JPH0481955B2 - - Google Patents
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- JPH0481955B2 JPH0481955B2 JP61300791A JP30079186A JPH0481955B2 JP H0481955 B2 JPH0481955 B2 JP H0481955B2 JP 61300791 A JP61300791 A JP 61300791A JP 30079186 A JP30079186 A JP 30079186A JP H0481955 B2 JPH0481955 B2 JP H0481955B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によつて情報を記録再生する
ことのできる光記録媒体とその製造方法に関する
ものである。
ことのできる光記録媒体とその製造方法に関する
ものである。
（従来の技術）
レーザ光によつて情報を媒体に記録しかつ再生
する光デイスクメモリ、記録密度が高いことから
大容量記録装置として優れた特徴を有している。
この光記録媒体材料としては、最初にタンタルと
鉛が使用された（サイエンス（Science154、
1550、1966））。それ以来、種々の材料が使用され
ているがTe等のカルコゲン元素又はこれらの化
合物はよく使用されている（特公昭47−26897）。
とくにテルルセレン系合金はよく使用されている
（特公昭54−41902、特公昭57−7919、特公昭57−
56058）。近年、記録装置を小型化するため、レー
ザ光源としては半導体レーザが使用されてきてい
る。半導体レーザは発振波長が8000Å前後である
が、テルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的
よく適合し、適度な反射率と、適度な吸収率が得
られる（フイジカ・ステイタス・ソリダイ
（phys.stat.sol.7、189、1964））。
する光デイスクメモリ、記録密度が高いことから
大容量記録装置として優れた特徴を有している。
この光記録媒体材料としては、最初にタンタルと
鉛が使用された（サイエンス（Science154、
1550、1966））。それ以来、種々の材料が使用され
ているがTe等のカルコゲン元素又はこれらの化
合物はよく使用されている（特公昭47−26897）。
とくにテルルセレン系合金はよく使用されている
（特公昭54−41902、特公昭57−7919、特公昭57−
56058）。近年、記録装置を小型化するため、レー
ザ光源としては半導体レーザが使用されてきてい
る。半導体レーザは発振波長が8000Å前後である
が、テルルセレン系合金はこの波長帯にも比較的
よく適合し、適度な反射率と、適度な吸収率が得
られる（フイジカ・ステイタス・ソリダイ
（phys.stat.sol.7、189、1964））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、これらの媒体では、耐候性と感
度と信号品質のすべてを満足するものはなかつ
た。
度と信号品質のすべてを満足するものはなかつ
た。
本発明の目的は、耐候性がよく高感度で信号品
質が良好であり、記録パワーの余裕度が大きい光
記録媒体およびその製造方法を提供することにあ
る。
質が良好であり、記録パワーの余裕度が大きい光
記録媒体およびその製造方法を提供することにあ
る。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体とその製造方法は、情報を
レーザ光によつて記録しかつ読み取る光記録媒体
とその製造方法であつて、基板上に形成されたテ
ルルとセレンと窒素を主成分とする複合膜からな
る記録膜を有し、上記テルルとセレンと窒素を主
成分とする複合膜は、テルルとセレンと窒素を主
成分とする膜と、この膜より窒素濃度の高い膜と
からなることを特徴とする光記録媒体であり、テ
ルルとセレンと窒素を主成分とする膜を形成する
工程と、この膜の表面層を強制窒化させる工程と
を有することを特徴とする光記録媒体の製造方法
である。
レーザ光によつて記録しかつ読み取る光記録媒体
とその製造方法であつて、基板上に形成されたテ
ルルとセレンと窒素を主成分とする複合膜からな
る記録膜を有し、上記テルルとセレンと窒素を主
成分とする複合膜は、テルルとセレンと窒素を主
成分とする膜と、この膜より窒素濃度の高い膜と
からなることを特徴とする光記録媒体であり、テ
ルルとセレンと窒素を主成分とする膜を形成する
工程と、この膜の表面層を強制窒化させる工程と
を有することを特徴とする光記録媒体の製造方法
である。
（作用）
光記録媒体は図のような構成になつている。即
ち、基板１の上に記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネイト、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板には、ピツト
が同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精
度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分析が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行う。記録層２１としては種々の材料を
使用できる。その中でもテルルは比較的記録再生
特性が良好である。しかしながら高温高湿環境に
おける酸化劣化がはげしいので実用には供せなか
つた。又、感度的にもやや不足であつた。感度不
足を解決する１つとして、加熱時に窒素が遊離し
て高感度化するようにテルル膜に窒素を含ませる
ことが提案されている（特開昭57−58250）。本発
明者らはこの実施例を追試して光記録媒体を作製
し記録再生特性を評価したところ、本発明者らが
目的とする小型大容量記録装置の光源である半導
体レーザ波長（および8300Å）ではほとんど吸収
がないため感度不足であつた。又、窒素が遊離し
やすいため、高温高湿環境における保存性が充分
でなかつた。又、上記提案のように窒素ガス中で
スパツタリングして成膜するのではなく、アルゴ
ンと窒素との混合ガス中でスパツタリングして成
膜するということも提案されている（アプライ
ド・フイジクス・レターズ（Appl.Phys.Lett、
45、202、1984））。しかしながら、これでもまだ
充分な記録感度と充分な信号品質は得られなかつ
た。本発明者らはテルルセレン合金ターゲツトを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパツタリングす
ることにより記録層がテルルとセレンと窒素とか
らなり、耐候性がよく高感度で信号品質の良好な
光記録媒体が得られることを見出し、既に提案し
ている（特願昭61−101368）。この記録層が耐候
性がよく高感度で信号品質が良好である理由は、
セレンを入れることで系全体の融点が低下したこ
とと窒化セレン，窒化テルルの爆発性とがあいあ
わさつて小穴の形成から表面張力による孔の拡張
が比較的低い温度で生じるようになつたために高
感度化したと思われ、テルルと窒化テルルとセレ
ンと窒化セレンとの相互作用が好都合に作用して
耐候性が向上し、信号品質が向上したものと思わ
れる。
ち、基板１の上に記録層２１が設けられている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層２１に集
光照射され、ピツト２２が形成される。基板１と
してはポリカーボネイト、ポリオレフイン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用される。基板には、ピツト
が同心円状あるいはスパイラル状に一定間隔で精
度よく記録されるように案内溝が設けられてい
る。レーザビーム径程度の幅の溝に光が入射する
と光は回折され、ビーム中心が溝からずれるにつ
れて回折光強度の空間分析が変化するので、これ
を検出してレーザビームを溝の中心に入射させる
ようにサーボ系が構成されている。溝の幅は通常
0.3〜1.3μｍであり、溝の深さは使用するレーザ
波長の1/12から1/4の範囲に設定される。集光に
関しても同様にサーボ系が構成されている。情報
の読み出しは、記録のときよりも弱いパワーのレ
ーザ光をピツト上を通過するように照射すること
により、ピツトの有無に起因する反射率の変化を
検出して行う。記録層２１としては種々の材料を
使用できる。その中でもテルルは比較的記録再生
特性が良好である。しかしながら高温高湿環境に
おける酸化劣化がはげしいので実用には供せなか
つた。又、感度的にもやや不足であつた。感度不
足を解決する１つとして、加熱時に窒素が遊離し
て高感度化するようにテルル膜に窒素を含ませる
ことが提案されている（特開昭57−58250）。本発
明者らはこの実施例を追試して光記録媒体を作製
し記録再生特性を評価したところ、本発明者らが
目的とする小型大容量記録装置の光源である半導
体レーザ波長（および8300Å）ではほとんど吸収
がないため感度不足であつた。又、窒素が遊離し
やすいため、高温高湿環境における保存性が充分
でなかつた。又、上記提案のように窒素ガス中で
スパツタリングして成膜するのではなく、アルゴ
ンと窒素との混合ガス中でスパツタリングして成
膜するということも提案されている（アプライ
ド・フイジクス・レターズ（Appl.Phys.Lett、
45、202、1984））。しかしながら、これでもまだ
充分な記録感度と充分な信号品質は得られなかつ
た。本発明者らはテルルセレン合金ターゲツトを
アルゴンと窒素との混合ガスでスパツタリングす
ることにより記録層がテルルとセレンと窒素とか
らなり、耐候性がよく高感度で信号品質の良好な
光記録媒体が得られることを見出し、既に提案し
ている（特願昭61−101368）。この記録層が耐候
性がよく高感度で信号品質が良好である理由は、
セレンを入れることで系全体の融点が低下したこ
とと窒化セレン，窒化テルルの爆発性とがあいあ
わさつて小穴の形成から表面張力による孔の拡張
が比較的低い温度で生じるようになつたために高
感度化したと思われ、テルルと窒化テルルとセレ
ンと窒化セレンとの相互作用が好都合に作用して
耐候性が向上し、信号品質が向上したものと思わ
れる。
本発明はこれをさらに改善したものであり、記
録膜をテルルとセレンと窒素とを主成分とする膜
とその表面層を強制窒化させて窒素含有量の多い
複合膜とすることにより、耐候性がよく高感度で
信号品質が良好であり、しかも記録パワーの余裕
度が大きくなる。記録パワーの余裕度が大きくな
る理由はまだ充分に明確ではないが、記録膜の表
面に融点の高い層が出来たことにより、記録時に
ピツトがあまり大きく拡がらなくなるためと思わ
れる。
録膜をテルルとセレンと窒素とを主成分とする膜
とその表面層を強制窒化させて窒素含有量の多い
複合膜とすることにより、耐候性がよく高感度で
信号品質が良好であり、しかも記録パワーの余裕
度が大きくなる。記録パワーの余裕度が大きくな
る理由はまだ充分に明確ではないが、記録膜の表
面に融点の高い層が出来たことにより、記録時に
ピツトがあまり大きく拡がらなくなるためと思わ
れる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝（溝幅0.7μｍ、溝深
さ600Å）付きポリカーボネイト樹脂デイスク基
板上に、原子パーセントで80対20のテルルセレン
ターゲツトを窒素ガス分圧４％のアルゴンと窒素
との混合ガスを用いてマグネトロンスパツタする
ことにより、テルルとセレンと窒素とが原子数比
でおよそ77対19対４の膜を約250Å厚作製した。
しかる後、平行平板電極型プラズマリアクターに
窒素ガスを導入して放電させて窒素プラズマを生
成し、このプラズマにより窒素含有量が原子パー
セントで10％程度で20Å厚程度の窒素含有量の多
い層を表面に形成し、この複合膜を記録膜とする
光記録媒体を作製した。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝（溝幅0.7μｍ、溝深
さ600Å）付きポリカーボネイト樹脂デイスク基
板上に、原子パーセントで80対20のテルルセレン
ターゲツトを窒素ガス分圧４％のアルゴンと窒素
との混合ガスを用いてマグネトロンスパツタする
ことにより、テルルとセレンと窒素とが原子数比
でおよそ77対19対４の膜を約250Å厚作製した。
しかる後、平行平板電極型プラズマリアクターに
窒素ガスを導入して放電させて窒素プラズマを生
成し、このプラズマにより窒素含有量が原子パー
セントで10％程度で20Å厚程度の窒素含有量の多
い層を表面に形成し、この複合膜を記録膜とする
光記録媒体を作製した。
この光デイスクの溝部の反射率を波長8300Åで
基板入射で測定したところおよそ29％であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録膜上に1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件で溝部に記録
し、07ｍＷの一定パワーで再生した。バンド幅
30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は
51dBと良好な値が得られた。又、AC再生信号の
零レベルに対して固定値のスライスレベルを設け
て、１つ１つのピツトに対して正常に記録再生が
行なわれたか否かを判定する方式のビツト誤り率
測定方式で評価したところ、10-6台のビツト誤り
率が得られた。記録パワーを6.0ｍＷ、7.0ｍとし
ても同様にビツ誤り率は10-6台と良好であり、記
録パワーの余裕度の大きいことが確認された。
基板入射で測定したところおよそ29％であつた。
波長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射
して記録膜上に1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.5ｍＷの条件で溝部に記録
し、07ｍＷの一定パワーで再生した。バンド幅
30kHzのキヤリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は
51dBと良好な値が得られた。又、AC再生信号の
零レベルに対して固定値のスライスレベルを設け
て、１つ１つのピツトに対して正常に記録再生が
行なわれたか否かを判定する方式のビツト誤り率
測定方式で評価したところ、10-6台のビツト誤り
率が得られた。記録パワーを6.0ｍＷ、7.0ｍとし
ても同様にビツ誤り率は10-6台と良好であり、記
録パワーの余裕度の大きいことが確認された。
この光デイスクを80℃90％の高温高湿度の環境
に750時間保存した後も上記特性は実用上変化が
なく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。テルルとセレンと窒素とを主成分とす
る層厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特
性の観点で望ましく、とくに望ましいのは200Å
から400Åである。セレンの含有量は原子パーセ
ントで２パーセント以上40パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点で
望ましく、とくに望ましいのは10パーセント以上
30パーセント以下である。窒素の含有量は原子パ
ーセントで２パーセント以上20パーセント未満が
記録再生特性、耐候性の観点で望ましく、とくに
望ましいのは２パーセント以上10パーセント以下
である。記録膜中の窒素元素の含有量は、スパツ
タリングターゲツト組成比は窒素ガス分圧に依存
するのは勿論であるが、スパツタ装置の大きさ
（スパツタ室の表面積等）やスパツタ時間等にも
依存するので、最適組成が得られる窒素ガス分圧
は一義的には決められず、各スパツタ装置ごとに
窒素ガス分圧を適宜設定することが必要である。
テルルセレンと窒素と主成分とする層には、鉛、
アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウ
ム、タリウム、リン、カドミウム、インジウム、
ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、
銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム、
コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素
を添加すると、ピツトの形状を良好に整える場合
がある。ただし、添加量は原子パーセントで20パ
ーセント未満が望ましい。
に750時間保存した後も上記特性は実用上変化が
なく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確
認された。テルルとセレンと窒素とを主成分とす
る層厚さは100Åから1000Åの範囲が記録再生特
性の観点で望ましく、とくに望ましいのは200Å
から400Åである。セレンの含有量は原子パーセ
ントで２パーセント以上40パーセント未満の範囲
が記録再生特性、耐候性、未記録ノイズの観点で
望ましく、とくに望ましいのは10パーセント以上
30パーセント以下である。窒素の含有量は原子パ
ーセントで２パーセント以上20パーセント未満が
記録再生特性、耐候性の観点で望ましく、とくに
望ましいのは２パーセント以上10パーセント以下
である。記録膜中の窒素元素の含有量は、スパツ
タリングターゲツト組成比は窒素ガス分圧に依存
するのは勿論であるが、スパツタ装置の大きさ
（スパツタ室の表面積等）やスパツタ時間等にも
依存するので、最適組成が得られる窒素ガス分圧
は一義的には決められず、各スパツタ装置ごとに
窒素ガス分圧を適宜設定することが必要である。
テルルセレンと窒素と主成分とする層には、鉛、
アンチモン、ヒ素、イオウ、スズ、ゲルマニウ
ム、タリウム、リン、カドミウム、インジウム、
ガリウム、亜鉛、ビスマス、アルミニウム、銅、
銀、マグネシウム、タンタル、金、パラジウム、
コバルトの群から選ばれた少なくとも１種の元素
を添加すると、ピツトの形状を良好に整える場合
がある。ただし、添加量は原子パーセントで20パ
ーセント未満が望ましい。
この実施例について以下に説明する。
100℃で２時間アニール処理した内径15mm、外
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。２×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で73対20対７のテル
ルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲツトを
この混合ガスで投入パワー120Wでデイスク基板
を回転させながらスパツタリングすることによ
り、テルルと窒素とセレンと鉛との原子数の比が
およそ71対２対20対７の膜を約220Å厚作製した。
しかる後、前記実施例と同様な処理により、窒素
含有量が原子％で６％で20Å厚程度の窒素含有量
の多い層を表面に形成し、しかる後、温度85℃相
対湿度90％の環境に12時間保存して、多結晶質の
膜からなる光記録媒体を製作した。
径130mm、厚さ1.2mmの案内溝付きポリカーボネイ
ト樹脂デイスク基板を、13.56MHzの高周波電源
を有するマグネトロンスパツタ装置内に装着して
排気した。２×10-6Torr以下に排気後、アルゴ
ンガスと窒素ガスを導入し１×10-2Torrとした。
このときの窒素ガス分圧は0.26％、窒素ガス流量
は0.30SCCMである。原子％で73対20対７のテル
ルセレン鉛合金の焼結体の８インチターゲツトを
この混合ガスで投入パワー120Wでデイスク基板
を回転させながらスパツタリングすることによ
り、テルルと窒素とセレンと鉛との原子数の比が
およそ71対２対20対７の膜を約220Å厚作製した。
しかる後、前記実施例と同様な処理により、窒素
含有量が原子％で６％で20Å厚程度の窒素含有量
の多い層を表面に形成し、しかる後、温度85℃相
対湿度90％の環境に12時間保存して、多結晶質の
膜からなる光記録媒体を製作した。
この光デイスクの波長8300Åにおける基板入射
の反射率を測定したところ、約32％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は49dBと良好であつた。
この値は、記録再生装置を変更することにより生
ずる記録パワー変動に対しても実用上充分に安定
であつた。この光デイスクを85℃90％の高温高湿
度の環境に200時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。この条件で鉛を含有させな
かつた記録膜においてはビツトエラーレイトに変
化はないものの膜表面には0.01〜0.1μｍ程度の突
起状のものが発生するが、鉛を含有させた記録膜
には発生しない。この抑止効果は、原子％で５以
下の鉛含有量では得られなかつた。テルルセレン
鉛ターゲツトを窒素ガスを導入しないでスパツタ
リングして記録膜を作製した場合には、記録感度
が安定せず、実用上不充分なものであつた。
の反射率を測定したところ、約32％であつた。波
長8300Åの半導体レーザ光を基板を通して入射し
て記録層上で1.6μｍφ程度に絞り、媒体線速度
5.65ｍ／sec、記録周波数3.77MHz、記録パルス幅
70nsec、記録パワー6.0ｍＷの条件で記録し、0.7
ｍＷで再生した。バンド幅30kHzのキヤリアーと
ノイズとの比（Ｃ／Ｎ）は49dBと良好であつた。
この値は、記録再生装置を変更することにより生
ずる記録パワー変動に対しても実用上充分に安定
であつた。この光デイスクを85℃90％の高温高湿
度の環境に200時間保存した後、上記特性を調べ
たが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。この条件で鉛を含有させな
かつた記録膜においてはビツトエラーレイトに変
化はないものの膜表面には0.01〜0.1μｍ程度の突
起状のものが発生するが、鉛を含有させた記録膜
には発生しない。この抑止効果は、原子％で５以
下の鉛含有量では得られなかつた。テルルセレン
鉛ターゲツトを窒素ガスを導入しないでスパツタ
リングして記録膜を作製した場合には、記録感度
が安定せず、実用上不充分なものであつた。
強制窒化は円筒型或いは平行平板型電極を有す
るプラズマリアクターにN2ガス等窒素を含有す
るガスを導入して放電することにより、制御性よ
く行なうことができる。強制窒化された膜の厚さ
は10Åから100Åの範囲が記録再生特性を劣化さ
せずに記録パワーの余裕度を大きくできるのでと
くに望ましい。
るプラズマリアクターにN2ガス等窒素を含有す
るガスを導入して放電することにより、制御性よ
く行なうことができる。強制窒化された膜の厚さ
は10Åから100Åの範囲が記録再生特性を劣化さ
せずに記録パワーの余裕度を大きくできるのでと
くに望ましい。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により
耐候性がよく高感度で信号品質が良好であり、し
かも記録パワーの余裕度が大きい光記録媒体とそ
の製造方法が得られる。
耐候性がよく高感度で信号品質が良好であり、し
かも記録パワーの余裕度が大きい光記録媒体とそ
の製造方法が得られる。
図は光記録媒体の１例を示す断面概略図であ
る。図において、１は基板、２１は記録層、２２
はピツトを表す。
る。図において、１は基板、２１は記録層、２２
はピツトを表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体において、基板上に形成されたテルル
とセレンと窒素を主成分とする複合膜からなる記
録膜を有し、上記テルルとセレンと窒素を主成分
とする複合膜は、テルルとセレンと窒素を主成分
とする第１の膜と、第１の膜より窒素濃度の高い
第２の膜とからなることを特徴とする光記録媒
体。 ２ 情報をレーザ光によつて記録しかつ読み取る
光記録媒体の製造方法において、テルルとセレン
と窒素を主成分とする膜を形成する工程と、この
膜の表面層を強制窒化させる工程とを有すること
を特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300791A JPS63151486A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300791A JPS63151486A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151486A JPS63151486A (ja) | 1988-06-24 |
| JPH0481955B2 true JPH0481955B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17889137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61300791A Granted JPS63151486A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 光記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151486A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1897132B (zh) * | 1996-03-11 | 2013-07-03 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录媒体及其制造方法以及记录回放擦除方法 |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| JP3570169B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2004-09-29 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| JPH11134720A (ja) | 1997-08-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体及びその記録再生方法 |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| TW448443B (en) | 1998-08-05 | 2001-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Optical information storage media and production method as well as the storage reproducing method and device |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61300791A patent/JPS63151486A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63151486A (ja) | 1988-06-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |