JPH01162979U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01162979U JPH01162979U JP1988059586U JP5958688U JPH01162979U JP H01162979 U JPH01162979 U JP H01162979U JP 1988059586 U JP1988059586 U JP 1988059586U JP 5958688 U JP5958688 U JP 5958688U JP H01162979 U JPH01162979 U JP H01162979U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- diode
- terminal
- diodes
- resistance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
第１図はこの考案の実施例を示す回路図、第２
図は第１図の高周波信号切替回路を第２高周波伝
送通路ｌ２側に切替えた場合の要部ＣＴの高周波
の等価回路、第３図は第１図及び第４図の高周波
信号切替回路を第２高周波伝送通路ｌ２側に切替
えた場合の第１高周波伝送通路ｌ１の減衰量周波
数特性を示す図、第４図Ａ及びＢは既に提案され
ている高周波信号切替回路の回路図、第５図は第
４図Ｂの要部の電気的等価回路である。
図は第１図の高周波信号切替回路を第２高周波伝
送通路ｌ２側に切替えた場合の要部ＣＴの高周波
の等価回路、第３図は第１図及び第４図の高周波
信号切替回路を第２高周波伝送通路ｌ２側に切替
えた場合の第１高周波伝送通路ｌ１の減衰量周波
数特性を示す図、第４図Ａ及びＢは既に提案され
ている高周波信号切替回路の回路図、第５図は第
４図Ｂの要部の電気的等価回路である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 第１入力端子と出力端子との間に、第１コンデ
ンサ―第１ダイオード―それと逆方向の第２ダイ
オード―第２コンデンサが接続されて第１高周波
伝送通路が構成され、 第２入力端子と上記出力端子との間に、第３コ
ンデンサ―第３ダイオード―上記第２コンデンサ
が接続されて第２高周波伝送通路が構成され、 上記第１コンデンサ及び第１ダイオードの接続
点は、第１抵抗素子を通じて電源端子に接続され
、第２抵抗素子を通じて接地され、そして第４ダ
イオード―第３抵抗素子を通じて制御端子に接続
され、 上記第１、第２ダイオードの接続点は第４抵抗
素子を通じて上記電源端子に接続されると共に第
４コンデンサ及びコイルの並列共振回路―ベース
が上記制御端子に接続されたトランジスタを通じ
て接地され、 上記第２ダイオード及び第２コンデンサの接続
点は第５抵抗素子を通じて上記電源端子に接続さ
れると共に第６抵抗素子を通じて接地され、 上記第３コンデンサと第３ダイオードの接続点
は第７抵抗素子を通じて上記制御端子に接続され
、 上記第１乃至第３コンデンサは直流阻止用コン
デンサで構成され、 上記並列共振回路は、通過を阻止しようとする
ＲＦ信号のほゞ中心周波数において上記トランジ
スタのオン時の寄生インダクタンスと共振するよ
うに選定され、 上記第１乃至第７抵抗素子は高周波伝送通路の
標準インピーダンスに対してハイインピーダンス
とされ、 上記制御端子に供給される直流電圧の大きさに
よつて、上記第１、第２ダイオードがオン、上記
第３、第４ダイオード及びトランジスタがオフの
状態と、上記第１、第２ダイオードがオフ、上記
第３、第４ダイオード及びトランジスタがオンの
状態とのいずれかに切替制御される高周波信号切
替回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988059586U JPH01162979U (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988059586U JPH01162979U (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01162979U true JPH01162979U (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=31285343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988059586U Pending JPH01162979U (ja) | 1988-05-02 | 1988-05-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01162979U (ja) |
-
1988
- 1988-05-02 JP JP1988059586U patent/JPH01162979U/ja active Pending
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