JPH01159846A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH01159846A JPH01159846A JP31758287A JP31758287A JPH01159846A JP H01159846 A JPH01159846 A JP H01159846A JP 31758287 A JP31758287 A JP 31758287A JP 31758287 A JP31758287 A JP 31758287A JP H01159846 A JPH01159846 A JP H01159846A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ポリカーボネート樹脂を基盤として用いる光磁気ディス
クの生産性を、その性能を損うことなく、著るしく高め
る光磁気ディスクの製造方法に関し、ポリカーボネート
樹脂基板上への光磁気記録媒体の真空製膜のための排気
時間を短縮して光磁気ディスクの生産性を著るしく高め
ることを目的とし、 ポリカポネートを基板として用いる光磁気ディスクを製
造するに当り、ポリカーボネート基板上へ記録膜を真空
製膜するに先立ち、ポリカポネート５盤を約９０〜１３
０°Ｃの温度で約２時間以上加熱前処理する。
クの生産性を、その性能を損うことなく、著るしく高め
る光磁気ディスクの製造方法に関し、ポリカーボネート
樹脂基板上への光磁気記録媒体の真空製膜のための排気
時間を短縮して光磁気ディスクの生産性を著るしく高め
ることを目的とし、 ポリカポネートを基板として用いる光磁気ディスクを製
造するに当り、ポリカーボネート基板上へ記録膜を真空
製膜するに先立ち、ポリカポネート５盤を約９０〜１３
０°Ｃの温度で約２時間以上加熱前処理する。
本発明は光磁気ディスクの製造方法に係り、更に詳しく
はポリカポネート樹脂を基板として用いる光磁気ディス
クの生産性を、その性能を損なうことなく著しく高めた
光磁気ディスクの製造方法に関する。
はポリカポネート樹脂を基板として用いる光磁気ディス
クの生産性を、その性能を損なうことなく著しく高めた
光磁気ディスクの製造方法に関する。
〔従来の技術］
光磁気ディスクを製造するに当っては、ガラスやＰＭＭ
Ａ、ポリカーボネートなどのプラスチックからなる基板
に、例えばＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＦｅＣｏなどの記録媒
体を蒸着やスパッタリングなどの真空製膜によって付着
させている。この光磁気記録媒体は非常に酸化されやす
いため、通常、上記製膜は１Ｏ−４Ｐａ以下の高真空下
に実施することが必要とされる。ガラス基板の場合には
、かかる真空製膜のための排気時間はそれほど問題とな
らないが、プラスチック基板の場合には、プラスチック
基板が多量の水分を含むため真空製膜のための排気に著
しく時間がかかり、これが生産性を著しく悪くしている
のが現状である。たとえばポリカーボネート（ｐｃ）樹
脂を基板として使用する場合には、この樹脂が常温常温
で通常０．２〜０．３％の水分を含んでいるため、直径
１３ｃｍの基板１枚を１０−’Ｐａの真空圧まで排気す
るのに要する排気時間は、通常の ガラス基板の場合の
約１０倍もかかるという問題があった。
Ａ、ポリカーボネートなどのプラスチックからなる基板
に、例えばＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＦｅＣｏなどの記録媒
体を蒸着やスパッタリングなどの真空製膜によって付着
させている。この光磁気記録媒体は非常に酸化されやす
いため、通常、上記製膜は１Ｏ−４Ｐａ以下の高真空下
に実施することが必要とされる。ガラス基板の場合には
、かかる真空製膜のための排気時間はそれほど問題とな
らないが、プラスチック基板の場合には、プラスチック
基板が多量の水分を含むため真空製膜のための排気に著
しく時間がかかり、これが生産性を著しく悪くしている
のが現状である。たとえばポリカーボネート（ｐｃ）樹
脂を基板として使用する場合には、この樹脂が常温常温
で通常０．２〜０．３％の水分を含んでいるため、直径
１３ｃｍの基板１枚を１０−’Ｐａの真空圧まで排気す
るのに要する排気時間は、通常の ガラス基板の場合の
約１０倍もかかるという問題があった。
従って、本発明は、前記したポリカーボネートを基板と
して用いる光磁気ディスクを工業的に製造する場合の問
題点、即ちポリカーボネート樹脂に相当程度の水分が含
まれているために光磁気記録媒体の真空製膜のための排
気時間が著しく長く、生産性を著しく低下させていると
いう問題点を排除して、ポリカーボネートを基板として
用いる光磁気ディスクの生産性を光磁気ディスクの性能
を損うことなく、生産性を著しく高めることを目的とす
る。
して用いる光磁気ディスクを工業的に製造する場合の問
題点、即ちポリカーボネート樹脂に相当程度の水分が含
まれているために光磁気記録媒体の真空製膜のための排
気時間が著しく長く、生産性を著しく低下させていると
いう問題点を排除して、ポリカーボネートを基板として
用いる光磁気ディスクの生産性を光磁気ディスクの性能
を損うことなく、生産性を著しく高めることを目的とす
る。
本発明に従えば、前記問題点は、ポリカーボネートを基
板として用いる光磁気ディスクを製造するに当り、ポリ
カーボネート基板上へ記録膜を真空製膜するに先立ち、
ポリカーボネート基板を約９０〜１３０°Ｃの温度で約
２時間以上加熱前処理することから構成される光磁気デ
ィスクの製造方法によって解決される。
板として用いる光磁気ディスクを製造するに当り、ポリ
カーボネート基板上へ記録膜を真空製膜するに先立ち、
ポリカーボネート基板を約９０〜１３０°Ｃの温度で約
２時間以上加熱前処理することから構成される光磁気デ
ィスクの製造方法によって解決される。
本発明に係る光磁気ディスクの製造において、基板とし
て用いるポリカーボネート樹脂としては所謂ポリカーボ
ネート樹脂と称される任意の樹脂を用いることができ、
一般に市販されているポリカーボネート樹脂を用いるこ
とができる。
て用いるポリカーボネート樹脂としては所謂ポリカーボ
ネート樹脂と称される任意の樹脂を用いることができ、
一般に市販されているポリカーボネート樹脂を用いるこ
とができる。
本発明に従って光磁気ディスクを製造するに当っては、
基板としてポリカーボネート樹脂を用いること及び光磁
気記録媒体の真空製膜に先立って、前記した如（、ポリ
カーボネート基板を約９０〜１３０°Ｃ１好ましくは１
００〜１２０°Ｃの温度において約２時間以上、好まし
くは４〜６時間加熱前処理することを除けば、従来の一
般的な光磁気ディスクの製造方法と実質的に同一である
。なお、上記前処理条件は、ポリカーボネート基板の大
きさが径１２〜１３ｃｍ、 Ｊ￥さ１．２〜１．５ ｍ
ｍの場合において適用されるものであるが、基板の大き
さがこれより大きかったり、小さかったりした場合には
前記前処理条件はそれに応じて若干の変更を加えた方が
好ましい場合もある。
基板としてポリカーボネート樹脂を用いること及び光磁
気記録媒体の真空製膜に先立って、前記した如（、ポリ
カーボネート基板を約９０〜１３０°Ｃ１好ましくは１
００〜１２０°Ｃの温度において約２時間以上、好まし
くは４〜６時間加熱前処理することを除けば、従来の一
般的な光磁気ディスクの製造方法と実質的に同一である
。なお、上記前処理条件は、ポリカーボネート基板の大
きさが径１２〜１３ｃｍ、 Ｊ￥さ１．２〜１．５ ｍ
ｍの場合において適用されるものであるが、基板の大き
さがこれより大きかったり、小さかったりした場合には
前記前処理条件はそれに応じて若干の変更を加えた方が
好ましい場合もある。
〔作 用］
本発明に従えば、前記したよう・に、光磁気ディスクの
製造にあたってポリカーボネート基板の排気時間を短縮
するため、基板を加熱容器中で予め加熱乾燥処理する。
製造にあたってポリカーボネート基板の排気時間を短縮
するため、基板を加熱容器中で予め加熱乾燥処理する。
この加熱温度および加熱時間については、最小限の時間
で基板内部の水分を最大限に排気させるような条件を選
定することが必要である。本発明者の知見によれば、ポ
リカーボネート基板の放出ガス率（単位面積当り１秒間
に放出されるガス■）ｑと排気時間りとの関係は第１図
に示す通りである。第１図のグラフから明らかなように
、加熱処理無の場合ｑＯｃｊ−”’であるが１２０°Ｃ
で、２時間加熱処理した場合にはｑ ＱＣＬ−’となる
。一方、８０°Ｃで２時間加熱処理では中間のｑｃｃｊ
−’・８３となる。理論的には、表面吸着している分子
のガス放出の場合にはｑｃｃじ１、固体内部からの拡散
による場合にはｑ■じ★なる関係となる（堀越源−著、
真空技術、東京大学出版会１９８３年発行参照）。従っ
て、８０°Ｃで２時間加熱処理した場合には基板内部に
水分が残存しており、乾燥が不十分であるが、１２０°
Ｃで２時間加熱処理すれば、乾燥が十分であると言える
。このように、乾燥処理した基板を実際に真空装置に入
れ、排気してみることによって乾燥処理が十分か否かを
判断することができる。
で基板内部の水分を最大限に排気させるような条件を選
定することが必要である。本発明者の知見によれば、ポ
リカーボネート基板の放出ガス率（単位面積当り１秒間
に放出されるガス■）ｑと排気時間りとの関係は第１図
に示す通りである。第１図のグラフから明らかなように
、加熱処理無の場合ｑＯｃｊ−”’であるが１２０°Ｃ
で、２時間加熱処理した場合にはｑ ＱＣＬ−’となる
。一方、８０°Ｃで２時間加熱処理では中間のｑｃｃｊ
−’・８３となる。理論的には、表面吸着している分子
のガス放出の場合にはｑｃｃじ１、固体内部からの拡散
による場合にはｑ■じ★なる関係となる（堀越源−著、
真空技術、東京大学出版会１９８３年発行参照）。従っ
て、８０°Ｃで２時間加熱処理した場合には基板内部に
水分が残存しており、乾燥が不十分であるが、１２０°
Ｃで２時間加熱処理すれば、乾燥が十分であると言える
。このように、乾燥処理した基板を実際に真空装置に入
れ、排気してみることによって乾燥処理が十分か否かを
判断することができる。
次に第２図は加熱温度とｑＯｃじ８のＸとの関係を示す
グラフ図である（加熱時間：２時間）。即ち、温度９０
〜１３０°Ｃで加熱した場合には基板の乾燥が十分とな
る。なお、ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は１３５
°Ｃであるため、これ以上の温度での加熱は行なわなか
った。
グラフ図である（加熱時間：２時間）。即ち、温度９０
〜１３０°Ｃで加熱した場合には基板の乾燥が十分とな
る。なお、ポリカーボネート樹脂の熱変形温度は１３５
°Ｃであるため、これ以上の温度での加熱は行なわなか
った。
〔実施例］
以下、具体的な実施例としてポリカーボネート基板を本
発明に従って前処理した場合と、しない場合とについて
、光磁気ディスクを作製した例を示す。
発明に従って前処理した場合と、しない場合とについて
、光磁気ディスクを作製した例を示す。
例」−
ポリカーボネート樹脂ベレット（三菱化成工業ｔ＋ｔａ
製ノバレクス７０２０ ＡＤ２）を用い、これを樹脂温
度３５０℃及び金型温度１０５°Ｃで射出成形して直径
１３０ｍｍｘ厚さ１．２ｍｍの円板状基板を得た。次に
、この基板６枚を温度１２０°Ｃで２時間加熱前処理し
た後、真空スパッタ装置に入れ、室温にてクライオポン
プで排気（排気量： ４０００ Ｅ ／ ５ｅｃ） シ
たところ、約１時間で所望の真空度である５ Ｘｌ０−
’Ｐ ａに達した。これに対し、比較例として、温度１
２０°Ｃで２時間の上記前処理を実施しなかった以外は
上と同様にして実施を行なったところ、所望の真空度で
ある５ Ｘｌ０−’Ｐ ａに到達するのに約１１時間要
した。この結果から本発明の効果が如何に優れたもので
あるかが明らかであろう。
製ノバレクス７０２０ ＡＤ２）を用い、これを樹脂温
度３５０℃及び金型温度１０５°Ｃで射出成形して直径
１３０ｍｍｘ厚さ１．２ｍｍの円板状基板を得た。次に
、この基板６枚を温度１２０°Ｃで２時間加熱前処理し
た後、真空スパッタ装置に入れ、室温にてクライオポン
プで排気（排気量： ４０００ Ｅ ／ ５ｅｃ） シ
たところ、約１時間で所望の真空度である５ Ｘｌ０−
’Ｐ ａに達した。これに対し、比較例として、温度１
２０°Ｃで２時間の上記前処理を実施しなかった以外は
上と同様にして実施を行なったところ、所望の真空度で
ある５ Ｘｌ０−’Ｐ ａに到達するのに約１１時間要
した。この結果から本発明の効果が如何に優れたもので
あるかが明らかであろう。
なお、本発明の実施例に従って処理した上記基板に常法
に従って保護膜（ＳｉＮａ：１００ｍｍ厚）、記録媒体
（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金：１００ｍｍ厚）及び保護膜（
ＳｉＮ＊：■０ＯＩｌｌｌ′Ｉｌ厚）をこの順にスパッ
タ装膜して光磁気ディスクを製造した。
に従って保護膜（ＳｉＮａ：１００ｍｍ厚）、記録媒体
（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ合金：１００ｍｍ厚）及び保護膜（
ＳｉＮ＊：■０ＯＩｌｌｌ′Ｉｌ厚）をこの順にスパッ
タ装膜して光磁気ディスクを製造した。
得られた光磁気ディスクの性能は良好であった。
−骸
例１で用いたのと同し、直径１３０ ｃｍ、厚さ１．２
ｍｍのポリカーボネート基板を容積６ｉの真空容器に入
れ先ず排気量６１０１．７ｍ１ｎのロータリーポンプで
１０Ｐａまで吸引し、次に排気Ｉｔ４２００１／ｓのク
ライオポンプで排気し、基板枚数と１ｘｉＯ−’Ｐａま
で排気するのに要する時間を調べた。
ｍｍのポリカーボネート基板を容積６ｉの真空容器に入
れ先ず排気量６１０１．７ｍ１ｎのロータリーポンプで
１０Ｐａまで吸引し、次に排気Ｉｔ４２００１／ｓのク
ライオポンプで排気し、基板枚数と１ｘｉＯ−’Ｐａま
で排気するのに要する時間を調べた。
得られた結果を第３図に示す。第３図に示した通り、凸
板を８０°Ｃで２時間加熱前処理した場合と１２０°Ｃ
で２時間加熱前処理した場合とを比較した。
板を８０°Ｃで２時間加熱前処理した場合と１２０°Ｃ
で２時間加熱前処理した場合とを比較した。
第３図の結果から明らかなように、１２０°Ｃ処理では
基板枚数と排気時間が比例するのに対し、８０“Ｃ処理
では比例していない。すなわら基板を十分乾燥させない
と排気時間は定まらなくなってしまう。
基板枚数と排気時間が比例するのに対し、８０“Ｃ処理
では比例していない。すなわら基板を十分乾燥させない
と排気時間は定まらなくなってしまう。
このように、ｑＣＣｊ−’が成りたつような場合に排気
時間と基板枚数は比例する。
時間と基板枚数は比例する。
以上説明した様に、本発明方法に従えば、光磁気記録媒
体の真空製膜のだめの排気時間を著るしく短縮すること
ができるため光磁気ディスクの生産性を著しく高めるこ
とができ、更に基板枚数と基板を含む真空製膜系を一定
の真空度にするまでの排気時間とが比例するため、任意
の枚数の基板を排気する場合に必要な排気時間の予測が
可能となった。
体の真空製膜のだめの排気時間を著るしく短縮すること
ができるため光磁気ディスクの生産性を著しく高めるこ
とができ、更に基板枚数と基板を含む真空製膜系を一定
の真空度にするまでの排気時間とが比例するため、任意
の枚数の基板を排気する場合に必要な排気時間の予測が
可能となった。
第１図はポリカーボネート基板の放出ガス率ｑと排気時
間との関係を示したグラフ図であり、第２図はポリカー
ボネート基板の加熱温度とｑｃｃＬ″Ｘの×との関係を
示すグラフ図であり、第３図は例２に示したポリカーボ
ネート基板枚数と放出ガス率ｑとの関係を示すグラフ図
である。 時間ｔ（分） 放出ガス率の排気時間依存性 懐１回 ｑ ＱＣｉ−！のＸと加熱温度との関係面熱時間＝２時
間）第２図 基板枚数 基板の枚数と排気時間
間との関係を示したグラフ図であり、第２図はポリカー
ボネート基板の加熱温度とｑｃｃＬ″Ｘの×との関係を
示すグラフ図であり、第３図は例２に示したポリカーボ
ネート基板枚数と放出ガス率ｑとの関係を示すグラフ図
である。 時間ｔ（分） 放出ガス率の排気時間依存性 懐１回 ｑ ＱＣｉ−！のＸと加熱温度との関係面熱時間＝２時
間）第２図 基板枚数 基板の枚数と排気時間
Claims (1)
- １．ポリカーボネートを基板として用いる光磁気ディス
クを製造するに当り、ポリカーボネート基板上へ記録膜
を真空製膜するに先立ち、ポリカーボネート基盤を約９
０〜１３０℃の温度で約２時間以上加熱前処理すること
を特徴とする光磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317582A JP2619444B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317582A JP2619444B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 光ディスクの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22411096A Division JPH09128830A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 光磁気ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01159846A true JPH01159846A (ja) | 1989-06-22 |
| JP2619444B2 JP2619444B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=18089844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317582A Expired - Fee Related JP2619444B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619444B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105014A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法並びに光磁気記録装置 |
| US10094585B2 (en) | 2013-01-25 | 2018-10-09 | Honeywell International Inc. | Auto test for delta T diagnostics in an HVAC system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262248A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63184943A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| JPS63220439A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製法 |
| JPH01112546A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | Seiko Epson Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH01118236A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Seiko Epson Corp | 光学的メモリ素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62317582A patent/JP2619444B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62262248A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS63184943A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体の製造方法 |
| JPS63220439A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製法 |
| JPH01112546A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-05-01 | Seiko Epson Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPH01118236A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Seiko Epson Corp | 光学的メモリ素子の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105014A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法並びに光磁気記録装置 |
| US10094585B2 (en) | 2013-01-25 | 2018-10-09 | Honeywell International Inc. | Auto test for delta T diagnostics in an HVAC system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2619444B2 (ja) | 1997-06-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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