JPH01166593A - 半導体レーザの劈開方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体レーザの劈開方法に関するものである
。

〔従来技術〕

従来より、コンパクトディスクプレーヤ等のピックアッ
プに使用される例えばダブルへテロ接合半導体レーザの
各素子は、レーザ光を発する両端面の所謂ファプリペロ
ー共振器面を劈開によって形成して使用されている。こ
のような半導体レーザ素子を形成するための劈開方法と
しては、例えば、第４図に示すように、半導体レーザ素
子１０１を形成した半導体ウェハ１００の端部に、該素
子１０１の共振器長の間隔りを開けて切込み１０２をダ
イヤモンドスクライバ−等で形成し、該半導体ウェハの
骨間面となる方向に沿って治具等を当接し、上方より鋭
利な刃等で力を加えることによって該切込み１０２の°
ところで劈開する方法が知られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記のような劈開方法では、半導体ウェ
ハ１００端部に切込み１０２を形成するだけであるから
、半導体ウェハ１００を治具等に固定するときに、該治
具が劈開方向と平行に位置されていなかったり、下方に
加える力が半導体ウェハ１００面上で均一でなかったり
すると、途中で劈開が止まったり、半導体ウェハ１００
面上の微細な傷等によって劈開方向が変わってしまい、
第５図に点線で示すように、劈開させる方向を外れて劈
開されることがある。これでは、共振器長の間隔で骨間
面を有するバー状ウェハが得られないので、歩留まりが
低下することになる。

尚、半導体ウェハ１００の劈開方法としては化学的にエ
ツチングして劈開する方法もあるが、この方法ではエツ
チング後の半導体ウェハ１の取り扱い困難で、割れ等が
生じ易く、歩留まりも低下している。

〔問題を解決するための手段〕

上記の問題点を解決するために本発明の半導体レーザの
劈開方法は、半導体レーザ素子の形成されたウェハを、
この半導体レーザ素子の共振器長の間隔で臂関し、ファ
ブリペロ−共振器面を形成する半導体レーザの劈開方法
において、上記半導体ウェハ上に、劈開方向に延びるノ
ツチを、半導体レーザ素子の共振器長の間隔で、該劈開
方向に垂直な方向の各スクライブライン上に形成したこ
とを特徴とする。

〔発明の作用〕

本発明のように劈開方向と垂直な方向の各スクライプラ
イン上に、半導体レーザ素子の共振器長の間隔を置いて
ノツチを形成して劈開すると、各ノツチが劈開方向をガ
イドするので、途中で劈開方向が変わることなく直線的
に劈開され良好な骨間面が得られる。また、劈開して形
成されるバー状ウェハは、各半導体レーザ素子のスクラ
イブラインで切断されるので、劈開したときに残るノツ
チ族もこのときに除去され、骨間面をファブリペロ−共
振器面とする半導体レーザ素子が形成される。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

本発明によれば、まず第１図に示すように例えば、方形
状に形成された半導体ウェハ１の結晶軸（１００）の結
晶面を用い、この結晶構造に沿って半導体レーザの各素
子２・・・を形成し、各半導体レーザ素子２・・・の共
振器長となる間隔りで、両端面を所謂ファブリペロ−共
振器面とするための骨間面を形成する方向で、且つ各半
導体レーザ素子２・・・の骨間面と垂直な方向に切断す
るための一点鎖線で示すスクライブライン！上にノツチ
３・・・を形成する。このノツチ３・・・は、例えば、
ダイヤモンドカッタ４を用いたダイヤモンドスクライビ
ング法等で形成することができるが、この方法に限らず
種々の方法が採用できるものである。

そして、第２図に示すように上記の如くノツチ３・・・
が形成された半導体ウェハ１を、例えば上下の固定治具
５，６の端面に、上記骨間面を形成させる方向のノツチ
３・・・を沿わせて固定し、板状の治具７等によって突
出している半導体ウェハ１に下向きの力を加えると、上
記ノツチ３・・・が劈開方向をガイドして直線的に劈開
された骨間面２ａ。

２ａを有するバー状ウェハ８が形成される。このような
バー状ウェハ８の形成には他の種々の手段も採用できる
ものである。

上記のようにノツチ３・・・に沿って直線的に劈開され
たバー状ウェハ８は、各半導体レーザ素子２・・・の上
方両端にノツチ族３１・・・が形成されて劈開されてい
るが、例えば、ダイヤモンドブレード９を高速回転させ
て、このバー状ウェハ８の各半導体レーザ素子２・・・
を区切る該ノツチ族３１・・・と垂直な方向のスクライ
プラインｌに沿って切断すれば、上記ノツチ族３１・・
・が除去された半導体レーザ素子２が形成される。この
ようにして形成された半導体レーザ素子２は、劈開用に
形成したノツチ族３１・・・が残っておらず、ファプリ
ペロー共振器面となる良好な骨間面２ａ、　　２ａが形
成されたものとなり、該半導体レーザ素子２の活性層（
例えば、ＧａＡｓ層（図示せず））から安定したレーザ
光が放出されるようになる。

本発明による半導体レーザの劈開方法は半導体ウェハ１
上に形成される半導体レーザ素子２がどのような構造で
も、骨間面となる方向で、且つ各半導体レーザ素子２の
スクライプライン！上にノツチ３・・・を形成し、この
ノツチ３・・・をガイドとして種々の手段を用いて劈開
でき、形成されたバー状ウェハ８は、劈開方向が途中で
変わることなく共振器長しが得られるので、歩留まりの
低下が防げるようになる。

尚、半導体レーザ素子２の共振器長しで半導体ウェハ１
面に劈開用の溝を連続して形成することもできるが、半
導体レーザ素子２の活性層が表面に近い浅い位置に形成
されているため、上記の半導体ウェハ１面に形成される
溝がレーザ光を発する活性層にまで達し、該活性層が骨
間面とならず、レーザ光を発しないといった問題を生じ
るので、半導体レーザ素子２のスクライプライン！上に
のみノツチを形成する必要がある。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明の半導体レーザ
の劈開方法では、形成された各ノツチが何間方向をガイ
ドするので、途中で何間方向が変わることなく直線的に
何間された骨間面が得られる。また、劈開して形成され
たバー状ウェハは、各半導体レーザ素子のスクライブラ
インで切断されるので、劈開したときに残るノツチ族も
このときに除去され、何ら問題のない骨間面を形成する
ことができるので、歩留まりの低下が防止できるといっ
た効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体レーザ素子を形成した半導体ウェハに本
発明によるノツチを形成した状態を示す斜視図、第２図
は半導体レーザ素子の形成された半導体ウェハをバー状
ウェハに劈開している状態を示す斜視図、第３図は上記
バー状ウェハを各半導体レーザ素子に切断している状態
を示す斜視図、第４図は従来の半導体レーザ素子を形成
した半導体ウェハに切込みを形成した状態を示す斜視図
である。 （符号の説明） １・・・半導体ウェハ ２・・・半導体レーザ素子 ２ａ・・・骨間面（ファブリペロ−共振器面）３・・・
ノツチ ４・・・ダイヤモンドカッタ Ｌ・・・共振器長の間隔 ！・・・スクライプライン 第１図 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体レーザ素子の形成されたウェハを、この半
   導体レーザ素子の共振器長の間隔で劈開し、ファブリペ
   ロー共振器面を形成する半導体レーザの劈開方法におい
   て、 上記半導体ウェハ上に、劈開方向に延びるノッチを、半
   導体レーザ素子の共振器長の間隔で、該劈開方向に垂直
   な方向の各スクライブライン上に形成したことを特徴と
   する半導体レーザの劈開方法。