JPH03293768A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH03293768A JPH03293768A JP9672690A JP9672690A JPH03293768A JP H03293768 A JPH03293768 A JP H03293768A JP 9672690 A JP9672690 A JP 9672690A JP 9672690 A JP9672690 A JP 9672690A JP H03293768 A JPH03293768 A JP H03293768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylindrical
- gate
- channel
- substrate
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果トランジスタに関し、特にその電極溝
造に関するものである。
造に関するものである。
一般に電界効果トランジスタは、２次元構造を有してお
ジ、チャネルは平面状に形成される。
ジ、チャネルは平面状に形成される。
第２図は２次元構造でチャネルが平面状に形成される従
来の電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。
来の電界効果トランジスタの構成を示す断面図である。
同図において、１はグランド、２は絶縁膜、３はドレイ
ン領域、４はソース領域、５はゲート、６は基板である
。
ン領域、４はソース領域、５はゲート、６は基板である
。
このように構成された電界効果トランジスタにおいて、
ゲート５に正の電圧が印加されると、基板６のゲート５
に浴った部分で転移が起シ、チャネルが形成されてドレ
イン領域３とソース領域４が導通し電流を流すことがで
きる。
ゲート５に正の電圧が印加されると、基板６のゲート５
に浴った部分で転移が起シ、チャネルが形成されてドレ
イン領域３とソース領域４が導通し電流を流すことがで
きる。
しかしながら、従来の電界効果トランジスタは、２次元
構造となっていたので、チャネルは平面となり、ドレイ
ン領域３とソース領域４との間に大電流を流そうとする
と、トランジスタ自体を大きく形成しなければならない
という問題があった。
構造となっていたので、チャネルは平面となり、ドレイ
ン領域３とソース領域４との間に大電流を流そうとする
と、トランジスタ自体を大きく形成しなければならない
という問題があった。
この発明は、前述した問題を解消するためになされたも
ので、トランジスタ自体の大きさが小さくても大事流が
流せる電界効果トランジスタを得ることを目的としてい
る。
ので、トランジスタ自体の大きさが小さくても大事流が
流せる電界効果トランジスタを得ることを目的としてい
る。
この発明による電界効果トランジスタは、トランジスタ
の構造を３次元にしてグランドを軸として基板、絶縁膜
、ゲート、ソース、ドレインを円筒状に配置してチャネ
ルを円筒状に形成するようにし九ものである。
の構造を３次元にしてグランドを軸として基板、絶縁膜
、ゲート、ソース、ドレインを円筒状に配置してチャネ
ルを円筒状に形成するようにし九ものである。
この発明においては、円筒状のゲートに所定の電圧が印
加されることによって誘起されるチャネルは円筒状とな
る。
加されることによって誘起されるチャネルは円筒状とな
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す電界効果トランジス
タの構成を示す図であシ、同図（、）は斜視図、同図（
ｂ）は同図（息）のグランド１′に沿った断面図である
。同図において、１′はグランド、２′・・・１絶縁膜
、３′はドレイン領域、４′はソース領域、５′はゲー
ト、６′は基板である。
タの構成を示す図であシ、同図（、）は斜視図、同図（
ｂ）は同図（息）のグランド１′に沿った断面図である
。同図において、１′はグランド、２′・・・１絶縁膜
、３′はドレイン領域、４′はソース領域、５′はゲー
ト、６′は基板である。
このように構成された電界効果トランジスタにおいて、
円筒状のゲート５′に所定の電圧が印加されると、基板
６′のゲート５′に溢った部分に円筒状のチャネルが誘
起される。この円筒状のチャネルを通してドレイン領域
３′とソース領域４′との間に電流を流すことができる
。
円筒状のゲート５′に所定の電圧が印加されると、基板
６′のゲート５′に溢った部分に円筒状のチャネルが誘
起される。この円筒状のチャネルを通してドレイン領域
３′とソース領域４′との間に電流を流すことができる
。
このような構成によると、チャネルが日間状に形成する
ので、トランジスタ自体の大きさが小さくても、チャネ
ルのドレイン領域３′とソース領域４１とに接する部分
の長さは長くできる。したがってドレイン領域３′とソ
ース領域４′との間に大きな電流を流すことができる。
ので、トランジスタ自体の大きさが小さくても、チャネ
ルのドレイン領域３′とソース領域４１とに接する部分
の長さは長くできる。したがってドレイン領域３′とソ
ース領域４′との間に大きな電流を流すことができる。
以上説明したように本発明によれば、電界効果トランジ
スタの構造を３次元にしてグランドを軸として円筒状に
基板、酸化膜、ドレイ／、ソースおよびゲートを配置し
てチャネルが円筒状に形成されるようにしたので、トラ
ンジスタ自体が小さくても大電流を流すことができると
いう極めて優れた効果が得られる。
スタの構造を３次元にしてグランドを軸として円筒状に
基板、酸化膜、ドレイ／、ソースおよびゲートを配置し
てチャネルが円筒状に形成されるようにしたので、トラ
ンジスタ自体が小さくても大電流を流すことができると
いう極めて優れた効果が得られる。
第１図はこの発明による電界効果トランジスタの構成を
示す図、第２図は従来の電界効果トランジスタの構成を
示す断面図である。 １′・Ｏ・・グランド、２′・＋１−・絶縁膜、３′争
・・・ドレイン領域、４′・・−［株］ソース領域、５
′・・・・ゲート、６′・・・・基板。
示す図、第２図は従来の電界効果トランジスタの構成を
示す断面図である。 １′・Ｏ・・グランド、２′・＋１−・絶縁膜、３′争
・・・ドレイン領域、４′・・−［株］ソース領域、５
′・・・・ゲート、６′・・・・基板。
Claims (1)
- 電界効果トランジスタにおいて、グランドを軸として
円筒状に基板、酸化膜、ドレイン、ソースおよびゲート
を配置し、チャネルを円筒状に形成したことを特徴とす
る電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9672690A JPH03293768A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9672690A JPH03293768A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293768A true JPH03293768A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14172740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9672690A Pending JPH03293768A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03293768A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038201A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-11 JP JP9672690A patent/JPH03293768A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038201A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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