JPH01154584A - アレイレーザ - Google Patents
アレイレーザInfo
- Publication number
- JPH01154584A JPH01154584A JP62314611A JP31461187A JPH01154584A JP H01154584 A JPH01154584 A JP H01154584A JP 62314611 A JP62314611 A JP 62314611A JP 31461187 A JP31461187 A JP 31461187A JP H01154584 A JPH01154584 A JP H01154584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- long axis
- far field
- recording
- field pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4037—Edge-emitting structures with active layers in more than one orientation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光デイスクメモリ等の情報処理機器の光源
として使用されるアレイレーザに関するものである。
として使用されるアレイレーザに関するものである。
相変化を利用する光デイスク装置では、記録材料の結晶
−アモルファス間の相変化を利用して情報の記録・再生
・消去を行う。
−アモルファス間の相変化を利用して情報の記録・再生
・消去を行う。
情報の記録は、まず、絞り込んだ光スポットを記録材料
の一部に当て加熱昇温させ、記録材料を一度溶融させて
原子配列をランダムにする。次に、熱源である光スポッ
トを取り除き、熱を基板へ拡散させて結晶化速度より速
く一気に冷却して固めれば、アモルファス状態になり、
記録が行われたことになる。
の一部に当て加熱昇温させ、記録材料を一度溶融させて
原子配列をランダムにする。次に、熱源である光スポッ
トを取り除き、熱を基板へ拡散させて結晶化速度より速
く一気に冷却して固めれば、アモルファス状態になり、
記録が行われたことになる。
情報の消去は、光スポットを記録材料の記録面に当てて
加熱昇温させ、記録材料を一度溶融させた後、徐冷して
結晶化させることにより行う。
加熱昇温させ、記録材料を一度溶融させた後、徐冷して
結晶化させることにより行う。
そして、情報の再生は、低出力の光スポットを記録面に
当て、アモルファス状態と結晶状態との反射率の差によ
る反射光量の変化を利用して行う。
当て、アモルファス状態と結晶状態との反射率の差によ
る反射光量の変化を利用して行う。
この消去・記録再生を実現するには、消去時の徐冷用長
軸光スポットと記録時の急冷用短軸光スポットとを光デ
ィスクの同一トラック上に形成することが必要である。
軸光スポットと記録時の急冷用短軸光スポットとを光デ
ィスクの同一トラック上に形成することが必要である。
第３図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来のモノリシック、
ディスクリート形のアレイレーザを示す側面図である。
ディスクリート形のアレイレーザを示す側面図である。
この図において、１は消去用レーザチップ、２は記録再
生用レーザチップ、３は放熱板である。
生用レーザチップ、３は放熱板である。
通常、モノリシック形、ディスクリート形のいずれも単
一レーザであれば、消去後光ディスクを一回転させてか
ら記録しなければならない所を、アレイ化することによ
って消去後、直ちに記録できるようにしている。
一レーザであれば、消去後光ディスクを一回転させてか
ら記録しなければならない所を、アレイ化することによ
って消去後、直ちに記録できるようにしている。
また、通常、半導体レーザの発光部は、接合に平行な方
向に長く（例えば２〜３μｍ）、接合に垂直な方向に短
い（例えば０．１μｍ）。このためここから出射される
光の遠視野像は、回折の影響で接合に平行な方向に短く
、接合に垂直な方向に長い楕円状の断面をしている。
向に長く（例えば２〜３μｍ）、接合に垂直な方向に短
い（例えば０．１μｍ）。このためここから出射される
光の遠視野像は、回折の影響で接合に平行な方向に短く
、接合に垂直な方向に長い楕円状の断面をしている。
〔発明が解決しようとする問題点）
上記のような従来のアイレーザでは、いずれもレーザの
出射ビームの短軸方向が同一直線上に並ぶため、光ディ
スクのトラック方向に沿って記録再生および消去スポッ
トを並べると、消去スポットの長軸がトラック方向に直
交するようになる。
出射ビームの短軸方向が同一直線上に並ぶため、光ディ
スクのトラック方向に沿って記録再生および消去スポッ
トを並べると、消去スポットの長軸がトラック方向に直
交するようになる。
しかし、これでは消去スポットの短軸方向で徐冷しなけ
ればならないため十分な徐冷効果が得られず、未消去・
消し残り等不具合が発生するという問題点があった。
ればならないため十分な徐冷効果が得られず、未消去・
消し残り等不具合が発生するという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、徐冷に適したスポット形状のアレイレーザを得る
ことを目的とする。
ので、徐冷に適したスポット形状のアレイレーザを得る
ことを目的とする。
この発明に係るアレイレーザは、発光部のうちの少なく
とも一つを、遠視野像の長軸が他の発光部の遠視野像の
長軸または短軸方向と同一線上に並ぶように配置したも
のである。
とも一つを、遠視野像の長軸が他の発光部の遠視野像の
長軸または短軸方向と同一線上に並ぶように配置したも
のである。
この発明においては、消去用の発光部を遠視野像の長軸
方向をトラック方向に対して平行になるように配置する
ことで、消去スポットで徐冷を行うことが可能になる。
方向をトラック方向に対して平行になるように配置する
ことで、消去スポットで徐冷を行うことが可能になる。
第１図はこの発明のアレイレーザの一実施例を示す側面
図である。
図である。
この図において、第３図（ａ）、（ｂ）と同一符号は同
一のものを示し、３ａは２つの段差を持った放熱板で、
消去用レーザチップ１をボンディングする方が深く、他
方が浅くなっている。
一のものを示し、３ａは２つの段差を持った放熱板で、
消去用レーザチップ１をボンディングする方が深く、他
方が浅くなっている。
この実施例では放熱板３ａの深い段差の方に、消去用の
発光部としての消去用レーザチップ１を従来例に対して
９０”傾けてボンディングし、浅い段差の方に記録再生
用レーザチップ２を従来例と同じ方向にボンディングし
ている。そして段差の深さを適当に設計しておくことに
より、消去用レーザチップ１と記録再生用レーザチップ
２の発光点が同一線上に並び、かつ消去用レーザチップ
１の遠視野像の長軸方向と再生用レーザチップ２の遠視
野像の短軸方向が同一線上に並ぶようにすることができ
る。
発光部としての消去用レーザチップ１を従来例に対して
９０”傾けてボンディングし、浅い段差の方に記録再生
用レーザチップ２を従来例と同じ方向にボンディングし
ている。そして段差の深さを適当に設計しておくことに
より、消去用レーザチップ１と記録再生用レーザチップ
２の発光点が同一線上に並び、かつ消去用レーザチップ
１の遠視野像の長軸方向と再生用レーザチップ２の遠視
野像の短軸方向が同一線上に並ぶようにすることができ
る。
したがって、消去用出射ビーム光の長軸方向がトラック
方向と平行になり、この長袖出射ビームによって、記録
材料を徐冷することができるようになる。
方向と平行になり、この長袖出射ビームによって、記録
材料を徐冷することができるようになる。
なお、上記実施例では消去用レーザチップ１のみ９０°
回転させて組立したが、記録再生用レーザチップ２とし
て放射ビームの縦横比が小さいものを用いれば第２図に
示すように、記録再生用レーザチップ２も９０°回転さ
せて長軸同士を同一線上に並べて組立てしてもよい。
回転させて組立したが、記録再生用レーザチップ２とし
て放射ビームの縦横比が小さいものを用いれば第２図に
示すように、記録再生用レーザチップ２も９０°回転さ
せて長軸同士を同一線上に並べて組立てしてもよい。
また、上記実施例では２点アレイレーザについて説明し
たが、例えば消去・記録・再生あるいは溶融・消去・記
録再生等のように３点以上のアレイレーザに用いること
も可能である。
たが、例えば消去・記録・再生あるいは溶融・消去・記
録再生等のように３点以上のアレイレーザに用いること
も可能である。
さらに上記実施例では、ジャンクションアップ（基板側
を放熱板にボンドする）での組立で説明したが、ジャン
クションダウンで組立てしても同様の効果がある。
を放熱板にボンドする）での組立で説明したが、ジャン
クションダウンで組立てしても同様の効果がある。
この発明は以上説明したとおり、発光部のうちの少なく
とも一つを、遠視野像の長軸が他の発光部の遠視野像の
長軸または短軸方向と同一線上に並ぶように配置したの
で、簡単な光学系、簡単な駆動系で消去・記録を連続し
て正確に行うことができるという効果がある。
とも一つを、遠視野像の長軸が他の発光部の遠視野像の
長軸または短軸方向と同一線上に並ぶように配置したの
で、簡単な光学系、簡単な駆動系で消去・記録を連続し
て正確に行うことができるという効果がある。
第１図はこの発明のアレイレーザの一実施例を示す側面
図、第２図はこの発明の他の実施例を示す側面図、第３
図は従来のアレイレーザを示す側面図である。 図において、１は消去用レーザチップ、２は記録再生用
レーザチップ、３ａは放熱板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
図、第２図はこの発明の他の実施例を示す側面図、第３
図は従来のアレイレーザを示す側面図である。 図において、１は消去用レーザチップ、２は記録再生用
レーザチップ、３ａは放熱板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 同一パッケージ内に少なくとも消去用および記録再生用
の発光部を有するアレイレーザにおいて、前記発光部の
うちの少なくとも一つを遠視野像の長軸が他の発光部の
遠視野像の長軸または短軸方向と同一線上に並ぶように
配置したことを特徴とするアレイレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314611A JPH01154584A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | アレイレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62314611A JPH01154584A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | アレイレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154584A true JPH01154584A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18055382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62314611A Pending JPH01154584A (ja) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | アレイレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01154584A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| JP2004079168A (ja) * | 1995-04-13 | 2004-03-11 | Denso Corp | 光学的記録再生装置用光学ヘッド |
| JP2007103731A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Sony Corp | 光通信モジュール及び光通信システム |
| JP2010287613A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 多波長半導体レーザ装置 |
-
1987
- 1987-12-10 JP JP62314611A patent/JPH01154584A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| JP2004274085A (ja) * | 1993-11-22 | 2004-09-30 | Xerox Corp | レーザダイオードアレイ |
| JP2008263238A (ja) * | 1993-11-22 | 2008-10-30 | Xerox Corp | レーザダイオードアレイ |
| JP2004079168A (ja) * | 1995-04-13 | 2004-03-11 | Denso Corp | 光学的記録再生装置用光学ヘッド |
| JP2007103731A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Sony Corp | 光通信モジュール及び光通信システム |
| JP2010287613A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 多波長半導体レーザ装置 |
| US8687668B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-04-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser device |
| US8891581B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-11-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser device |
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