JPS623092A - ＢａＰｂＯ３系酸化物超伝導体単結晶の溶液引上げ法による製造方法 - Google Patents
ＢａＰｂＯ３系酸化物超伝導体単結晶の溶液引上げ法による製造方法Info
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- JPS623092A JPS623092A JP14318985A JP14318985A JPS623092A JP S623092 A JPS623092 A JP S623092A JP 14318985 A JP14318985 A JP 14318985A JP 14318985 A JP14318985 A JP 14318985A JP S623092 A JPS623092 A JP S623092A
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Landscapes
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＢａＰｂＯ，またはＢａＰＪ−！Ｂ１ｚＯ
ｓ単結晶忙よるＢ ａ Ｐ ｂ Ｏｓ系酸化物超伝導体
単結晶の溶液引上げ法による製造方法忙関するものであ
る。
ｓ単結晶忙よるＢ ａ Ｐ ｂ Ｏｓ系酸化物超伝導体
単結晶の溶液引上げ法による製造方法忙関するものであ
る。
従来、高融点物質や包晶反応する物質の単結晶を得る手
段としては、通常、目的物質を溶剤中に混合し、その混
合融液を降温することにより混合融液な過飽和濃度以上
の状態にし、上記目的物質を融液から単結晶として析出
させ得るフランクス法が用いられていた。
段としては、通常、目的物質を溶剤中に混合し、その混
合融液を降温することにより混合融液な過飽和濃度以上
の状態にし、上記目的物質を融液から単結晶として析出
させ得るフランクス法が用いられていた。
ＢａＰｂ１−ｘＢｕｚｚｓはぺｐズス力イト展をもつ酸
化物で、Ｂｌの組成比Ｘが０または０．３５以下の場合
忙低温で超伝導を示す。特に、ｘ＝０．２５ＶＣおい１
超伝導転移温度Ｔ、が約１３にとなり、遷移金属′を含
まない超伝導物質では最高の転移温度を示す酸化物超伝
導体として知られている。極低温嵩子としてこれからの
応用が考えられ、そのためｋは大型の実質な単結晶が必
要とされ、その製造方法の開発が期待されている。
化物で、Ｂｌの組成比Ｘが０または０．３５以下の場合
忙低温で超伝導を示す。特に、ｘ＝０．２５ＶＣおい１
超伝導転移温度Ｔ、が約１３にとなり、遷移金属′を含
まない超伝導物質では最高の転移温度を示す酸化物超伝
導体として知られている。極低温嵩子としてこれからの
応用が考えられ、そのためｋは大型の実質な単結晶が必
要とされ、その製造方法の開発が期待されている。
本発明者は、先に、ＢａＰｂ＋−１Ｂ １ｚＯｓ単結晶
の製造方法を提案した（Ｊａｐａｎ＠ｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐ−１ｔｅｄ Ｐｈｙｓｌｅｉ Ｌｓ
ｔｔｓｒ、 ２３巻１０号、Ｌ、？７０頁、昭和５９年
１０月発行、参照）。この製造方法は、Ｂ ａ ＣＯｓ
Ｐ ｂ Ｏ（炭酸バリクムー酸化鉛］系の相平衡図
を作成し明らかにすることで、この相平衡図を基本的に
変化させない程度の量のＢｌｚ０寥（酸化ビスマスンを
添加すること忙より、ＢａＰ ｂ ＋ −ｚ Ｂ ｌ
ｘ Ｏｓ単結晶ｆｔＢａｃＯｓ とｐｂｏ とＢｌ、
Ｏ。
の製造方法を提案した（Ｊａｐａｎ＠ｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐ−１ｔｅｄ Ｐｈｙｓｌｅｉ Ｌｓ
ｔｔｓｒ、 ２３巻１０号、Ｌ、？７０頁、昭和５９年
１０月発行、参照）。この製造方法は、Ｂ ａ ＣＯｓ
Ｐ ｂ Ｏ（炭酸バリクムー酸化鉛］系の相平衡図
を作成し明らかにすることで、この相平衡図を基本的に
変化させない程度の量のＢｌｚ０寥（酸化ビスマスンを
添加すること忙より、ＢａＰ ｂ ＋ −ｚ Ｂ ｌ
ｘ Ｏｓ単結晶ｆｔＢａｃＯｓ とｐｂｏ とＢｌ、
Ｏ。
の３者を混合し約１０５０℃に熱した融液から融液降温
速度２〜１０℃／ｈ、結晶引上げ速度０．３ｎ り製造するものである。
速度２〜１０℃／ｈ、結晶引上げ速度０．３ｎ り製造するものである。
ところで、上記のような従来の製造方法によると、直径
３５ Ｘ ３０ ｍｍ 、厚さｌ ｍｍの大きさのＢａ
Ｐｂ＋−！Ｂｌ、Ｏｓ単結晶を得ることができたが１円
板状に育成され、厚さのより大きいものを製造すること
ができないとい５問題点があった。
３５ Ｘ ３０ ｍｍ 、厚さｌ ｍｍの大きさのＢａ
Ｐｂ＋−！Ｂｌ、Ｏｓ単結晶を得ることができたが１円
板状に育成され、厚さのより大きいものを製造すること
ができないとい５問題点があった。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で％製造時間を長くとることにより十分な厚さのあるＢ
ａＰｂＯｘまたはＢａＰｂ＋−ｘＢｌ、 Ｏｓ （ｘ
＝ ０．４以下）の大型の単結晶を得る製造方法を提供
するものである。
で％製造時間を長くとることにより十分な厚さのあるＢ
ａＰｂＯｘまたはＢａＰｂ＋−ｘＢｌ、 Ｏｓ （ｘ
＝ ０．４以下）の大型の単結晶を得る製造方法を提供
するものである。
この発明忙かかるＢａＰｂＯ１系酸化物超伝導体単結晶
の溶液引上げ法による製造方法は、ＰｂＯとＢ＆Ｃｏｗ
とＢａＣ１１（塩化バリワム）またはｐｂｏと３ａＣＯ
ｓとＢｈＯｍ とＢａＣ１，とを混合し”Ｉ： ９０
０〜１２００℃の温度に加熱融解して融液を生成し、次
いで、この融液を降温しなからＢａＰ ｂ Ｏｓ また
はＢ１Ｐｂ、−ｘＢ ｉ ｘ Ｏ＊ （ｘ ＝０．４以
下）の微結晶を析出させ、この微結晶を同じ（ＢａＰｂ
Ｏ５またはＢａＰ ｂｔ、Ｂｌｚ Ｏｓの種子結晶であ
る単結晶上に結晶して成長させたものである。
の溶液引上げ法による製造方法は、ＰｂＯとＢ＆Ｃｏｗ
とＢａＣ１１（塩化バリワム）またはｐｂｏと３ａＣＯ
ｓとＢｈＯｍ とＢａＣ１，とを混合し”Ｉ： ９０
０〜１２００℃の温度に加熱融解して融液を生成し、次
いで、この融液を降温しなからＢａＰ ｂ Ｏｓ また
はＢ１Ｐｂ、−ｘＢ ｉ ｘ Ｏ＊ （ｘ ＝０．４以
下）の微結晶を析出させ、この微結晶を同じ（ＢａＰｂ
Ｏ５またはＢａＰ ｂｔ、Ｂｌｚ Ｏｓの種子結晶であ
る単結晶上に結晶して成長させたものである。
ＢａＰｂＯ１またはＢａＰｂ＋−２Ｂｔｚ Ｏｓ種子結
晶を徐々に降温しているＢａＰｂ０ｍまたはＢ ＆ Ｐ
ｂ Ｉ−１Ｂ ｉｘ Ｏｓが過飽和濃度以上に混合され
ている融液に接触させると、最も温度の低い種子結晶と
接触し工いる融液の界ＩＮＫ ＢａＰｂ０ｍまたはＢａ
Ｐｂ、−、Ｂｉ！ｏ＊微結晶が少しずつ析出してきて種
子結晶である単結晶上に結晶化する。
晶を徐々に降温しているＢａＰｂ０ｍまたはＢ ＆ Ｐ
ｂ Ｉ−１Ｂ ｉｘ Ｏｓが過飽和濃度以上に混合され
ている融液に接触させると、最も温度の低い種子結晶と
接触し工いる融液の界ＩＮＫ ＢａＰｂ０ｍまたはＢａ
Ｐｂ、−、Ｂｉ！ｏ＊微結晶が少しずつ析出してきて種
子結晶である単結晶上に結晶化する。
まず、この発明の原理について説明する。
溶剤の役割を果すＰｂＯとＢａＣ１４の混合融液に結晶
成分となるＢ ａ ＣＯｓとｐｂｏとＢ ｌ ＊ Ｏｓ
から構成される化合物ＢａＰ ｂ、−！ｎ ｉｆ ｏ、
をこの溶剤に対して過飽和濃度以上の割合で混合し、加
熱融解して融液な生成する。その後、この混合融液を徐
々゛に冷却し工い（と、過飽和になった分のＢａＰｂ１
−ｘ”つ０、が微結晶どなって析出してくる。この微結
晶を同じ成分の単結晶である。Ｂ ａ Ｐ ｂ、、Ｂ
ｌ工Ｏ３種子結晶上に析出せしめ、それを育成させ工引
き上げる製造方法でおる。
成分となるＢ ａ ＣＯｓとｐｂｏとＢ ｌ ＊ Ｏｓ
から構成される化合物ＢａＰ ｂ、−！ｎ ｉｆ ｏ、
をこの溶剤に対して過飽和濃度以上の割合で混合し、加
熱融解して融液な生成する。その後、この混合融液を徐
々゛に冷却し工い（と、過飽和になった分のＢａＰｂ１
−ｘ”つ０、が微結晶どなって析出してくる。この微結
晶を同じ成分の単結晶である。Ｂ ａ Ｐ ｂ、、Ｂ
ｌ工Ｏ３種子結晶上に析出せしめ、それを育成させ工引
き上げる製造方法でおる。
第１図（ａ）、 （ｂ）はこの発明の一実施例を説明す
るためＫＢａＣＯ＊ とｐｂｏとＢａＣ１，どＢｌｚ０
．との４者の混合比を変九℃単績晶育成を実施し、それ
を作図し、たＢａ、ＣＯ３ＰｂＯ刊３ａＣ１ｇの単結晶
育成可能の組成範囲を示す図である。これらの図におい
て、黒丸印はＢ ＆ Ｐ ｂ、−０Ｂ ｌ ｘ Ｏｓ大
３１１３結晶（５Ｘ ５ Ｘ ２ ｍｍ以上）の育成可
能であることを示す。
るためＫＢａＣＯ＊ とｐｂｏとＢａＣ１，どＢｌｚ０
．との４者の混合比を変九℃単績晶育成を実施し、それ
を作図し、たＢａ、ＣＯ３ＰｂＯ刊３ａＣ１ｇの単結晶
育成可能の組成範囲を示す図である。これらの図におい
て、黒丸印はＢ ＆ Ｐ ｂ、−０Ｂ ｌ ｘ Ｏｓ大
３１１３結晶（５Ｘ ５ Ｘ ２ ｍｍ以上）の育成可
能であることを示す。
ここで、第１図（ａ）は重量比でＢｌｚＯ＊ ／ｐｂ
Ｏが０ ／ １００のとき１３ａＰｂｏｓ大型単結晶の
育成範囲はｐｂｏが６５〜９０重量％、８ａＣＯｓが５
〜２５重量％、ＢａＣ１５が２〜ｚｓ菫量％であること
が示されている。
Ｏが０ ／ １００のとき１３ａＰｂｏｓ大型単結晶の
育成範囲はｐｂｏが６５〜９０重量％、８ａＣＯｓが５
〜２５重量％、ＢａＣ１５が２〜ｚｓ菫量％であること
が示されている。
第１図（ｂ）では重量比で旧＊Ｏｓ／ＰｂＯが２０／８
０のとき、ＢａＰｂ＋−ｚＢｌｘ Ｏｎ大型単結晶の育
成範囲はｐｂｏ が７５〜８８重量％、Ｂａｃｏｎが８
〜１８重量％＊ ＢａＣＬ、 が２〜１５ｊｔ量％で
あることが示されている。
０のとき、ＢａＰｂ＋−ｚＢｌｘ Ｏｎ大型単結晶の育
成範囲はｐｂｏ が７５〜８８重量％、Ｂａｃｏｎが８
〜１８重量％＊ ＢａＣＬ、 が２〜１５ｊｔ量％で
あることが示されている。
＠２図はＢａ Ｐ ｂ ０３またはＢ ａＰｂ＋−Ｊｌ
ｘＯ＊単結晶の溶液引上げ法を実施するための製造装置
を示す構成図で、１は水冷シャフト、２は前記水冷シャ
ツ）ＩＫ接続された白金シャフト、３は保温材、４は前
記保温材３の外周に巻回された高周波加熱コイル、５は
熱電対、６は前記白金シャフト２の先端に取り付けられ
たＢａＰｂ０ｍまたはＢ ａ Ｐ ｂ ５−ｘＢｌ、Ｏ
ｓ の種子結晶である単結晶、Ｔは出発原料、８は前
記出発原料７を入れる白金るつぼ、Ｓは前記るつぼ８を
支持する支持部材である。
ｘＯ＊単結晶の溶液引上げ法を実施するための製造装置
を示す構成図で、１は水冷シャフト、２は前記水冷シャ
ツ）ＩＫ接続された白金シャフト、３は保温材、４は前
記保温材３の外周に巻回された高周波加熱コイル、５は
熱電対、６は前記白金シャフト２の先端に取り付けられ
たＢａＰｂ０ｍまたはＢ ａ Ｐ ｂ ５−ｘＢｌ、Ｏ
ｓ の種子結晶である単結晶、Ｔは出発原料、８は前
記出発原料７を入れる白金るつぼ、Ｓは前記るつぼ８を
支持する支持部材である。
次に、ＢａＰｂ＋−１Ｂ１！Ｏｎ単結晶の製造方法の一
例忙つい工説明する。
例忙つい工説明する。
Ｂｌとｐｂの比であるＸの所望の数値のＢａＰｂ１−！
ＢｌｘＯｓ単結晶を製造する場合、融液に混入したＰｂ
ＯとＢ１０．の重量比の約６０〜７５％の値のＢｉがＰ
ｂ Ｋ１ｆｆ１換（すなわちＸの値ンされたＢａＰｂ＋
−ＸＢＩＩＯ１単結晶力；育成されることが実験により
明らかＫなっている。このことを考えに入れて、ＰｂＯ
が６５〜９０重量％、ＢａＣＱｌが５〜２５重量％。
ＢｌｘＯｓ単結晶を製造する場合、融液に混入したＰｂ
ＯとＢ１０．の重量比の約６０〜７５％の値のＢｉがＰ
ｂ Ｋ１ｆｆ１換（すなわちＸの値ンされたＢａＰｂ＋
−ＸＢＩＩＯ１単結晶力；育成されることが実験により
明らかＫなっている。このことを考えに入れて、ＰｂＯ
が６５〜９０重量％、ＢａＣＱｌが５〜２５重量％。
ＢａＣ１，が２〜２５％を混合したものに、ｐｂ。
ｋ対して重量比で８１，０．を５ｏ％まで混合した４者
の融液な作り、これを出発原料７とする。このような出
発原料１を第２図に、示す口径５０ｍｍ５高さ３５ｍ、
ｍの発熱体を兼ねた白金るつぼ８に入れ、高周波加熱コ
イル４による誘導加熱法忙より約１０５０℃まで加熱し
て融解させた後、白金シャフト２の先端に取り付けた種
子結晶である棒状のＢａＰｂ５−ｘＢｌ、Ｏｓ単結晶で
ある棒状のＢａＰｂａ−、Ｊ３１゜０、の種子結晶であ
る単結晶６を融液表面に接触させる。次いで、融液を徐
々に降温させると、最も温度の低い種子結晶である単結
晶６と接触している融液の界面Ｋ Ｂ ａ Ｐ ｂ、−
ｘＢ ｉ ｚ Ｏｓ微結晶が少しずつ析出してきて種子
結晶であるＢａＰｂ１，８１ｘＯ寥の単結晶Ｂ上に結晶
化する。この上５に成長してきた単結晶を融液から回転
させながら引き上げる。
の融液な作り、これを出発原料７とする。このような出
発原料１を第２図に、示す口径５０ｍｍ５高さ３５ｍ、
ｍの発熱体を兼ねた白金るつぼ８に入れ、高周波加熱コ
イル４による誘導加熱法忙より約１０５０℃まで加熱し
て融解させた後、白金シャフト２の先端に取り付けた種
子結晶である棒状のＢａＰｂ５−ｘＢｌ、Ｏｓ単結晶で
ある棒状のＢａＰｂａ−、Ｊ３１゜０、の種子結晶であ
る単結晶６を融液表面に接触させる。次いで、融液を徐
々に降温させると、最も温度の低い種子結晶である単結
晶６と接触している融液の界面Ｋ Ｂ ａ Ｐ ｂ、−
ｘＢ ｉ ｚ Ｏｓ微結晶が少しずつ析出してきて種子
結晶であるＢａＰｂ１，８１ｘＯ寥の単結晶Ｂ上に結晶
化する。この上５に成長してきた単結晶を融液から回転
させながら引き上げる。
すなわち、融液を降温させながら育Ｍ、された単結晶の
引上げを同時に行５のである。この時の調造条件として
種子結晶であるＢａＰｂｘ−２Ｂ１ｚＯｍめ単結晶６の
引き上げ速度は０．３〜ｏ、 ｓ ｍｍ／ｈ、 １１１
液降温速度２〜５℃／ｈ 、種子結晶であるＢａＰｂ＋
−、Ｂ１ｘＯ８の単結晶６０回転数は約５０〜６０ ｒ
、ｐ、 ｍ。
引上げを同時に行５のである。この時の調造条件として
種子結晶であるＢａＰｂｘ−２Ｂ１ｚＯｍめ単結晶６の
引き上げ速度は０．３〜ｏ、 ｓ ｍｍ／ｈ、 １１１
液降温速度２〜５℃／ｈ 、種子結晶であるＢａＰｂ＋
−、Ｂ１ｘＯ８の単結晶６０回転数は約５０〜６０ ｒ
、ｐ、 ｍ。
雰囲気は有毒なＰｂＯ蒸気が外部に出ないように密閉容
器内の空気中で行う。この溶液引上げ法で現在までＩｌ
Ｃ５０Ｘ３５Ｘ４ｒｎの単結晶の育成に成功している。
器内の空気中で行う。この溶液引上げ法で現在までＩｌ
Ｃ５０Ｘ３５Ｘ４ｒｎの単結晶の育成に成功している。
以上説明したようＫこの発明は、ＰｂＯとＢａＯＯｓと
ＢａＣ１＊またはＰｂＯとＢａＣ０ｍとＢ１重ＯｓとＢ
ａＣ１ｇとを混合して９００〜１２００℃の温度に加熱
融解し工融液を生成し、次いで、この融液を降温しなか
らＢ１Ｐｂ０）またはＢａＰ ｂ、−、ｎ ｔ！ ｏｌ
（Ｘ ＝０−４以下λの微結晶を析出させ、この微結
晶を同じ＜ＢａＰｂ０ｚまたはＢａＰｂ１．Ｂ５０ｓの
種子結晶である単結晶上に結晶し″ｃ成長させたので、
製造時間を長（、また、出発原料を充填する白金るつぼ
を大きくすることにより、どのような大聖結晶でも製造
できるきわめ１丁ぐれた利点を有する。
ＢａＣ１＊またはＰｂＯとＢａＣ０ｍとＢ１重ＯｓとＢ
ａＣ１ｇとを混合して９００〜１２００℃の温度に加熱
融解し工融液を生成し、次いで、この融液を降温しなか
らＢ１Ｐｂ０）またはＢａＰ ｂ、−、ｎ ｔ！ ｏｌ
（Ｘ ＝０−４以下λの微結晶を析出させ、この微結
晶を同じ＜ＢａＰｂ０ｚまたはＢａＰｂ１．Ｂ５０ｓの
種子結晶である単結晶上に結晶し″ｃ成長させたので、
製造時間を長（、また、出発原料を充填する白金るつぼ
を大きくすることにより、どのような大聖結晶でも製造
できるきわめ１丁ぐれた利点を有する。
ＩＡ１図（ａ） 、（ｂ）はこの発明の一実施例を説明
するためのＢａＣＯ５ＰｂＯ−ＢａＣ１５系のＢａＰｂ
、−、ＢｉｘＯｓ単結晶育成可能組成範囲を示すもので
、第１図（＆）はＢ１雪Ｏｘの混入なしの場合を示す図
、第１図（ｂンはＢｉｘ０３をｐｂｏの重量に比して２
０／８０混入した場合を示す図、第２図はこの発明を実
施するだめの製造装置を示す構成図である。 図中、１は水冷シャフト、２は白金シャフト。 １・ｔ±保温材、４は高周波コイル、５は熱電対、６は
単結晶、７は出発原料、８は白金るつぼ、９はるつぼ支
持部材である。
するためのＢａＣＯ５ＰｂＯ−ＢａＣ１５系のＢａＰｂ
、−、ＢｉｘＯｓ単結晶育成可能組成範囲を示すもので
、第１図（＆）はＢ１雪Ｏｘの混入なしの場合を示す図
、第１図（ｂンはＢｉｘ０３をｐｂｏの重量に比して２
０／８０混入した場合を示す図、第２図はこの発明を実
施するだめの製造装置を示す構成図である。 図中、１は水冷シャフト、２は白金シャフト。 １・ｔ±保温材、４は高周波コイル、５は熱電対、６は
単結晶、７は出発原料、８は白金るつぼ、９はるつぼ支
持部材である。
Claims (3)
- （１）酸化鉛と炭酸バリウムと塩化バリウムとを混合し
て９００〜１２００℃の温度に加熱融解して融液を生成
し、次いで、この融液を降温しながらＢａＰｂＯ＿３の
微結晶を析出させ、この微結晶を同じくＢａＰｂＯ＿３
の種子結晶である単結晶上に結晶して成長させることを
特徴とするＢａＰｂＯ＿３系酸化物超伝導体単結晶の溶
液引上げ法による製造方法。 - （２）酸化鉛と炭酸バリウムと酸化ビスマスと塩化バリ
ウムとを混合して９００〜１２００℃の温度に加熱して
融液を生成し、次いで、この融液を降温しながら一般式
ＢａＰｂ＿１＿−＿ｘＢｉ＿ｘＯ＿３（ただし、ｘ＝０
．４以下）の微結晶を析出させ、この微結晶を同じくＢ
ａＰｂ＿１＿−＿ｘＢｉ＿ｘＯ＿３の種子結晶である単
結晶上に結晶して成長させることを特徴とするＢａＰｂ
Ｏ＿３系酸化物超伝導体単結晶の溶液引上げ法による製
造方法。 - （３）ＢａＰｂ＿１＿−＿ｘＢｉ＿ｘＯ＿３の大型単結
晶を得る溶液の組成範囲は、酸化鉛が６５〜９０重量％
、炭酸バリウムが５〜２５重量％、塩化バリウムが２〜
２５重量％の組成に３者を混合したものに対して酸化ビ
スマスを前記酸化鉛に対して重量比で５０％まで混合し
た４者の混合融液である特許請求の範囲第（２）項記載
のＢａＰｂＯ＿３系酸化物超伝導体単結晶の溶液引上げ
法による製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14318985A JPH0243717B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | Bapbo3keisankabutsuchodendotaitanketsushonoyoekihikiagehonyoruseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14318985A JPH0243717B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | Bapbo3keisankabutsuchodendotaitanketsushonoyoekihikiagehonyoruseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS623092A true JPS623092A (ja) | 1987-01-09 |
| JPH0243717B2 JPH0243717B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=15332942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14318985A Expired - Lifetime JPH0243717B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | Bapbo3keisankabutsuchodendotaitanketsushonoyoekihikiagehonyoruseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243717B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162297A (en) * | 1987-06-11 | 1992-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid phase epitaxial growth of high temperature superconducting oxide wafer |
| US6094404A (en) * | 1996-01-23 | 2000-07-25 | Seiko Epson Corporation | Display structure with solar cell, and electronic devices and timepiece powered by solar cell |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03279017A (ja) * | 1990-03-28 | 1991-12-10 | Mazda Motor Corp | 車両のパワートレイン構造 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14318985A patent/JPH0243717B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162297A (en) * | 1987-06-11 | 1992-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid phase epitaxial growth of high temperature superconducting oxide wafer |
| US6094404A (en) * | 1996-01-23 | 2000-07-25 | Seiko Epson Corporation | Display structure with solar cell, and electronic devices and timepiece powered by solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0243717B2 (ja) | 1990-10-01 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |