JPH0115184Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0115184Y2 JPH0115184Y2 JP1980079456U JP7945680U JPH0115184Y2 JP H0115184 Y2 JPH0115184 Y2 JP H0115184Y2 JP 1980079456 U JP1980079456 U JP 1980079456U JP 7945680 U JP7945680 U JP 7945680U JP H0115184 Y2 JPH0115184 Y2 JP H0115184Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- source
- drain
- drain contact
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は接合型電界効果トランジスタの改良に
関する。
関する。
従来の接合型電界効果トランジスタは第１図に
示す如く、ゲート領域１によつて囲まれ且つゲー
ト領域１下のチヤンネル領域２をはさんでソース
およびドレイン領域３，４を設け、ソースおよび
ドレイン領域３，４表面にはチヤンネル領域２に
並行して方形状のソースおよびドレインコンタク
ト領域５，６を設けて構成していた。
示す如く、ゲート領域１によつて囲まれ且つゲー
ト領域１下のチヤンネル領域２をはさんでソース
およびドレイン領域３，４を設け、ソースおよび
ドレイン領域３，４表面にはチヤンネル領域２に
並行して方形状のソースおよびドレインコンタク
ト領域５，６を設けて構成していた。
斯る接合型電界効果トランジスタではソースお
よびドレインコンタクト領域５，６をソースおよ
びドレイン領域３，４の端部すなわちコーナー部
まで同じ長さに設けており且つゲート領域１まで
のバスもほぼ同じ長さになる様に設計していた。
しかしながら斯るパターンは低電圧で用いる場合
は何ら問題を発生しないが、高耐圧構造としては
全く不適である。即ちドレインゲート間は逆バイ
アスされて使用されるためドレイン領域４のドレ
インコンタクト領域６の端部すなわちコーナー部
で電界が集中してなだれ降伏してしまうのであ
る。
よびドレインコンタクト領域５，６をソースおよ
びドレイン領域３，４の端部すなわちコーナー部
まで同じ長さに設けており且つゲート領域１まで
のバスもほぼ同じ長さになる様に設計していた。
しかしながら斯るパターンは低電圧で用いる場合
は何ら問題を発生しないが、高耐圧構造としては
全く不適である。即ちドレインゲート間は逆バイ
アスされて使用されるためドレイン領域４のドレ
インコンタクト領域６の端部すなわちコーナー部
で電界が集中してなだれ降伏してしまうのであ
る。
本考案は斯点に鑑みてなされたものであり、第
２図および第３図を参照して本考案の一実施例を
詳述する。
２図および第３図を参照して本考案の一実施例を
詳述する。
本考案に依る接合型電界効果トランジスタは第
２図に示す様にゲート領域１１を囲み且つゲート
領域１１下のチヤンネル領域１２をはさんでソー
スおよびドレイン領域１３，１４を設け、ソース
およびドレイン領域１３，１４表面に方形状のソ
ースおよびドレインコンタクト領域１５，１６を
設け、ドレインコンタクト領域１６の端部すなわ
ちコーナー部とゲート領域１１の距離をチヤンネ
ル領域１２と対向する部分とゲート領域１１のバ
スａよりも長いバスｂにして前記ドレインコンタ
クト１６のコーナー部と前記ゲート領域１１との
距離を離間させるように構成される。
２図に示す様にゲート領域１１を囲み且つゲート
領域１１下のチヤンネル領域１２をはさんでソー
スおよびドレイン領域１３，１４を設け、ソース
およびドレイン領域１３，１４表面に方形状のソ
ースおよびドレインコンタクト領域１５，１６を
設け、ドレインコンタクト領域１６の端部すなわ
ちコーナー部とゲート領域１１の距離をチヤンネ
ル領域１２と対向する部分とゲート領域１１のバ
スａよりも長いバスｂにして前記ドレインコンタ
クト１６のコーナー部と前記ゲート領域１１との
距離を離間させるように構成される。
本考案者はゲート領域１１の長さ3μm、ゲート
領域１１下のチヤンネル領域の比抵抗８Ωcm、下
部ゲートとなる基板の比抵抗30Ωcmで構成した接
合型電界効果トランジスタに於いてチヤンネル領
域１２に対向するドレインコンタクト領域１６の
バスａを10μmに設定してドレインコンタクト領
域１６の端部すなわちコーナー部のバスｂを可変
にして耐圧の測定を行つた結果第３図に示す実験
結果を得た。第３図から明らかな様にバスｂがバ
スａより小さいとき耐圧は大巾に低下しており、
例えばバスａとバスｂを等しく設計しても耐圧は
170Vしか取れない。これに対してバスｂを
150μmに設計すると耐圧は240Vまで向上でき、
それ以上バスｂを長くしても耐圧は向上しないこ
とが分る。
領域１１下のチヤンネル領域の比抵抗８Ωcm、下
部ゲートとなる基板の比抵抗30Ωcmで構成した接
合型電界効果トランジスタに於いてチヤンネル領
域１２に対向するドレインコンタクト領域１６の
バスａを10μmに設定してドレインコンタクト領
域１６の端部すなわちコーナー部のバスｂを可変
にして耐圧の測定を行つた結果第３図に示す実験
結果を得た。第３図から明らかな様にバスｂがバ
スａより小さいとき耐圧は大巾に低下しており、
例えばバスａとバスｂを等しく設計しても耐圧は
170Vしか取れない。これに対してバスｂを
150μmに設計すると耐圧は240Vまで向上でき、
それ以上バスｂを長くしても耐圧は向上しないこ
とが分る。
以上に詳述した如く本考案に依れば、電界の集
中しやすいドレインコンタクト領域１６端部すな
わちコーナー部のゲート領域１１までのバスｂを
長くするだけで耐圧を容易に向上できる有益なも
のである。
中しやすいドレインコンタクト領域１６端部すな
わちコーナー部のゲート領域１１までのバスｂを
長くするだけで耐圧を容易に向上できる有益なも
のである。
第１図は従来例を説明する上面図、第２図は本
考案を説明する上面図、第３図は本考案の実験結
果を説明する特性図である。 １１はゲート領域、１２はチヤンネル領域、１
３，１４はソースおよびドレイン領域、１５，１
６はソースおよびドレインコンタクト領域であ
る。
考案を説明する上面図、第３図は本考案の実験結
果を説明する特性図である。 １１はゲート領域、１２はチヤンネル領域、１
３，１４はソースおよびドレイン領域、１５，１
６はソースおよびドレインコンタクト領域であ
る。
Claims (1)
- ゲート領域によつて囲まれ且つ該ゲート領域下
のチヤンネル領域をはさんで設けられたソースド
レイン領域と該ソースドレイン領域表面に設けた
長方形状のソースドレインコンタクト領域とを具
備する接合型電界効果トランジスタに於いて、前
記チヤンネル領域および前記ソースコンタクト領
域と対向する前記ドレインコンタクト領域の長辺
と前記ゲート領域との離間距離より前記ドレイン
コンタクト領域の短辺と前記ゲート領域との離間
距離を大きくしたことを特徴とする接合型電界効
果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980079456U JPH0115184Y2 (ja) | 1980-06-06 | 1980-06-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980079456U JPH0115184Y2 (ja) | 1980-06-06 | 1980-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS574246U JPS574246U (ja) | 1982-01-09 |
| JPH0115184Y2 true JPH0115184Y2 (ja) | 1989-05-08 |
Family
ID=29441938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980079456U Expired JPH0115184Y2 (ja) | 1980-06-06 | 1980-06-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0115184Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144066B2 (ja) * | 1972-06-23 | 1976-11-26 | ||
| JPS5367371A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-15 | Sony Corp | Semiconductor device |
| JPS548476A (en) * | 1977-06-22 | 1979-01-22 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor device |
-
1980
- 1980-06-06 JP JP1980079456U patent/JPH0115184Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS574246U (ja) | 1982-01-09 |
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