JPH01153632U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01153632U JPH01153632U JP4493888U JP4493888U JPH01153632U JP H01153632 U JPH01153632 U JP H01153632U JP 4493888 U JP4493888 U JP 4493888U JP 4493888 U JP4493888 U JP 4493888U JP H01153632 U JPH01153632 U JP H01153632U
- Authority
- JP
- Japan
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- wafer
- quartz
- stand
- treatment apparatus
- heat treatment
- Prior art date
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- Pending
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
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- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図〜第２図は本考案の半導体の熱処理装置
の一実施例を示す説明図、第３図は従来装置の説
明図である。 １：反応管、２：石英台、３：ウエハ、４：操
作棒、９：フレキシブル管、１０：シール部、１
１：フツク。
の一実施例を示す説明図、第３図は従来装置の説
明図である。 １：反応管、２：石英台、３：ウエハ、４：操
作棒、９：フレキシブル管、１０：シール部、１
１：フツク。
Claims (1)
- 外周部に加熱炉が設けられ内部に不活性ガスが
封入されている反応管内に石英台を配置し、その
上にウエハをセツトして該石英台を付着の操作棒
により前記反応管内を長手方向に移動させて前記
ウエハの熱処理を行う半導体の熱処理装置におい
て、一方は前記反応管の端部に気密に取付られ、
他の一方は前記操作棒に固定され、その伸縮動作
により前記操作棒を通して前記石英台を自在に移
動させるフレキシブル管が設けてあることを特徴
とする半導体の熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4493888U JPH01153632U (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4493888U JPH01153632U (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01153632U true JPH01153632U (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=31271271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4493888U Pending JPH01153632U (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01153632U (ja) |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP4493888U patent/JPH01153632U/ja active Pending
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