JPH0115544Y2 - - Google Patents

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JPH0115544Y2
JPH0115544Y2 JP1982078583U JP7858382U JPH0115544Y2 JP H0115544 Y2 JPH0115544 Y2 JP H0115544Y2 JP 1982078583 U JP1982078583 U JP 1982078583U JP 7858382 U JP7858382 U JP 7858382U JP H0115544 Y2 JPH0115544 Y2 JP H0115544Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は自動車に取付けられ、ミラーに照射
される光に応じてミラーの反射率を自動的に切換
えるようにされた防眩ミラー切換装置に関し、特
に手動切換えを可能としようとするものである。
夜間において自動車の室内バツクミラーに対
し、後続車からのヘツドライトビームが入射する
と運転者が強力な反射光により眩惑される。この
点より従来よりミラーに照射される光を受光素子
で受光し、夜間或はトンネル内においてはミラー
の角度を自動的に切換えて、反射率を明るい場所
を走行している場合よりも小さくすることが行わ
れている。従来のこの種の防眩ミラー自動切換装
置においては、前照灯やスモールランプを点灯す
ると、つまり、いわゆるライテイングスイツチを
オンにすると、そのことを示す信号により防眩ミ
ラー自動切換装置に対し電源出力が与えられて、
始めて動作状態となり、ライテイングスイツチが
オフの状態では電源出力が印加されずミラーは高
反射率状態とされ、受光素子が昼間の強い外来光
を受けても、ミラーが低反射率に切換えられるの
を防止していた。このため例えば夜間においても
明るい商店街を走行する際に、後続車の前照灯以
外の周囲光で動作してミラーが低反射率になり後
方が見にくくなることがある。また夕暮や朝方に
おいてライテイングスイツチをオンにしていない
状態で後続車はヘツドライトを付けている場合
に、その後続車のヘツドライトビームにより眩惑
されることがある。或はライテイングスイツチを
オンにしてない状態で後方から西日が強く入射
し、室内のミラーに反射して眩惑されることがあ
る。このように従来においてはライテイングスイ
ツチがオフの状態では防眩ミラー切換装置の電源
がオフとされているため、防眩ミラーを高反射率
状態、いわゆるデイ(day)状態にしたり、低反
射率状態、いわゆるナイト(night)状態に運転
者が自由に設定することができず支障を来たすこ
とがあつた。
この考案の目的はライテイングスイツチ、オフ
の状態でも高反射率、低反射率の何れにも自由に
手動にて切換えることができ、またライテイング
スイツチ、オン状態で自動切換えとすることもで
きる防眩ミラー切換装置を提供することにある。
この考案によれば、ライテイングスイツチが非
点灯状態で、受光素子よりの信号が、ミラーの反
射率を切換える駆動回路へ供給されるのを阻止す
るように構成され、その阻止手段と、前記駆動回
路との間に自動手動切換スイツチが挿入され、そ
の自動手動切換スイツチが自動切換位置に設定さ
れている時はその前段よりの受光素子の出力信号
を駆動回路へ供給する。自動手動切換スイツチが
手動切換位置に設定された状態で前記駆動回路に
対し、二値の直流信号を選択的に手動操作で供給
することができるようにされる。
以下この考案による防眩ミラー切換装置の一例
を図面を参照して説明しよう。
先ずミラー及びその駆動機構部分の一例を第1
図乃至第3図を参照して説明する。ボデイ11の
前面にその開口をほぼ塞ぐようにミラー12が配
され、ボデイ11内において基板13がミラー1
2と対向して固定される。ミラー12の背面に取
付けた軸受14が、サポート10に固定したピン
軸15上に回動自在に保持される。またピン軸1
5の上下において電磁石16,17がサポート1
0に固定され、これら電磁石16,17と対向し
て永久磁石18,19がミラー12の背面に固定
されている。ボデイ11の上側中央部に、ユニバ
ーサルジヨイント21を介して取付アーム22の
一端が回動自在に取付けられる。ボデイ11の下
中央部に突部23が突出形成され、突部23の前
面に形成した小孔24と対向して基板13に受光
素子25が外部に臨んで取付けられる。この受光
素子25によりミラー12に照射される光が受光
される。
第3図に示すように一方の永久磁石18が電磁
石16の鉄心に磁気的に吸着され、他方の永久磁
石19は対向する電磁石17から離れている。そ
の状態でミラー12のガラス面、表面からの反射
光が運転者の眼に入射され、つまり低反射率状態
となる。電磁石16に対し電流を流し、永久磁石
18の磁極と磁気的に反発する磁極を発生させる
と、永久磁石18は電磁石16から離れ、ミラー
12は軸15中心に回動し、永久磁石19は電磁
石17に吸着し、この状態が保持される。この状
態はミラー12の反射膜からの反射光が運転者に
入射され、高反射率状態となる。電磁石17に電
流を流して永久磁石19と磁気的に反発させて低
反射率状態に戻すことができる。
次にこの考案の要部である切換装置の電気回路
の例を第4図を参照して説明する。受光素子25
に受光された光はその照度に応じた大きさの直流
信号に変換される。この際にその変換特性を対数
特性とすると共に、高反射率と低反射率との相互
切換が生じる照度を使用者の好みに応じて調整で
きるようにされた場合である。即ち演算増幅器3
1が設けられ、その演算増幅器31の非反転入力
側に定電流源32が接続されると共に温度補償用
ダイオード33の一端に接続される。演算増幅器
31の出力側はその反転入力側に直接接続される
と共に互に逆極性で並列接続された対数特性とす
るためのダイオード34を通じて演算増幅器36
の非反転入力側に接続される。ダイオード34と
並列に誤動作防止用ダイオード35が逆極性で接
続される。その演算増幅器36の非反転入力側は
フオトダイオードのような受光素子25を通じ、
更に抵抗器37を通じて接地される。その受光素
子25及び抵抗器37の接続点は演算増幅器36
の反転入力側に接続される。演算増幅器36の出
力側は帰還抵抗器38,39を通じてその反転入
力側に接続され、抵抗器38と並列に温度補償用
の負温度特性抵抗素子41が接続されている。ト
ランジスタ42のコレクタが電源線43に接続さ
れ、エミツタは感度調整用可変抵抗器44を通じ
て接地され、ベースには分圧回路45より一定電
圧が与えられている。可変抵抗器44の可動子は
ダイオード33の他端に接続されている。
受光素子25に受光される光の照度が強い場合
は増幅器36の出力電圧は低くなり、照度が弱い
場合は増幅器36の出力電圧は高くなる。また感
度調整用可変抵抗器44の可動子をトランジスタ
42のエミツタ側に近づけると、増幅器36の出
力電圧は高くなり、それだけ高反射率から低反射
率に切換るために必要とする受光素子25に入射
する光の照度は高くなり、つまり切換感度がにぶ
くなる。
増幅器36の出力はそのレベルに応じて判定回
路46で二値の直流信号の何れかに変換される。
判定回路46は例えば入力された増幅器36の出
力が比較器47の反転入力側へ供給されて分圧回
路48よりの基準電圧と比較され、この基準電圧
よりも小さければ比較器47の出力は高レベルで
オフとなり、(この例では比較器47の出力はオ
ープンコレクタ型とされている)電源線43より
抵抗器49、ダイオード51を通じてコンデンサ
52に対する充電が行われる。ダイオード51及
びコンデンサ52の接続点の電圧は比較器53の
非反転入力側へ与えられて、分圧回路54の基準
電圧と比較され、この基準電圧よりも大になると
比較器53の出力は高レベルとなる。一方、増幅
器36の出力が分圧回路48の基準電圧よりも大
きい場合は比較器47の出力は低レベルになり、
コンデンサ52の電荷は抵抗器55を通じて比較
器47の出力側へ放電する。ダイオード51及び
コンデンサ52の接続点の電圧が分圧回路54の
基準電圧より小さくなると比較器53の出力は低
レベルになる。比較器53の出力は抵抗器56を
通じて比較器47の非反転入力側へ与えられて正
帰還が掛けられている。この正帰還により判定回
路46の入力に対する二値直流変換特性にヒステ
リシスがもたらされる。また、コンデンサ52に
対する充電を比較的速くして、強い光がミラーに
入射した場合は直ちに低反射率に切換わり、この
状態からミラーへ入射する光が所定値よりも弱く
なる場合はコンデンサ52の放電が充電時よりも
遅く行われ、僅か遅れて高反射率に切換わるよう
にされている。
判定回路46の出力により、その二値に応じて
電磁石16,17の一方が駆動回路57を通じて
駆動される。この考案においてはライテイングス
イツチが非点灯状態にある時は受光素子25の出
力にもとずく判定回路46の出力は駆動回路57
へ供給されないようにされる。更に手動操作によ
つても駆動回路57に対する駆動制御を行なうこ
とができるようにされる。
この実施例では判定回路46の出力、即ち比較
器53の出力は反転回路58を通じてNORゲー
ト59へ供給され、そのNORゲート59の他方
の入力側には端子61より逆流阻止ダイオード6
2、抵抗器63を通じてライテイングスイツチの
動作状態を示す信号が入力される。NORゲート
59の出力は自動手動切換スイツチ64の自動切
換位置64aを通じ、更に雑音除去炉波器65を
通じて駆動回路57へ供給される。ダイオード6
2及び抵抗器63の接続点は抵抗器66を通じて
電源線43に接続されている。端子61はヘツド
ライト、スモールランプなどのライテイングスイ
ツチが点灯状態の場合は低レベルとなり、ライテ
イングスイツチが非点灯状態では高レベルにな
る。従つてライテイングスイツチが非点灯状態で
は反転回路58の出力に無関係にNORゲート5
9の出力は低レベルに保持され、つまり判定回路
46の出力が駆動回路57へ供給されるのが阻止
される。ライテイングスイツチが点灯状態の時の
み、判定回路46の出力はスイツチ64を通じて
駆動回路57へ供給される。
切換スイツチ64の手動切換位置64mには手
動操作スイツチ67が接続され、その手動操作ス
イツチ67の低反射率位置67nは電源線43に
接続され、高反射率位置67dは接地される。よ
つて切換スイツチ64を手動切換位置64m側に
接続した状態で手動操作スイツチ67を制御する
ことにより高レベル直流信号と、低レベル直流信
号とを選択して駆動回路57へ供給することがで
きる。なお電源線43はスイツチ68を通じて発
光ダイオードのような発光素子69の一端に接続
され、発光素子69の他端はダイオード70を通
じて端子61に接続される。切換スイツチ64が
自動切換位置64aに接続されている時にスイツ
チ68がオンとされるようにスイツチ64,68
が連動され、ミラーが自動切換状態に設定され、
かつライテイングスイツチが点灯状態の場合は発
光素子69が点灯して表示される。
駆動回路57はこれに対する二値直流信号が与
えられるとそれに応じて電磁石16,17の一方
を駆動するが、この例では一定時間だけ駆動する
ようにした場合である。即ち駆動回路57に入力
された直流信号は単安定マルチバイブレータ71
に直接供給されると共に反転回路72を通じて単
安定マルチバイブレータ73に供給される。単安
定マルチバイブレータ71,73の各出力はトラ
ンジスタ74,75の各ベースに与えられ、トラ
ンジスタ74,75の各コレクタは電源線43に
接続され、各エミツタはそれぞれ各別の抵抗器を
通じて駆動トランジスタ76,77の各ベースに
接続されている。トランジスタ76,77の各エ
ミツタは接地され、各コレクタは電磁石17,1
6のコイル17c,16cをそれぞれ通じて電源
端子78に接続される。駆動回路57に高レベル
の直流信号が与えられると、単安定マルチバイブ
レータ71が駆動され、一定時間例えば0.1秒間
出力が高レベルとなり、その間トランジスタ74
を通じてトランジスタ76に電流が流れ、電磁石
17が駆動される。従つて電磁石17と永久磁石
19とが接触していた場合はこれらが互に離れて
低反射率状態にミラーは切換えられる。駆動回路
57に低レベル直流信号が入力されると、単安定
マルチバイブレータ73が駆動され、一定時間、
例えば0.1秒間出力が高レベルとなり、その間ト
ランジスタ75を通じてトランジスタ77に電流
が流れ、電磁石16が駆動され、電磁石16と永
久磁石18とが離されてミラーは高反射率状態に
切換えられる。
なおこの例では単安定マルチバイブレータ73
の出力は、単安定マルチバイブレータ71内の後
段のNORゲート71aに入力されている。この
ため電源端子78に電源電圧を印加した瞬間に単
安定マルチバイブレータ71より高レベルが出力
されても、短時間で定常状態になり、かつ入力が
低レベルの場合は単安定マルチバイブレータ73
が駆動され、その出力がゲート71aに与えられ
単安定マルチバイブレータ71の出力が強制的に
低レベルとされる。電磁石16,17は駆動され
てからミラーが切換わるまでに遅れを伴うため、
電源を入れた際に前述のように単安定マルチバイ
ブレータ71が瞬時的に駆動されてミラーが低反
射率状態に切換わる前に単安定マルチバイブレー
タ71の出力は低レベルとされ、その時の入力が
低レベルであれば直ちにミラーは高反射率状態に
設定される。
なお端子78に定電圧回路79が接続され、そ
の定電圧出力が電源線43、演算増幅器、比較器
などの電源端子に印加されている。切換スイツチ
64の操作子64e、手動操作スイツチ67の操
作子67eはそれぞれ例えば第1図に示すように
取付アーム22の底面部にそれぞれ設けることが
できる。
以上述べたようにこの考案による防眩ミラー切
換装置によれば、自動手動切換スイツチ64を自
動切換位置64aに設定しておけば、ライテイン
グスイツチを点灯状態にすると、受光素子25の
受光レベルに応じてミラーは高反射率状態、低反
射率状態に自動的に切換えられる。ライテイング
スイツチを非点灯状態にするとNORゲート59
の出力は低レベルに固定され、ミラーは高反射率
状態に保持される。しかもこのようにライテイン
グスイツチが非点灯状態になつていても駆動回路
57に対して電源電圧が印加されているため、自
動手動切換スイツチ64を手動切換位置64mに
設定して手動操作スイツチ67を制御することに
より、ミラーを低反射率状態、高反射率状態に設
定することができ、前述したように西日がミラー
に入射する場合や夕方、朝方に自動車はライテイ
ングスイツチをオフとしている状態でも後続車か
らのヘツドライトビームが入射する場合には低反
射率にすることができ、頗る便利である。
なお、第4図において切換スイツチ64に手動
操作スイツチ67を接続することなく、手動操作
スイツチ60を例えば波器65及び駆動回路5
7の接続点に接続してもよい。ライテイングスイ
ツチの状態を示す信号により制御されるアナログ
ゲートを判定回路46の前段に挿入してライテイ
ングスイツチがオンの状態で受光素子25の出力
が判定回路46へ供給されないようにしてもよ
い。或はライテイングスイツチがオンになるとそ
の信号により比較器53の反転入力側が接地さ
れ、比較器53の出力が高レベルに固定されるよ
うにすることもできる。要するにライテイングス
イツチがオンでかつ自動手動切換スイツチ64が
自動位置64aに設定されている場合は駆動回路
57にミラーを低反射率状態にする信号が与えら
れればよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は防眩ミラーの一例を示す正面図、第2
図は第1図のAA線断面図、第3図は第1図の
BB線断面でかつ低反射率状態を示す図、第4図
はこの考案の防眩ミラー切換装置の一例を示す接
続図である。 11:ボデイ、12:ミラー、16,17:電
磁石、18,19:永久磁石、25:受光素子、
46:判定回路、57:駆動回路、61:ライテ
イングスイツチの状態を示す信号が与えられる端
子、64:自動手動切換スイツチ、67:手動操
作スイツチ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ミラーに照射される光を受光素子で受光し、そ
    の受光素子の出力レベルに応じて二値の何れかの
    直流信号に判定回路で変換し、その変換された直
    流信号の二値の何れかに応じて上記ミラーの反射
    率を切換える駆動回路を駆動するようにされた防
    眩ミラー切換装置において、ライテイングスイツ
    チが非点灯状態であることを示す信号により、上
    記受光素子の出力にもとずく上記判定回路の出力
    が上記駆動回路へ供給されるのを阻止する阻止手
    段と、その阻止手段及び上記駆動回路間に挿入さ
    れ、上記受光素子にもとずく上記判定回路の出力
    を自動切換位置で通過させ、手動切換位置で遮断
    する自動手動切換スイツチと、その自動手動切換
    スイツチが手動切換位置に切換えられている状態
    で上記駆動回路へ二値の直流信号を選択的に与え
    る自動切換手段とを具備する防眩ミラー切換装
    置。
JP7858382U 1982-05-27 1982-05-27 防眩ミラ−切換装置 Granted JPS58180740U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7858382U JPS58180740U (ja) 1982-05-27 1982-05-27 防眩ミラ−切換装置

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JP7858382U JPS58180740U (ja) 1982-05-27 1982-05-27 防眩ミラ−切換装置

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Publication Number Publication Date
JPS58180740U JPS58180740U (ja) 1983-12-02
JPH0115544Y2 true JPH0115544Y2 (ja) 1989-05-10

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JP7858382U Granted JPS58180740U (ja) 1982-05-27 1982-05-27 防眩ミラ−切換装置

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Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5534909U (ja) * 1978-08-30 1980-03-06
JPS5818264B2 (ja) * 1979-02-09 1983-04-12 株式会社村上開明堂 電磁式自動防眩ミラ−

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JPS58180740U (ja) 1983-12-02

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