JPH01166046A - フォトマスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、回路基板、液晶パネル、半導体等の微細パタ
ーン形成に用いるフォトマスクに関するものである。

〔従来の技術〕

従来、フォトリソグラフィ加工用マスクとしてハードマ
スクがその耐久性の高さゆえに広く用いられている。そ
の中でもクロムマスクが一般的に用いられている。該ク
ロムマスクは、ハレーションを防止するために、クロム
薄膜の上に酸化クロム膜を積層したものをブランクスと
して用い、それをフォトリソグラフィ加工によりパター
ン形成グしてフォトマスクとする。この場合クローム。

酸化クローム膜の積層は、真空系を用い、スパッタリン
グ蒸着法などで行われ、大型の基板に対して適用の限界
があった。

ところが、最近大型マスクに対応するため、無電解Ｎ１
−Ｐめっきによりガラス等の透明基板上に金属膜を析出
させ、それをブランクスとして用いたフォトマスクも利
用されるようになってきた。この無電解めっき法による
ブランクスの作製では真空系を用いるスパッタ法−蒸着
法とは異なり簡易な装置でしかも大型サイズに対応しや
すいという特徴があり注目を浴びている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、無電解Ｎ１−Ｐめっきにより作製した被膜は金
属光沢を有するため、これをハードマスクとして用いる
とハレーション現象が生じ、転写したパターンのキレが
悪くなるという欠点があった。

また、酸化クロム積層したクロムマスクにおいても、パ
ターンの側面部は金属光沢面が露出するのでハレーショ
ン現象を完全に防止できないという欠点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために本発明は通常の無電解Ｎ１
−Ｐめっきによりブランクスを作製したパターンニング
したフォトマスクを０．１ｍｏｌ／β〜１．０ｍｏｌ／
Ａの次亜リン酸ナトリウム溶液に浸漬した後、ヒドラジ
ン塩を０．５ｍｏｌ／　１２〜１．５ｍｏｌ／　１含む
無電解めっき液にてめっきすることにより黒色の金属被
膜をパターン上およびパターン側面に形成したものであ
る。

〔作用〕

上記のように作製したフォトマスクを使用すると回折現
象によってパターン領域にまわりこんだ光をフォトマス
クが吸収するのでハレーションの発生がなくパターンの
キレがよいパターンニングが可能となる。

〔実施例〕

Ｓｎｃ　ｊｌ！　ｚ溶液により感応化、ｐｄｃ　１２２
溶液により活性化したガラス基板にトソプニコロンＮ−
４７（奥野製薬製）無電解めっき液にて０．３５μｍの
Ｎ１−Ｐめっき被膜を析出させ、Ａ　Ｚ　−１３７０／
Ｓ　Ｆ（ヘキストジャパン製）ポジ型フォトレジストを
用いてパターンニングし、エツチング、剥離１洗浄した
ものを０．２ｍｏｌ／ｊ！の次亜リン酸ナトリウム溶液
に１分間浸漬し、下記主成分を含む無電解めっき液にて
０．１μｍのめっきを施し、第１図に示されるフォトマ
スクを得る。

ＮｉＳＯ４４ｇ　／　１− Ｎ２Ｈ４１，５ｍｏｌ／　ｊ！ クエン酸ナトリウム　　０．２ｍｏｌ／ｆｆｉパターン
表面が黒色化したこの第１図のフォトマスクを用いてパ
ターンニングしたところ、第１図に示すようにパターン
に乱れが生じなかった。

上記実施例と比較するため実施例と同様にしてＮ１−Ｐ
めっき、パターンニング、剥離、洗浄まで処理し、黒色
化しないフォトマスクを用いてパターンニングを行った
ところ、第３図に示すようにパターンに乱れが生じた。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明したように、あらかじめパターンニン
グしたＮｆ−Ｐハードマスクのパターン上およびパター
ン側面に黒色化被膜を付与することによりハレーション
現象を防止することができ、微細でしかもパターン形状
の精度を要求される製品に対して有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のフォトマスクのパターン断面図である
。第２図は本発明のフォトマスクでパターンニングした
場合のパターンの状態図である。 第３図はハレーション現象が生じた場合の状態図である
。 １・・・パターン部 ２・・・ハレーションによるパターンの乱れ３・・・Ｎ
１−Ｐ膜 ４・・・黒色化膜 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明基板上に金属薄膜にてパターン形成したハードマス
   クにおいて、該パターンの上部および側面部を黒色化し
   たフォトマスク。