JPH01169748A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH01169748A JPH01169748A JP62326885A JP32688587A JPH01169748A JP H01169748 A JPH01169748 A JP H01169748A JP 62326885 A JP62326885 A JP 62326885A JP 32688587 A JP32688587 A JP 32688587A JP H01169748 A JPH01169748 A JP H01169748A
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Landscapes
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームを用いて情報が記録再生される光記
録媒体に関するものである。
録媒体に関するものである。
テルル化ゲルマニウム（ＧｅＴｅ）は、光記録材料とし
て記録感度が高く、再生信号の信号体雑音比を太き（す
ることができる好適な材料である。
て記録感度が高く、再生信号の信号体雑音比を太き（す
ることができる好適な材料である。
さて、光情報記録媒体は、データの長期保存の目的に使
用されることがあり、高温高温の環境下に放置されても
記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書きで
きることが必要である。
用されることがあり、高温高温の環境下に放置されても
記録材料の変化がなく、記録データを正確に読み書きで
きることが必要である。
ＧｅＴｅ材料はかかる点についてみると、その薄膜が高
温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し、
反射率やｉ３過率という光学的性′ト１が変化する現象
がある。
温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し、
反射率やｉ３過率という光学的性′ト１が変化する現象
がある。
この原因として、ＧｅＴｅ結晶は菱面体構造をしている
が、原子半径の小さい他の原子が侵入することのできる
すきまが存在することをあげることが出来る。即ち、非
晶質相のＧｅＴｅ薄膜中のＧｅ−Ｔｅ結合原子間距離は
、均一でな（非常に広い分布をもつために、ＧｅＴｅ薄
膜が高温高湿の環境下におかれると、原子半径の小さい
酸素がこのすきまに侵入し、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇｅ。
が、原子半径の小さい他の原子が侵入することのできる
すきまが存在することをあげることが出来る。即ち、非
晶質相のＧｅＴｅ薄膜中のＧｅ−Ｔｅ結合原子間距離は
、均一でな（非常に広い分布をもつために、ＧｅＴｅ薄
膜が高温高湿の環境下におかれると、原子半径の小さい
酸素がこのすきまに侵入し、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇｅ。
Ｔｅ−Ｔｅ結合を切断し、Ｇ ｅ Ｏｚ、 、 Ｔ ｅ
０１となって徐々に薄膜を酸化させる。
０１となって徐々に薄膜を酸化させる。
この為、従来は、ＧｅＴｅ薄１１１２に酸化物、窒化物
等の無機薄Ｈりを被着させて保護１１りとし、高、＋！
シ高湿環境下におけるＧｅＴｅ薄膜の劣化を防止してい
たが、上記保護膜作製に長時間を要したり、光情報記録
媒体作製工程の？１雑化や媒体製造価格の上昇を招くと
いう欠点があった。
等の無機薄Ｈりを被着させて保護１１りとし、高、＋！
シ高湿環境下におけるＧｅＴｅ薄膜の劣化を防止してい
たが、上記保護膜作製に長時間を要したり、光情報記録
媒体作製工程の？１雑化や媒体製造価格の上昇を招くと
いう欠点があった。
本出願人はこのような欠点を解消し、高温高温環境下に
放置されても、正確に情報を記録再生できる光情報記録
媒体を提供し得る記録薄膜として、ＧｅＴｅ材料にＣｕ
を添加した材料の記録薄膜を見出した。この様な、Ｃｕ
が添加されたＧｅＴｅ薄膜においては、Ｃｕ原子によっ
てあらかじめＧｅ−Ｔｅ格子内のすきまが埋められてい
るため酸素は侵入しにく（、また、わずかに侵入した酸
素はＣ１１と結合しＣｕＯとなって安定するので、Ｇｅ
Ｔｅ薄膜は酸素の侵入による劣化から保護される。
放置されても、正確に情報を記録再生できる光情報記録
媒体を提供し得る記録薄膜として、ＧｅＴｅ材料にＣｕ
を添加した材料の記録薄膜を見出した。この様な、Ｃｕ
が添加されたＧｅＴｅ薄膜においては、Ｃｕ原子によっ
てあらかじめＧｅ−Ｔｅ格子内のすきまが埋められてい
るため酸素は侵入しにく（、また、わずかに侵入した酸
素はＣ１１と結合しＣｕＯとなって安定するので、Ｇｅ
Ｔｅ薄膜は酸素の侵入による劣化から保護される。
〔発明が解決しようとする問題点］
ところが、上記Ｃｕ添加ＧｅＴｅ薄膜を光記録膜とする
光情報記録媒体は、寿命が長くなるものの、Ｃｕ含有量
が増すと徐々に信号対雑音比（ＣＮＲ）が劣化し、Ｃｕ
が３原子パーセント以上では信頼できる光情報記録媒体
としての性能が得難く、又、Ｃｕ含を量をへらしたので
は寿命があまり延びないという問題があった。
光情報記録媒体は、寿命が長くなるものの、Ｃｕ含有量
が増すと徐々に信号対雑音比（ＣＮＲ）が劣化し、Ｃｕ
が３原子パーセント以上では信頼できる光情報記録媒体
としての性能が得難く、又、Ｃｕ含を量をへらしたので
は寿命があまり延びないという問題があった。
即ち、ＧｅＴｅ薄膜が記録光ビームの照射を受けて非晶
質相から結晶質相に転移すると、ＧｅＴｅ結合原子間距
離の分布は均一化され、Ｃｕ原子が結晶質相Ｇｅ−Ｔｅ
格子内に入り得る量は制限され、非晶質相Ｇｅ−Ｔｅ格
子内にあったＣｕ原子がＧｅＴｅ薄膜の結晶化によって
Ｇｅ−Ｔｅ結晶格子外に排斥されＣｕが析出する。従っ
て、この析出したＣｕが再生光ビームの反射率を変化さ
せて雑音成分となりＣＮＲを低下させるものと思われる
。
質相から結晶質相に転移すると、ＧｅＴｅ結合原子間距
離の分布は均一化され、Ｃｕ原子が結晶質相Ｇｅ−Ｔｅ
格子内に入り得る量は制限され、非晶質相Ｇｅ−Ｔｅ格
子内にあったＣｕ原子がＧｅＴｅ薄膜の結晶化によって
Ｇｅ−Ｔｅ結晶格子外に排斥されＣｕが析出する。従っ
て、この析出したＣｕが再生光ビームの反射率を変化さ
せて雑音成分となりＣＮＲを低下させるものと思われる
。
〔問題点を解決するための手段］
本発明は上記問題点を解決するために、該記録簿１１２
を、Ｃｕが添加されたＧｅＴｅを主成分とする薄膜とし
、該光記録薄膜中のＣｕ含有量を基体側においては平均
Ｃｕ含有量よりも小さくし保護膜側においては平均Ｃｕ
含を量よりも大きくした。
を、Ｃｕが添加されたＧｅＴｅを主成分とする薄膜とし
、該光記録薄膜中のＣｕ含有量を基体側においては平均
Ｃｕ含有量よりも小さくし保護膜側においては平均Ｃｕ
含を量よりも大きくした。
基体上に形成された光記録薄膜と、該光記Ｕ薄膜上に形
成された保ｊｌ膜とからなる光情報記録媒体においては
、保護膜の厚みは基体の厚みに比べて１／１００〜１／
１０程度であるため、該光記録薄膜の高温高湿環境下に
おける酸化腐食は保護膜側から始まり次第に基体側へと
広がる。したがって本発明のように光記録薄膜中のＣｕ
含有量を基体側では平均Ｃｕ含有量より小さくし保護１
１り側では平均Ｃｕ含有酢よりも大きくすることにより
、保護膜側より進行する光記録薄膜の酸化腐食を強力に
防止することができる。また、一般に情報の記録再生は
光ビームを基体側から入射させて行うので、光情報記録
媒体の記録再生特性は光記録薄膜の基体側の性質により
強く依存する。従って本発明のように光記録膜Ｈ９の基
体側でＣｕ含存￥が平均Ｃｕ含有量よりも小さくなって
いると、基体側においては雑音成分となる析出Ｃｕｌが
少なく、この結果記録再生特性も良好に保つことができ
る。
成された保ｊｌ膜とからなる光情報記録媒体においては
、保護膜の厚みは基体の厚みに比べて１／１００〜１／
１０程度であるため、該光記録薄膜の高温高湿環境下に
おける酸化腐食は保護膜側から始まり次第に基体側へと
広がる。したがって本発明のように光記録薄膜中のＣｕ
含有量を基体側では平均Ｃｕ含有量より小さくし保護１
１り側では平均Ｃｕ含有酢よりも大きくすることにより
、保護膜側より進行する光記録薄膜の酸化腐食を強力に
防止することができる。また、一般に情報の記録再生は
光ビームを基体側から入射させて行うので、光情報記録
媒体の記録再生特性は光記録薄膜の基体側の性質により
強く依存する。従って本発明のように光記録膜Ｈ９の基
体側でＣｕ含存￥が平均Ｃｕ含有量よりも小さくなって
いると、基体側においては雑音成分となる析出Ｃｕｌが
少なく、この結果記録再生特性も良好に保つことができ
る。
〔実施例）
第１図は、本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、１１はポリカーボネート基板で
あり、その上に光記録薄膜とじてＣｕが添加されたＧｅ
Ｔｅ薄膜１２を存している。
したものである。即ち、１１はポリカーボネート基板で
あり、その上に光記録薄膜とじてＣｕが添加されたＧｅ
Ｔｅ薄膜１２を存している。
更に、該光記録薄膜上に傷や埃を防止するための樹脂保
護膜１３を積層した。
護膜１３を積層した。
ここで基板１１はポリカーボネートに限ることなく、従
来から公知のＰＭＭＡ、ポリオレフィン。
来から公知のＰＭＭＡ、ポリオレフィン。
エポキシ等の透明樹脂板、ガラス板を使用できる。
光記録薄膜１２はスパッタリグ法および蒸着法にて作製
する。Ｃｕ添加ＧｅＴｅ薄膜において、Ｃｕ含有量を基
体側では平均Ｃｕ含有によりも小さくし、保護膜側では
平均Ｃｕ含有￥よりも大きくする方法を以下に述べる。
する。Ｃｕ添加ＧｅＴｅ薄膜において、Ｃｕ含有量を基
体側では平均Ｃｕ含有によりも小さくし、保護膜側では
平均Ｃｕ含有￥よりも大きくする方法を以下に述べる。
第２図は、該光記録膜）１りを作製する時に使用するス
パッタリグ装置の概略図である。真空槽２１内の上部に
設けられた回転式基板支持テーブル２２の下面に、ポリ
カーボネート基板１１をとりつけ、真空槽２１内を約５
Ｘ１０−’Ｐａに排気後、真空槽２１内にＡｒ等の活性
ガスを導入してガス圧を５ＸＩＯ”Ｐａにする。この状
態でＧｅＴｅのターゲット２３とＣｕターゲット２４に
同時に高周波電力を印加すると、スパックリグ作用によ
って基板ｌｌ上にＣｕが添加されたＧｅＴｅ薄膜が形成
される。このとき、第３図に示すようにＧｅＴｅのター
ゲット２３に印加される高周波電力を一定とし、Ｃｕタ
ーゲット２４に印加される電力をスパッタリグ開始当初
は小さくし、終了近くにおいて大きくすると、Ｃｕが添
加されたＧｅＴｅ薄膜においては、Ｃｕ含有量は基板側
では平均Ｃｕ含有量よりも小さく、保護膜側では平均Ｃ
ｕ含有量よりも大きくなる。
パッタリグ装置の概略図である。真空槽２１内の上部に
設けられた回転式基板支持テーブル２２の下面に、ポリ
カーボネート基板１１をとりつけ、真空槽２１内を約５
Ｘ１０−’Ｐａに排気後、真空槽２１内にＡｒ等の活性
ガスを導入してガス圧を５ＸＩＯ”Ｐａにする。この状
態でＧｅＴｅのターゲット２３とＣｕターゲット２４に
同時に高周波電力を印加すると、スパックリグ作用によ
って基板ｌｌ上にＣｕが添加されたＧｅＴｅ薄膜が形成
される。このとき、第３図に示すようにＧｅＴｅのター
ゲット２３に印加される高周波電力を一定とし、Ｃｕタ
ーゲット２４に印加される電力をスパッタリグ開始当初
は小さくし、終了近くにおいて大きくすると、Ｃｕが添
加されたＧｅＴｅ薄膜においては、Ｃｕ含有量は基板側
では平均Ｃｕ含有量よりも小さく、保護膜側では平均Ｃ
ｕ含有量よりも大きくなる。
真空蒸着法においても同様に、ＧｅＴｅとＣ１１の２種
の蒸発源からの同時蒸着で、ＧｅＴｅの蒸発速度を一定
とし、Ｃｕの蒸発速度を蒸着開始当初は小さくし終了近
くになって大きくすると、ＣＵ含有川用基体側では平均
Ｃｕ含有量よりも小さく、保護膜側では平均Ｃｕ含有量
よりも大きくなる。
の蒸発源からの同時蒸着で、ＧｅＴｅの蒸発速度を一定
とし、Ｃｕの蒸発速度を蒸着開始当初は小さくし終了近
くになって大きくすると、ＣＵ含有川用基体側では平均
Ｃｕ含有量よりも小さく、保護膜側では平均Ｃｕ含有量
よりも大きくなる。
樹脂保護膜１３は、紫外線硬化型樹脂液をスピンナにて
塗布し、その後紫外線を照射すると樹脂は硬化し皮膜を
形成する。樹脂保護膜１３は紫外線硬化型樹脂のみなら
ず湿気硬化型樹脂、二液反応型樹脂、溶剤型樹脂いずれ
も適用できる。
塗布し、その後紫外線を照射すると樹脂は硬化し皮膜を
形成する。樹脂保護膜１３は紫外線硬化型樹脂のみなら
ず湿気硬化型樹脂、二液反応型樹脂、溶剤型樹脂いずれ
も適用できる。
Ｃｕ添加ＧｅＴｅ光記録薄膜作製時に、Ｃｕターゲット
に印加する電力を一定として作製した比較用の光情報記
録媒体と、Ｃｕターゲットに印加する電力をスパッタリ
グ中に第３図に示したように変化させた、本発明の一実
施例による光情報記録媒体の、光情報記録媒体寿命、再
生信号の信号対雑音比ＣＮＲを第１表に比較して示す。
に印加する電力を一定として作製した比較用の光情報記
録媒体と、Ｃｕターゲットに印加する電力をスパッタリ
グ中に第３図に示したように変化させた、本発明の一実
施例による光情報記録媒体の、光情報記録媒体寿命、再
生信号の信号対雑音比ＣＮＲを第１表に比較して示す。
第 １ 表
ここで媒体寿命は、ディスク状光情報記録媒体にレーザ
光を照射して、回転数１８０ｏｒρｍ。
光を照射して、回転数１８０ｏｒρｍ。
周波数ＩＭＨ２の信号を記録し、Ｊ ｌＳｃ５０２４Ｍ
−１の温湿度加速試験を行い、ピント誤り率が該試験前
の３倍になるまでの試験時間から推量して求めた。
−１の温湿度加速試験を行い、ピント誤り率が該試験前
の３倍になるまでの試験時間から推量して求めた。
第１表に示されるように、上記実施例によると光情報記
録媒体は光記録薄膜内において、Ｃｕ含有量が基体側で
は平均Ｃｕ含有量よりも小さく、保護膜側において平均
Ｃｕ含有量よりも大きくなっているので、媒体寿命が長
くしかも再生信号ＣＮＲは良い値を保っている。
録媒体は光記録薄膜内において、Ｃｕ含有量が基体側で
は平均Ｃｕ含有量よりも小さく、保護膜側において平均
Ｃｕ含有量よりも大きくなっているので、媒体寿命が長
くしかも再生信号ＣＮＲは良い値を保っている。
（効果）
本発明によれば、光記録薄膜内においてＣｕ含有量が保
護膜側において平均Ｃｕ含有量よりも大きくなっている
ので、保護膜側から開始する該光記録薄膜の酸化腐食が
防止され、高温高湿環境下に放置されても長時間正確に
情報を記録再生することのできる光情報記録媒体が得ら
れる。また、光記録薄膜の基体側では、Ｃｕ含有量は平
均Ｃｕ含有量よりも小さくなっているので、Ｃｕ添加に
よる記録再生特性の劣化が小さく、記録再生特性のよい
光情報記録媒体が得られる。
護膜側において平均Ｃｕ含有量よりも大きくなっている
ので、保護膜側から開始する該光記録薄膜の酸化腐食が
防止され、高温高湿環境下に放置されても長時間正確に
情報を記録再生することのできる光情報記録媒体が得ら
れる。また、光記録薄膜の基体側では、Ｃｕ含有量は平
均Ｃｕ含有量よりも小さくなっているので、Ｃｕ添加に
よる記録再生特性の劣化が小さく、記録再生特性のよい
光情報記録媒体が得られる。
第一図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示す
断面図、第２図は本発明に適用しうるスパッタリグ装置
の概略図、第３図はその動作説明に供する線図である。 １１・・・基板 １２・・・光記録薄膜 １３・・・樹脂保護膜 ２１・・・真空槽 ２２・・・７Ｓ板支持テーブル ２３・・・ＧｅＴｅターゲット ２４・・・Ｃｕターゲット 代理人 弁理士 山 口 和 美 、、７．．７
・）第ｔ 図 荀２図 手続（市正せＦ （自発 昭和６３年 ５月）０日 １．１Ｖ（牛の耘 昭和６２年吟肩晋ｎ第３２６８８５号 ２、発明の名称 光背けに４廚 ３、補正をする者 羽生との関係 特許出願人 住所 〒１０７東京都港区赤坂４丁目１４番１４号名
称 （４１６）日本コロムビア株式会社Ｑ類帝役
７月 和夫 ４、 イ夫ユ■町ｌ、＾、 住所 〒２１０神奈川県川崎市川崎区港町５番１号昭
和 年 月 日 （全送日）６、補正の対象 ｆｉ＋ 明細書中、第６ページ第１６〜第１８行「真
空槽２１内を・−・にする。」とあるを「真空槽２１内
を約５Ｘ１０−’Ｐａに排気後、真空槽２１内にＡｒ等
の活性ガスを４入してガス圧を５×１０−’Ｐａにする
。」と訂正する。
断面図、第２図は本発明に適用しうるスパッタリグ装置
の概略図、第３図はその動作説明に供する線図である。 １１・・・基板 １２・・・光記録薄膜 １３・・・樹脂保護膜 ２１・・・真空槽 ２２・・・７Ｓ板支持テーブル ２３・・・ＧｅＴｅターゲット ２４・・・Ｃｕターゲット 代理人 弁理士 山 口 和 美 、、７．．７
・）第ｔ 図 荀２図 手続（市正せＦ （自発 昭和６３年 ５月）０日 １．１Ｖ（牛の耘 昭和６２年吟肩晋ｎ第３２６８８５号 ２、発明の名称 光背けに４廚 ３、補正をする者 羽生との関係 特許出願人 住所 〒１０７東京都港区赤坂４丁目１４番１４号名
称 （４１６）日本コロムビア株式会社Ｑ類帝役
７月 和夫 ４、 イ夫ユ■町ｌ、＾、 住所 〒２１０神奈川県川崎市川崎区港町５番１号昭
和 年 月 日 （全送日）６、補正の対象 ｆｉ＋ 明細書中、第６ページ第１６〜第１８行「真
空槽２１内を・−・にする。」とあるを「真空槽２１内
を約５Ｘ１０−’Ｐａに排気後、真空槽２１内にＡｒ等
の活性ガスを４入してガス圧を５×１０−’Ｐａにする
。」と訂正する。
Claims (1)
- 基体上に形成された光記録薄膜と、該光記録薄膜上に形
成された保護膜からなる光情報記録媒体において、前記
光記録薄膜の主成分をＣｕが添加されたＧｅＴｅとし、
前記光記録薄膜中のＣｕ含有量を基体側では平均Ｃｕ含
有量よりも小さくしたことを特徴とする光情報記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326885A JPH01169748A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326885A JPH01169748A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169748A true JPH01169748A (ja) | 1989-07-05 |
| JPH0416862B2 JPH0416862B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=18192832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62326885A Granted JPH01169748A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01169748A (ja) |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62326885A patent/JPH01169748A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416862B2 (ja) | 1992-03-25 |
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