JPH01148795A - 酸化物超電導体結晶の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体結晶の製造方法Info
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- JPH01148795A JPH01148795A JP62304632A JP30463287A JPH01148795A JP H01148795 A JPH01148795 A JP H01148795A JP 62304632 A JP62304632 A JP 62304632A JP 30463287 A JP30463287 A JP 30463287A JP H01148795 A JPH01148795 A JP H01148795A
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- Japan
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- flux
- oxide superconductor
- crystal
- superconductor crystal
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、多元系酸化物超電導体結晶の製造方法に関す
る。
る。
（従来の技術）
最近、液体窒素温度程度の高温で超電導を示す高温超電
導体材料として、ペロブスカイト構造の多元系酸化物超
電導体が注目されている。これまでに報告されている酸
化物超電導体の代表的なものは、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ
や２ ３７−δ （Ｌａ、Ｂａ） ２Ｃｕ３Ｏ７−δ等である。これら
の４−ｙ 酸化物超電導材料は、焼結法、蒸着法、スパッタ法等に
より得られている。
導体材料として、ペロブスカイト構造の多元系酸化物超
電導体が注目されている。これまでに報告されている酸
化物超電導体の代表的なものは、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ
や２ ３７−δ （Ｌａ、Ｂａ） ２Ｃｕ３Ｏ７−δ等である。これら
の４−ｙ 酸化物超電導材料は、焼結法、蒸着法、スパッタ法等に
より得られている。
今後これらの酸化物超電導体を具体的な素子に応用する
に当たって、超電導転移温度を高く安定に保ち、また大
きい臨界電流を得、素子特性の均一性、信頼性を優れた
ものとするためには、ある程度大きい面積の単結晶基板
或いは単結晶層として実現することが強く望まれる。こ
の種の酸化物超電導体の製造には、誘電体酸化物単結晶
の場合と同様にチョクラルスキー法（ＣＺ法）を用いる
ことが考えられる。しかし、結晶材料融液を用いるＣＺ
法では非常に高い温度での結晶成長になり、酸化物超電
導体は相転移を生じるため、所望の超 −電導体を得る
ことができない。
に当たって、超電導転移温度を高く安定に保ち、また大
きい臨界電流を得、素子特性の均一性、信頼性を優れた
ものとするためには、ある程度大きい面積の単結晶基板
或いは単結晶層として実現することが強く望まれる。こ
の種の酸化物超電導体の製造には、誘電体酸化物単結晶
の場合と同様にチョクラルスキー法（ＣＺ法）を用いる
ことが考えられる。しかし、結晶材料融液を用いるＣＺ
法では非常に高い温度での結晶成長になり、酸化物超電
導体は相転移を生じるため、所望の超 −電導体を得る
ことができない。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、多元系酸化物超電導材料の素子応用に当
たっては、その単結晶化が望まれるが、これまでそのよ
うな酸化物単結晶を形成する有効な方法は提案されてい
ない。
たっては、その単結晶化が望まれるが、これまでそのよ
うな酸化物単結晶を形成する有効な方法は提案されてい
ない。
本発明は上記した点に鑑み、多元系酸化物超電導体の結
晶の製造方法を提供することを目的とする。
晶の製造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明の方法は、アルカリ金属酸化物を含む２元系酸化
物をフラックスとして用いた液相成長法（キポラス法）
により多元系酸化物超電導体結晶を製造することを特徴
とする。
物をフラックスとして用いた液相成長法（キポラス法）
により多元系酸化物超電導体結晶を製造することを特徴
とする。
具体的に本発明で用いるフラックスとしては、ＬＩ Ｂ
Ｏ２−Ｎａ ＢＯ２系混合液やＮａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ３系
、Ｋ２Ｏ− Ｖ２Ｏ−５系、Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ−３系、
Ｋ２Ｏ− Ａｓ ２Ｏ−５系、Ｋ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５系、
Ｌｉ ２Ｏ−Ｂ２ｏ、系等の各種混合液がある。
Ｏ２−Ｎａ ＢＯ２系混合液やＮａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ３系
、Ｋ２Ｏ− Ｖ２Ｏ−５系、Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ−３系、
Ｋ２Ｏ− Ａｓ ２Ｏ−５系、Ｋ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５系、
Ｌｉ ２Ｏ−Ｂ２ｏ、系等の各種混合液がある。
（作用）
本発明によれば、上述のようなフラックスを用いたキポ
ラス法により、低い温度で多元系酸化物超電導体結晶の
成長が可能であり、超電導体の相転移が効果的に防止さ
れ、良好な多元系酸化物超電導体結晶を得ることができ
る。
ラス法により、低い温度で多元系酸化物超電導体結晶の
成長が可能であり、超電導体の相転移が効果的に防止さ
れ、良好な多元系酸化物超電導体結晶を得ることができ
る。
（実施例）
以下、本発明の詳細な説明する。実施例では、ＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶の製造法を説明す２ ３７−δ る。
Ｃｕ Ｏ結晶の製造法を説明す２ ３７−δ る。
第１図は、その結晶の引上げ装置を示す。第１図におい
て１は、アルミナシールド材であり、この中に白金ヒー
タ２が配置され、その中心部に白金ルツボ３が支持台４
上に配置されている。支持台４は炉外部とつながる支持
棒５と一体化され、回転可能になっている。６は熱雷対
である。ルツボ３内には、Ｌｉ ＢＯ２−Ｎａ ＢＯ２
混合液からなるフラックスを形成し、これに、必要な原
料酸化物を溶解した溶液７を形成する。
て１は、アルミナシールド材であり、この中に白金ヒー
タ２が配置され、その中心部に白金ルツボ３が支持台４
上に配置されている。支持台４は炉外部とつながる支持
棒５と一体化され、回転可能になっている。６は熱雷対
である。ルツボ３内には、Ｌｉ ＢＯ２−Ｎａ ＢＯ２
混合液からなるフラックスを形成し、これに、必要な原
料酸化物を溶解した溶液７を形成する。
第２図は、ＬＩ ＢＯ２−Ｎａ ＢＯ２の相図であり、
この系で適当なモル比を選ぶことにより、９００℃以下
で液相状態が得られる。従ってこの系をフラックスとし
て用いることにより、比較的低温でＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系結晶を引上げるための溶液を得ることが可能である。
この系で適当なモル比を選ぶことにより、９００℃以下
で液相状態が得られる。従ってこの系をフラックスとし
て用いることにより、比較的低温でＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０
系結晶を引上げるための溶液を得ることが可能である。
このようにしてルツボ３内に所望の溶液７を形成し、こ
れを１２Ｏ−０〜１３００℃で約１０時間放置した後、
溶液温度を下げて約９００〜１０００℃に設定する。そ
してこの溶液７に引上げ軸８の先端に取付けられたＹＣ
ｕ Ｏ単結晶からなる種子結晶を浸し、十分にこの種子
結晶を馴染ませる。その後、０．１〜０．５℃／ｈとい
う小さい冷却速度で結晶９を引上げる。この引上げに際
し、溶液７の表面にはガス導入パイプ１２を介して酸素
ガスを１００ｔｒ＋ｊ？／ｍ１ｎ程度供給する。
れを１２Ｏ−０〜１３００℃で約１０時間放置した後、
溶液温度を下げて約９００〜１０００℃に設定する。そ
してこの溶液７に引上げ軸８の先端に取付けられたＹＣ
ｕ Ｏ単結晶からなる種子結晶を浸し、十分にこの種子
結晶を馴染ませる。その後、０．１〜０．５℃／ｈとい
う小さい冷却速度で結晶９を引上げる。この引上げに際
し、溶液７の表面にはガス導入パイプ１２を介して酸素
ガスを１００ｔｒ＋ｊ？／ｍ１ｎ程度供給する。
１０は内部観察用光入射窓であり、１１は内部観察窓で
ある。
ある。
こうしてこの実施例によれば、キポラス法によって比較
的低温で、従って相転移を生じることなく、良質のＹＢ
ａ Ｃｕ Ｏ結晶を引上げる２ ３７−に とができる。この場合、結晶引上げに際して酸素ガスを
供給することにより、溶液中および成長結晶中の酸素欠
陥の発生を防止することができる。
的低温で、従って相転移を生じることなく、良質のＹＢ
ａ Ｃｕ Ｏ結晶を引上げる２ ３７−に とができる。この場合、結晶引上げに際して酸素ガスを
供給することにより、溶液中および成長結晶中の酸素欠
陥の発生を防止することができる。
次に、フラックスとして、Ｎａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ３系混合
液を用いた場合を説明する。第３図は、Ｎａ２Ｏ−
Ｂ２Ｏ−３系の相図であり、この系で適当なモル比を選
ぶことにより、やはり９００℃程度以下で液相状態が得
られる。このＮａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ３混合液（Ｂ２Ｏ−３
が６０〜９０モル％）をフラックスとして用いて先の実
施例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、９０
０〜１０００℃で約１０時間放置した後、溶液温度を下
げて８００〜９００℃に設定する。この後先の実施例と
同様にして、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶２ ３７−δ を引上げる。
液を用いた場合を説明する。第３図は、Ｎａ２Ｏ−
Ｂ２Ｏ−３系の相図であり、この系で適当なモル比を選
ぶことにより、やはり９００℃程度以下で液相状態が得
られる。このＮａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ３混合液（Ｂ２Ｏ−３
が６０〜９０モル％）をフラックスとして用いて先の実
施例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、９０
０〜１０００℃で約１０時間放置した後、溶液温度を下
げて８００〜９００℃に設定する。この後先の実施例と
同様にして、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶２ ３７−δ を引上げる。
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
２ ３７−δ
次に、フラックスとして、Ｋ２Ｏ− Ｖ２Ｏ−５系混
合液を用いた場合を説明する。第４図は、Ｋ２Ｏ−
Ｖ２Ｏ−５系の相図であり、この系で適当なモル比を選
ぶことにより、やはり９００°Ｃ程度以下で液相状態が
得られる。このに２〇−Ｂ２Ｏ５混合液（Ｖ２Ｏ３が６
５モル％以下）をフラックスとして用いて先の実施例と
同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１０００°
Ｃで約１０時間放置した後、溶液温度を下げて８５０〜
９００℃に設定する。この後先の実施例と同様にして、
ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶を引上げる。
合液を用いた場合を説明する。第４図は、Ｋ２Ｏ−
Ｖ２Ｏ−５系の相図であり、この系で適当なモル比を選
ぶことにより、やはり９００°Ｃ程度以下で液相状態が
得られる。このに２〇−Ｂ２Ｏ５混合液（Ｖ２Ｏ３が６
５モル％以下）をフラックスとして用いて先の実施例と
同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１０００°
Ｃで約１０時間放置した後、溶液温度を下げて８５０〜
９００℃に設定する。この後先の実施例と同様にして、
ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶を引上げる。
２ ３７−δ
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
２ ３７−δ
次に、フラックスとして、Ｋ２ＯＢ２Ｏ３系混合液を用
いた場合を説明する。第５図は、Ｋ２Ｏ− Ｂ２Ｏ−
３系の相図であり、この系で適当なモル比を選ぶことに
より、やはり９００℃程度以下で液相状態が得られる。
いた場合を説明する。第５図は、Ｋ２Ｏ− Ｂ２Ｏ−
３系の相図であり、この系で適当なモル比を選ぶことに
より、やはり９００℃程度以下で液相状態が得られる。
このに２Ｏ−Ｂ２Ｏ−３混合液（Ｂ２Ｏ−３が５０〜８
０モル％）をフラックスとして用いて先の実施例と同様
に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１２Ｏ−０〜１
３００℃で約１０時間放置した後、溶液温度を下げて９
００〜１０００℃に設定する。この後先の実施例と同様
にして、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結２ ３７−δ 晶を引上げる。
０モル％）をフラックスとして用いて先の実施例と同様
に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１２Ｏ−０〜１
３００℃で約１０時間放置した後、溶液温度を下げて９
００〜１０００℃に設定する。この後先の実施例と同様
にして、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結２ ３７−δ 晶を引上げる。
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
２ ３７−δ
次に、フラックスとして、Ｋ２Ｏ−Ａｓ２Ｏ５系混合液
を用いた場合を説明する。第６図は、Ｋ２Ｏ−Ａｓ２Ｏ
５系の相図であり、この系で適当なモル比を選ぶことに
より、やはり９００°Ｃ程度以下で液相状態が得られる
。このに２Ｏ−Ａｓ ２Ｏ−５混合液（ＡＳ２Ｏ−５が
４０〜６０モル％）をフラックスとして用いて先の実施
例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１２Ｏ
−０〜１３００℃で約１０時間放置した後、溶液温度を
下げて９００〜１０００℃に設定する。
を用いた場合を説明する。第６図は、Ｋ２Ｏ−Ａｓ２Ｏ
５系の相図であり、この系で適当なモル比を選ぶことに
より、やはり９００°Ｃ程度以下で液相状態が得られる
。このに２Ｏ−Ａｓ ２Ｏ−５混合液（ＡＳ２Ｏ−５が
４０〜６０モル％）をフラックスとして用いて先の実施
例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１２Ｏ
−０〜１３００℃で約１０時間放置した後、溶液温度を
下げて９００〜１０００℃に設定する。
この後先の実施例と同様にして、ＹＢａ Ｃｕ３０．
。
。
結晶を引上げる。
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
２ ３７−δ
次に、フラックスとして、Ｋ２Ｏ− Ｐ２Ｏ−５系混
合液を用いた場合を説明する。第７図は、Ｋ２Ｏ−−
Ｐ ２Ｏ−５系の相図であり、この系で適当なモル比を
選ぶことにより、やはり９００℃程度以下で液相状態が
得られる。このに２Ｏ−Ｂ２Ｏ５混合液をフラックスと
して用いて先の実施例と同様に必要な原料を溶解した溶
液を形成し、１２Ｏ−０〜１３００℃で約１０時間放置
した後、溶液温度を下げて９００〜１０００°Ｃに設定
する。この後先の実施例と同様にして、ＹＢａ Ｃｕ
Ｏ結晶を引上げる。
合液を用いた場合を説明する。第７図は、Ｋ２Ｏ−−
Ｐ ２Ｏ−５系の相図であり、この系で適当なモル比を
選ぶことにより、やはり９００℃程度以下で液相状態が
得られる。このに２Ｏ−Ｂ２Ｏ５混合液をフラックスと
して用いて先の実施例と同様に必要な原料を溶解した溶
液を形成し、１２Ｏ−０〜１３００℃で約１０時間放置
した後、溶液温度を下げて９００〜１０００°Ｃに設定
する。この後先の実施例と同様にして、ＹＢａ Ｃｕ
Ｏ結晶を引上げる。
２ ３７−δ
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
２ ３ ７−δ
次に、フラックスとして、Ｌｌ ２Ｏ− Ｂ２Ｏ−３
系混合液を用いた場合を説明する。第８図は、Ｋ２ＯＰ
２Ｏ５系の相図であり、この系で適当な比を選ぶことに
より、９００℃以下で液相状態が得られる。このＬｌ。
系混合液を用いた場合を説明する。第８図は、Ｋ２ＯＰ
２Ｏ５系の相図であり、この系で適当な比を選ぶことに
より、９００℃以下で液相状態が得られる。このＬｌ。
０−Ｂ２Ｏ３混合液をフラックスとして用いて先の実施
例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１２Ｏ
−０〜１３００°Ｃで約１０時間放置した後、溶液温度
を下げて９００〜１０００℃に設定する。この後先の実
施例と同様にして、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結２ ３７−
δ 晶を引上げる。
例と同様に必要な原料を溶解した溶液を形成し、１２Ｏ
−０〜１３００°Ｃで約１０時間放置した後、溶液温度
を下げて９００〜１０００℃に設定する。この後先の実
施例と同様にして、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結２ ３７−
δ 晶を引上げる。
この実施例によっても先の実施例と同様、良質のＹＢａ
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
Ｃｕ Ｏ結晶を得ることができる。
２ ３７−δ
以上の実施例では、ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶２ ３７
−δ を引上げる場合を説明したが、Ｙの代わりにＹｂ。
−δ を引上げる場合を説明したが、Ｙの代わりにＹｂ。
Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕなど他の希土類元
素が入った酸化物超電導体結晶の場合にも本発明は有効
であり、また、Ｓｃ −Ｂａ −Ｃｕ −Ｏ系、Ｓｒ
−Ｌａ −Ｃｕ−０系、更にＳ「をＢａ。
素が入った酸化物超電導体結晶の場合にも本発明は有効
であり、また、Ｓｃ −Ｂａ −Ｃｕ −Ｏ系、Ｓｒ
−Ｌａ −Ｃｕ−０系、更にＳ「をＢａ。
Ｃａなどで置換した系等、他のペロブスカイト構造を有
する多元系酸化物超電導体結晶を成長させる場合にも本
発明は有効である。また実施例では結晶引上げを説明し
たが、本発明は多元系酸化物超電導体層のエピタキシャ
ル成長にも有効である。
する多元系酸化物超電導体結晶を成長させる場合にも本
発明は有効である。また実施例では結晶引上げを説明し
たが、本発明は多元系酸化物超電導体層のエピタキシャ
ル成長にも有効である。
その池水発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施することができる。
て実施することができる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、アルカリ金属酸化物
を含む２元系酸化物をフラックスとするキボラス法によ
り、多元系酸化物超電導体の良質の結晶を得ることがで
きる。
を含む２元系酸化物をフラックスとするキボラス法によ
り、多元系酸化物超電導体の良質の結晶を得ることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−〇系結晶
の引上げ装置を示す図、第２図は、ＬＩ ＢＯ２−Ｎａ
ＢＯ２系の相図、第３図は、Ｎａ ２Ｏ− Ｂ２Ｏ
−３系の相図、第４図は、Ｋ２Ｏ−ｖ２Ｏ−．系の相図
、第５図はに２Ｏ−−８２Ｏ−３系の相図、第６図は、
Ｋ２Ｏ−Ａｓ２Ｏ５系の相図、第７図は、Ｋ ２Ｏ−
Ｐ ２Ｏ−５系の相図、第８図は、Ｌ１２Ｏ− Ｂ
２Ｏ３系の相図である。 １・・・アルミナシールド材、２・・・白金ヒータ、３
・・・白金ルツボ、４・・・支持台、５・・・支持棒、
６・・・熱電対、７・・・フラックスを含む溶液、８・
・・引上げ軸、９・・・ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶、１
０・・・内部観察２ ３７−δ 用光照射窓、１１・・・内部観察窓、１２・・・ガス導
入バイブ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ＬｉｚＯ−Ｎａ２Ｏ−−ＢｚＯ３ Ｌｉ２Ｏ−．Ｂ２Ｏ３Ｎａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ−３Ｎａ２Ｏ
−Ｂ２Ｏ−３モル比（’１０）第２図 Ｎａ２Ｏ−８２Ｏ−３ Ｎａ２Ｏ−
Ｂ２Ｏ−３８２Ｏ−３玉ル比 （’／、） 第３区 混廖 （°Ｃ） に２Ｏ−ＡＳ２Ｏ−Ｓ Ａｓ２Ｏ−ｓ ３
に２Ｏ−．ＡＳ２Ｏ−５に２Ｏ− モル片（０ん） モル）ｌｔＰ２Ｏ−５ に２Ｏ−−Ｐ２Ｏ−Ｓ
の引上げ装置を示す図、第２図は、ＬＩ ＢＯ２−Ｎａ
ＢＯ２系の相図、第３図は、Ｎａ ２Ｏ− Ｂ２Ｏ
−３系の相図、第４図は、Ｋ２Ｏ−ｖ２Ｏ−．系の相図
、第５図はに２Ｏ−−８２Ｏ−３系の相図、第６図は、
Ｋ２Ｏ−Ａｓ２Ｏ５系の相図、第７図は、Ｋ ２Ｏ−
Ｐ ２Ｏ−５系の相図、第８図は、Ｌ１２Ｏ− Ｂ
２Ｏ３系の相図である。 １・・・アルミナシールド材、２・・・白金ヒータ、３
・・・白金ルツボ、４・・・支持台、５・・・支持棒、
６・・・熱電対、７・・・フラックスを含む溶液、８・
・・引上げ軸、９・・・ＹＢａ Ｃｕ Ｏ結晶、１
０・・・内部観察２ ３７−δ 用光照射窓、１１・・・内部観察窓、１２・・・ガス導
入バイブ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 ＬｉｚＯ−Ｎａ２Ｏ−−ＢｚＯ３ Ｌｉ２Ｏ−．Ｂ２Ｏ３Ｎａ２Ｏ−−Ｂ２Ｏ−３Ｎａ２Ｏ
−Ｂ２Ｏ−３モル比（’１０）第２図 Ｎａ２Ｏ−８２Ｏ−３ Ｎａ２Ｏ−
Ｂ２Ｏ−３８２Ｏ−３玉ル比 （’／、） 第３区 混廖 （°Ｃ） に２Ｏ−ＡＳ２Ｏ−Ｓ Ａｓ２Ｏ−ｓ ３
に２Ｏ−．ＡＳ２Ｏ−５に２Ｏ− モル片（０ん） モル）ｌｔＰ２Ｏ−５ に２Ｏ−−Ｐ２Ｏ−Ｓ
Claims (9)
- （１）アルカリ金属酸化物を含む２元系酸化物をフラッ
クスとして用いた液相成長法により多元系酸化物超電導
体結晶を成長させることを特徴とする酸化物超電導体結
晶の製造方法。 - （２）前記多元系酸化物超電導体は、 ＡＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（Ａは、Ｙ、Ｙｂ、
Ｈｏ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕから選ばれた一種
）である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体結
晶の製造方法。 - （３）前記フラックスは、ＬｉＢＯ＿２−ＮａＢＯ＿２
系混合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電
導体結晶の製造方法。 - （４）前記フラックスは、Ｎａ＿２Ｏ−Ｂ＿２Ｏ＿３系
混合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導
体結晶の製造方法。 - （５）前記フラックスは、Ｋ＿２Ｏ−Ｖ＿２Ｏ＿５系混
合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体
結晶の製造方法。 - （６）前記フラックスは、Ｋ＿２Ｏ−Ｂ＿２Ｏ＿３系混
合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体
結晶の製造方法。 - （７）前記フラックスは、Ｋ＿２Ｏ−Ａｓ＿２Ｏ＿５系
混合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導
体結晶の製造方法。 - （８）前記フラックスは、Ｋ＿２Ｏ−Ｐ＿２Ｏ＿５系混
合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導体
結晶の製造方法。 - （９）前記フラックスは、Ｌｉ＿２Ｏ−Ｂ＿２Ｏ＿３系
混合液である特許請求の範囲第１項記載の酸化物超電導
体結晶の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304632A JP2637123B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 酸化物超電導体結晶の製造方法 |
| US07/205,177 US5162297A (en) | 1987-06-11 | 1988-06-10 | Liquid phase epitaxial growth of high temperature superconducting oxide wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62304632A JP2637123B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 酸化物超電導体結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01148795A true JPH01148795A (ja) | 1989-06-12 |
| JP2637123B2 JP2637123B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=17935371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62304632A Expired - Lifetime JP2637123B2 (ja) | 1987-06-11 | 1987-12-03 | 酸化物超電導体結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2637123B2 (ja) |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP62304632A patent/JP2637123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1987 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2637123B2 (ja) | 1997-08-06 |
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