JPH01160073A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01160073A JPH01160073A JP31753487A JP31753487A JPH01160073A JP H01160073 A JPH01160073 A JP H01160073A JP 31753487 A JP31753487 A JP 31753487A JP 31753487 A JP31753487 A JP 31753487A JP H01160073 A JPH01160073 A JP H01160073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- receiving element
- light
- light receiving
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体レーザ装置、特に半導体レーザアレイ素
子を使用した半導体レーザ装置に関する。
子を使用した半導体レーザ装置に関する。
［従来の技術］
近年、半導体レーザ装置は小型軽量、高効率、高信頼性
のレーザ光源として光エレクトロニクスの分野で広く利
用されている。そして光エレクトロニクス装置に半導体
レーザ装置を用いる場合、レーザ光出力が一定になるよ
うに半導体レーザ素子の駆動電流を自動制御（以下ＡＰ
Ｃという）して用いるのが通常である。このＡＰＣを行
うには、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光出力
を検知する必要があり、半導体レーザ装置内に受光素子
を配置し、その出力を光出力モニタ信号として用いてい
る。このような光出力モニタ信号は、アレイ化された半
導体レーザ素子の場合も必要である。
のレーザ光源として光エレクトロニクスの分野で広く利
用されている。そして光エレクトロニクス装置に半導体
レーザ装置を用いる場合、レーザ光出力が一定になるよ
うに半導体レーザ素子の駆動電流を自動制御（以下ＡＰ
Ｃという）して用いるのが通常である。このＡＰＣを行
うには、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光出力
を検知する必要があり、半導体レーザ装置内に受光素子
を配置し、その出力を光出力モニタ信号として用いてい
る。このような光出力モニタ信号は、アレイ化された半
導体レーザ素子の場合も必要である。
従来の半導体レーザ装置は、例えば第７図に示すように
、個々の半導体アレイ素子１の後方から出射するレーザ
光Ｌ１はアレイ素子１を通して角θでレーザ光Ｌ２とな
フて出射される。レーザ光Ｌ２は受光素子台５に装着さ
れた受光素子３で受光される。このため個々の受光素子
３には対応するレーザからのレーザ光以外に隣にある半
導体レーザからのレーザ光がもれないように配置するに
はレーザアレイ素子１と受光素子３の距離が近くてない
とならない。θ＝３０°としレーザアレイ配列ピッチを
１００μｍとするとレーザアレイ素子１と受光素子３の
距離ｄは１８０μｍ以下であり、その時の最大受光素子
幅は１００μｍ以下となる。
、個々の半導体アレイ素子１の後方から出射するレーザ
光Ｌ１はアレイ素子１を通して角θでレーザ光Ｌ２とな
フて出射される。レーザ光Ｌ２は受光素子台５に装着さ
れた受光素子３で受光される。このため個々の受光素子
３には対応するレーザからのレーザ光以外に隣にある半
導体レーザからのレーザ光がもれないように配置するに
はレーザアレイ素子１と受光素子３の距離が近くてない
とならない。θ＝３０°としレーザアレイ配列ピッチを
１００μｍとするとレーザアレイ素子１と受光素子３の
距離ｄは１８０μｍ以下であり、その時の最大受光素子
幅は１００μｍ以下となる。
通常受光素子の電極はホールボンティングで接続するが
ポールボンディングのボール径はφ８５〜１００μｍ程
度の大きさであるから受光素子幅１００μｍはポールボ
ンデインクするには余裕が無くワイボン不良になり易い
。従って受光素子３の幅を大きくしなければならないが
、大きくすると隣のレーザ光がもれてはいることになり
正確なモニタ出力が得られない。
ポールボンディングのボール径はφ８５〜１００μｍ程
度の大きさであるから受光素子幅１００μｍはポールボ
ンデインクするには余裕が無くワイボン不良になり易い
。従って受光素子３の幅を大きくしなければならないが
、大きくすると隣のレーザ光がもれてはいることになり
正確なモニタ出力が得られない。
また半導体レーザアレイ素子１の後端面と受光素子３の
間にレンズを用いて集光する方法もあるが、この方法で
あると部品点数の増加、加工組立工数が増加するという
欠点が有る。
間にレンズを用いて集光する方法もあるが、この方法で
あると部品点数の増加、加工組立工数が増加するという
欠点が有る。
本発明は上記欠点を克服し、ボールボンデインクが容易
で、かつ部品、加工組立工数を増加せずに個々の半導体
レーザからの出力を正確にモニタすることができる半導
体レーザ装置を提供することを目的とするものである。
で、かつ部品、加工組立工数を増加せずに個々の半導体
レーザからの出力を正確にモニタすることができる半導
体レーザ装置を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決する本発明の手段は、複数個の半導体
レーザ素子を一列に配置した半導体レーザアレイ素子と
該半導体レーザアレイ素子の後方から出射するレーザ光
それぞれを受光する複数の受光素子からなる半導体レー
ザ装置において、前記受光素子が前記半導体レーザアレ
イ素子の受光素子側に出射する複数の水平方向の光に対
して傾斜角度を有して配置されていることにより達成で
きる。
レーザ素子を一列に配置した半導体レーザアレイ素子と
該半導体レーザアレイ素子の後方から出射するレーザ光
それぞれを受光する複数の受光素子からなる半導体レー
ザ装置において、前記受光素子が前記半導体レーザアレ
イ素子の受光素子側に出射する複数の水平方向の光に対
して傾斜角度を有して配置されていることにより達成で
きる。
［作用］
本発明は上記のように構成されているため、受光素子幅
が犬きくできるのでポールボンディングが容易にでき、
部品、加工組立工数を増加させずにクロストークを非常
に減少し、個々の半導体レーザからの出力を正確にモニ
タすることができる。
が犬きくできるのでポールボンディングが容易にでき、
部品、加工組立工数を増加させずにクロストークを非常
に減少し、個々の半導体レーザからの出力を正確にモニ
タすることができる。
［実施例］
つぎに本発明を実施例により図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図（ａ）
、（ｂ）は第１図の上面図である。これらの図において
、受光素子３は角度を持つ受光素子台４にダイボンディ
ングされている。半導体レーザ出射光りの典型的な半値
全角θ１は水平方向は５°〜１５°であり第２図の（ａ
）、（ｂ）のレーザアレイ素子１の水平方向半値全角を
１５°とすると出射角θは約３０°でレーザアレイ素子
１の配列ピッチを０．１ｍｍとし第２図（ｂ）のように
レーザアレイ素子１の傾きをθ′とした場合、レーザア
レイ素子１の幅χは χ４０．１６ｍｍとなる。よフて最大レーザアレイ素子
１の幅は１６０μｍであるので、レーザアレイ素子１を
使用すればポールボンデングが容易にでき、レーザ後端
面から出射するレーザ光にはクロストークが非常に減少
され、出力を正確にモニタすることができ、またほぼ全
部のレーザ出力をモニタすることができるものである。
、（ｂ）は第１図の上面図である。これらの図において
、受光素子３は角度を持つ受光素子台４にダイボンディ
ングされている。半導体レーザ出射光りの典型的な半値
全角θ１は水平方向は５°〜１５°であり第２図の（ａ
）、（ｂ）のレーザアレイ素子１の水平方向半値全角を
１５°とすると出射角θは約３０°でレーザアレイ素子
１の配列ピッチを０．１ｍｍとし第２図（ｂ）のように
レーザアレイ素子１の傾きをθ′とした場合、レーザア
レイ素子１の幅χは χ４０．１６ｍｍとなる。よフて最大レーザアレイ素子
１の幅は１６０μｍであるので、レーザアレイ素子１を
使用すればポールボンデングが容易にでき、レーザ後端
面から出射するレーザ光にはクロストークが非常に減少
され、出力を正確にモニタすることができ、またほぼ全
部のレーザ出力をモニタすることができるものである。
第３図は本発明の第２の実施例による半導体レーザアレ
イ装置の斜視図であり、第４図は第３図の上面図である
。これらの図において、受光素子３は角度を持つ受光素
子台４′にダイボンディングされている。この時ヒート
シング上のレーザアレイ素子１の４つをそれぞれ■、■
、■、■とすると第５図のグラフとなる。グラフの実線
はレーザアレイ素子１出力を表わし、点線は■、■、−
転破線は■、■、それぞれの受光素子３が受ける出力を
表わしている。実際のレーザアレイ素子の出力とそれぞ
れの受光素子３が受ける出力とは多少の差があるが第５
図より補正することができるのでＡＰＣを行うにはなん
ら問題はなく、クロストークが非常に減少され、出力を
正確にモニタできる効果がある。
イ装置の斜視図であり、第４図は第３図の上面図である
。これらの図において、受光素子３は角度を持つ受光素
子台４′にダイボンディングされている。この時ヒート
シング上のレーザアレイ素子１の４つをそれぞれ■、■
、■、■とすると第５図のグラフとなる。グラフの実線
はレーザアレイ素子１出力を表わし、点線は■、■、−
転破線は■、■、それぞれの受光素子３が受ける出力を
表わしている。実際のレーザアレイ素子の出力とそれぞ
れの受光素子３が受ける出力とは多少の差があるが第５
図より補正することができるのでＡＰＣを行うにはなん
ら問題はなく、クロストークが非常に減少され、出力を
正確にモニタできる効果がある。
第６図は本発明の第３の実施例による半導体レーザアレ
イ装置を上から見た図を示している。
イ装置を上から見た図を示している。
受光素子台４″は同一方向に傾きを持っており、その受
光素子台４″に受光素子３がボンディングされている。
光素子台４″に受光素子３がボンディングされている。
受光素子台４″は隣のレーザ光を遮断するようになって
いる。また受光素子３は斜めになフている所にボンディ
ングするので、受光素子３の幅は大きくできるのでポー
ルボンディングが容易にでき、レーザ後端面から出射す
るレーザ光はクロストークが非常に減少され、出力を正
確にモニタすることができる。本実施例であるといくつ
のレーザであっても同じように出力が得られ、また受光
素子台４″の傾き方向は左右どちらでもできるものであ
る。
いる。また受光素子３は斜めになフている所にボンディ
ングするので、受光素子３の幅は大きくできるのでポー
ルボンディングが容易にでき、レーザ後端面から出射す
るレーザ光はクロストークが非常に減少され、出力を正
確にモニタすることができる。本実施例であるといくつ
のレーザであっても同じように出力が得られ、また受光
素子台４″の傾き方向は左右どちらでもできるものであ
る。
［発明の効果］
以上説明したように受光素子をレーザーアレイ素子の受
光素子側に出射する水平方向の光に対して傾斜角度を有
して配置することにより、ボールボンディングし易く、
部品、加工組立工数を増加せずにクロストークを非常に
減少し個々の半導体レーザからの出力を正確にモニタす
ることができる効果がある。
光素子側に出射する水平方向の光に対して傾斜角度を有
して配置することにより、ボールボンディングし易く、
部品、加工組立工数を増加せずにクロストークを非常に
減少し個々の半導体レーザからの出力を正確にモニタす
ることができる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、第２図（ａ）
、（ｂ）は第１図の説明上面図、第３図は本発明の第２
の実施例の斜視図、第４図は第３図の説明上面図、第５
図は第２の実施例の出力を示すグラフ、第６図は本発明
の第３図の実施例の上面図、第７図は従来の例の上面図
である。 １・・・レーザアレイ素子、 ２・・・ヒートシンク、 ３・・・受光素子、 ４．４’、４”−・・受光素子台。 特許出願人 キャノン株式会社 代理 人 弁理士 若株 忠 手続補正書（自発） 昭和６３年３月り日
、（ｂ）は第１図の説明上面図、第３図は本発明の第２
の実施例の斜視図、第４図は第３図の説明上面図、第５
図は第２の実施例の出力を示すグラフ、第６図は本発明
の第３図の実施例の上面図、第７図は従来の例の上面図
である。 １・・・レーザアレイ素子、 ２・・・ヒートシンク、 ３・・・受光素子、 ４．４’、４”−・・受光素子台。 特許出願人 キャノン株式会社 代理 人 弁理士 若株 忠 手続補正書（自発） 昭和６３年３月り日
Claims (1)
- 複数個の半導体レーザ素子を一列に配置した半導体レー
ザアレイ素子と該半導体レーザアレイ素子の後方から出
射するレーザー光それぞれを受光する複数の受光素子か
らなる半導体レーザ装置において、前記受光素子が前記
半導体レーザアレイ素子の受光素子側に出射する複数の
水平方向の光に対して傾斜角度を有して配置されている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31753487A JPH01160073A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31753487A JPH01160073A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01160073A true JPH01160073A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18089324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31753487A Pending JPH01160073A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01160073A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191204A (en) * | 1991-10-28 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Multi-beam optical system and method with power detection of overlapping beams |
| US5247167A (en) * | 1992-08-06 | 1993-09-21 | International Business Machines Corporation | Multiple beam power monitoring system and method with radiation detection and focusing means of overlapping beams |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP31753487A patent/JPH01160073A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191204A (en) * | 1991-10-28 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Multi-beam optical system and method with power detection of overlapping beams |
| US5247167A (en) * | 1992-08-06 | 1993-09-21 | International Business Machines Corporation | Multiple beam power monitoring system and method with radiation detection and focusing means of overlapping beams |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4757197A (en) | Semiconductor laser and detector device | |
| JPH08107252A (ja) | 半導体レーザ装置，及び半導体レーザアレイ装置 | |
| JP2892820B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01160073A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05308327A (ja) | 並列光接続装置 | |
| US5675597A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH05333251A (ja) | 光アレイモジュール及び光アレイリンク | |
| JP3032376B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH02106989A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3169917B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US20050201668A1 (en) | Method of connecting an optical element at a slope | |
| JP3143248B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6228790Y2 (ja) | ||
| JPH0339706A (ja) | 光モジュール | |
| JP2529360Y2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05264871A (ja) | 光並列伝送モジュールの組立方法および組立治具 | |
| JPS63253315A (ja) | 光フアイバモジユ−ル装置 | |
| JPH0429582Y2 (ja) | ||
| JPH04253380A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS63248191A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JP3001302B2 (ja) | 測距装置 | |
| JPH02230783A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0654824B2 (ja) | アレイ型半導体レ−ザ装置 | |
| JPS5877610A (ja) | 光ビ−ム拡がり角測定装置 | |
| JPH0621264Y2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 |