で超音波洗浄した。洗
浄後の焼結体は研磨面にＡＩ２溶射電極を形成して抵抗
体とした。得られた抵抗体の抵抗率は４５０〜５００Ω
・■であった。得られた抵抗体の焼成後の冷却速度と電
圧−電流特性の直線性指数α、放電サージ耐量及び抵抗
温度係数との関係を第２図に示す。
第２図から、抵抗体の直線指数αは焼成後の冷却速度を
速くするにしたがって大きくなり、目標値の１．３以下
にするには冷却速度を約１５０℃／ ｈ ｒ以下にする
必要がある。また、放電サージ耐量は冷却速度を速くす
るにしたがって低下する傾向にあるが、冷却速度の最も
速い３００℃／ｈｒでも約７５０Ｊ／ａＩで従来品（炭
素分散型抵抗体）の４００Ｊ／ｃｄよりも大きい、一方
、抵抗温度係数はいずれも正である。
速くするにしたがって大きくなり、目標値の１．３以下
にするには冷却速度を約１５０℃／ ｈ ｒ以下にする
必要がある。また、放電サージ耐量は冷却速度を速くす
るにしたがって低下する傾向にあるが、冷却速度の最も
速い３００℃／ｈｒでも約７５０Ｊ／ａＩで従来品（炭
素分散型抵抗体）の４００Ｊ／ｃｄよりも大きい、一方
、抵抗温度係数はいずれも正である。
これらのことから、遮断器用抵抗体として特に望ましい
のは焼成後の冷却速度を１５０℃／ｈｒ以下にすること
である。
のは焼成後の冷却速度を１５０℃／ｈｒ以下にすること
である。
〔実施例４〕
第３図及び第４図は本発明の酸化物抵抗体をＳＦｓガス
封入して送電用遮断器の投入時に発生するサージを吸収
する投入抵抗器及び送電用変圧器の中性点接地抵抗器（
ＮＧＲ）に応用した例を示す、第８図に示した円筒状酸
化物抵抗体４は絶縁棒５を介して第３図の投入抵抗器６
及び第４図のＮＧＨに組込み使用している。第３図及び
第４図中での７はコンデンサ、８は遮断部、９はブッシ
ング、１０はタンク、１１は接地端である。
封入して送電用遮断器の投入時に発生するサージを吸収
する投入抵抗器及び送電用変圧器の中性点接地抵抗器（
ＮＧＲ）に応用した例を示す、第８図に示した円筒状酸
化物抵抗体４は絶縁棒５を介して第３図の投入抵抗器６
及び第４図のＮＧＨに組込み使用している。第３図及び
第４図中での７はコンデンサ、８は遮断部、９はブッシ
ング、１０はタンク、１１は接地端である。
第５図及び第６図は本発明の酸化物抵抗体を用いた場合
と従来形抵抗体を用いた場合の遮断器の投入抵抗器及び
ＮＧＲを比較したものである。
と従来形抵抗体を用いた場合の遮断器の投入抵抗器及び
ＮＧＲを比較したものである。
本発明による酸化物直線性抵抗体は従来抵抗体（炭素分
散型抵抗体）に比べて約２．３倍と大きく。
散型抵抗体）に比べて約２．３倍と大きく。
電圧−電流特性の直線性が優れ、抵抗温度係数が正でし
かも小さく、かつ、５００℃での熱処理後の抵抗値変化
も小さいため、従来型遮断器の抵抗体がしめる面積を約
１／２にすることができる。
かも小さく、かつ、５００℃での熱処理後の抵抗値変化
も小さいため、従来型遮断器の抵抗体がしめる面積を約
１／２にすることができる。
第１図は本発明の一実施例の酸化物抵抗体の焼結体の相
対密度と抵抗率、放電サージ耐量及び抵抗温度係数との
関数図、第２図は本発明酸化物抵抗体の焼成後の冷却速
度と電圧−電流特性の直線性指数α、放電サージ耐量及
び抵抗温度係数との関係図、第３図及び第４図は本発明
の酸化物抵抗体を送電用の遮断器及び変圧器用の中性点
接地抵抗器に応用した柄図、第５図及び第６図は本発明
の酸化物抵抗体を用いた場合と従来形抵抗体を用いた場
合の遮断器及び中性点接地抵抗器を比較した図、第７図
及び第８図は本発明の実施例に係る酸化物抵抗体の断面
図である。 １・・・焼結体。
対密度と抵抗率、放電サージ耐量及び抵抗温度係数との
関数図、第２図は本発明酸化物抵抗体の焼成後の冷却速
度と電圧−電流特性の直線性指数α、放電サージ耐量及
び抵抗温度係数との関係図、第３図及び第４図は本発明
の酸化物抵抗体を送電用の遮断器及び変圧器用の中性点
接地抵抗器に応用した柄図、第５図及び第６図は本発明
の酸化物抵抗体を用いた場合と従来形抵抗体を用いた場
合の遮断器及び中性点接地抵抗器を比較した図、第７図
及び第８図は本発明の実施例に係る酸化物抵抗体の断面
図である。 １・・・焼結体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、抵抗率が２０〜４０００Ω・ｃｍの範囲で、電圧−
電流特性の直線性が良い、例えば、酸化要銘、酸化アル
ミニウム、酸化マグネシウムを基本成分に酸化アンチモ
ン、酸化珪素、酸化リチウムなどから選ばれた一成分以
上を０．０１〜３０モル％添加、焼成して得られる焼結
体の少なくとも上下端面に電極が形成される抵抗体にお
いて、 前記焼結体の相対密度を７０〜９０％としたことを特徴
とする酸化物抵抗体。 ２、特許請求の範囲１項において、 相対密度７０〜９０％の前記焼結体の焼成後の冷却速度
を１５０℃／ｈ以下にしたことを特徴とする酸化物抵抗
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198856A JPH07114161B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 酸化物抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198856A JPH07114161B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 酸化物抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355904A true JPS6355904A (ja) | 1988-03-10 |
| JPH07114161B2 JPH07114161B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=16398048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198856A Expired - Lifetime JPH07114161B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 酸化物抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114161B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584308A (en) * | 1995-04-21 | 1996-12-17 | Maekawa; Seiji | Permanent wave method and apparatus |
| US5764129A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Ceramic resistor, production method thereof, neutral grounding resistor and circuit breaker |
| US6911893B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126902A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Marukon Denshi Kk | Ceramic varistor and method of producing same |
| JPS5753906A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Tokyo Shibaura Electric Co |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61198856A patent/JPH07114161B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56126902A (en) * | 1980-03-10 | 1981-10-05 | Marukon Denshi Kk | Ceramic varistor and method of producing same |
| JPS5753906A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764129A (en) * | 1995-03-27 | 1998-06-09 | Hitachi, Ltd. | Ceramic resistor, production method thereof, neutral grounding resistor and circuit breaker |
| US5584308A (en) * | 1995-04-21 | 1996-12-17 | Maekawa; Seiji | Permanent wave method and apparatus |
| US6911893B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07114161B2 (ja) | 1995-12-06 |
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