JPH01150324A - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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- JPH01150324A JPH01150324A JP62309196A JP30919687A JPH01150324A JP H01150324 A JPH01150324 A JP H01150324A JP 62309196 A JP62309196 A JP 62309196A JP 30919687 A JP30919687 A JP 30919687A JP H01150324 A JPH01150324 A JP H01150324A
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- ray
- pattern
- mask
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細パターンを高精度に転写するためのＸ線露
光装置に用いるＸ線露光用マスクの製造方法に関する。
光装置に用いるＸ線露光用マスクの製造方法に関する。
ｘｔＩｆＡｔｍ光法は、波長４〜５０オングストローム
の軟Ｘ線を使用することにより極微細パターンの転写が
可能な技術として知られている。従来からのＸ線露光用
マスクの製造方法としては、例えば、時開ＷＲ６０−５
５１９号公Ｗｌ（１） ｒ Ｘ１ｌｉｆｉ光用７スクお
よびその製法」がある。この製造方法を第５図に基づい
て説明する。
の軟Ｘ線を使用することにより極微細パターンの転写が
可能な技術として知られている。従来からのＸ線露光用
マスクの製造方法としては、例えば、時開ＷＲ６０−５
５１９号公Ｗｌ（１） ｒ Ｘ１ｌｉｆｉ光用７スクお
よびその製法」がある。この製造方法を第５図に基づい
て説明する。
まず、第５ａ図ではＳ１ウエハ１上にマスク基板２を形
成する。
成する。
次に、第５ｂ図ではマスク基板２上にタンタルＴａから
なるＸ線吸収体層３を形成する。
なるＸ線吸収体層３を形成する。
次に、第５ｃ図ではＸ線吸収体層３上に、後に電子吸収
体層として使用する５Ｉｏ２層からなるエツチングマス
ク層４を２０００オングストロームの厚さに形成する。
体層として使用する５Ｉｏ２層からなるエツチングマス
ク層４を２０００オングストロームの厚さに形成する。
次に、第５ｄ図ではエツチングマスク層４上にレジスト
層５を形成する。
層５を形成する。
次イで、第５ ｅ図に示すように、レジスト層５に対し
て所望のパターンを有する露光処理、そして、これに続
く現像処理によりレジストパターン６を形成する。
て所望のパターンを有する露光処理、そして、これに続
く現像処理によりレジストパターン６を形成する。
次に、第５ｆ図ではレジストパターン６をマスクとして
、０２Ｆ６等のガスを使用し、エツチングマスク層４に
反応性スッパタエッチング処理を施す。この結果、微細
パターンの５Ｉｏ２からなるエツチングマスクパターン
７が形成される。
、０２Ｆ６等のガスを使用し、エツチングマスク層４に
反応性スッパタエッチング処理を施す。この結果、微細
パターンの５Ｉｏ２からなるエツチングマスクパターン
７が形成される。
第５ｇ図ではレジストパターン６をエツチングマスクパ
ターン７上から除去した後、エツチングマスクパターン
７をマスクにしてＣＢ ｒ Ｆ ａガスを使用し、Ｘ線
吸収体層３に反応性スパッタエツチング処理を施すこと
によりタンタルＴａからなるＸ線吸収体パターン８が形
成される。
ターン７上から除去した後、エツチングマスクパターン
７をマスクにしてＣＢ ｒ Ｆ ａガスを使用し、Ｘ線
吸収体層３に反応性スパッタエツチング処理を施すこと
によりタンタルＴａからなるＸ線吸収体パターン８が形
成される。
最後に、第５ｈ図ではＳｔウェハ１をエツチング処理す
ることによりＳ１枠９を形成する。
ることによりＳ１枠９を形成する。
上記のような工程により製造されたＸ線露光用マスク１
のＸ線吸収体パターン８の内部応力は約±Ｉ ｘｌＯ９
ｄｙｎ ／ ｃ−の範囲である。
のＸ線吸収体パターン８の内部応力は約±Ｉ ｘｌＯ９
ｄｙｎ ／ ｃ−の範囲である。
しかしながらＸ線吸収体パターンの持つ内部応力により
、マスク匝が発生することが広く知られており、高融点
金属からなるＸ線吸収体パターンが有する±ｌ Ｘｌ０
９ｄｙｎ／ｃ−の範囲の内部応力では不十分である。こ
のために、Ｘ線吸収体パターンの位置精度の悪いＸ線露
光用マスクが形成される結果となり、なお−層、内部応
力の改善が望まれる。
、マスク匝が発生することが広く知られており、高融点
金属からなるＸ線吸収体パターンが有する±ｌ Ｘｌ０
９ｄｙｎ／ｃ−の範囲の内部応力では不十分である。こ
のために、Ｘ線吸収体パターンの位置精度の悪いＸ線露
光用マスクが形成される結果となり、なお−層、内部応
力の改善が望まれる。
本発明は高融点金属からなるＸ線吸収性パターンの内部
応力を改善することにより位置精度を向上させたｘｍｇ
光用マスクの製造方法を提供することを目的とする。
応力を改善することにより位置精度を向上させたｘｍｇ
光用マスクの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、基板に形成された
Ｘ線透過性薄膜上にスパッタ装置を使用して高融点金属
のｘｌ吸収性材料領域を形成した工程の後、Ｘ線吸収性
材料領域を所定の時間加熱する工程を備えたＸ線露光用
マスクの製造方法を内容とする。
Ｘ線透過性薄膜上にスパッタ装置を使用して高融点金属
のｘｌ吸収性材料領域を形成した工程の後、Ｘ線吸収性
材料領域を所定の時間加熱する工程を備えたＸ線露光用
マスクの製造方法を内容とする。
上記のようなＸＳ＊＊光用マスクの製造方法はＸ線吸収
性材料領域を形成した工程の後、Ｘ線吸収性材［１域を
１００〜３００℃の温度で、かつ、所定の時間だけ加熱
することにより、Ｘ線吸収性材料領域の内部応力を小さ
くできる。内部応力が小さくなることによりＸ線露光用
マスク上の露光パターンの位置が正確になる。
性材料領域を形成した工程の後、Ｘ線吸収性材［１域を
１００〜３００℃の温度で、かつ、所定の時間だけ加熱
することにより、Ｘ線吸収性材料領域の内部応力を小さ
くできる。内部応力が小さくなることによりＸ線露光用
マスク上の露光パターンの位置が正確になる。
以下に本発明のｘｇ露光用マスクの製造方法を図面に基
づいて説明する。第１ａ図〜第１ｆ図の概略断面図はＸ
線露光用マスクの製造方法の製造工程を示す一実施例で
ある。
づいて説明する。第１ａ図〜第１ｆ図の概略断面図はＸ
線露光用マスクの製造方法の製造工程を示す一実施例で
ある。
まず、第１ａ図では鏡面研磨された厚さ０．３〜４．０
ａｓのＳ１ウエハ基板１上の両面に、ＣＶＤ法または
スパッタ法により引張り応力２×１０８〜２Ｘ １０９
ｄｙｎ／ｃシを有する厚さ０．２〜４ μｍのＸ線透過
性薄膜としてのＳＩＮ膜１０を形成する。この両面のＳ
ＩＮ膜１０のうち、他面側にフォトレジストパターンを
マスクにして、ＳＩ Ｎ膜１０の不要部をエツチング除
去することにより保護膜１１が形成される。
ａｓのＳ１ウエハ基板１上の両面に、ＣＶＤ法または
スパッタ法により引張り応力２×１０８〜２Ｘ １０９
ｄｙｎ／ｃシを有する厚さ０．２〜４ μｍのＸ線透過
性薄膜としてのＳＩＮ膜１０を形成する。この両面のＳ
ＩＮ膜１０のうち、他面側にフォトレジストパターンを
マスクにして、ＳＩ Ｎ膜１０の不要部をエツチング除
去することにより保護膜１１が形成される。
なお、Ｘ線透過性薄膜はＳｌ ３Ｎ４、Ｓｉ Ｃ。
ＢＮ等の単層または複合層からなるものでもよいし、塗
布ベーク法によるポリイミド等との複合層からなるもの
であってもよい。
布ベーク法によるポリイミド等との複合層からなるもの
であってもよい。
次に、第１ｂ図ではＳｉＮ膜１膜上０上１×１０９ｄｙ
ｎ ／ ｃ−付近の内部応力を有し、かつ、厚さが０．
３〜２．０μｍのＸ線吸収性材料領域としてのタンタル
（Ｔａ ）膜１２をアルゴンＡｒ、クセノンＸｅ、クリ
プトンＫｒ等の希ガスを使用したマグネトロンスパッタ
法により形成する。
ｎ ／ ｃ−付近の内部応力を有し、かつ、厚さが０．
３〜２．０μｍのＸ線吸収性材料領域としてのタンタル
（Ｔａ ）膜１２をアルゴンＡｒ、クセノンＸｅ、クリ
プトンＫｒ等の希ガスを使用したマグネトロンスパッタ
法により形成する。
なお、上記した内部応力は正の値は引張り応力、そして
、負の値は圧縮応力をτ、す。
、負の値は圧縮応力をτ、す。
この工程の後、タンタル膜１２は１５０℃の窒素ガス雰
囲気中で、かつ、大気圧または減圧の雰囲気中で２時間
の熱処理を行う。この熱処理により内部応力は約Ｉ Ｘ
ｌ０８ｄｙｎ ／ Ｃ−の程度低くなる。
囲気中で、かつ、大気圧または減圧の雰囲気中で２時間
の熱処理を行う。この熱処理により内部応力は約Ｉ Ｘ
ｌ０８ｄｙｎ ／ Ｃ−の程度低くなる。
熱処理後のタンタル膜１２の内部応力については、後で
詳しく説明する。
詳しく説明する。
次に、第１Ｃ図ではタンタル膜１２上に５Ｉ０２または
ＳＩＮからなるエツチングマスク層１３をスパッタ法ま
たはＣＶＤ法により形成する。エツチングマスク層１３
を形成した後、エツチングマスク層１３上に電子線露光
法等によりレジストパターン１４を形成する。
ＳＩＮからなるエツチングマスク層１３をスパッタ法ま
たはＣＶＤ法により形成する。エツチングマスク層１３
を形成した後、エツチングマスク層１３上に電子線露光
法等によりレジストパターン１４を形成する。
第１ｄ図ではレジストパターン１４をマスクにし、０２
ＦＢ、０４Ｆ８等のガスでエツチングマスク層１３に反
応性エツチング処理を施す。この後、レジストパターン
１４を除去することによりエツチングマスクパターン１
５を形成する。
ＦＢ、０４Ｆ８等のガスでエツチングマスク層１３に反
応性エツチング処理を施す。この後、レジストパターン
１４を除去することによりエツチングマスクパターン１
５を形成する。
なお、レジストパターン１４が有機レジストの場合は酸
素０２ガス等により反応性スパッタエツチング処理を施
す。
素０２ガス等により反応性スパッタエツチング処理を施
す。
次に、第１ｅ図ではエツチングマスクパターン１５をマ
スクにして、ＣＢ ｒ Ｆ ＳＳ Ｆ ｅ等のガスで
タンタル膜１２に反応性スパッタエツチング処理を施す
。この結果、Ｘ線吸収性パターン１６が形成される。
スクにして、ＣＢ ｒ Ｆ ＳＳ Ｆ ｅ等のガスで
タンタル膜１２に反応性スパッタエツチング処理を施す
。この結果、Ｘ線吸収性パターン１６が形成される。
最後に、第１ｆ図では保護膜１１で保護されていないＳ
ｌウェハ基板１の部分を裏面からエツチング除去するこ
とにより支持枠１７を形成する。
ｌウェハ基板１の部分を裏面からエツチング除去するこ
とにより支持枠１７を形成する。
このエツチングの際、Ｘ線吸収性パターン１６を保護す
るためにテフロン、０リング等からなる治具を使用し、
またエツチング液として、２０〜３０％のＫＯＨ水溶液
やＨＦ ： ＨＮＯ： ＣＨ３ＣＯ０Ｈ−１：３：１の
ＨＦ系混合液を使用することにより８１ウエハ基板１の
一部をエツチング除去できる。
るためにテフロン、０リング等からなる治具を使用し、
またエツチング液として、２０〜３０％のＫＯＨ水溶液
やＨＦ ： ＨＮＯ： ＣＨ３ＣＯ０Ｈ−１：３：１の
ＨＦ系混合液を使用することにより８１ウエハ基板１の
一部をエツチング除去できる。
上記した工程により本発明のＸ線露光用マスクが得られ
る。
る。
次に、タンタル膜１２が１００〜３００℃の温度範囲で
、かつ、所定時間熱処理された結果、いかにタンタル膜
１２の内部応力が壺化して小さくなったかを、第２図な
いし第４図に示す実験データに基づいて説明する。
、かつ、所定時間熱処理された結果、いかにタンタル膜
１２の内部応力が壺化して小さくなったかを、第２図な
いし第４図に示す実験データに基づいて説明する。
第２図はタンタル膜１２が１００〜３００℃の温度範囲
で、かつ、窒素雰囲気中で、１時間熱処理された時のタ
ンタル膜１２の内部応力が温度に応じて変化する量を示
している。このグラフから明らかなように所定の熱処理
により内部応力は従来の±Ｉ Ｘ １０９ｄｙｎ ／
ｃ４の範囲の値よりも十分小さくなるように制御が可能
である。
で、かつ、窒素雰囲気中で、１時間熱処理された時のタ
ンタル膜１２の内部応力が温度に応じて変化する量を示
している。このグラフから明らかなように所定の熱処理
により内部応力は従来の±Ｉ Ｘ １０９ｄｙｎ ／
ｃ４の範囲の値よりも十分小さくなるように制御が可能
である。
第３図はタンタル膜１２を１００℃、１５０℃、２００
℃の各温度で、熱処理時間に応じて内部応力が変化する
量を示している。このグラフに示すように熱処理温度は
１００℃以上が好ましいことを示している。
℃の各温度で、熱処理時間に応じて内部応力が変化する
量を示している。このグラフに示すように熱処理温度は
１００℃以上が好ましいことを示している。
第４図はタンタル膜１２を２００℃の温度で熱処理した
３個の試料の内部応力が熱処理時間に応じて変化する状
態を示している。熱処理前の内部応力は、試料イでは５
．１ ｘｌｏ８ｄｙｎ ／ ｃＪ、試料口では２．６
Ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃｄ、そして、試料ハでは０．
５ ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃ−を示している。熱処理
の１時間後の内部応力は、試料イでは２．６ Ｘ １０
８ｄｙｎ ／Ｃ−１試料口では１．５ Ｘ １０８ｄｙ
ｎ ／ ｃＪ、そして、試料ハでは一〇、５ Ｘ １０
８ｄｙｎ ／ ｃＪを示している。熱処理の２時間後の
内部応力は、試料イでは１．７×１０８ｄｙｎ ／ ｃ
ｊ、０．９ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃＪ、そして、−
〇、９ Ｘｌ０８ｄｙｎ ／ ｃ−を示している。
３個の試料の内部応力が熱処理時間に応じて変化する状
態を示している。熱処理前の内部応力は、試料イでは５
．１ ｘｌｏ８ｄｙｎ ／ ｃＪ、試料口では２．６
Ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃｄ、そして、試料ハでは０．
５ ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃ−を示している。熱処理
の１時間後の内部応力は、試料イでは２．６ Ｘ １０
８ｄｙｎ ／Ｃ−１試料口では１．５ Ｘ １０８ｄｙ
ｎ ／ ｃＪ、そして、試料ハでは一〇、５ Ｘ １０
８ｄｙｎ ／ ｃＪを示している。熱処理の２時間後の
内部応力は、試料イでは１．７×１０８ｄｙｎ ／ ｃ
ｊ、０．９ Ｘ １０８ｄｙｎ ／ ｃＪ、そして、−
〇、９ Ｘｌ０８ｄｙｎ ／ ｃ−を示している。
このように、Ｓｉ Ｎ膜１０上に形成されたＸ線吸収性
パターン１６の内部応力は、±ｌ×１０９ｄｙｎ ／
ｃ−の範囲内で±Ｉ Ｘｌ０７ｄｙｎ ／ ｃ−の精度
で制御できる。
パターン１６の内部応力は、±ｌ×１０９ｄｙｎ ／
ｃ−の範囲内で±Ｉ Ｘｌ０７ｄｙｎ ／ ｃ−の精度
で制御できる。
なお、上記の熱処理は窒素ガス雰囲気中で行われたが、
この窒素ガス雰囲気は大気圧中または減圧中のいずれか
における雰囲気であっても熱処理の実験結果には大差は
なかった。
この窒素ガス雰囲気は大気圧中または減圧中のいずれか
における雰囲気であっても熱処理の実験結果には大差は
なかった。
また、上記の熱処理は第１ｂ図の製造工程の中で行われ
たが、第１ｆ図の工程でＸ線吸収性パターン１６を形成
した後、熱処理を施すこともできる。
たが、第１ｆ図の工程でＸ線吸収性パターン１６を形成
した後、熱処理を施すこともできる。
上記の実施例では第２図ないし第４図に、実験デ−タを
示したように、Ｘ線吸収性パターン１６の内部応力は熱
処理に応じて比較的幅広い値に形成できるので内部応力
は自由に選択できる。
示したように、Ｘ線吸収性パターン１６の内部応力は熱
処理に応じて比較的幅広い値に形成できるので内部応力
は自由に選択できる。
以上述べたことから本発明のＸ線露光用マスクの製造方
法で形成されたＸ線露光用マスクは、Ｘ線吸収性材料領
域を熱処理することにより従来のＸ線露光用マスクのＸ
線吸収性パターンが有する内部応力よりも低い内部応力
のＸ線吸収性パターンを形成できたので、従来、内部応
力が高いためにＸ線吸収性パターンにマスク匝が生じ易
くなっていたが、この問題は解消され、Ｘ線透過性薄膜
へのＸ線吸収性パターンの付着が良好となり、たとえＸ
線透過性薄膜に変位が生じても影響を受けることはなく
、Ｘ線吸収性パターンの位置を正確に維持できる。この
結果、本発明によるＸ線露光用マスクを使用することに
より位置精度が良好なｘｍ露光が実現できる。
法で形成されたＸ線露光用マスクは、Ｘ線吸収性材料領
域を熱処理することにより従来のＸ線露光用マスクのＸ
線吸収性パターンが有する内部応力よりも低い内部応力
のＸ線吸収性パターンを形成できたので、従来、内部応
力が高いためにＸ線吸収性パターンにマスク匝が生じ易
くなっていたが、この問題は解消され、Ｘ線透過性薄膜
へのＸ線吸収性パターンの付着が良好となり、たとえＸ
線透過性薄膜に変位が生じても影響を受けることはなく
、Ｘ線吸収性パターンの位置を正確に維持できる。この
結果、本発明によるＸ線露光用マスクを使用することに
より位置精度が良好なｘｍ露光が実現できる。
第１ａ図ないし第１ｆ図は本発明のＸ線露光用マスクの
製造方法による各工程を示す断面図、第２図は熱処理温
度に応じて内部応力が変化する状態を示すグラフ、第３
図は熱処理時間に応じて内部応力が変化する状態を示す
グラフ、第４図は熱処理される試料に応じて内部応力が
変化する状態を示すグラフ、第５図は従来の製造工程を
示す断面図である。 １・・・基板（Ｓｌウェハ基板）、】０・・・Ｘ線透過
性膜（ＳＩ Ｎ膜）、１２・・・Ｘ線吸収性材料層（タ
ン９Ｍ）７％）、１３，１４．１５・・・エツチングマ
スク（エツチングマスク層、レジストパターン、エツチ
ングマスクパターン）、１６・・・Ｘ線吸収性パターン
。 出願人代理人 佐 藤 −雄 挑１ａ図 馬１ｄ囚 馬は図 熱処理温度（’Ｃ） 娩２図 熱処理時間Ｃ時間） 娩３図 鮎勉理Ｂ、８間ｃ時開） 嵩４図
製造方法による各工程を示す断面図、第２図は熱処理温
度に応じて内部応力が変化する状態を示すグラフ、第３
図は熱処理時間に応じて内部応力が変化する状態を示す
グラフ、第４図は熱処理される試料に応じて内部応力が
変化する状態を示すグラフ、第５図は従来の製造工程を
示す断面図である。 １・・・基板（Ｓｌウェハ基板）、】０・・・Ｘ線透過
性膜（ＳＩ Ｎ膜）、１２・・・Ｘ線吸収性材料層（タ
ン９Ｍ）７％）、１３，１４．１５・・・エツチングマ
スク（エツチングマスク層、レジストパターン、エツチ
ングマスクパターン）、１６・・・Ｘ線吸収性パターン
。 出願人代理人 佐 藤 −雄 挑１ａ図 馬１ｄ囚 馬は図 熱処理温度（’Ｃ） 娩２図 熱処理時間Ｃ時間） 娩３図 鮎勉理Ｂ、８間ｃ時開） 嵩４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に形成されたＸ線透過性薄膜上にスパッタ装置
を使用して高融点金属のＸ線吸収性材料領域を形成した
工程の後、前記Ｘ線吸収性材料領域を所定の時間加熱す
る工程を備えたことを特徴とするＸ線露光用マスクの製
造方法。 ２、Ｘ線吸収性材料領域はＸ線透過性薄膜上にスパッタ
装置を使用して形成されたＸ線吸収性材料層であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＸ線露光用
マスクの製造方法。 ３、Ｘ線吸収性材料領域はＸ線透過性薄膜上にスパッタ
装置を使用して形成されたＸ線吸収性材料層にエッチン
グマスクを形成した後、エッチング処理により形成され
たＸ線吸収性パターンであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載のＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309196A JP2543546B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62309196A JP2543546B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150324A true JPH01150324A (ja) | 1989-06-13 |
| JP2543546B2 JP2543546B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=17990083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62309196A Expired - Lifetime JP2543546B2 (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543546B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958627A (en) * | 1996-09-03 | 1999-09-28 | Hoya Corporation | X-ray mask blank and method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605519A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよびその製法 |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
| JPS63290259A (ja) * | 1987-05-23 | 1988-11-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質タングステン化合物膜の内部応力低減方法 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP62309196A patent/JP2543546B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605519A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線露光用マスクおよびその製法 |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
| JPS63290259A (ja) * | 1987-05-23 | 1988-11-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質タングステン化合物膜の内部応力低減方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5958627A (en) * | 1996-09-03 | 1999-09-28 | Hoya Corporation | X-ray mask blank and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2543546B2 (ja) | 1996-10-16 |
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