JPH01298544A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH01298544A JPH01298544A JP63126929A JP12692988A JPH01298544A JP H01298544 A JPH01298544 A JP H01298544A JP 63126929 A JP63126929 A JP 63126929A JP 12692988 A JP12692988 A JP 12692988A JP H01298544 A JPH01298544 A JP H01298544A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ビームを用いて情報が記録再生される光情報
記録媒体に関するものである。
記録媒体に関するものである。
基板上に記録膜を成膜した光情報記録媒体は、データの
長期保存の目的に使用される。
長期保存の目的に使用される。
この様な記録膜として、Ｇ ｅ −Ｔ ｅ系材料を主成
分としたもの（全体の８０％以上）が考えられている。
分としたもの（全体の８０％以上）が考えられている。
ここでＧｅ Ｔｅ系材料としては、テルル化ゲルマニ
ウムの他、テルル化ゲルマニウムのゲルマニウムを錫あ
るいは鉛で置換した、テルル化ゲルマニウム錫、テルル
化ゲルマニウム鉛及びテルル化ゲルマニウム錫鉛があり
、さらにこれらのテルルをセレンで置換した化合物を主
成分としたものが検討されている。この様な記録膜は、
高温高湿の環境下に放置されても記録材料の変化がなく
、記録データを正確に読み書きできることが必要である
。
ウムの他、テルル化ゲルマニウムのゲルマニウムを錫あ
るいは鉛で置換した、テルル化ゲルマニウム錫、テルル
化ゲルマニウム鉛及びテルル化ゲルマニウム錫鉛があり
、さらにこれらのテルルをセレンで置換した化合物を主
成分としたものが検討されている。この様な記録膜は、
高温高湿の環境下に放置されても記録材料の変化がなく
、記録データを正確に読み書きできることが必要である
。
例えばＧｅ−Ｔｅ系材料では、かかる点についてみると
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し
、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。
高温高湿の環境下において徐々にではあるが酸化腐食し
、反射率や透過率という光学的性質が変化する現象があ
る。
この為、従来Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜の両側に保護膜とし
て、蒸着法及びスパッタリング法によりＳ ｉｏ、Ｓ
ｉｏｚ 、Ｓ ｉｉ Ｎａなどの無機薄膜を被着させる
ことにより、高温高湿環境下における上記Ｇｅ−Ｔｅ系
記録薄膜の劣化を防止していた。
て、蒸着法及びスパッタリング法によりＳ ｉｏ、Ｓ
ｉｏｚ 、Ｓ ｉｉ Ｎａなどの無機薄膜を被着させる
ことにより、高温高湿環境下における上記Ｇｅ−Ｔｅ系
記録薄膜の劣化を防止していた。
しかしながら、上述の様にＳｉＯ，ＳｉＯ２゜Ｓｉ＊Ｎ
４等の酸化物、窒化物等の無機保護膜を両側から被着さ
せるディスク構造では、光ビームを照射して記録膜にビ
ットを形成する際、体積収縮により、記録膜と密着して
いる保護膜軽クランクが発生し、この部分より水分が浸
透して、記録膜が酸化され、ＣＮ比が低下し、ビット誤
り率が増加する。またＳｉｎ、Ｓｉｎｇ等の酸化物の保
護膜は膜自体が酸素を保有しているため、記録膜との界
面で酸素原子との接触が激しいと考えられ、より一層記
録膜の酸化を助長することも考えられる。
４等の酸化物、窒化物等の無機保護膜を両側から被着さ
せるディスク構造では、光ビームを照射して記録膜にビ
ットを形成する際、体積収縮により、記録膜と密着して
いる保護膜軽クランクが発生し、この部分より水分が浸
透して、記録膜が酸化され、ＣＮ比が低下し、ビット誤
り率が増加する。またＳｉｎ、Ｓｉｎｇ等の酸化物の保
護膜は膜自体が酸素を保有しているため、記録膜との界
面で酸素原子との接触が激しいと考えられ、より一層記
録膜の酸化を助長することも考えられる。
本発明はこの様な水分の浸透を防止し、長期間にわたり
安定して情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供す
ることを目的としてなされたものである。
安定して情報を記録再生できる光情報記録媒体を提供す
ることを目的としてなされたものである。
本発明は上記問題点を解決するために、保護膜としてＡ
ｌＮ無機保護膜を使用し、Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜の両側
に被着させた構造の光情報記録媒体を提供するものであ
る。
ｌＮ無機保護膜を使用し、Ｇｅ−Ｔｅ系記録薄膜の両側
に被着させた構造の光情報記録媒体を提供するものであ
る。
本発明は以上の様な構成を有するものであるがの密着性
がよく、光ビーム照射によるビット形成時の体積収縮が
吸収される。このことがら記録薄膜にはクランクが生じ
に＜＜、酸化による劣化が完全に阻止され、高温高湿の
環境下に長期置かれても記録材料としての性質に変化が
生じない。
がよく、光ビーム照射によるビット形成時の体積収縮が
吸収される。このことがら記録薄膜にはクランクが生じ
に＜＜、酸化による劣化が完全に阻止され、高温高湿の
環境下に長期置かれても記録材料としての性質に変化が
生じない。
第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示し
たものである。即ち、ｌはポリカーボネート基板であり
、その上に保護膜２１止してＡｌｌＮ１１ｌを有し、更
にＧｅ−Ｔｅ系記録膜３．ＡｌＮ保護膜２２．紫外線硬
化樹脂（ＵＶ樹脂）Ｎ４をこの順序で積層した。ここで
、基板１はポリカーボネートに限ることなく、従来公知
のＰＭＭＡ。
たものである。即ち、ｌはポリカーボネート基板であり
、その上に保護膜２１止してＡｌｌＮ１１ｌを有し、更
にＧｅ−Ｔｅ系記録膜３．ＡｌＮ保護膜２２．紫外線硬
化樹脂（ＵＶ樹脂）Ｎ４をこの順序で積層した。ここで
、基板１はポリカーボネートに限ることなく、従来公知
のＰＭＭＡ。
ポリオレフィン、エポキシ等のプラスチック材。
ガラス板、ｊｌ等の金属板等を使用できる。Ｇｅ−Ｔｅ
系薄膜３及びＡ桶護膜２１．２２はスパッタリング法に
より作製すう。ＵＶ樹脂はスピンナによりスピンコード
する。
系薄膜３及びＡ桶護膜２１．２２はスパッタリング法に
より作製すう。ＵＶ樹脂はスピンナによりスピンコード
する。
まず、真空槽内に基板１を入れ、高真空（〈１０−’Ｐ
ａ）に排気後、同一真空槽内で基板１にスパッタリング
法によりＡｌＮ保護膜２１．０ｅ−Ｔｅ系薄膜３．ＡＩ
！Ｎ保護１ｆＷ２２を連続で作製し、ここで真空を破壊
し、ＵＶ樹脂をスピンコードする。このＡ’Ｎ保護膜作
製は、Ａｒ＋Ｎ、雰囲気中、ＡｌＮターゲットを使用し
た反応性スパッタリング法により作製する。その時のＮ
２分率はＡＴに対しＴｏ、１〜０．４の範囲内である。
ａ）に排気後、同一真空槽内で基板１にスパッタリング
法によりＡｌＮ保護膜２１．０ｅ−Ｔｅ系薄膜３．ＡＩ
！Ｎ保護１ｆＷ２２を連続で作製し、ここで真空を破壊
し、ＵＶ樹脂をスピンコードする。このＡ’Ｎ保護膜作
製は、Ａｒ＋Ｎ、雰囲気中、ＡｌＮターゲットを使用し
た反応性スパッタリング法により作製する。その時のＮ
２分率はＡＴに対しＴｏ、１〜０．４の範囲内である。
この様に高真空（＜ ｌ Ｏ−’Ｐａ）に排気後、Ａｒ
＋Ｎｔ雰囲気中ＡｌＮターゲットの反応性スパッタリン
グにより、ＡｌＮＩＩＷを作製しているため膜中に酸素
原子を含まない。従って、酸化による劣化もない。
＋Ｎｔ雰囲気中ＡｌＮターゲットの反応性スパッタリン
グにより、ＡｌＮＩＩＷを作製しているため膜中に酸素
原子を含まない。従って、酸化による劣化もない。
本実施例によるディスク状光情報記録媒体にレーザビー
ムを照射し、回転数１８０Ｏｒｐｍで周波数ＩＭＨｚの
信号を記録し、その後ＪＩＳＣ５０２４Ｍ−１の温湿度
サイクル試験を行ったときのＣＮ比の変化を第２図ａ、
ビット誤り率の変化を第３図ａに示す。ｂは従来例であ
る。なお、本試験での１サイクルは通常の環境下では１
年に相当する。
ムを照射し、回転数１８０Ｏｒｐｍで周波数ＩＭＨｚの
信号を記録し、その後ＪＩＳＣ５０２４Ｍ−１の温湿度
サイクル試験を行ったときのＣＮ比の変化を第２図ａ、
ビット誤り率の変化を第３図ａに示す。ｂは従来例であ
る。なお、本試験での１サイクルは通常の環境下では１
年に相当する。
第２図、第３図からも明白なように、本実施例の様に、
Ｇｅ−Ｔｅ系材料の薄膜３をＡｆｆｉＮ保護１９２１．
２２で挾み、ＵＶ樹脂膜４を積層した円盤型光情報記録
媒体は、従来の様に、Ｇｅ−Ｔｅ系材料をＳ ｉｏ、Ｓ
ｊｏｔ 、Ｓ ｉｓ Ｎ４などの保護膜で挟み、樹脂
層を設ける構造のものに比べて、温湿度サイクル試験後
もＣＮ比、ビット誤り率の変化が小さいことを示してい
る。ＣＮ比が初期値（試験前の値）の３ｄＢ低下になる
時点また、ピント誤り率が初期値の３倍になる時点を媒
体寿命とすると、従来例の媒体寿命が３年であるのに比
べて、本実施例による光情報媒体では、媒体寿命が１０
年以上という長寿命になっていることがわかる。
Ｇｅ−Ｔｅ系材料の薄膜３をＡｆｆｉＮ保護１９２１．
２２で挾み、ＵＶ樹脂膜４を積層した円盤型光情報記録
媒体は、従来の様に、Ｇｅ−Ｔｅ系材料をＳ ｉｏ、Ｓ
ｊｏｔ 、Ｓ ｉｓ Ｎ４などの保護膜で挟み、樹脂
層を設ける構造のものに比べて、温湿度サイクル試験後
もＣＮ比、ビット誤り率の変化が小さいことを示してい
る。ＣＮ比が初期値（試験前の値）の３ｄＢ低下になる
時点また、ピント誤り率が初期値の３倍になる時点を媒
体寿命とすると、従来例の媒体寿命が３年であるのに比
べて、本実施例による光情報媒体では、媒体寿命が１０
年以上という長寿命になっていることがわかる。
この様に本発明による光情報記録媒体は、保護膜として
ＡｌＮ膜を使用しているため、記録膜のビット部の変形
は密着性の優れたＡｌＮ膜層で吸収されてクラックが生
じに（く、Ｇｅ−Ｔｅ系材料の酸化、腐食を防止する効
果が高い。したがって高温高湿下に放置されても記録材
料の変化がなく、長期間にわたって正確に、情報を記録
再生することができる。
ＡｌＮ膜を使用しているため、記録膜のビット部の変形
は密着性の優れたＡｌＮ膜層で吸収されてクラックが生
じに（く、Ｇｅ−Ｔｅ系材料の酸化、腐食を防止する効
果が高い。したがって高温高湿下に放置されても記録材
料の変化がなく、長期間にわたって正確に、情報を記録
再生することができる。
第１図は本発明による光情報記録媒体の断面図、第２図
は本発明による光情報記録媒体のＣＮ比の変化を示す線
図、第３図は同じくビット誤り率の変化を示す線図であ
る。 ｌ・・・基板 ２１．２２・・・保護膜 ３・・・Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜 特許出願人 日本コロムビア株式会社′＄１１
は本発明による光情報記録媒体のＣＮ比の変化を示す線
図、第３図は同じくビット誤り率の変化を示す線図であ
る。 ｌ・・・基板 ２１．２２・・・保護膜 ３・・・Ｇｅ−Ｔｅ系薄膜 特許出願人 日本コロムビア株式会社′＄１１
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成された記録薄膜へ光ビームを照射
し、情報を記録する光情報記録媒体におて、Ｇｅ−Ｔｅ
系記録薄膜を、ＡｌＮ保護膜ではさむ構造としたことを
特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126929A JPH01298544A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63126929A JPH01298544A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01298544A true JPH01298544A (ja) | 1989-12-01 |
Family
ID=14947395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63126929A Pending JPH01298544A (ja) | 1988-05-26 | 1988-05-26 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01298544A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134739A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS6262446A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録担体 |
-
1988
- 1988-05-26 JP JP63126929A patent/JPH01298544A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
| JPS6262446A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式記録担体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02134739A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
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