JPS63184943A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
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- JPS63184943A JPS63184943A JP1755687A JP1755687A JPS63184943A JP S63184943 A JPS63184943 A JP S63184943A JP 1755687 A JP1755687 A JP 1755687A JP 1755687 A JP1755687 A JP 1755687A JP S63184943 A JPS63184943 A JP S63184943A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は、レーザー光を用いて、読み出し、古き込み可
能な光記録媒体に関し、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＲＡＷ、Ｅ−
ＤＲＡＷに利用できる。
能な光記録媒体に関し、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＲＡＷ、Ｅ−
ＤＲＡＷに利用できる。
従来光学的手法を用いて情報を記録再生する光記録媒体
の光透過性基板は、射出成型により金型４１シ度８０℃
〜１２０℃の軟融で成型されていた。
の光透過性基板は、射出成型により金型４１シ度８０℃
〜１２０℃の軟融で成型されていた。
従来の射出成型により成型した光透過性基板では、１に
仮の面内方向の屈折率差（光学異方性）の値をかなり小
さくする事はできた。しかし基板の垂ｌ′ｆ方向の屈折
率差の値は大きかった。情報読み出し用光ピツクアップ
では、対物レンズにより光は光透過性基板を通して情報
記Ｏ膜上に焦点を桔ぶ為、光は基板中を種々の角度をも
って進む事となる。上記の事により、垂直方向の屈折率
差の値が大きいと、基板に対して斜入射する先に対して
光強度にゆらぎを与える原因となっている。光磁気特性
を用いた媒体に於ては、信号検出器に入る光量の絶対値
が小さい為、ＣＮＲのノイズを数デシベル押し上げる府
内となっている。本発明は上記の基板垂直方向の屈折率
差を小さくシ、基板に斜入射したレーザー光が基板上り
受ける複屈折の影響を軽微なものとし、光記録媒体のＣ
ＮＲのノイズを低下させる事によるＣＮＲの向上を目的
としている。
仮の面内方向の屈折率差（光学異方性）の値をかなり小
さくする事はできた。しかし基板の垂ｌ′ｆ方向の屈折
率差の値は大きかった。情報読み出し用光ピツクアップ
では、対物レンズにより光は光透過性基板を通して情報
記Ｏ膜上に焦点を桔ぶ為、光は基板中を種々の角度をも
って進む事となる。上記の事により、垂直方向の屈折率
差の値が大きいと、基板に対して斜入射する先に対して
光強度にゆらぎを与える原因となっている。光磁気特性
を用いた媒体に於ては、信号検出器に入る光量の絶対値
が小さい為、ＣＮＲのノイズを数デシベル押し上げる府
内となっている。本発明は上記の基板垂直方向の屈折率
差を小さくシ、基板に斜入射したレーザー光が基板上り
受ける複屈折の影響を軽微なものとし、光記録媒体のＣ
ＮＲのノイズを低下させる事によるＣＮＲの向上を目的
としている。
本発明の光記録媒体の製造方法は、光学的手法を用いて
情報を記録再生する光記録媒体に於て、媒体を（？４成
する光透過性基板の一方又は両方が基板材ｒ１のガラス
転換点の近傍（±１０°Ｃ）、もしくはそれ以上の温度
で、一度、又は複数回熱処理されている事を特徴として
いる。
情報を記録再生する光記録媒体に於て、媒体を（？４成
する光透過性基板の一方又は両方が基板材ｒ１のガラス
転換点の近傍（±１０°Ｃ）、もしくはそれ以上の温度
で、一度、又は複数回熱処理されている事を特徴として
いる。
〔実施例１〕
第１図（ａ）に本発明の基板アニールを施こして製作し
た光記録媒体の構造断面図を示す。６は貼り合せ面側に
情報記０層部をもつ１．２−ｎ厚のポリ力しボネート基
板である。５はラジカル反応系の紫外線硬化接着剤であ
る。第１図（ｂ）に詳細な媒体構造を示す。１は溝付ポ
リカーボネート基板であり、トラックピッチ１．６μｍ
１溝ｚ？ｊ、さ６５０人、溝中０．６μｍである。２は
窒化シリコン、窒化アルミニウムの複合膜で厚さは８０
０人である。３は光磁気記録媒体のＮｄＤｙＦｅＣｏＴ
ｉで厚さ４００人である。４は窒化シリコン、窒化アニ
ミニウムの複合膜で厚さは１５００人である。ポリカー
ボネート基板ｌは情報記録局部形成前に表−１の条件で
アニールされたものを用いた。本試験に用いたポリカー
ボネートは帝人化！戊製のパンライトＡ Ｉ） −５５
０３である。八Ｄ−５５０３のガラス転移点Ｔｇは１３
５°Ｃである。回転数９０ＯＲＰＭ、記録周波数Ｉ Ｍ
ＩＩ ｚ 。
た光記録媒体の構造断面図を示す。６は貼り合せ面側に
情報記０層部をもつ１．２−ｎ厚のポリ力しボネート基
板である。５はラジカル反応系の紫外線硬化接着剤であ
る。第１図（ｂ）に詳細な媒体構造を示す。１は溝付ポ
リカーボネート基板であり、トラックピッチ１．６μｍ
１溝ｚ？ｊ、さ６５０人、溝中０．６μｍである。２は
窒化シリコン、窒化アルミニウムの複合膜で厚さは８０
０人である。３は光磁気記録媒体のＮｄＤｙＦｅＣｏＴ
ｉで厚さ４００人である。４は窒化シリコン、窒化アニ
ミニウムの複合膜で厚さは１５００人である。ポリカー
ボネート基板ｌは情報記録局部形成前に表−１の条件で
アニールされたものを用いた。本試験に用いたポリカー
ボネートは帝人化！戊製のパンライトＡ Ｉ） −５５
０３である。八Ｄ−５５０３のガラス転移点Ｔｇは１３
５°Ｃである。回転数９０ＯＲＰＭ、記録周波数Ｉ Ｍ
ＩＩ ｚ 。
バンド中３０ Ｋ ＩＩ ｚでカー効果を用いて反射で
測定したＣ Ｎ Ｒを表−１に示す。結果はガラス転移
点よりも高い温度でアニールした基板の方がＣＮＲの値
は良かった。ポリカーボネートのガラス転移点より高い
温度条件でＣＮＲは５３〜５４ｄｌｌであった。一方ガ
ラス転移点以下１２０°ＣのアニールではＣＮＲは５１
．５ｄ１３であった。１６０℃１０分、１８０°Ｃ５分
、１８０°ＣＩＯ分アニールは基板トラック溝が消えて
しまった。その後温度６０”Ｃ１温度９０％で１０００
時間耐久試験を行なったが、ＣＮＲについて変化は見ら
れなかった。
測定したＣ Ｎ Ｒを表−１に示す。結果はガラス転移
点よりも高い温度でアニールした基板の方がＣＮＲの値
は良かった。ポリカーボネートのガラス転移点より高い
温度条件でＣＮＲは５３〜５４ｄｌｌであった。一方ガ
ラス転移点以下１２０°ＣのアニールではＣＮＲは５１
．５ｄ１３であった。１６０℃１０分、１８０°Ｃ５分
、１８０°ＣＩＯ分アニールは基板トラック溝が消えて
しまった。その後温度６０”Ｃ１温度９０％で１０００
時間耐久試験を行なったが、ＣＮＲについて変化は見ら
れなかった。
表−１、ノ）（仮アニール条件
と光記録媒体のＣＮＩセ
〔実施例２〕
第２ＣＥＩＣａ）に本発明の基板アニールを施こして製
作した光記録媒体の構造断面図を示す。１Ｇは貼り合せ
面側に情報記録層部をもつ１．２．、厚のポリカーボネ
ート基板である。１５はラジカル反応系の紫外線硬化接
着剤である。１７は県さ１．２＠■の表面平滑ポリカー
ボネート基板である。第２図（ｂ）に詳細な媒体構造を
示ず。１１は溝付ポリカーボネート基板であり、トラッ
クピッチ１．６μｍ１溝ＪＷさ６５０人、溝中０．８μ
ｍである。１２は酸化シリコン（Ｓｉｎ）で厚さ１００
０人である。１３は光磁気記録媒体のＮｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉで厚さ４００λである。４は酸化シリコン（Ｓ ｉ
Ｏ）で厚さ１０００人である。
作した光記録媒体の構造断面図を示す。１Ｇは貼り合せ
面側に情報記録層部をもつ１．２．、厚のポリカーボネ
ート基板である。１５はラジカル反応系の紫外線硬化接
着剤である。１７は県さ１．２＠■の表面平滑ポリカー
ボネート基板である。第２図（ｂ）に詳細な媒体構造を
示ず。１１は溝付ポリカーボネート基板であり、トラッ
クピッチ１．６μｍ１溝ＪＷさ６５０人、溝中０．８μ
ｍである。１２は酸化シリコン（Ｓｉｎ）で厚さ１００
０人である。１３は光磁気記録媒体のＮｄＤｙＦｅＣｏ
Ｔｉで厚さ４００λである。４は酸化シリコン（Ｓ ｉ
Ｏ）で厚さ１０００人である。
ポリカーボネート基板１１．１７は情ｖＩ！記録層部形
成前に表−２の条件でアニールされたものを用いた。本
試験に用いたポリカーボネートは実施例１とＩＩ１様に
奇人化成製パンライ）ＡＤ−５５０３を用いた。回転数
９００ＲＰＭ１紀録周波数ＩＭＩＩ ｚ ｓバント中３
０ＫＩＩｚでファラデー効果を用いて、レーザー透過光
で測定したＣＮＲを表−２に示す。結果はガラス転移点
よりも高い温度でアニールした基板の方がＣＮＲは良好
であった。
成前に表−２の条件でアニールされたものを用いた。本
試験に用いたポリカーボネートは実施例１とＩＩ１様に
奇人化成製パンライ）ＡＤ−５５０３を用いた。回転数
９００ＲＰＭ１紀録周波数ＩＭＩＩ ｚ ｓバント中３
０ＫＩＩｚでファラデー効果を用いて、レーザー透過光
で測定したＣＮＲを表−２に示す。結果はガラス転移点
よりも高い温度でアニールした基板の方がＣＮＲは良好
であった。
表−２、基板アニール条件
と完配ｔ″に媒体のＣＮＲ
〔実施例３〕
第３図（ａ）に本発明の基板アニールを施こして’Ａ作
した光記録媒体の（１が造断面図を示す。２８は貼り合
せ面側に情報記録層部をもつ１．２□厚のポリカーボネ
ート基板仮である。２５はラジｈル反応系の紫外線硬化
後ｊ′を剤である。２９は１．２讃■厚の平滑ポリカー
ボネート基板である。第２図（ｂ）に詳細な媒体構造を
示す。２１は溝イ、１ポリカーボネート基板であり、ト
ラックピッチ１．６μｍ１溝深さ６００人、溝中０．６
μｍである。
した光記録媒体の（１が造断面図を示す。２８は貼り合
せ面側に情報記録層部をもつ１．２□厚のポリカーボネ
ート基板仮である。２５はラジｈル反応系の紫外線硬化
後ｊ′を剤である。２９は１．２讃■厚の平滑ポリカー
ボネート基板である。第２図（ｂ）に詳細な媒体構造を
示す。２１は溝イ、１ポリカーボネート基板であり、ト
ラックピッチ１．６μｍ１溝深さ６００人、溝中０．６
μｍである。
２２は窒化シリコン、窒化アルミニウムの複合膜で１ゾ
さは１０００人である。２３は磁気記録媒体のＮ ｄ
Ｄ ｙ Ｆ ｃ Ｃｏ Ｆ ｅで厚さ４００人である。
さは１０００人である。２３は磁気記録媒体のＮ ｄ
Ｄ ｙ Ｆ ｃ Ｃｏ Ｆ ｅで厚さ４００人である。
２４は窒化シリコン、窒（１？アルミニウムの複合膜で
、県さは１０００人である０２６は窒化シリコン、窒化
アルミニウムの複合膜で１０００人厚である。ポリカー
ボネート基板２ｉ２７は情報記録局部形成前に表−３の
条件でアニールされたものを用いた。本試験に用いたポ
リカーボネートは実施例１と同様に奇人化成製パンライ
）ＡＤ−５５０３を用いた。回転数００ ＯＲＰ Ｍ
、記録周波Ｉ Ｍ ＩＩ ｚでバンド中３０ Ｋ ＩＩ
ｚでファラデー効果を用いて、レーザー透過量で測定
したＣＮＲを表−３に示ず。結果は、ガラス転移点より
も高い温度でアニールした基板の方がＣＮＲの１ｆ１は
良好であった。
、県さは１０００人である０２６は窒化シリコン、窒化
アルミニウムの複合膜で１０００人厚である。ポリカー
ボネート基板２ｉ２７は情報記録局部形成前に表−３の
条件でアニールされたものを用いた。本試験に用いたポ
リカーボネートは実施例１と同様に奇人化成製パンライ
）ＡＤ−５５０３を用いた。回転数００ ＯＲＰ Ｍ
、記録周波Ｉ Ｍ ＩＩ ｚでバンド中３０ Ｋ ＩＩ
ｚでファラデー効果を用いて、レーザー透過量で測定
したＣＮＲを表−３に示ず。結果は、ガラス転移点より
も高い温度でアニールした基板の方がＣＮＲの１ｆ１は
良好であった。
表−３、基板アニール条件
と光記録媒体のＣＮＲ
尚本発明は、実施例に示す密行貼り合せ構造のみならず
、エアーサンドイッヂ（１カ造の光記録媒体にも適用す
る事が可能である。記録媒体としては、光磁気記録媒体
ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉを実施例で示したが、Ｔ ｂ Ｆ
ｃ ＣＯ％ Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｃ 、、 ？Ｆ全
ての光磁気記録媒体に適用するツ■ができる。又相差態
形記録媒体についても適用可能である。
、エアーサンドイッヂ（１カ造の光記録媒体にも適用す
る事が可能である。記録媒体としては、光磁気記録媒体
ＮｄＤｙＦｅＣｏＴｉを実施例で示したが、Ｔ ｂ Ｆ
ｃ ＣＯ％ Ｇ ｄ Ｔ ｂ Ｆ ｃ 、、 ？Ｆ全
ての光磁気記録媒体に適用するツ■ができる。又相差態
形記録媒体についても適用可能である。
光記録媒体の媒体を構成する光透過性基板の一方もしく
は両方が基板材料のガラス転移点の近傍もしくはそれ以
上の温度でアニールされる事により、基板垂直方向の屈
折率差を小さくシ、基板に斜入ＱＪ Ｌ、たレーザー光
が基板より受ける複屈折の影響（基板ノイズ）を極力小
さくする事ができた。アニール効果としては、アニール
なし°品よりも４〜５ｄ１３．１２０°Ｃアニール品と
比較して２〜３ｄＬ３ＣＮＲを改善する事ができた。又
、本発明によるアニールでは長期耐候性試験の後もＣＮ
Ｒの値に変化はなく安定したＣ Ｎ Ｒのｌ１ｉｌを示
していた。
は両方が基板材料のガラス転移点の近傍もしくはそれ以
上の温度でアニールされる事により、基板垂直方向の屈
折率差を小さくシ、基板に斜入ＱＪ Ｌ、たレーザー光
が基板より受ける複屈折の影響（基板ノイズ）を極力小
さくする事ができた。アニール効果としては、アニール
なし°品よりも４〜５ｄ１３．１２０°Ｃアニール品と
比較して２〜３ｄＬ３ＣＮＲを改善する事ができた。又
、本発明によるアニールでは長期耐候性試験の後もＣＮ
Ｒの値に変化はなく安定したＣ Ｎ Ｒのｌ１ｉｌを示
していた。
第１図（ａ）は、本発明の光記録媒体の構造断面図
第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の詳細槽１２図第２図（
ａ）は、本発明の完配ｔｉ媒体の構造断面図 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の詳細溝造図第３ｍ１（
ａ）は、本発明の完配ＬＡ媒体の構造断面図 第３図（ｂ）は、第３図（ａ）の詳細構造図以」二 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名慄１図（ｂ） ／ｌ！Ｊ３珈ト）
ａ）は、本発明の完配ｔｉ媒体の構造断面図 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）の詳細溝造図第３ｍ１（
ａ）は、本発明の完配ＬＡ媒体の構造断面図 第３図（ｂ）は、第３図（ａ）の詳細構造図以」二 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 他１名慄１図（ｂ） ／ｌ！Ｊ３珈ト）
Claims (1)
- 光学的手法を用いて情報を記録再生する光記録媒体の製
造方法において、媒体の構成する光透過性基板の一方又
は両方が基板材料のガラス転移点の近傍（±１０℃）、
もしくはそれ以上温度で一度又は複数回熱処理されてい
る事を特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1755687A JPS63184943A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1755687A JPS63184943A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184943A true JPS63184943A (ja) | 1988-07-30 |
Family
ID=11947189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1755687A Pending JPS63184943A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63184943A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220439A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製法 |
| JPH01159846A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | 光ディスクの製造方法 |
| JPH02101655A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2004105014A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法並びに光磁気記録装置 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP1755687A patent/JPS63184943A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220439A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製法 |
| JPH01159846A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Fujitsu Ltd | 光ディスクの製造方法 |
| JPH02101655A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| WO2004105014A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-02 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法並びに光磁気記録装置 |
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