JPH01147553A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPH01147553A
JPH01147553A JP30585587A JP30585587A JPH01147553A JP H01147553 A JPH01147553 A JP H01147553A JP 30585587 A JP30585587 A JP 30585587A JP 30585587 A JP30585587 A JP 30585587A JP H01147553 A JPH01147553 A JP H01147553A
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photosensitive layer
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JP30585587A
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Yutaka Akasaki
赤崎 豊
Akihiko Tokida
明彦 常田
Kaoru Torigoe
薫 鳥越
Toru Ishii
徹 石井
Hidemi Sudo
須藤 秀美
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Fujifilm Business Innovation Corp
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Fuji Xerox Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真感光体に関し、詳しくは、特定のス
クアリリウム化合物を含む感光層を有する電子写真感光
体に関する。
従来の技術 従来、電子写真感光材料として、無定形セレン、セレン
合金、硫化カドミウム、酸化亜鉛などの無機系の光導電
性物質やポリビニルカルバゾール及びポリビニルカルバ
ゾール誘導体に代表される有機系の光導電性物質が広く
知られている。
有機系光導電性物質は、無機系のものに比し、透明性、
皮膜形成性、可撓性、製造性などの点で優れているとい
う利点が必る。
発明が解決しようとする問題点 この様な多くの利点を有しながら有機系の光導電性物質
が電子写真感光体に用いられなかったのは、感度及び耐
久性の点で無機系のものに劣るためであった。
したがって、本発明は、有機系の光導電性物質を用いた
場合における上記の欠点に鑑みてなされたものであって
、その目的は、高感度の電子写真感光体を提供すること
にある。
問題点を解決するための手段 本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上に、下記−
最大(I> [式中、R1は水素原子、メチル基、カルボキシル基、
ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、アルキルまたは
フェニル基置換カルボンアミド基、またはアルキルまた
はフェニル基置換スルフォンアミド基を表わし、×1及
び×2は、それぞれ、互いに独立したものであって、 (式中、Zoは環を形成するに必要な原子団を表わし、
R及びR3は、それぞれ互いに独立したちのであって、
炭素数1〜20のアルキル基、非置換ベンジル基、又は
炭素数1〜6のアルキル基、水酸基、炭素数1〜4のア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素
数1〜4のフルコキシ力ルボニル基及びトリフルオロメ
チル基よりなる群から選ばれた少なくとも1つ置換され
たベンジル基を表わす)を表わすコ で示されるスクアリリウム化合物を含有する感光層が形
成されてなることを特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の電子写真感光体において使用する前記−最大(
I)で表わされるスクアリリウム化合物のうち代表的な
ものとして、下記−最大(n)で示されるスクアリリウ
ム化合物が包含される。
(式中、R4は、水素原子、メチル基、フッ素原子又は
水酸基を表わす) 本発明において使用する上記−最大(I>で示されるス
クアリリウム化合物の具体的なものとしでは次のものが
あげられる。
U 工〇− ° ○ 、○−2 ェ○− 7−9−1: “ ○ 、○−0 “  0 。○− 上記一般式(I>で示されるスクアリリウム化合物は、
次のようにして製造される。
即ち、3,4−ジクロロ−3−シクロブテン1゜2−ジ
オンと、下記−最大(I) ヒ (式中、×1は前記と同じ意味を表わす)で示される化
合物とを適当な溶媒例えば塩化メチレン中で反応させ、
下記−最大(1■)(式中、×1は前記と同じ意味を表
わす)で示されるクロロシクロブテンジオン誘導体を製
造し、次いで該クロロシクロブテンジオン誘導体を加水
分解して、下記−最大(v) (式中、×1は前記と同じ意味を表わす)で示されるヒ
ドロキシシクロブテンジオン誘導体を製造し、該ヒドロ
シシクロブテンジオン誘導体を下記−最大(vl) (式中、R1及び×2は前記と同じ意味を表わす〉で示
される化合物と適当な溶媒、例えば、n−ブチルアルコ
ール、n−ヘプチルアルコール等の炭素数4〜8の脂肪
族アルコール、またはこれとベンゼン、トルエン等の芳
香族炭化水素との混合溶媒中で加熱して反応させること
によって製造することができる。
その代表的な合成例を以下に示すが、上記例示した他の
スクアリリウム化合物も同様にして製造することができ
る。
合成例 3.4−ジクロロ−3−シクロブテン1,2−ジオン 
3.64y (24,1ミリモル)、3.5−ジフルオ
ロ−N、N−ジメチルアニリン7.2g (48,0ミ
リモル)及び三フッ化硼素エチルエーテル銘体7.2 
q (48,0ミリモル〉を塩化メチレン 15rd!
に溶解し、空温で24時間攪拌し、反応を行なった。
反応終了後、反応混合物を希塩該、次いで水で洗浄し、
カラムクロマトグラフィーを用いて分1製を行ない、下
記構造式で示されるクロロシクロブテンジオン化合物 
2.319 (収率35%)をjqだ。
得られたクロロシクロブテンジオン化合物2.010 
g(7,40ミリモル)に酢110m1及び水5ばを加
え、2時間加熱還流させた後、放冷し、析出する沈澱物
を濾別し、下記構造式で示されるヒドロキシシクロブテ
ンジオン化合物1.610g(収率得られたヒドロキシ
シクロブテンジオン化合物1.50g(5,92ミリモ
ル)と3−ヒドロキシ−N。
N−ジメチルアニリン 0.829 (6,1ミリモル
)をブタノール 6(7中で20時間り0熱攪拌した後
、析出した青緑色結晶を濾別し、メタノール及びジエチ
ルエーテルで洗浄して、下記構造式で示されるスクアリ
リウム化合物 1.98g(収率90%)を得た。融点
 m、p、= 302℃(分解)。
本発明において、上記スクアリリウム化合物は、導電性
支持体上に設けられた感光層中に含有させるが、本発明
の電子写真感光体は、例えばり1)導電性支持体上に、
スクアリリウム化合物を、電荷輸送物質を含む結着樹脂
中に分散させてなる感光層を設けたもの、■導電性支持
体上に、スクアリリウム化合物及び電荷移動錯体を結着
樹脂中に分散させてなる感光層を設けたもの、及びG)
導電性支持体上に、スクアリリウム化合物を含む電荷発
生層及び電荷輸送物質を含む電荷輸送層を設けたものに
大別することができる。
本発明の電子写真感光体にあける導電性支持体としては
、アルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレススチー
ル等からなる金属板、金属ドラム、又は金属箔及び金属
その他の導電性物質の薄膜を設けたプラスチックフィル
ム、導電性付与剤を塗布又は含浸させた紙又はプラスチ
ックフィルム笠が用いられる。
本発明において、導電性支持体上に形成する感光層にお
いて、上記スクアリリウム化合物を結着樹脂中に分散さ
せる場合には、スクアリリウム化合物は、3萌以下、好
ましくは0.3萌以下の粒径の微粒子として分散させ、
そしてその配合量は、感光層に対して20重量%ないし
90重量%とするのが望ましい。
結着樹脂としては、ポリスチレン、シリコーン樹脂、ポ
リカーボネート、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ
エステル、ビニル系重合体、例えば、ポリビニルブチラ
ール等、セルロース類、例えば、セルロースエステル、
セルロースエーテル等、アルキッド樹脂等が使用できる
本発明の電子写真感光体において使用される電荷輸送物
質としては、例えば、N−メチル−N−フェニルヒドラ
ジノ−3−メチリデン−9−エチル力!レバゾール、N
、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エ
チルカルバゾールN−ジフェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−メチルカルバゾール、p−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−N,N−ジフェニルヒドラゾン、p
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N,N−ジ(p−
メトキシフェニル)ヒドラゾン、p−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド−N−(α−ナフチル)−N−フェニル
ヒドラゾン、β,β−ジ(4−メトキシフェニル)アク
ロレインジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン類、1−
フェニル−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチル
アミノフェニル)ピラゾリン、1−[キノリル(2>]
−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5− (p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン等のピラゾリン類
、2−(p−ジプロピルアミノフェニル)−4−(p−
ジメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフェニル
)オキサゾール、2−(p−ジエチルアミノスチリル)
−6−ジニチルアミノベンズオキサゾール等のオキサゾ
ール系化合物、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェ
ニル)−1.3.4−オキサジアゾール、2。
5−ビス(4′−ジエチルアミノ−2′−メチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾ
ール系化合物、ビス(4−ジエチルアミン−2−メチル
フェニル)−フェニルメタン等のトリアリールメタン系
化合物、トリフェニルアミン、2.4’ 、4″−トリ
メチルトリフェニルアミン、1,1−ビス[4’−N、
N−ジ(p−メチルフェニル)アミノフェニルコシクロ
ヘキサン等のトリアリールアミン系化合物、5− (p
−ジエチルアミノスチリルアントラセン等のアントラセ
ン系化合物、α−フェニル−4’−N、N−ジフェニル
アミノスチルベン、4’−N、N−ジ(p−メトキシフ
ェニル)アミノスチルベン等のスチルベン系化合物、N
、N’ −ジフェニル−\ N +−ビス(3−メチル
フェニル)−[1゜1′−ビフェニル]−4,4’−ジ
アミン、3゜3′−ジメチル−N、N、N’ 、N’ 
−テトラキス(4−メチルフェニル)−[1,1’ −
ビフェニル]−4,4’ −ジアミン等のベンジジン系
化合物等があげられ、これ等は結着樹脂中に含有させる
。ざらにまた、ポリ−N−ビニルカルバゾールポリビニ
ルアントラセン、ポリ−9−ビニルフェニルアントラセ
ン、ポリビニルピレン、ポリビニルアクリジン、ポリビ
ニルアセナフチレン、ポリグリシジルカルバゾール、ピ
レン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホ
ルムアルデヒド樹脂等の光導電性ポリマーがめげられ、
これ等はそれ自体で層を形成してもよい。
本発明において、感光層が積層溝造の場合には、電子写
真感光体の感度が高く、残留電位が低いので好ましい。
この場合、電荷発生層は、上記のようにスクアリリウム
化合物を、結着樹脂中に分散させて形成してもよいが、
スクアリリウム化合物の昇華又は蒸着によって形成して
もよい。また、電荷発生層あるいは電荷輸送層のどちら
を上層に設けてもよく、電荷発生層を上層に設けた場合
には電子写真感光体は、正帯電型として、電荷輸送層を
上層に設けた場合には、負帯電型として用いることがで
きる。
本発明の電子写真感光体において上記の感光層と導電性
支持体の間には接着層を設けてもよい。
接着層は、通常用いられている、例えば、ポリエステル
等の合成樹脂によって構成され、通常、膜厚0.5〜5
um程度に形成される。
実施例 以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例1 前記例示化合物1 1重量部にポリエステル樹脂(デュ
ポン製、アドヘツシブ49000)  1重量部、テト
ラヒドロフラン10i1部を加え、ボールミルで4時間
粉砕し、混合した分散液をバーコーターを用いてアルミ
ニウムを蒸着したポリエステルフィルム[東し製、メタ
ルミー(登録商標)]上に塗布し、70°Cで5時間乾
燥させ、膜厚1mの電荷発生層を作成した。
この電荷発生層上にN,N’ −ジフェニル−N。
N′−ビス−(3−メチルフェニル)−[1。
1′−ビフェニル]ー4.4’ージアミン1重通部、ポ
リカーボネート樹脂[余人製、パンライト(登録商標〉
] 11重量部テトラヒドロフラン10重量部からなる
均一溶液をアプリケーターを用いて塗布し、70℃で5
時間乾燥させて厚さ22μmの電荷輸送層を形成し、電
子写真感光体を作成した。
次に、静電複写紙試験袋@(川口電機製、ニレクロトロ
スタテイック・ペーパー・アナライザーSP−428 
)を用いて、−6kVのコロナ放電を施して負帯電させ
た後、2秒間暗所放置し、続いてタングステンランプを
用い、表面の照度が10ルツクスになるように感光層に
光照射を施し、その表面電位が暗所放置後の表面電位V
Dの172になる露光量上1/2を求めた。その結果は
、初期帯電電位Vo=1030V、2秒間暗所放置後(
DB位VDDP = 970V, El/2 = 2.
0ルツ’)ス・秒、残留電位Rp−〇vで必った。
又、長波長の光に対して極めて優れた感度を有すること
を明らかにするため、以下の測定を行なった。上記の電
子写真感光体を暗所でコロナ放電を行ない帯電させた後
、モノクロメータ−を用いて800nmに分光下1μ訂
CMの単色光を電子写真感光体に照射した。そしてその
表面電位が172になるまでの時間を測り、露光量を求
めた。その結果、露光量は9.9エルグ/ cmであっ
た。
実施例2〜5 実施例1において、前記例示化合物1の代わりに例示化
合物2.4.19及び25を用いた以外は、実施例1に
おけると同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第1表に示す。
第1表 発明の効果 本発明の電子写真感光体は、前記−最大(I>で示され
る構造のスクアリリウム化合物を用いた感光層を有する
から、帯電性が優れ、残留電位も低く、従来の有機系光
導電性物質を用いた電子写真感光体に比して、感度の点
で優れたものとなっている。
特許出願人  富士ゼロックス株式会社代理人    
弁理士  製部 剛

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性支持体上に、下記一般式( I )▲数式、
    化学式、表等があります▼( I )[式中、R_1は水
    素原子、メチル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、ト
    リフルオロメチル基、アルキルまたはフェニル基置換カ
    ルボンアミド基、またはアルキルまたはフェニル基置換
    スルフォンアミド基を表わし、X_1及びX_2は、そ
    れぞれ、互いに独立したものであって、 基▲数式、化学式、表等があります▼又は基▲数式、化
    学式、表等があります▼ (式中、Zは環を形成するに必要な原子団を表わし、R
    _2及びR_3は、それぞれ互いに独立したものであっ
    て、炭素数1〜20のアルキル基、非置換ベンジル基、
    又は炭素数1〜6のアルキル基、水酸基、炭素数1〜4
    のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
    炭素数1〜4のアルコキシカルボニル基及びトリフルオ
    ロメチル基よりなる群から選ばれた少なくとも1つ置換
    されたベンジル基を表わす)を表わす] で示されるスクアリリウム化合物を含有する感光層が形
    成されてなることを特徴とする電子写真感光体。
  2. (2)スクアリリウム化合物が下記一般式(II)▲数式
    、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_4は、水素原子、メチル基、フッ素原子又
    は水酸基を表わす。) で示されることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
    載の電子写真感光体。
JP30585587A 1987-12-04 1987-12-04 電子写真感光体 Pending JPH01147553A (ja)

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JP30585587A JPH01147553A (ja) 1987-12-04 1987-12-04 電子写真感光体
US07/278,917 US5047589A (en) 1987-12-04 1988-12-02 Electrophotographic light-sensitive material containing squarylium compound
US07/623,697 US5169987A (en) 1987-12-04 1990-12-07 Squarlylium compound

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30585587A JPH01147553A (ja) 1987-12-04 1987-12-04 電子写真感光体

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