JPS6228787Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6228787Y2 JPS6228787Y2 JP7945980U JP7945980U JPS6228787Y2 JP S6228787 Y2 JPS6228787 Y2 JP S6228787Y2 JP 7945980 U JP7945980 U JP 7945980U JP 7945980 U JP7945980 U JP 7945980U JP S6228787 Y2 JPS6228787 Y2 JP S6228787Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- drain
- comb
- source
- gate region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は接合型電界効果トランジスタの改良に
関する。
関する。
従来の接合型電界効果トランジスタは第１図に
示す如く、ドレイン領域１とドレイン領域１を囲
むゲート領域２とゲート領域２を囲むソース領域
３を備え、チヤンネル巾を大きくして高gmを得
るためにゲート領域２を櫛歯状に曲折して構成し
ていた。
示す如く、ドレイン領域１とドレイン領域１を囲
むゲート領域２とゲート領域２を囲むソース領域
３を備え、チヤンネル巾を大きくして高gmを得
るためにゲート領域２を櫛歯状に曲折して構成し
ていた。
斯る接合型電界効果トランジスタではソースお
よびドレイン領域３，１表面にソースおよびドレ
インコンタクト領域４，５を設け、ソースおよび
ドレインコンタクト領域４，５からゲート領域２
までのソースおよびドレイン領域３，１のパスの
長さをほぼ等しくなる様に設計していた。しかし
ながら斯るパターンは低電圧で用いる場合は何ら
問題を発生しないが、高耐圧構造としては全く適
していない。即ちドレインゲート間は逆バイアス
されて使用されるためドレイン領域１のドレイン
コンタクト領域５の櫛歯状の先端部で電界が集中
してなだれ降伏を起してしまう。
よびドレイン領域３，１表面にソースおよびドレ
インコンタクト領域４，５を設け、ソースおよび
ドレインコンタクト領域４，５からゲート領域２
までのソースおよびドレイン領域３，１のパスの
長さをほぼ等しくなる様に設計していた。しかし
ながら斯るパターンは低電圧で用いる場合は何ら
問題を発生しないが、高耐圧構造としては全く適
していない。即ちドレインゲート間は逆バイアス
されて使用されるためドレイン領域１のドレイン
コンタクト領域５の櫛歯状の先端部で電界が集中
してなだれ降伏を起してしまう。
本考案は斯点に鑑みてなされたものであり、第
２図を参照して本考案の一実施例を詳述する。
２図を参照して本考案の一実施例を詳述する。
本考案に依る接合型電界効果トランジスタは第
２図に示す如く、ドレイン領域１１とドレイン領
域１１を囲むゲート領域１２とゲート領域１２を
囲むソース領域１３を備え、ゲート領域１２下の
チヤンネル領域の巾を大きくして高gmとするた
めゲート領域１２を櫛歯状に曲折している。ソー
スおよびドレイン領域１３，１１表面にはコンタ
クト取出しのためにソースおよびドレインコンタ
クト領域１４，１５を設けられ互いに櫛歯状に入
り組んで形成される。
２図に示す如く、ドレイン領域１１とドレイン領
域１１を囲むゲート領域１２とゲート領域１２を
囲むソース領域１３を備え、ゲート領域１２下の
チヤンネル領域の巾を大きくして高gmとするた
めゲート領域１２を櫛歯状に曲折している。ソー
スおよびドレイン領域１３，１１表面にはコンタ
クト取出しのためにソースおよびドレインコンタ
クト領域１４，１５を設けられ互いに櫛歯状に入
り組んで形成される。
本考案の特徴はドレインコンタクト領域１５の
形状にある。ドレインコンタクト領域１５の櫛歯
状に突出した先端部を短かく形成して先端部から
前記ゲート領域１２までの櫛歯方向のパスｂを他
の部分のパスａよりも長く設計している。
形状にある。ドレインコンタクト領域１５の櫛歯
状に突出した先端部を短かく形成して先端部から
前記ゲート領域１２までの櫛歯方向のパスｂを他
の部分のパスａよりも長く設計している。
本考案者はチヤンネル領域の比抵抗８Ωcm、基
板比抵抗30Ωcm、ゲート領域１２長３μｍの接合
型電界効果トランジスタで実験を行つたところ、
従来の構造（ａ＝10μｍ）では耐圧が170Vであ
つたものが本考案の構造（ａ＝10μｍ、ｂ＝15μ
ｍ）では耐圧が240Vに向上できた。
板比抵抗30Ωcm、ゲート領域１２長３μｍの接合
型電界効果トランジスタで実験を行つたところ、
従来の構造（ａ＝10μｍ）では耐圧が170Vであ
つたものが本考案の構造（ａ＝10μｍ、ｂ＝15μ
ｍ）では耐圧が240Vに向上できた。
以上に詳述した如く本考案に依れば電界の集中
し易いドレインコンタクト領域の櫛歯状の先端部
からゲート領域までの櫛歯方向のパスを他の部分
より長くすることによつて容易に耐圧を向上でき
る有益なものである。
し易いドレインコンタクト領域の櫛歯状の先端部
からゲート領域までの櫛歯方向のパスを他の部分
より長くすることによつて容易に耐圧を向上でき
る有益なものである。
第１図は従来例を説明する平面図、第２図は本
考案を説明する平面図である。なを第１図および
第２図は一点破線で線対象となるので半分省略し
ている。 １１はドレイン領域、１２はゲート領域、１３
はソース領域、１４はソースコンタクト領域、１
５はドレインコンタクト領域である。
考案を説明する平面図である。なを第１図および
第２図は一点破線で線対象となるので半分省略し
ている。 １１はドレイン領域、１２はゲート領域、１３
はソース領域、１４はソースコンタクト領域、１
５はドレインコンタクト領域である。
Claims (1)
- ドレイン領域と該ドレイン領域を囲むゲート領
域と該ゲート領域を囲むソース領域とを具備し前
記ゲート領域を櫛歯状に曲折してチヤンネル巾を
大きくする接合型電界効果トランジスタに於い
て、前記ソースおよびドレイン領域表面に互いに
櫛歯状に入り組んだソースおよびドレインコンタ
クト領域を設け、前記ドレインコンタクト領域か
ら前記ゲート領域までのパスのうち前記ドレイン
コンタクト領域の前記櫛歯状の先端部から前記ゲ
ート領域までの櫛歯方向のパスを他の部分より大
きくすることを特徴とする接合型電界効果トラン
ジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7945980U JPS6228787Y2 (ja) | 1980-06-06 | 1980-06-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7945980U JPS6228787Y2 (ja) | 1980-06-06 | 1980-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS574249U JPS574249U (ja) | 1982-01-09 |
| JPS6228787Y2 true JPS6228787Y2 (ja) | 1987-07-23 |
Family
ID=29441941
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7945980U Expired JPS6228787Y2 (ja) | 1980-06-06 | 1980-06-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6228787Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6238789B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2017-11-29 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
-
1980
- 1980-06-06 JP JP7945980U patent/JPS6228787Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS574249U (ja) | 1982-01-09 |
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