JPH01166046A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH01166046A JPH01166046A JP62325959A JP32595987A JPH01166046A JP H01166046 A JPH01166046 A JP H01166046A JP 62325959 A JP62325959 A JP 62325959A JP 32595987 A JP32595987 A JP 32595987A JP H01166046 A JPH01166046 A JP H01166046A
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- JP
- Japan
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- pattern
- photomask
- plating
- halation
- electroless
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回路基板、液晶パネル、半導体等の微細パタ
ーン形成に用いるフォトマスクに関するものである。
ーン形成に用いるフォトマスクに関するものである。
従来、フォトリソグラフィ加工用マスクとしてハードマ
スクがその耐久性の高さゆえに広く用いられている。そ
の中でもクロムマスクが一般的に用いられている。該ク
ロムマスクは、ハレーションを防止するために、クロム
薄膜の上に酸化クロム膜を積層したものをブランクスと
して用い、それをフォトリソグラフィ加工によりパター
ン形成グしてフォトマスクとする。この場合クローム。
スクがその耐久性の高さゆえに広く用いられている。そ
の中でもクロムマスクが一般的に用いられている。該ク
ロムマスクは、ハレーションを防止するために、クロム
薄膜の上に酸化クロム膜を積層したものをブランクスと
して用い、それをフォトリソグラフィ加工によりパター
ン形成グしてフォトマスクとする。この場合クローム。
酸化クローム膜の積層は、真空系を用い、スパッタリン
グ蒸着法などで行われ、大型の基板に対して適用の限界
があった。
グ蒸着法などで行われ、大型の基板に対して適用の限界
があった。
ところが、最近大型マスクに対応するため、無電解Ｎ１
−Ｐめっきによりガラス等の透明基板上に金属膜を析出
させ、それをブランクスとして用いたフォトマスクも利
用されるようになってきた。この無電解めっき法による
ブランクスの作製では真空系を用いるスパッタ法−蒸着
法とは異なり簡易な装置でしかも大型サイズに対応しや
すいという特徴があり注目を浴びている。
−Ｐめっきによりガラス等の透明基板上に金属膜を析出
させ、それをブランクスとして用いたフォトマスクも利
用されるようになってきた。この無電解めっき法による
ブランクスの作製では真空系を用いるスパッタ法−蒸着
法とは異なり簡易な装置でしかも大型サイズに対応しや
すいという特徴があり注目を浴びている。
しかし、無電解Ｎ１−Ｐめっきにより作製した被膜は金
属光沢を有するため、これをハードマスクとして用いる
とハレーション現象が生じ、転写したパターンのキレが
悪くなるという欠点があった。
属光沢を有するため、これをハードマスクとして用いる
とハレーション現象が生じ、転写したパターンのキレが
悪くなるという欠点があった。
また、酸化クロム積層したクロムマスクにおいても、パ
ターンの側面部は金属光沢面が露出するのでハレーショ
ン現象を完全に防止できないという欠点があった。
ターンの側面部は金属光沢面が露出するのでハレーショ
ン現象を完全に防止できないという欠点があった。
上記問題点を解決するために本発明は通常の無電解Ｎ１
−Ｐめっきによりブランクスを作製したパターンニング
したフォトマスクを０．１ｍｏｌ／β〜１．０ｍｏｌ／
Ａの次亜リン酸ナトリウム溶液に浸漬した後、ヒドラジ
ン塩を０．５ｍｏｌ／ １２〜１．５ｍｏｌ／ １含む
無電解めっき液にてめっきすることにより黒色の金属被
膜をパターン上およびパターン側面に形成したものであ
る。
−Ｐめっきによりブランクスを作製したパターンニング
したフォトマスクを０．１ｍｏｌ／β〜１．０ｍｏｌ／
Ａの次亜リン酸ナトリウム溶液に浸漬した後、ヒドラジ
ン塩を０．５ｍｏｌ／ １２〜１．５ｍｏｌ／ １含む
無電解めっき液にてめっきすることにより黒色の金属被
膜をパターン上およびパターン側面に形成したものであ
る。
上記のように作製したフォトマスクを使用すると回折現
象によってパターン領域にまわりこんだ光をフォトマス
クが吸収するのでハレーションの発生がなくパターンの
キレがよいパターンニングが可能となる。
象によってパターン領域にまわりこんだ光をフォトマス
クが吸収するのでハレーションの発生がなくパターンの
キレがよいパターンニングが可能となる。
Ｓｎｃ ｊｌ！ ｚ溶液により感応化、ｐｄｃ １２２
溶液により活性化したガラス基板にトソプニコロンＮ−
４７（奥野製薬製）無電解めっき液にて０．３５μｍの
Ｎ１−Ｐめっき被膜を析出させ、Ａ Ｚ −１３７０／
Ｓ Ｆ（ヘキストジャパン製）ポジ型フォトレジストを
用いてパターンニングし、エツチング、剥離１洗浄した
ものを０．２ｍｏｌ／ｊ！の次亜リン酸ナトリウム溶液
に１分間浸漬し、下記主成分を含む無電解めっき液にて
０．１μｍのめっきを施し、第１図に示されるフォトマ
スクを得る。
溶液により活性化したガラス基板にトソプニコロンＮ−
４７（奥野製薬製）無電解めっき液にて０．３５μｍの
Ｎ１−Ｐめっき被膜を析出させ、Ａ Ｚ −１３７０／
Ｓ Ｆ（ヘキストジャパン製）ポジ型フォトレジストを
用いてパターンニングし、エツチング、剥離１洗浄した
ものを０．２ｍｏｌ／ｊ！の次亜リン酸ナトリウム溶液
に１分間浸漬し、下記主成分を含む無電解めっき液にて
０．１μｍのめっきを施し、第１図に示されるフォトマ
スクを得る。
ＮｉＳＯ４４ｇ ／ １−
Ｎ２Ｈ４１，５ｍｏｌ／ ｊ！
クエン酸ナトリウム ０．２ｍｏｌ／ｆｆｉパターン
表面が黒色化したこの第１図のフォトマスクを用いてパ
ターンニングしたところ、第１図に示すようにパターン
に乱れが生じなかった。
表面が黒色化したこの第１図のフォトマスクを用いてパ
ターンニングしたところ、第１図に示すようにパターン
に乱れが生じなかった。
上記実施例と比較するため実施例と同様にしてＮ１−Ｐ
めっき、パターンニング、剥離、洗浄まで処理し、黒色
化しないフォトマスクを用いてパターンニングを行った
ところ、第３図に示すようにパターンに乱れが生じた。
めっき、パターンニング、剥離、洗浄まで処理し、黒色
化しないフォトマスクを用いてパターンニングを行った
ところ、第３図に示すようにパターンに乱れが生じた。
本発明は以上説明したように、あらかじめパターンニン
グしたＮｆ−Ｐハードマスクのパターン上およびパター
ン側面に黒色化被膜を付与することによりハレーション
現象を防止することができ、微細でしかもパターン形状
の精度を要求される製品に対して有効である。
グしたＮｆ−Ｐハードマスクのパターン上およびパター
ン側面に黒色化被膜を付与することによりハレーション
現象を防止することができ、微細でしかもパターン形状
の精度を要求される製品に対して有効である。
第１図は本発明のフォトマスクのパターン断面図である
。第２図は本発明のフォトマスクでパターンニングした
場合のパターンの状態図である。 第３図はハレーション現象が生じた場合の状態図である
。 １・・・パターン部 ２・・・ハレーションによるパターンの乱れ３・・・Ｎ
１−Ｐ膜 ４・・・黒色化膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第３図
。第２図は本発明のフォトマスクでパターンニングした
場合のパターンの状態図である。 第３図はハレーション現象が生じた場合の状態図である
。 １・・・パターン部 ２・・・ハレーションによるパターンの乱れ３・・・Ｎ
１−Ｐ膜 ４・・・黒色化膜 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 第３図
Claims (1)
- 透明基板上に金属薄膜にてパターン形成したハードマス
クにおいて、該パターンの上部および側面部を黒色化し
たフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325959A JPH01166046A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325959A JPH01166046A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166046A true JPH01166046A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18182509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325959A Pending JPH01166046A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166046A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10838295B2 (en) * | 2017-05-04 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask and fabrication method therefor |
| US10969677B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US10969686B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62325959A patent/JPH01166046A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10969677B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US10969686B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US11029596B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10838295B2 (en) * | 2017-05-04 | 2020-11-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask and fabrication method therefor |
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