JPH01170016A - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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Publication number
JPH01170016A
JPH01170016A JP32889487A JP32889487A JPH01170016A JP H01170016 A JPH01170016 A JP H01170016A JP 32889487 A JP32889487 A JP 32889487A JP 32889487 A JP32889487 A JP 32889487A JP H01170016 A JPH01170016 A JP H01170016A
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JP
Japan
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heat treatment
wafer
furnace
wafer port
support member
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Pending
Application number
JP32889487A
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English (en)
Inventor
Masao Honma
本間 正男
Akikazu Kokubo
小久保 明和
Toshiro Inomata
猪俣 寿郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP32889487A priority Critical patent/JPH01170016A/ja
Publication of JPH01170016A publication Critical patent/JPH01170016A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はウェハポート支持部材を用いウェハをウェハポ
ートごと熱処理炉への搬入やその搬出を行う機構を有す
る熱処理装置に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、ウェハポート支持部材を用いウェハをウェハ
ポートごと熱処理炉への搬入やその搬出をけう熱処理装
置において、そのウェハポート支持部材のウェハポート
支持領域に非酸化性ガス供給手段を設けることにより、
外気あ巻き込みの防止等を実現するものである。
〔従来の技術〕
不純物拡散や酸化処理等が行われる熱処理炉では、通常
複数のウェハをウェハポートに載置し、そのウェハポー
トごと複数のウェハを炉内へ搬入し、或いは搬出するこ
とが行われている。
ところで、このようなLSI、CCDの製造ラインでの
熱処理作業を行う装置として、ウェハポート支持手段に
よって上記ウェハポートの搬入。
搬出を行う装置があり、その中でも、その搬入。
搬出時に生ずる塵(ダスト)等を防止するために、炉内
でウェハポートを下降させ或いは上昇させる機構(いわ
ゆるソフトランディング機構)を有する装置が用いられ
てきている。
第4図は従来の熱処理装置の一例を示しており、この熱
処理装置の構造について簡単に説明する。
まず、略円筒状の石英管よりなる熱処理炉41の炉口4
2にはキャップ43が設けられ、炉口42の反対側には
ガス流量計47を介してボンベ等からガスを炉内に流す
ためのガス流入口44が設けられている。また、この熱
処理炉41の周囲には加熱するためのヒーター45が設
けられ、また、熱処理炉41の周囲の一部には排気口4
6が設けられている。そして、そのような熱処理炉41
に対して搬入、搬出を行うために、複数のウェハ51を
その主面と主面の間を所定間隔あけながら並べて載置さ
せるウェハポート50が有り、このウェハポート50の
底部には、ウェハポート支持部材52の先端部53が係
合する機構にされている。
ウェハポート支持部材52は、上記熱処理炉41の軸方
向に移動可能であり、且つ上下動が可能である。
この熱処理装置の動作は、ウェハボー)50を炉外部で
ウェハポート支持部材52に載置させた後、ウェハポー
ト支持部材52が熱処理炉41に向かって移動する。次
に、各ウェハ51が十分に炉内部に搬入されたところで
、ウェハポート支持部材52が下方に移動して、ウェハ
ポート支持部材52が炉外に戻る。すると、ウェルボー
)50は炉内に残される。また、搬出の場合には、その
逆の動作が行われる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述のいわゆるソフトランディング機構を有した熱処理
装置では、そのダスト等の低減を図ることが可能となる
が、搬入時等における外気(空気)巻き込みが問題とな
り、これが素子特性の劣化につながっている。
すなわち、ウェハポート50を熱処理炉41へ搬入した
り搬出したりする場合には、炉口42より外気が持ち込
まれる。例えば、1000°Cでウェハ51をウェハポ
ート50ごと搬入、搬出した場合には、ウェハ51上に
約60上桟度の酸化膜が成長してしまう、このため酸化
を行った場合では酸化膜の膜厚がばらついたり、酸化膜
−シリコンの界面特性の劣化等の問題が生じ、特性の安
定化を図ることができないでいた。
このような技術的な課題に対して、本出願人は先に特願
昭62′j201896号明細書及び図面に記載したよ
うに、ウェハポート挿入取り出し部材に貫通孔を設け、
下から上へ不活性ガスを流す機構を備えた先行技術につ
いて提案している。
本発明は、その提案した先行技術についての改良にかか
る発明であって、熱処理装置における空気等の巻き込み
を防止して、安定した熱処理を実現することを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、ウェハポートが挿入される炉口を有する熱処
理炉と、上記ウェハポートを支持し上記熱処理炉に対す
る搬入及び搬出を行うウェハポート支持部材を有し、そ
のウェハポート支持部材は上記ウェハポート支持領域に
非酸化性ガス供給手段を有することを特徴とする熱処理
装置により上述の問題点を解決する。
〔作用〕
ウェハポート支持部材のウェハポート支持領域に、非酸
化性ガス供給手段を設けることにより、ウェハポート上
に載置している各ウェハの間の外気等を非酸化性ガスに
置き換えて行くことができる。
〔実施例] 本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
まず、本実施例の熱処理装置の構造について、第1図お
よび第2図を参照しながら説明する。
その主な構成は、熱処理炉1と、ウェハポート10と、
ウェハポート支持部材11とから構成され、さらに上記
ウェハポート支持部材11には、外気等の巻き込みを防
止するための非酸化性ガス供給手段としてのガス供給管
12が設けられている。
上記熱処理炉lは、ウェハ13を炉内部7にて酸化処理
、拡散処理、アニール等の各種熱処理を施すための炉で
あって、例えば石英管により構成される。この熱処理炉
lの一端には炉口2が設けられ、この炉口2よりウェハ
13がウェハポート10ごと搬入され或いは搬出される
。炉口2には、熱処理中に当該炉口2を塞ぐためのキャ
ップ6が取り付けられる。このキャップ6は、開閉自在
とされる。上記熱処理炉lの他端は、略先細り状とされ
てガス流入口3が設けられている。このガス流入口3よ
り、所要のガス流量計8を介して、ガスが炉内部7に流
入する。このガス流入口3より炉内部7に導入されるガ
スは、特に限定されるものではないが、ウェハポート1
0の搬入時と搬出時には、例えば窒素ガスを流すことが
できる。上記熱処理炉lの周囲は、例えば円筒状とされ
る。
この周囲には、加熱するためのヒーター5が設けられる
。また、熱処理炉1の炉口2の近くには、炉内部7のガ
スを流出させるための排気口4が設けられる。
上記ウェハポートlOは、複数のウェハ13を所定間隔
あけながら並んでi!i!するための部材である。これ
は例えば石英等を材料として構成される。また、その底
部には、上記ウェハポート支持部材11が係合し、その
保合によって当該ウェハポート10は上記熱処理炉1の
炉内部7まで搬入され、或いは熱処理炉1から搬出され
る。なお、非酸化性ガスを良く通すために貫通孔を設け
ても良い。
上記ウェハポート支持部材11は、上記ウェハボー)1
0をウェハポート支持領域14に載置して、その搬入、
R出を行うためのフォークである。
ウェハポート支持部材11の材料は、例えば石英である
。このウェハポート支持部材11は、中空状の構造物で
あり、その基端側18の開口は塞がれたものとなる。な
お、その中空の途中に仕切りを入れるような構造として
も良い、上記ウェハポート支持部材11は、熱処理炉1
例の先端側がウェハポート支持領域14とされ、上記ウ
ェハポートIOの底部に係合し易いように先端側が薄く
されている。このウェハポート支持部材11の基端18
側は、構造的に厚くされ搬入、搬出の動作を容易に行う
強度を有している。
そして、このウェハポート支持部材11には、上記ウェ
ハポート支持領域14に非酸化性ガス供給手段としての
ガス供給管12が設けられている。
ガス供給管12は、例えば窒素等の非酸化性ガスや不活
性ガスを供給するための管であって、複数の孔が設けら
れる。この孔の位置は、ウェハポート10が係合される
位置に対応すなわち各ウェハ13の位置に対応する。そ
して、上記ウェハポート支持部材11にも、その孔に対
応してガス孔が設けられる。このガス供給管12は、上
記ウェハポート支持部材11の先端側から基端側へ上記
熱処理炉1の軸方向に沿って延在されており、ウェハポ
ート支持部材11の基端18から取り出され、バルブ1
6を介して窒素ガスのボンベに接続する。
次に、第1図及び第2図を参照しながら、ウェハポート
10の搬入時の動作について説明すると、初めに第1図
に示すように、熱処理炉lでは、キャップ6が炉口2を
塞ぎ、炉内部7にはガス流入口3からの窒素ガスが流入
しているものとする。
一方、ウェハポート支持部材ll上には、ウェハポート
10が1fflFされており、そのウェハポートには、
複数のウェハI3がセットされている。
そして、この状態から搬入を開始するが、本実施例の熱
処理装置では、上記ウェハポート支持部材11のウェハ
ポート支持領域14に取り付けられたガス供給管12か
ら非酸化性ガスとしての窒素ガスが流れ出る。このため
各つ二ハ13の間のところでは搬入時に窒素ガスが外気
を追い出すことになる。まず、上記キャップ6が別れて
、炉口2が開く、そして、上記ウェハポート支持部材l
lが熱処理炉lに向かって動いて行く。このとき、上記
ガス供給管12からは窒素ガスが流出し続け、外気の巻
き込みが防止される。
ウェハポートlOが炉内部7の所定の位置まで搬入され
た後、上記ウェハポート支持部材11が少し下降し、ウ
ェハポートlOとウェハポート支持部材11との保合状
態が解除される。このためウェハポートlOは炉内部7
に残され、第2図に示すように、ウェハポート支持部材
11が元の位置まで後退して、搬入動作を終了する。
このような搬入動作時には、流す窒素ガスの流量を通常
よりも多くすることができる。すなわち、ガスの流量を
増加させることによって、外気等の流入を抑えることが
できる。
また、本実施例の熱処理装置において、搬出を行う場合
には、上述の搬入の動作と逆の動作を行うように操作す
れば良い、このときもガスの流量を増加させることがで
きる。
次に、第3図を参照しながら、従来の熱処理装置(第4
図参照)と本実施例の熱処理装置のそれぞれ酸化膜の変
化について比較を行った実験について説明する。
実験は、約1000℃にて、ウェハ13をウェハポート
10に載置し、上述の如き搬入と搬出を行ったものであ
り、ボート炉口側、ボート中央およびボート炉奥側の三
箇所で、酸化膜の膜厚の増加量を調べている。
第3図中、Q印は従来の熱処理装置の例であり、・印は
ウェハポート支持部材11に取り付けられたガス供給管
12からはガスを流さず且つ熱処理炉1のガス流入口3
からのガス流入量を3倍にした例である。また、目印は
ウェハポート支持部材11に取り付けられたガス供給管
12から窒素ガスを流し且つ熱処理炉lのガス流入口3
からのガス流入量は通常のままとした例である。また、
Δ印は上記ガス供給管12から窒素ガスを流し且つ熱処
理炉lのガス流入口3からのガス流入量を3倍にした例
である。
その結果を従来の熱処理装置(図中O印)と比較してみ
ると、第3図からも明らかなように、まず、熱処理炉l
のガス流入口3からのガス流入量を3倍(図中・印)に
することで外気の巻き込み量を低下させ、およそ酸化膜
の膜厚の増加を半分はどにすることができる。また、ウ
ェハポート支持部材11のガス供給管12から窒素ガス
を流す(図中目印)ことにより、外気の巻き込み量を低
下させ、単にガス流入口3からのガス流入量を3倍にす
るよりも更に酸化膜の膜厚の増加を抑えることができる
。そして、図中Δ印で示し破線で結ぶように、ガス流入
口3からのガス流入量を3倍にし且つウェハポート支持
部材11のガス供給管12から窒素ガスを流すことによ
り、全体での酸化膜の増加を10人以内に抑えることが
できる。
炉奥側で約30人であったものがおよそ3分の1になっ
たことになる。従って、従来と比べて十分に外気の巻き
込みが抑えられていることが判る。
また、特に破線で示すように、ボート炉口側、ボート中
央およびボート炉奥側の三箇所でその酸化膜はいずれも
lO人程度のデータを示している。
これは、ウェハボー)10のどの部分にウェハ13をセ
ットしてもそれ程膜厚の差がでないことを示しており、
従って、本実施例の熱処理装置をプロセスラインで使用
することで、製造上のばらつきは抑えられ、歩留り向上
を図ることができる。
〔発明の効果〕
本発明の熱処理装置は、そのウェハポート支持部材に非
酸化性ガス供給手段を設けているために、搬入時や搬出
時における外気の巻き込みが防止される。このため、酸
化膜の膜厚の増加等の抑制することができ、歩留りの向
上を図ることができ、特性劣化を防止することができる
。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の熱処理装置の一例にかかりウェハポー
トの搬入前の状態を模式的に示す断面図、第2図は本発
明の熱処理装置の一例にかかりウェハポートの搬入後の
状態を模式的に示す断面図、第3図は本発明の熱処理装
置と従来の熱処理装置を比較した実験の結果を示す特性
図、第4図は従来の熱処理装置の一例を模式的に示す断
面図である。 1・・・熱処理炉 2・・・炉口 3・・・ガス流入口 5・・・ヒーター lO・・・ウェハポート 11・・・ウェハポート支持部材 12・・・ガス供給管 13・・・ウェハ 特許出願人   ソニー株式会社 代理人弁理士 小泡 晃(他2名) 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ウェハポートが挿入される炉口を有する熱処理炉と、
    上記ウェハポートを支持し上記熱処理炉に対する搬入及
    び搬出を行うウェハポート支持部材を有し、そのウェハ
    ポート支持部材は上記ウェハポート支持領域に非酸化性
    ガス供給手段を有することを特徴とする熱処理装置。
JP32889487A 1987-12-25 1987-12-25 熱処理装置 Pending JPH01170016A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32889487A JPH01170016A (ja) 1987-12-25 1987-12-25 熱処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32889487A JPH01170016A (ja) 1987-12-25 1987-12-25 熱処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01170016A true JPH01170016A (ja) 1989-07-05

Family

ID=18215282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32889487A Pending JPH01170016A (ja) 1987-12-25 1987-12-25 熱処理装置

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JP (1) JPH01170016A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011014645A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Covalent Materials Corp シリコンウエハの熱処理方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61182218A (ja) * 1985-02-08 1986-08-14 Hitachi Hokkai Semiconductor Kk ウエハ処理方法および処理装置

Patent Citations (1)

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