JPH01321638A - 熱処理管 - Google Patents
熱処理管Info
- Publication number
- JPH01321638A JPH01321638A JP63155859A JP15585988A JPH01321638A JP H01321638 A JPH01321638 A JP H01321638A JP 63155859 A JP63155859 A JP 63155859A JP 15585988 A JP15585988 A JP 15585988A JP H01321638 A JPH01321638 A JP H01321638A
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- Japan
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- tube
- shutter
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は管体一端のエンドキャップ側から挿入される支
持部材で支持された半導体ウェハ等の被熱処理物を、管
体の他端側から管体内へキャリヤガスを導入しながら熱
処理する熱処理管に関するものである。
持部材で支持された半導体ウェハ等の被熱処理物を、管
体の他端側から管体内へキャリヤガスを導入しながら熱
処理する熱処理管に関するものである。
この種の熱処理管としては例えば半導体ウェハをメタラ
イズする熱処理管が知られており、第3図は従来におけ
るこの種熱処理管の斜視図、第4図は同じく縦断面図で
ある。図において、有底円筒状に形成された石英ガラス
管lの一端である底面には、尾管1aが一体形成されて
おり、この尾管1aからは、Ntガス2が管内へ導入さ
れている。
イズする熱処理管が知られており、第3図は従来におけ
るこの種熱処理管の斜視図、第4図は同じく縦断面図で
ある。図において、有底円筒状に形成された石英ガラス
管lの一端である底面には、尾管1aが一体形成されて
おり、この尾管1aからは、Ntガス2が管内へ導入さ
れている。
3は有底円筒状に形成されたエンドキャップであって、
石英ガス管lの開口端部に密接して着脱自在に被冠され
ており、石英ガラス管lを外気から遮断しているととも
に、管内の熱放散を抑制する役目をしている。石英ガラ
ス管lの内部には、ボート4がi3i置されており、こ
のボート4上には、複数個の半導体ウェハ5(以下ウェ
ハ5という)が支持されている。エンドキャップ3の端
面には小判形の挿入孔3aが穿設されており、この挿入
孔3aには、図示しないローディングマシーン側に一端
を固定されたロッド6が進退自在に挿入されている。そ
して、ロンドロの先端鉤状部は、ボ−ト4に掛けられて
おり、ローディングマシーンでロッド6を進退させるこ
とにより、ウェハ5がポート4とともに進退するように
構成されている。
石英ガス管lの開口端部に密接して着脱自在に被冠され
ており、石英ガラス管lを外気から遮断しているととも
に、管内の熱放散を抑制する役目をしている。石英ガラ
ス管lの内部には、ボート4がi3i置されており、こ
のボート4上には、複数個の半導体ウェハ5(以下ウェ
ハ5という)が支持されている。エンドキャップ3の端
面には小判形の挿入孔3aが穿設されており、この挿入
孔3aには、図示しないローディングマシーン側に一端
を固定されたロッド6が進退自在に挿入されている。そ
して、ロンドロの先端鉤状部は、ボ−ト4に掛けられて
おり、ローディングマシーンでロッド6を進退させるこ
とにより、ウェハ5がポート4とともに進退するように
構成されている。
以上のように構成された熱処理管の動作を説明する。例
えばシリコンウェハ5にアルミニウムを1〜2μm厚み
だけ蒸着して石英ガラス管1内に@置し、石英ガラス管
1を通常400〜500°Cの温度で加熱することによ
り熱処理を行うが、この場合、蒸着されたアルミニウム
膜が過大に酸化されないように、例えば石英ガラス管の
内径が100〜150圓の場合、5〜152毎分程度の
NZガス2を尾管1aから石英ガラス管1内に導入して
外気が管内へ侵入しないようにする。このようにして加
熱とN2ガスの導入とを行いながらローディングマシー
ンを作動させると、石英ガラス管1の入口部にあるボー
ト4上のウェハ5が、ロッド6の前進により所定昇温領
域まで押し込まれて熱処理される。熱処理後はローディ
ングマシンでロッド6を後退させてウェハ5を石英ガラ
ス管1の入口部へ移動させたのち、エンドキャンプ3を
外してウェハ5を取り出す。
えばシリコンウェハ5にアルミニウムを1〜2μm厚み
だけ蒸着して石英ガラス管1内に@置し、石英ガラス管
1を通常400〜500°Cの温度で加熱することによ
り熱処理を行うが、この場合、蒸着されたアルミニウム
膜が過大に酸化されないように、例えば石英ガラス管の
内径が100〜150圓の場合、5〜152毎分程度の
NZガス2を尾管1aから石英ガラス管1内に導入して
外気が管内へ侵入しないようにする。このようにして加
熱とN2ガスの導入とを行いながらローディングマシー
ンを作動させると、石英ガラス管1の入口部にあるボー
ト4上のウェハ5が、ロッド6の前進により所定昇温領
域まで押し込まれて熱処理される。熱処理後はローディ
ングマシンでロッド6を後退させてウェハ5を石英ガラ
ス管1の入口部へ移動させたのち、エンドキャンプ3を
外してウェハ5を取り出す。
しかしながら、このような従来の熱処理管においては、
石英ガラス管1内でのウェハ5の進退時に外気が管内へ
呼び込まれてアルミニウム蒸着面が酸化し易いという問
題があった。すなわち、半導体工業の生産性を向上させ
ようとしてウェハ5の口径を大きくしたり、経済的見地
から石英ガラス管1の小径化やウェハ5の数を増やして
並列密度を高くしたりすると、ウェハ5をポート4とと
もに押し込むときには、ウェハ群5の後端部とエンドキ
ャップ3との間のN2ガス圧が負圧に近くなるので、図
に矢印7で示すように挿入孔3aから外気が呼び込まれ
てN2ガスと充分に置換されぬま一ウェハ5の方向へ向
い、ウェハ5のアルミニウム蒸着面が過大に酸化してし
まうという問題があった。またウェハ5をポート4とと
もに反対方向へ引き出すときにも、尾管1a側のN2ガ
ス圧が負圧に近くなるので、N2ガスが一時的に逆流し
て同じくウェハ5が酸化するという問題があった。そし
てウェハ5が酸化してアルミニウムが劣化すると、電気
抵抗率やオーム接触特性が悪化してこの上に接続される
ワイヤボンディングの付着強度を低下させることになり
、全体として半導体デバイスの特性を低下させることに
なる。なお、ローディングマシーンの位置のばらつきや
、ポート4の寸法誤差、石英ガラス管1との平行度誤差
等により、ロッド6が図に点線で示すように進退時に振
れることが多く、このために挿入孔3aを太き目にする
ことになり、前記のような外気の呼び込みがさらに多く
なる傾向があった。
石英ガラス管1内でのウェハ5の進退時に外気が管内へ
呼び込まれてアルミニウム蒸着面が酸化し易いという問
題があった。すなわち、半導体工業の生産性を向上させ
ようとしてウェハ5の口径を大きくしたり、経済的見地
から石英ガラス管1の小径化やウェハ5の数を増やして
並列密度を高くしたりすると、ウェハ5をポート4とと
もに押し込むときには、ウェハ群5の後端部とエンドキ
ャップ3との間のN2ガス圧が負圧に近くなるので、図
に矢印7で示すように挿入孔3aから外気が呼び込まれ
てN2ガスと充分に置換されぬま一ウェハ5の方向へ向
い、ウェハ5のアルミニウム蒸着面が過大に酸化してし
まうという問題があった。またウェハ5をポート4とと
もに反対方向へ引き出すときにも、尾管1a側のN2ガ
ス圧が負圧に近くなるので、N2ガスが一時的に逆流し
て同じくウェハ5が酸化するという問題があった。そし
てウェハ5が酸化してアルミニウムが劣化すると、電気
抵抗率やオーム接触特性が悪化してこの上に接続される
ワイヤボンディングの付着強度を低下させることになり
、全体として半導体デバイスの特性を低下させることに
なる。なお、ローディングマシーンの位置のばらつきや
、ポート4の寸法誤差、石英ガラス管1との平行度誤差
等により、ロッド6が図に点線で示すように進退時に振
れることが多く、このために挿入孔3aを太き目にする
ことになり、前記のような外気の呼び込みがさらに多く
なる傾向があった。
また、上記負圧の発生を避けようとしてポート4の進退
速度を遅くすると、例えばN型半導体の場合には、熱処
理後に急冷が行われないために再結晶粒の分散性が悪く
なり、またCVD酸化膜の形成後における焼成過程に対
しても悪影響を及ぼすという問題がある。
速度を遅くすると、例えばN型半導体の場合には、熱処
理後に急冷が行われないために再結晶粒の分散性が悪く
なり、またCVD酸化膜の形成後における焼成過程に対
しても悪影響を及ぼすという問題がある。
本発明は以上のような点に漏みなされたもので、箭単な
構造により被熱処理物進退用ロッドの動作を妨げること
なく管内への外気の侵入を防止することを可能にした熱
処理管を提供することを目的としている。
構造により被熱処理物進退用ロッドの動作を妨げること
なく管内への外気の侵入を防止することを可能にした熱
処理管を提供することを目的としている。
このような目的を達成するために本発明では、熱処理管
のエンドキャップに設けられる被熱処理物支持部材用の
挿入孔をこの支持部材よりもかなり大きく形成してこの
挿入孔を覆う移動自在なシャッタを設け、このシャッタ
に、前記支持部材よりもわずかに大きい支持部材挿入孔
を穿設した。
のエンドキャップに設けられる被熱処理物支持部材用の
挿入孔をこの支持部材よりもかなり大きく形成してこの
挿入孔を覆う移動自在なシャッタを設け、このシャッタ
に、前記支持部材よりもわずかに大きい支持部材挿入孔
を穿設した。
加熱とキャリヤガスの導入とを行いながら支持部材を前
進させると、被熱処理物が所定温度領域まで移動し熱処
理される。熱処理後は支持部材を後退させ、エンドキャ
ップを外して被熱処理物を取り出す。支持部材の進退に
際しては、シャッタの支持部材挿入孔が、支持部材が通
過するのに必要なだけの大きさに形成されているので、
熱処理管内のキャリヤガス圧力に打ち勝って外気がこの
孔から侵入する機会がきわめて少なく抑えられる。
進させると、被熱処理物が所定温度領域まで移動し熱処
理される。熱処理後は支持部材を後退させ、エンドキャ
ップを外して被熱処理物を取り出す。支持部材の進退に
際しては、シャッタの支持部材挿入孔が、支持部材が通
過するのに必要なだけの大きさに形成されているので、
熱処理管内のキャリヤガス圧力に打ち勝って外気がこの
孔から侵入する機会がきわめて少なく抑えられる。
また、支持部材の振れや位置誤差等は、シャツタの移動
によって吸収され、支持部材の動きを妨げない。さらに
、エンドキャップの支持部材挿入孔も支持部材の動きの
変化に対して充分な大きさを持っているので、同しく支
持部材の動きを妨げケい。
によって吸収され、支持部材の動きを妨げない。さらに
、エンドキャップの支持部材挿入孔も支持部材の動きの
変化に対して充分な大きさを持っているので、同しく支
持部材の動きを妨げケい。
第1図および第2図は本発明に係る熱処理管の実施例を
示し、第1図はその斜視図、第2図は同じく継断面図で
ある。本実施例は本発明を半導体ウェハをメタライズす
る熱処理管に適用した例を示し、第3図および第4図に
示す従来の熱処理管と同構成の部材にはこれと同符号を
付してその詳しい説明を省略する。石英ガラス管Iの一
端開口部1bには、有底円筒状に形成されたエンドキャ
ップ20が着脱自在に被冠されており、その端面には、
ロンドロよりもかなり大きく形成されてロッド6を進退
自在に係合させる小判形の挿入孔20aが設けられてい
る。またこの挿入孔20aの両側には、断面N字状に形
成された一対のガイド21.22がエンドキャップ20
の端面に固定されており、挿入7L20aを覆う長方形
状のシャッタ23は、これらのガイド21,22に上下
動自在に支持されている。このシャッタ23の中央部に
は、ロッド6よりもわずかに大きくてロッド6を進退自
在に係合させる小判形の挿入孔23aが穿設されている
。そして、シャッタ23の上端部には、折曲げ部23b
が形成されており、これがガイド21,22に当接する
ことによりシャッタ23の脱落が防止されるように構成
されている。
示し、第1図はその斜視図、第2図は同じく継断面図で
ある。本実施例は本発明を半導体ウェハをメタライズす
る熱処理管に適用した例を示し、第3図および第4図に
示す従来の熱処理管と同構成の部材にはこれと同符号を
付してその詳しい説明を省略する。石英ガラス管Iの一
端開口部1bには、有底円筒状に形成されたエンドキャ
ップ20が着脱自在に被冠されており、その端面には、
ロンドロよりもかなり大きく形成されてロッド6を進退
自在に係合させる小判形の挿入孔20aが設けられてい
る。またこの挿入孔20aの両側には、断面N字状に形
成された一対のガイド21.22がエンドキャップ20
の端面に固定されており、挿入7L20aを覆う長方形
状のシャッタ23は、これらのガイド21,22に上下
動自在に支持されている。このシャッタ23の中央部に
は、ロッド6よりもわずかに大きくてロッド6を進退自
在に係合させる小判形の挿入孔23aが穿設されている
。そして、シャッタ23の上端部には、折曲げ部23b
が形成されており、これがガイド21,22に当接する
ことによりシャッタ23の脱落が防止されるように構成
されている。
また、折曲げ部23bはシャッタ23の開閉に際しての
指掛は用としても役立つように構成されている。
指掛は用としても役立つように構成されている。
以上のように構成された熱処理管の動作を説明する。ま
ず石英ガラス管1の内部へN2ガス2を尾管1aから適
量導入し、この石英ガラス管1を400〜500°Cに
加熱して昇温したのち、アルミニウム蒸着された複数個
のウェハ5をボート4上に載置し、エンドキャップ20
を外した石英ガラス管1の開口部tb近傍に置く。次い
でエンドキャップ20を被せたのち、ロッド6を挿入孔
2Oa、23aに挿入してその鉤状部をボート4に引っ
掛けるとともに、ロッド6の他端をローディングマシー
ンに装着する。こうしたのちローディングマシーンを作
動させると、ロフト6が前進してこれに引っ掛けられた
ボート4が、石英ガラス管1内の所定界a領域まで所定
の速度で押し込められる。この場合、ウェハ5のエンド
キャップ20側は負圧に近くなるように減圧されるが、
シャッタ23の挿入孔23aとロッド6とのすき間が小
さいので、外気がこのすき間から侵入するよりも、導入
されるNZガスの廻り込みの方が抵抗が少なく、外気が
侵入することがない。
ず石英ガラス管1の内部へN2ガス2を尾管1aから適
量導入し、この石英ガラス管1を400〜500°Cに
加熱して昇温したのち、アルミニウム蒸着された複数個
のウェハ5をボート4上に載置し、エンドキャップ20
を外した石英ガラス管1の開口部tb近傍に置く。次い
でエンドキャップ20を被せたのち、ロッド6を挿入孔
2Oa、23aに挿入してその鉤状部をボート4に引っ
掛けるとともに、ロッド6の他端をローディングマシー
ンに装着する。こうしたのちローディングマシーンを作
動させると、ロフト6が前進してこれに引っ掛けられた
ボート4が、石英ガラス管1内の所定界a領域まで所定
の速度で押し込められる。この場合、ウェハ5のエンド
キャップ20側は負圧に近くなるように減圧されるが、
シャッタ23の挿入孔23aとロッド6とのすき間が小
さいので、外気がこのすき間から侵入するよりも、導入
されるNZガスの廻り込みの方が抵抗が少なく、外気が
侵入することがない。
所定時間熱処理したのち、ローディングマシーンを作動
させてロッド6を後退させると、ボート4が引き出され
るが、このとき引き出し速度を速くすると、ウェハ5の
尾管1a側が負圧に近(なるまで減圧される。このとき
も上記と同様に、シャッタ23の挿入孔23aから外気
が侵入するよりも、石英ガラス管l内でのN2ガス2の
廻り込みの方が抵抗が少ないので、外気が侵入すること
がない。
させてロッド6を後退させると、ボート4が引き出され
るが、このとき引き出し速度を速くすると、ウェハ5の
尾管1a側が負圧に近(なるまで減圧される。このとき
も上記と同様に、シャッタ23の挿入孔23aから外気
が侵入するよりも、石英ガラス管l内でのN2ガス2の
廻り込みの方が抵抗が少ないので、外気が侵入すること
がない。
また、ロッド6の進退に際しては、ローディングマシー
ンの位置のばらつきやボート4の位置誤差等によりロッ
ド6が振れることがあるが、この振れはシャッタ23の
上下動によって吸収されるので、ロッド6の運動を妨げ
ることがない。
ンの位置のばらつきやボート4の位置誤差等によりロッ
ド6が振れることがあるが、この振れはシャッタ23の
上下動によって吸収されるので、ロッド6の運動を妨げ
ることがない。
このあと、ウェハ5は石英ガス管1の開口部lb付近で
充分に冷却されたのち、ロッド6とエンドキャップ20
を外すことにより回収される。
充分に冷却されたのち、ロッド6とエンドキャップ20
を外すことにより回収される。
エンドキャンプは構成が単純であるからこれを構成する
材料としては、耐熱性のものであれば特に限定するもの
ではなく、メタライズのシンタリング用であればステン
レス鋼が適しており、また不純物の熱拡散や熱酸化膜の
形成用であれば、石英ガラスや、S i C,多結晶シ
リコン、セラミックス等が適している。
材料としては、耐熱性のものであれば特に限定するもの
ではなく、メタライズのシンタリング用であればステン
レス鋼が適しており、また不純物の熱拡散や熱酸化膜の
形成用であれば、石英ガラスや、S i C,多結晶シ
リコン、セラミックス等が適している。
本実施例ではシャンク23の上端部に折曲げ部23bが
形成されているので、ロッド6を抜いてもシャッタ23
がガイド21,22で止まるので脱落することがないし
、また、シャッタ23を開閉するときに指を掛けられる
ので、操作性が良好である。
形成されているので、ロッド6を抜いてもシャッタ23
がガイド21,22で止まるので脱落することがないし
、また、シャッタ23を開閉するときに指を掛けられる
ので、操作性が良好である。
なお、本実施例では、本発明をアルミニウムのメタライ
ズシンタリング用に通用した例を示したが、これに限定
するものではなく、半導体ウェアへの不純物の熱拡散や
熱酸化およびその前後の熱処理においても、同様の熱処
理過程を経るために適用が可能である。また、半導体に
限らず、−gに雰囲気炉であって熱処理を外気を侵入さ
せることなくワークを自動的に移動させる場合に広範囲
に使えることは言うまでもない。
ズシンタリング用に通用した例を示したが、これに限定
するものではなく、半導体ウェアへの不純物の熱拡散や
熱酸化およびその前後の熱処理においても、同様の熱処
理過程を経るために適用が可能である。また、半導体に
限らず、−gに雰囲気炉であって熱処理を外気を侵入さ
せることなくワークを自動的に移動させる場合に広範囲
に使えることは言うまでもない。
〔発明の効果]
以上の説明により明らかなように本発明によれば熱処理
管のエンドキャップに設けられる被熱処理物支持部材用
の挿入孔をこの支持部材よりもかなり大きく形成してこ
の挿入孔を覆う移動自在なシャッタを設け、このシャッ
タに、前記支持部材よりもわずかに大きい支持部材挿入
孔を穿設するという簡単な構造により、熱処理中に管内
へ外気が侵入せず、被熱処理物の品質が向上するととも
に、支持部材の振れをシャッタの移動で吸収することが
できるので、支持部材の運動を妨げることがなく、装置
の加工や組付けが容易になる。
管のエンドキャップに設けられる被熱処理物支持部材用
の挿入孔をこの支持部材よりもかなり大きく形成してこ
の挿入孔を覆う移動自在なシャッタを設け、このシャッ
タに、前記支持部材よりもわずかに大きい支持部材挿入
孔を穿設するという簡単な構造により、熱処理中に管内
へ外気が侵入せず、被熱処理物の品質が向上するととも
に、支持部材の振れをシャッタの移動で吸収することが
できるので、支持部材の運動を妨げることがなく、装置
の加工や組付けが容易になる。
第1図および第2図は本発明に係る熱処理管の実施例を
示し、第1図はその斜視図、第2図は同じく縦断面図、
第3図および第4図は従来の熱処理管を示し、第3図は
その斜視図、第4図は同じく縦断面図である。 ■・・・・石英ガラス管、1a・・・・尾管、2・・
・ ・N2ガス、4・・・・ボート、5・ ・・・半導
体ウェハ、6・・・・ロンド、20・・・・エンドキャ
ップ、20a・・・・挿入孔、21゜22・・・・ガイ
ド、23・・・・シャッタ、23a・・・・挿入孔。
示し、第1図はその斜視図、第2図は同じく縦断面図、
第3図および第4図は従来の熱処理管を示し、第3図は
その斜視図、第4図は同じく縦断面図である。 ■・・・・石英ガラス管、1a・・・・尾管、2・・
・ ・N2ガス、4・・・・ボート、5・ ・・・半導
体ウェハ、6・・・・ロンド、20・・・・エンドキャ
ップ、20a・・・・挿入孔、21゜22・・・・ガイ
ド、23・・・・シャッタ、23a・・・・挿入孔。
Claims (1)
- 管体の一端に設けたエンドキャップの挿入孔から管体
内へ進退自在に挿入される支持部材で支持された被熱処
理物を、管体の他端側からキャリヤガスを導入しながら
熱処理する熱処理管において、前記支持部材用の挿入孔
をこの支持部材よりもかなり大きく形成してこの挿入孔
を覆う移動自在なシャッタを設け、このシャッタに、前
記支持部材よりもわずかに大きい支持部材挿入孔を穿設
したことを特徴とする熱処理管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63155859A JPH01321638A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 熱処理管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63155859A JPH01321638A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 熱処理管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01321638A true JPH01321638A (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=15615065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63155859A Pending JPH01321638A (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 熱処理管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01321638A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463124U (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-29 | ||
| DE4407377A1 (de) * | 1994-03-05 | 1995-09-07 | Ast Elektronik Gmbh | Modifizierte Reaktorkammer und verbessertes Spülverfahren für Schnellheizsysteme |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63155859A patent/JPH01321638A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0463124U (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-29 | ||
| DE4407377A1 (de) * | 1994-03-05 | 1995-09-07 | Ast Elektronik Gmbh | Modifizierte Reaktorkammer und verbessertes Spülverfahren für Schnellheizsysteme |
| US5580830A (en) * | 1994-03-05 | 1996-12-03 | Ast Elekronik | Modified reaction chamber and improved gas flushing method in rapid thermal processing apparatus |
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