JPH01154533A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH01154533A JPH01154533A JP62313581A JP31358187A JPH01154533A JP H01154533 A JPH01154533 A JP H01154533A JP 62313581 A JP62313581 A JP 62313581A JP 31358187 A JP31358187 A JP 31358187A JP H01154533 A JPH01154533 A JP H01154533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- analog
- digital
- wiring
- power supply
- circuits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/90—Masterslice integrated circuits
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特にアナログ回路
とディジタル回路の混在したゲートアレイおよびマスタ
ースライス等の設計方式を採用した半導体集積回路装置
に関する。
とディジタル回路の混在したゲートアレイおよびマスタ
ースライス等の設計方式を採用した半導体集積回路装置
に関する。
従来、アナログ回路あるいはアナログ・ディジタル混在
回路においては、汎用のA/Dコンバータ、D/Aコン
バータ、アナログスイッチ、コンパレータ、オペアンプ
等の単体アナログIC,更には周辺のディジタル回路用
ICを基板の上へ配列している。この様な状態では基板
上のICの占める割合が非常に大きくなってしまうので
、装置のコスト低減および高信頼度化の目的のためには
、ディジタル回路のみをゲートアレイで構成し置き換え
たり、またはアナログ・ディジタル混在回路をフルカス
タム使用のLSIに作り込むことにより、装置の小型化
および高信頼度化を実現している。
回路においては、汎用のA/Dコンバータ、D/Aコン
バータ、アナログスイッチ、コンパレータ、オペアンプ
等の単体アナログIC,更には周辺のディジタル回路用
ICを基板の上へ配列している。この様な状態では基板
上のICの占める割合が非常に大きくなってしまうので
、装置のコスト低減および高信頼度化の目的のためには
、ディジタル回路のみをゲートアレイで構成し置き換え
たり、またはアナログ・ディジタル混在回路をフルカス
タム使用のLSIに作り込むことにより、装置の小型化
および高信頼度化を実現している。
しかしながら、従来の構造ではフルカスタム設計のLS
Iは非常に長い開発期間と高額の開発費とを必要として
おり、装置の短ライフサイクル化や専用設計によるLS
Iの少量多品種化と言う最近の傾向の中では、上述した
ようなフルカスタムLSIを適用することは困難である
。
Iは非常に長い開発期間と高額の開発費とを必要として
おり、装置の短ライフサイクル化や専用設計によるLS
Iの少量多品種化と言う最近の傾向の中では、上述した
ようなフルカスタムLSIを適用することは困難である
。
このような状況から、アナログ・ディジタル混在回路を
短期間で且つ安価に開発できるゲートアレイ、マスター
スライスおよびスタンダードセル等の設計方式を用いた
カスタムLSI、あるいはセミカスタムLSIが強く望
まれている。以下、ここではCMO9構造を有するゲー
トアレイ方式の半導体集積回路を例にとって説明する。
短期間で且つ安価に開発できるゲートアレイ、マスター
スライスおよびスタンダードセル等の設計方式を用いた
カスタムLSI、あるいはセミカスタムLSIが強く望
まれている。以下、ここではCMO9構造を有するゲー
トアレイ方式の半導体集積回路を例にとって説明する。
第2図は従来の一例を説明するためのゲートアレイ方式
の半導体集積回路のチップの概略平面図であり、また第
3図は第2図に示す半導体集積回路に用いられる基本セ
ルの概略平面図である。
の半導体集積回路のチップの概略平面図であり、また第
3図は第2図に示す半導体集積回路に用いられる基本セ
ルの概略平面図である。
第2図および第3図に示すように、かがるICチップ1
は半導体基板(図示省略)に設けたP型拡散領域22上
に多結晶シリコン層(ポリシリコン)でゲート電極24
を形成してなるPチャネルトランジスタ20と同様に半
導体基板に設けたN型拡散領域23上にポリシリコンで
ゲート電極を形成してなるNチャネルトランジスタ21
との対からなる基本セルを複数個ならべたセル列2を複
数行配列し、前記基本セルに供給する電源パッド17か
らの電源の配線16.接地パッド1つからの接地電位の
配線18が全てのセルに共通に接続されるように構成さ
れている9このように構成されている拡散工程やポリシ
リコン成長等の下地工程を経過したチップ上に、前記基
本セルを一個または複数個用いて回路を形成したコンタ
クト工程ならびに配線工程のみのデータを有する機能ブ
ロック15をセル列上に自動または手動により配置し、
これら機能ブロック15間ならびに機能ブロック15と
パッド3間での信号線を自動または手動による配線6に
て接続し半導体集積回路を形成している。
は半導体基板(図示省略)に設けたP型拡散領域22上
に多結晶シリコン層(ポリシリコン)でゲート電極24
を形成してなるPチャネルトランジスタ20と同様に半
導体基板に設けたN型拡散領域23上にポリシリコンで
ゲート電極を形成してなるNチャネルトランジスタ21
との対からなる基本セルを複数個ならべたセル列2を複
数行配列し、前記基本セルに供給する電源パッド17か
らの電源の配線16.接地パッド1つからの接地電位の
配線18が全てのセルに共通に接続されるように構成さ
れている9このように構成されている拡散工程やポリシ
リコン成長等の下地工程を経過したチップ上に、前記基
本セルを一個または複数個用いて回路を形成したコンタ
クト工程ならびに配線工程のみのデータを有する機能ブ
ロック15をセル列上に自動または手動により配置し、
これら機能ブロック15間ならびに機能ブロック15と
パッド3間での信号線を自動または手動による配線6に
て接続し半導体集積回路を形成している。
上述した従来のゲートアレイあるいはマスタースライス
等の設計方式を採用した半導体集積回路においては、機
能ブロックがディジタル回路のみであったので全てのセ
ルの電源配線および接地配線等を共通に接続していたが
、このような半導体集積回路にアナログ回路をディジタ
ル回路と共に混在して搭載しようとした場合に、上述し
た従来例に示したごとく全てのセルおよびブロックが電
源配線および接地配線等の共通インピーダンスを持つこ
とになるという問題がある。このため、ディジタル回路
のみの場合は特性に全く影響を及ぼさなかった電源配線
や接地配線上の電位の変動がディジタル回路と混在搭載
したアナログ回路にも重畳されてしまい、これがアナロ
グ回路の特性には大きく影響してしまうという欠点があ
る。
等の設計方式を採用した半導体集積回路においては、機
能ブロックがディジタル回路のみであったので全てのセ
ルの電源配線および接地配線等を共通に接続していたが
、このような半導体集積回路にアナログ回路をディジタ
ル回路と共に混在して搭載しようとした場合に、上述し
た従来例に示したごとく全てのセルおよびブロックが電
源配線および接地配線等の共通インピーダンスを持つこ
とになるという問題がある。このため、ディジタル回路
のみの場合は特性に全く影響を及ぼさなかった電源配線
や接地配線上の電位の変動がディジタル回路と混在搭載
したアナログ回路にも重畳されてしまい、これがアナロ
グ回路の特性には大きく影響してしまうという欠点があ
る。
本発明の目的は、アナログ回路およびディジタル回路を
混在して搭載した半導体集積回路において、ディジタル
系回路の雑音等がアナログ系回路に影響を及ぼさず、且
つ設計の標準化および自動化を実現しうる半導体集積回
路装置を提供することにある。
混在して搭載した半導体集積回路において、ディジタル
系回路の雑音等がアナログ系回路に影響を及ぼさず、且
つ設計の標準化および自動化を実現しうる半導体集積回
路装置を提供することにある。
本発明は半導体基板上にトランジスタ等よりなる基本セ
ルを規則的に配列しそれら基本セルを一個または複数個
用いて形成した機能ブロックを組み合わせて回路を形成
するゲートアレイおよびスタンダードセル等の設計方式
を採用した半導体集積回路装置において、前記機能ブロ
ックに対応する信号線情報に前記機能ブロックに使用さ
れる電源配線および接地配線の情報をも含めて構成され
る。
ルを規則的に配列しそれら基本セルを一個または複数個
用いて形成した機能ブロックを組み合わせて回路を形成
するゲートアレイおよびスタンダードセル等の設計方式
を採用した半導体集積回路装置において、前記機能ブロ
ックに対応する信号線情報に前記機能ブロックに使用さ
れる電源配線および接地配線の情報をも含めて構成され
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を説明するための二二層以上
の配線構造を有する半導体集積回路装置の概略平面図で
ある。
の配線構造を有する半導体集積回路装置の概略平面図で
ある。
第1図に示すように、本半導体集積回路はチップ1の上
に従来と同様の基本セルを複数個並べたセル列2を形成
し、このセル列2の上に基本セルを一個または複数個用
いたディジタル回路の機能ブロック4とアナログ回路の
機能ブロック5とをそれぞれ複数個づつ配置する。また
、それぞれの機能ブロック4および5間ならびに機能ブ
ロック4あるいは5とパッド3との間を配線6にて接続
している。
に従来と同様の基本セルを複数個並べたセル列2を形成
し、このセル列2の上に基本セルを一個または複数個用
いたディジタル回路の機能ブロック4とアナログ回路の
機能ブロック5とをそれぞれ複数個づつ配置する。また
、それぞれの機能ブロック4および5間ならびに機能ブ
ロック4あるいは5とパッド3との間を配線6にて接続
している。
ここで、従来は前述の第2図で説明したように、各機能
ブロックの電源配線16と接地配線18とは全て共通と
なっていたが、本発明の実施例は各機能ブロック4およ
び5がそれぞれ当該ブロックの電源配線7,11および
接地配線9゜13の情報をも信号線情報として扱ってい
る。すなわち、各ブロック開の電源配線は各機能ブロッ
ク群の各信号線の接続情報に基づいて配線されるため、
接続情報にてディジタル回路の機能ブロック4に属する
電源配線7相互と、接地配線9相互とを接続するように
しておき、一方、アナログ回路の機能ブロック5に属す
る電源配線11相互と、接地配線13相互とを接続する
ようにし、且つディジタル回路の機能ブロック4の電源
配線および接地配線9とはつながらないように記述して
おけば、ディジタル回路の機能ブロック4群の電源配線
は全てディジタル回路用電源配線7を介してディジタル
系電源パッド8に接続され、しかも接地配線は全てディ
ジタル回路用接地配線9を介してディジタル系接地パッ
ド10に接続される。
ブロックの電源配線16と接地配線18とは全て共通と
なっていたが、本発明の実施例は各機能ブロック4およ
び5がそれぞれ当該ブロックの電源配線7,11および
接地配線9゜13の情報をも信号線情報として扱ってい
る。すなわち、各ブロック開の電源配線は各機能ブロッ
ク群の各信号線の接続情報に基づいて配線されるため、
接続情報にてディジタル回路の機能ブロック4に属する
電源配線7相互と、接地配線9相互とを接続するように
しておき、一方、アナログ回路の機能ブロック5に属す
る電源配線11相互と、接地配線13相互とを接続する
ようにし、且つディジタル回路の機能ブロック4の電源
配線および接地配線9とはつながらないように記述して
おけば、ディジタル回路の機能ブロック4群の電源配線
は全てディジタル回路用電源配線7を介してディジタル
系電源パッド8に接続され、しかも接地配線は全てディ
ジタル回路用接地配線9を介してディジタル系接地パッ
ド10に接続される。
一方、アナログ回路の機能ブロック5群の電源配線は全
てアナログ回路用電源配線11を介してアナログ系電源
パッド12に接続され、接地配線は全てアナログ回路用
接地配線13を介してアナログ系接地パッド14に接続
される。従って、このような電源配線、接地配線ともデ
ィジタル回路およびアナログ回路で分離することにより
、回路設計の自動化および標準化が容易に行える。
てアナログ回路用電源配線11を介してアナログ系電源
パッド12に接続され、接地配線は全てアナログ回路用
接地配線13を介してアナログ系接地パッド14に接続
される。従って、このような電源配線、接地配線ともデ
ィジタル回路およびアナログ回路で分離することにより
、回路設計の自動化および標準化が容易に行える。
また、上述のとおり、ディジタル回路とアナログ回路と
に供給されるそれぞれの電源ならびに接地電位は共に完
全に分離されているため、ディジタル回路が動作するた
めに発生する各種雑音がアナログ系回路の電源配線11
および接地配線13に重畳されて来てもアナログ回路側
には全く影響を及ぼさず、アナログ回路は安定に動作す
ることができる。
に供給されるそれぞれの電源ならびに接地電位は共に完
全に分離されているため、ディジタル回路が動作するた
めに発生する各種雑音がアナログ系回路の電源配線11
および接地配線13に重畳されて来てもアナログ回路側
には全く影響を及ぼさず、アナログ回路は安定に動作す
ることができる。
以上説明したように、本発明はゲートアレイおよびマス
タースライス等の半導体集積回路装置において、回路を
構成する各機能ブロックそれぞれに電源配線および接地
配線の情報をも信号線情報としてとり込み、回路接続情
報を作成する際にアナログ回路はアナログ回路間で電源
配線と接地配線とをそれぞれ接続し、且つディジタル回
路はディジタル回路間で電源配線と接地配線とをそれぞ
れ接続することにより、これら機能ブロックを自動で配
置、配線する場合においてもディジタル系の雑音がアナ
ログ系に重畳して来ないという効果がある。
タースライス等の半導体集積回路装置において、回路を
構成する各機能ブロックそれぞれに電源配線および接地
配線の情報をも信号線情報としてとり込み、回路接続情
報を作成する際にアナログ回路はアナログ回路間で電源
配線と接地配線とをそれぞれ接続し、且つディジタル回
路はディジタル回路間で電源配線と接地配線とをそれぞ
れ接続することにより、これら機能ブロックを自動で配
置、配線する場合においてもディジタル系の雑音がアナ
ログ系に重畳して来ないという効果がある。
また、このためアナログ・ディジタル混在回路のゲート
アレイおよびマスタースライス等の設計方式を採用した
半導体集積回路装置の設計の標準化および自動化を図る
ことができるという効果がある。
アレイおよびマスタースライス等の設計方式を採用した
半導体集積回路装置の設計の標準化および自動化を図る
ことができるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を説明するための半導体集積
回路装置の概略平面図、第2図は従来の一例を説明する
ための半導体集積回路装置の概略平面図、第3図は第2
図に示す半導体集積回路に用いられる基本セルの概略平
面図である。 1・・・チップ、2・・・セル列、3・・・パッド、4
・・・ディジタル回路の機能ブロック、5・・・アナロ
グ回路の機能ブロック、6・・・配線、7・・・ディジ
タル回路用電源配線、8・・・ディジタル系電源パッド
、9・・・ディジタル回路用接地配線、10・・・ディ
ジタル系接地パッド、11・・・アナログ回路用電源配
線、12・・・アナログ系電源パッド、13・・・アナ
ログ回路用接地配線、14・・・アナログ系接地パッド
。
回路装置の概略平面図、第2図は従来の一例を説明する
ための半導体集積回路装置の概略平面図、第3図は第2
図に示す半導体集積回路に用いられる基本セルの概略平
面図である。 1・・・チップ、2・・・セル列、3・・・パッド、4
・・・ディジタル回路の機能ブロック、5・・・アナロ
グ回路の機能ブロック、6・・・配線、7・・・ディジ
タル回路用電源配線、8・・・ディジタル系電源パッド
、9・・・ディジタル回路用接地配線、10・・・ディ
ジタル系接地パッド、11・・・アナログ回路用電源配
線、12・・・アナログ系電源パッド、13・・・アナ
ログ回路用接地配線、14・・・アナログ系接地パッド
。
Claims (1)
- 半導体基板上にトランジスタ等よりなる基本セルを規
則的に配列しそれら基本セルを一個または複数個用いて
形成した機能ブロックを組み合わせて回路を形成するう
ゲートアレイおよびマスタースライス等の設計方式を採
用した半導体集積回路装置において、前記機能ブロック
に対応する信号線情報に前記機能ブロックに使用される
電源配線および接地配線の情報をも含めたことを特徴と
する半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313581A JPH01154533A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62313581A JPH01154533A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154533A true JPH01154533A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18043033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62313581A Pending JPH01154533A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01154533A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300798A (en) * | 1990-04-27 | 1994-04-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US5674967A (en) * | 1990-04-03 | 1997-10-07 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with integrated primer |
| US5707740A (en) * | 1990-04-03 | 1998-01-13 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with acid activation |
| US5883427A (en) * | 1996-09-10 | 1999-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device power supply wiring structure |
| US6025025A (en) * | 1990-04-03 | 2000-02-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Water-repellent surface treatment |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP62313581A patent/JPH01154533A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674967A (en) * | 1990-04-03 | 1997-10-07 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with integrated primer |
| US5707740A (en) * | 1990-04-03 | 1998-01-13 | Ppg Industries, Inc. | Water repellent surface treatment with acid activation |
| US5980990A (en) * | 1990-04-03 | 1999-11-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Water repellent surface treatment with acid activation |
| US6025025A (en) * | 1990-04-03 | 2000-02-15 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Water-repellent surface treatment |
| US5300798A (en) * | 1990-04-27 | 1994-04-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device |
| US5883427A (en) * | 1996-09-10 | 1999-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device power supply wiring structure |
| US6181005B1 (en) | 1996-09-10 | 2001-01-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device wiring structure |
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