JPH0116511Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0116511Y2 JPH0116511Y2 JP1983053186U JP5318683U JPH0116511Y2 JP H0116511 Y2 JPH0116511 Y2 JP H0116511Y2 JP 1983053186 U JP1983053186 U JP 1983053186U JP 5318683 U JP5318683 U JP 5318683U JP H0116511 Y2 JPH0116511 Y2 JP H0116511Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating coil
- frequency heating
- reaction tube
- tube
- fixation frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は半導体装置の製造工程においてシリコ
ン基板上に酸化膜などを気相成長によつて形成さ
せるための気相成長（CVD：Chemical Vapour
Deposition）装置に係り、特にコールドウオール
（Cold Wall）CVD装置のコイル構造に関する。
ン基板上に酸化膜などを気相成長によつて形成さ
せるための気相成長（CVD：Chemical Vapour
Deposition）装置に係り、特にコールドウオール
（Cold Wall）CVD装置のコイル構造に関する。
(b) 従来技術と問題点
半導体装置の製造工程において、第１図に示す
ごとく反応管１内に複数の円板カーボンサセプタ
ー２を配置し、該円板カーボンサセプタ２に処理
される基板（図示せず）を密着させて、前記反応
管１の外周に設けられた銅パイプよりなる高周波
加熱用コイル３によつて、前記サセプタ２の発熱
体を所定温度に加熱し、該サセプター２の両側に
保持された基板が所定温度に加熱され、反応管１
内の所望ガス熱分解によつて基板上に所望の被着
膜を形成するCVD装置がある。
ごとく反応管１内に複数の円板カーボンサセプタ
ー２を配置し、該円板カーボンサセプタ２に処理
される基板（図示せず）を密着させて、前記反応
管１の外周に設けられた銅パイプよりなる高周波
加熱用コイル３によつて、前記サセプタ２の発熱
体を所定温度に加熱し、該サセプター２の両側に
保持された基板が所定温度に加熱され、反応管１
内の所望ガス熱分解によつて基板上に所望の被着
膜を形成するCVD装置がある。
尚前記銅パイプは銅パイプの中を流れる水流に
よつて冷却されている。かかる構造のいわゆるコ
ールドウオールCVD装置においてはホツトウオ
ール（Hot Wall）CVD装置のように反応管も同
時に所定温度に加熱される構造に比べて反応管１
の温度が低いため反応管１内壁に付着する被着膜
の成長が押えられ、管壁からの被着膜のはがれが
少ない特徴を有している。
よつて冷却されている。かかる構造のいわゆるコ
ールドウオールCVD装置においてはホツトウオ
ール（Hot Wall）CVD装置のように反応管も同
時に所定温度に加熱される構造に比べて反応管１
の温度が低いため反応管１内壁に付着する被着膜
の成長が押えられ、管壁からの被着膜のはがれが
少ない特徴を有している。
しかしながら従来のコールドウオールCVD装
置の高周波加熱用コイル３構造は、図示したごと
く単に反応管１外周に露出した状態でコイル状に
設けられており、使用期間の間に前記高周波加熱
用コイル３が変形してゆがみ、このため反応管内
のサセプタ２の加熱状態に不均一な温度分布を生
じ、基板上の被着膜の成長に悪影響をおよぼすな
どの問題があり、更に前記高周波加熱用コイル３
が露出しているため安全上も危険な問題を生ずる
欠点があつた。
置の高周波加熱用コイル３構造は、図示したごと
く単に反応管１外周に露出した状態でコイル状に
設けられており、使用期間の間に前記高周波加熱
用コイル３が変形してゆがみ、このため反応管内
のサセプタ２の加熱状態に不均一な温度分布を生
じ、基板上の被着膜の成長に悪影響をおよぼすな
どの問題があり、更に前記高周波加熱用コイル３
が露出しているため安全上も危険な問題を生ずる
欠点があつた。
(c) 考案の目的
本考案の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
のでコールドウオールCVD装置の高周波加熱用
コイルを支持固定して、該コイルのゆがみをなく
して均一な温度分布を可能にし、かつカバー管を
設けることによつて安全な高周波加熱用コイルの
構造を有するCVD装置の提供にある。
のでコールドウオールCVD装置の高周波加熱用
コイルを支持固定して、該コイルのゆがみをなく
して均一な温度分布を可能にし、かつカバー管を
設けることによつて安全な高周波加熱用コイルの
構造を有するCVD装置の提供にある。
(d) 考案の構成
この目的は本考案によれば高周波加熱用コイル
を表面に固定支持する絶縁体よりなる筒状支持固
定枠、該支持固定枠の外周を同心的にカバーする
絶縁管、及び支持固定枠内に同心的に装着された
反応管よりなることを特徴とする気相成長装置に
よつて達成される。
を表面に固定支持する絶縁体よりなる筒状支持固
定枠、該支持固定枠の外周を同心的にカバーする
絶縁管、及び支持固定枠内に同心的に装着された
反応管よりなることを特徴とする気相成長装置に
よつて達成される。
(e) 考案の実施例
以下本考案の実施例について図面を参照して説
明する。第２図は本考案の一実施例の要部断面図
第３図ａは、本考案の高周波加熱用コイル構造の
斜視図、第３図ｂは、第３図ａの一部拡大断面図
を示し、前図と同等の部分については同一符号を
付している。第２図において１１は反応管、１２
は絶縁体によつて形成された支持固定枠、１３は
高周波加熱用コイル、１４は反応管と同心円状の
絶縁管を示す。更に本考案の高周波加熱用コイル
構造について第３図ａ及びｂを用いて説明すると
前記支持固定枠１２はたとえば第３図ａに図示し
たように６角形状の反応管に平行に絶縁体によつ
て形成されており、その外側にたとえば銅パイプ
による高周波加熱用コイル１３が第３図ｂの拡大
図に示すように支持固定枠１２の所定位置の溝１
５にそつて巻かれており、該高周波加熱用コイル
１３は支持固定される。尚銅パイプは銅パイプの
中を流れる水流によつて冷却されている。支持固
定枠１２にコイル状に巻かれた高周波加熱用コイ
ル１３はその外側に反応管と同心円状の絶縁管１
４によつて図示したようにカバーされている。
明する。第２図は本考案の一実施例の要部断面図
第３図ａは、本考案の高周波加熱用コイル構造の
斜視図、第３図ｂは、第３図ａの一部拡大断面図
を示し、前図と同等の部分については同一符号を
付している。第２図において１１は反応管、１２
は絶縁体によつて形成された支持固定枠、１３は
高周波加熱用コイル、１４は反応管と同心円状の
絶縁管を示す。更に本考案の高周波加熱用コイル
構造について第３図ａ及びｂを用いて説明すると
前記支持固定枠１２はたとえば第３図ａに図示し
たように６角形状の反応管に平行に絶縁体によつ
て形成されており、その外側にたとえば銅パイプ
による高周波加熱用コイル１３が第３図ｂの拡大
図に示すように支持固定枠１２の所定位置の溝１
５にそつて巻かれており、該高周波加熱用コイル
１３は支持固定される。尚銅パイプは銅パイプの
中を流れる水流によつて冷却されている。支持固
定枠１２にコイル状に巻かれた高周波加熱用コイ
ル１３はその外側に反応管と同心円状の絶縁管１
４によつて図示したようにカバーされている。
かかるように構成された本考案の高周波加熱用
コイル構造においては高周波加熱用コイル１３は
支持固定枠１２によつて固定されるため、該高周
波加熱用コイル１３の変形ゆがみが防止され、更
に絶縁管１４によるカバー管が設けられているた
め、安全上の問題も解決することができる。
コイル構造においては高周波加熱用コイル１３は
支持固定枠１２によつて固定されるため、該高周
波加熱用コイル１３の変形ゆがみが防止され、更
に絶縁管１４によるカバー管が設けられているた
め、安全上の問題も解決することができる。
(f) 考案の効果
以上説明したごとく本考案においては、コール
ドウオールCVD装置の高周波加熱用コイルを支
持固定して該コイルの変形ゆがみをなくし反応管
内の基板を均一に加熱することが可能となり品質
向上に効果があり、カバー管を設けることによつ
て安全上にも効果がある。
ドウオールCVD装置の高周波加熱用コイルを支
持固定して該コイルの変形ゆがみをなくし反応管
内の基板を均一に加熱することが可能となり品質
向上に効果があり、カバー管を設けることによつ
て安全上にも効果がある。
第１図は従来装置を説明するための模式的要部
平面図、第２図は本考案の一実施例の要部断面図
第３図ａは本考案の高周波加熱用コイル構造の斜
視図、第３図ｂは第３図ａの一部拡大断面図であ
る。 図において１１は反応管、１２は支持固定枠、
１３は高周波加熱用コイル、１４は絶縁管を示
す。
平面図、第２図は本考案の一実施例の要部断面図
第３図ａは本考案の高周波加熱用コイル構造の斜
視図、第３図ｂは第３図ａの一部拡大断面図であ
る。 図において１１は反応管、１２は支持固定枠、
１３は高周波加熱用コイル、１４は絶縁管を示
す。
Claims (1)
- 高周波加熱用コイルを表面に固定支持する絶縁
体よりなる筒状支持固定枠、該支持固定枠の外周
を同心的にカバーする絶縁管、及び支持固定枠内
に同心的に装着された反応管よりなることを特徴
とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5318683U JPS59158437U (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5318683U JPS59158437U (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158437U JPS59158437U (ja) | 1984-10-24 |
| JPH0116511Y2 true JPH0116511Y2 (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=30183530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5318683U Granted JPS59158437U (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158437U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443650Y2 (ja) * | 1974-03-14 | 1979-12-17 | ||
| JPS6054919B2 (ja) * | 1976-08-06 | 1985-12-02 | 株式会社日立製作所 | 低圧反応装置 |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP5318683U patent/JPS59158437U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59158437U (ja) | 1984-10-24 |
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