JPH01155644A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01155644A
JPH01155644A JP62313672A JP31367287A JPH01155644A JP H01155644 A JPH01155644 A JP H01155644A JP 62313672 A JP62313672 A JP 62313672A JP 31367287 A JP31367287 A JP 31367287A JP H01155644 A JPH01155644 A JP H01155644A
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JP
Japan
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pellet
insulating sheet
sheet
semiconductor device
wires
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JP62313672A
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English (en)
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Keiji Ichikawa
市川 啓司
Junichi Ono
淳一 大野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置に関するもので、特に樹脂対11−
型の半導体装置に適用されるものである。
(従来の技術) 樹脂封止型の半導体装置は量産が容易でしかも安価に製
造できることから近年広く使用されており、40ピン以
上のピン数の多い大型半導体装置にも使用されるように
なっている。
従来の樹脂封止型の半導体装置ではリードフレームを用
いており、その完成状態の断面が第4図に示されている
同図によれば、中央部に設けられたベツド部11Cにペ
レット12をダイボンディングにより固着し、ペレット
上の電極とリードフレームのインナリード11aとをワ
イヤボンディングにより金線等のワイヤ13により接続
した後、樹脂14により封11−を行い、パッケージの
外部に引出されたアウタリード11bの成形を行って半
導体装置が形成されている。
このような従来のリードフレームを用いた半導体装置で
はペレット12を載置するためのベツド部11Cが必要
であるため、そのベツド11cをリードフレーム枠に固
定するためのタイバー(図示せず)が必要となっており
、インナリードを配置する上においてタイバーの占める
面積分だけインナリードを配置できない。また、従来の
リードフレームを使用した半導体装置においてはタイバ
ーが封止後のパッケージの側面に出ているため、外部か
ら水分が侵入して半導体ペレットに達しやすい。さらに
ベツド部11cと封止用樹脂14との熱膨張係数の差に
もとづくクラック等の欠陥を招来しやすいという問題が
ある。
このような問題点を解決するためベツドレス形の半導体
装置が提案されている。第5図はその断面を示すもので
、リード15は従来よりも半導体装置の中心近傍まで伸
びており、ベツド部は設けられていない。そして絶縁性
のシート16をり一ド15で支持するようにほぼ中心部
に固着し、この絶縁性シート16の上にペレット12を
ダイボンディングした後にワイヤボンディングを行って
ペレット12とリード15とをワイヤ13で接続するよ
うにしている。
しかしながら、このような半導体装置ではワイヤ13の
接触によるショートを招きやすいという問題がある。
すなわち、通常のリードフレームを用いた場合のワイヤ
ボンディングは第6図に示すように、ワイヤの垂れ下が
りを防止するとともに接合性を向上させるために、ベツ
ド部ticとインナリード11aとの間隙に挿入される
凸部17aを釘するヒータ17を用いている。このため
ワイヤ13は凸部17aの高さよりも垂れ下がることは
なく、ワイヤ13がチップ12に接触してしまうことは
ないが、第7図に示すベツドレス形の半導体装置では凸
部を有するヒータを用いることができないため、ワイヤ
ボンディング時にワイヤのたるみや嚢形により垂れ下が
り、チップ12の角部12aにワイヤ13が接触しショ
ートを発生してしまうことがある。
(発明が解決しようとする問題点) このように従来のベツドレス型の半導体装置ではワイヤ
の垂れ下がりによるショートが生じやすいという問題が
ある。
本発明はこのような問題を解決するためなされたもので
ワイヤの垂れ下がりによるショートを有効に防止するこ
とのできるベツドレス型の半導体装置を提供することを
目的とする。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明によれば、リードフレームのペレット設置部に、
その周囲に略放射状に配設されたインナリード先端部を
粘着固定するよう配設され、半導体ペレットをその上に
搭載した絶縁性シートを備えた半導体装置において、絶
縁性シートはインナリードの上に設けられ、かつその周
辺部が中央部よりも厚く形成されたことを特徴としてい
る。
(作 用) ペレットが搭載された絶縁性シートの周辺部は窩くなっ
ているため、ワイヤはたとえ垂れ下がっても絶縁性シー
トに接触するのみであり、ペレットに接触しない。した
がって、ショートを効果的に防11.することができる
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例のいくつかを詳細
に説明する。
第1図は本発明の一実施例にかかる半導体装置の断面図
である。
同図によれば、第5図に示した従来のベツドレス型半導
体装置の場合と同様に、リード1が半導体装置の中心近
傍まで伸びており、ベツド部は設けられておらず、そし
て絶縁性のシート2をり一ド1で支持するようにほぼ中
心部に固善し、この絶縁性シート2の上にペレット3を
ダイポンデイ・ングした後にワイヤボンディングを行っ
てペレット3とリード1のうちのインナリード1bとを
ワイヤ4で接続するようにしている。この状態で樹脂整
形をおこなって樹脂部5より突出したリードをアウタリ
ード1aとして下方に曲げる加工をおこなって半導体装
置が完成している。
そして絶縁性シート2の周辺部2aは中央部に比べて厚
く形成されている。すなわち、第1図から明らかなよう
に、絶縁性シートの周辺部2aは上方に折り曲げられて
おり、ワイヤ4はこの周辺部2aに接して、あるいはそ
のわずかに上を通るように配線されている。この様子は
第2図の斜視図において、ワイヤが厚く形成された周辺
部2aの上を通っている様子がより明確に示されている
第3図は絶縁性シートの周辺部を厚(形成するための手
法のいくつかの例を示すもので、第3図(a)は1枚の
絶縁性シート上に周辺部のみからなる他の絶縁性シート
を重ねて接着したもの、第3図(b)および(C)は周
辺部を折り曲げたもの、第3図(d)は厚いシートの周
辺部を残して中央部をエツチングしたものである。第3
図(b)と第3図(C)とでは折り曲げ片の接合状態が
異なっているのみであり、第3図(b)では接合面が絶
縁性シートの対角線にほぼ沿っており、第3図(C)で
は絶縁性シートの外周辺に沿っている。
ここで絶縁シートとしては耐熱性、耐湿性に優れたポリ
イミド樹脂シートが通常用いられる。
次に、絶縁性シートとペレットとの寸法関係を考察する
と、絶縁シート周辺部の高さが絶縁性シート上に搭載さ
れたペレット上向の高さよりも高いことがショート防止
のためには望ましい。したがって、ペレットの厚さをt
l、絶縁性シートのペレット搭載部の1〒°さをt2、
絶縁性シートの周辺部の1vさをt3としたとき、 t1+t2≦t3 の関係を満たすようにすれば良い。例えば、ペレットの
一辺の長さal−7mm、絶縁性シート1辺の長さa2
−91であるとしてt1=0.45mm、t2−0.1
mm、t 3−0 、 6 mm  に選択することが
できる。このとき、ペレット上の電極からリード上のワ
イヤ接合位置までのワイヤの水平距離は約2.5mmで
ある。
以上の実施例における絶縁シートの材質および周辺部を
厚くする加工は実施例に示したものに限ることなく他の
材質および方法を使用することができる。
〔発明の効果〕
以上、実施例にもとづいて詳細に説明したように、本発
明によれば、リード上に載置固着された絶縁性シートの
周辺部をその中央部よりも厚く形成しているため、中央
部にペレットを搭載した後のワイヤボンディング時にワ
イヤのたるみや変形による垂れ下がりが生じてもワイヤ
とペレットが接触することはなく、ショートの発生が防
止され、製品の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかる半導体装置の一実施例を示す断
面図、第2図はそのワイヤボンディングの様子を示す斜
視図、第3図は絶縁性シートの周辺部を厚くする手法の
例を示す斜視図、第4図は従来のベツドを有するリード
フレームを用いた半導体装置の一例を示す断面図、第5
図は従来のベツドレスのリードフレームを用いた半導体
装置の例を示す断面図、第6図は第4図に示したリード
フレームを用いてワイヤボンディングを行う様子を示す
説明図、第7図は第5図に示した構造における問題点を
示す断面図である。 1.11・・・リードフレーム、2.16・・・絶縁性
シート、2a・・・絶縁性シート周辺部、3,12・・
・ペレット、4,13・・・ワイヤ、5,14・・・樹
脂。 出願人代理人  佐  藤  −雄 図            区

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、リードフレームのペレット設置部に、その周囲に略
    放射状に配設されたインナリード先端部を粘着固定する
    よう配設され、半導体ペレットをその上に搭載した絶縁
    性シートを備えた半導体装置において、 前記絶縁性シートはインナリードの上に設けられ、かつ
    その周辺部が中央部よりも厚く形成されたことを特徴と
    する半導体装置。 2、絶縁性シートがポリイミドより成る特許請求の範囲
    第1項記載の半導体装置。 3、絶縁性シートの中央部の厚さとペレットの厚さの和
    が絶縁性シートの周辺部の厚さ以下であることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP62313672A 1987-12-11 1987-12-11 半導体装置 Pending JPH01155644A (ja)

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JP62313672A JPH01155644A (ja) 1987-12-11 1987-12-11 半導体装置
EP88120623A EP0330749A1 (en) 1987-12-11 1988-12-09 Semiconductor device
KR1019880016411A KR920000380B1 (ko) 1987-12-11 1988-12-10 반도체장치

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JP62313672A JPH01155644A (ja) 1987-12-11 1987-12-11 半導体装置

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ID=18044120

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JP62313672A Pending JPH01155644A (ja) 1987-12-11 1987-12-11 半導体装置

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JP (1) JPH01155644A (ja)
KR (1) KR920000380B1 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5278446A (en) * 1992-07-06 1994-01-11 Motorola, Inc. Reduced stress plastic package

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988854A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Toshiba Corp 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0078606A3 (en) * 1981-11-02 1985-04-24 Texas Instruments Incorporated A semiconductor assembly with wire support

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5988854A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 Toshiba Corp 半導体装置

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KR890011062A (ko) 1989-08-12
KR920000380B1 (ko) 1992-01-13
EP0330749A1 (en) 1989-09-06

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