JPH01173452A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気記録媒体に関し、詳しくは基板上に光
磁気記録磁性膜と共に積層する被覆膜に関するものであ
る。

（従来の技術） 近年、情報社会の進展に伴なう情報量の増大、情報処理
の高速化への対応が必要になって、コンパクトディスク
、ビデオディスクに代表される大容量の光ディスクが現
在一般に実用化されるようになったが、これらの光ディ
スクは、ユーザが読出しだけを行なうことができるもの
であるか、または穴をあけたりバブルを形成するような
方式でユーザが一度記録することができるものの、書き
換えは行なうことができないＷＯＲＭ　（Ｗｒｉｔｅ　
０ｎｃｅＲｅａｄ　Ｍａｎｙ）型のものであるため、そ
の用途は限定されているのが実状である。

そこで随時読み出し随時書き込みのできる光ディスクが
注目されている。この随時書き込み（書き換え自在）式
の光ディスクとして従来知られるものに、相変化型、フ
ォトクロミック。

光磁気型等のものがある。

しかしこれらの各方式の光ディスクも未だ欠点を有する
のが実状である。

例えば相変化型では非晶質状態での不安定性、繰返し耐
性の不足等の問題があり、フォトクロミックでは暗反応
の進行、読み出しによる情報の劣化等の問題がある。こ
れに対し光磁気型の光ディスクは磁気的な記録を行なう
ものであることから、書き込み速度、繰返し耐性に優れ
ている特徴がある。

ところでこの光磁気型の光ディスクの光磁気記録磁性膜
（以下この膜を単に磁性膜という）には、例えば希土類
−遷移金属合金薄膜（以下ＲＥ−ＴＭ膜という）あるい
はＭｎＢ１系薄膜を用いたもの等が従来提案されている
が、　　これらの薄膜は磁気光学効果が小さく、耐食性
に劣るという問題がある。例えばＲＥ−７Ｍ膜でカー回
転角は０，３゛程度、耐食性については孔食が発生する
、酸化層の進行、Ｔｂの選択酸化という問題のあること
が知られている。

これらの問題はより優れた光磁気記録媒体を構成するた
めに解決しなければならない問題であり、このために例
えばカー回転角が小さい。

耐食性に劣るなどの問題の対応策として、保護膜で磁性
膜をサンドイッチする改良が従来提案がされている。

上記保護膜は、酸素、水分などを遮蔽して耐食性を向上
させ、カー回転角に対しては基板とＲＥ−７Ｍ膜の間に
高屈折率の誘電体を挾むことにより見掛けのカー回転角
増大（カー効果エンハンスメント）の作用をなすもので
ある （Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉ
ｃｓ　Ｖｏｌ、４５　、　Ｎｏ８゜Ａｕｇｕｓｔ　１９
７４　：３６４３〜３６４８）。

カー効果エンハンスメントと磁性膜保護の二つの作用を
もつ上記提案に係る保＋ｉｔ膜として従来提案されてい
るものには、例えばＳｉＮ膜、ＳｉＯ膜、＾ｊ２Ｎ膜、
ＺｎＳ膜などがある（日本応用磁気学会誌、　Ｖｏｌ、
９．Ｎｏ２，１９８５　：　９７〜１００）。

（発明が解決しようとする問題点） しかし上記のような保護膜を磁性膜とともに積層した光
磁気記録媒体にも次のような欠点が指摘される。

例えばＳｉＮ膜を保護膜とした光磁気記録媒体は、Ｓｉ
Ｎ膜の密着性が悪く基板から剥離するという問題がある
。

ＳｉＯ膜を保護膜とした光磁気記録媒体は、膜形成方法
によって屈折率が変化する（スパッタ、電子線蒸着では
大きな屈折率は得られない）。

ＡＪ２Ｎ膜、ＺｎＳ膜を保護膜とした光磁気記録媒体は
、両者ともＡＪＺＮ膜、ＺｎＳ膜の水分に対する安定性
に欠けるという問題がある。

したがって、これらの問題を解決した優れた保護膜は未
だ得られていないのが現状である。

（問題点を解決するための手段） 本発明は光磁気記録媒体の構成につき種々検討し、カー
効果エンハンスメント及び／又は磁性膜を腐食等から保
護する保護機能を備えた優れた被覆膜を積層した光磁気
記録媒体の提供を目的としてなされたものである。

而して、かかる目的の実現のためになされた本発明より
なる光磁気記録媒体の特徴は、基板の上に、磁性膜と共
にその表裏面に磁性膜保護及び／又はカー効果エンハン
スメントのための被覆膜を積層することにより構成され
る光磁気記録媒体であって、上記被覆膜の少なくとも一
方を、Ｓ　ｉ、ＣおよびＮを構成元素として形成させた
ところにある。

本発明の光磁気記録媒体における磁性膜は、上記したＲ
Ｅ−７Ｍ膜である場合の他、ＭｎＢｊ系材料導材料磁気
光学効果エンハンスメントの目的で光磁気記録材料とし
て磁性膜を形成させたものであってもよい。ＲＥ−７Ｍ
膜としてはＴｂＦｅＣｏ系の膜、他の希土類−遷移金属
合金非晶質薄膜である例えばＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、
ＮｄＤｙＦｅ（：ｏなどを例示することができる。

基板には、ポリカーボネート、ガラス、エポキシ樹脂、
ポリメチルメタアクリレートなどの透明な基板を使用す
ることができる。

本発明において上記Ｓｉ、ＣおよびＮにより形成される
被覆膜は、カー効果エンハンスメントと磁性膜を腐食等
から保護する保護機能の少なくとも一方の効果を得る目
的のためには、磁性膜と基板との間に介挿され、また磁
性膜を腐食等から保護する目的のために磁性膜背面に被
覆される。例えば磁性膜が上記ＲＥ−ＴＭ膜あるいはＭ
ｎＢ１系膜である場合には磁性膜と基板との間に介挿さ
れたＳｉ、ＣおよびＮにより形成される被覆膜は、上記
の二つの効果を各々満足する。なお上記Ｓｉ、Ｃおよび
Ｎにより形成される被覆膜は、磁性膜の表裏両面に積層
される場合の他、磁性膜の片側の面にのみ形成されて他
側の面は他の構成元素からなる被覆膜とすることもでき
る。このような他の構成元素から成る被覆膜としては例
えば上述したＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、　ＡλＮ膜、ＺｎＳ
膜等を例示することができる。

本発明の光磁気記録媒体における特徴的な構成であるＳ
ｉ、ＣおよびＮの構成元素からなる被覆膜の膜組成は、 Ｓｉ、Ｃ，Ｎ。

但しｘ、ｙ、ｚはアトミック％表示で ｘ　＝４１〜７５ ｙ＝２〜４８ ｚ＝２〜５６ の範囲とすることが好ましい。

本発明の上記Ｓｉ、ＣおよびＮからなる被覆膜は、屈折
率が２．１程度であり、詰腹が基板と磁性膜の間に介挿
されるものである場合には、カー効果エンハンスメント
を効果的に利用するために、その膜厚を７６０〜８４０
ｎｍの範囲に設定することが好ましい。また詰腹が磁性
膜の背面保護膜である場合には、薄すぎると保護効果が
低下し厚すぎると応力によってクラックが発生する等の
間屈があることから例えば５００〜１５００人程度の範
囲から設計に応じて選択的に採用することが好ましい場
合が多いが、特にこの範囲に限定されるものではない。

本発明よりなる光磁気記録媒体のＳＬ、ＣおよびＮを構
成元素とする被覆膜を形成させるには、反応性スパッタ
法が好ましく採用される他、通常の希ガスを用いたスパ
ッタ法（Ｓｉ３Ｎ４とＳｉＣの混合ターゲットを用いる
とか、あるいはＳｉ３Ｎ４とＳｉＣの二元スパッタリン
グを行なう）　、ＳｉＨ４，ＣＨ４，ＮＨ３系ガス（こ
れはＨ２で希釈してもよい）等を用いたＣ　Ｖ　Ｄ　（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｅｒ［）ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
　）法等によって作製することもできる。

上記反応性スパッタリングの作製装置としては、高周波
スパッタリング装置、あるいは基板温度コントロールの
し易さ（樹脂基板の場合には低温作製が必要であるし、
ガラス基板等において基板加熱を行なう場合にも、スパ
ッタリングによる温度上昇のないことが好ましい）、膜
形成レートが大きい、低ガス圧でスパッタすることによ
り緻密な膜が得られるなどの点から、高周波マグネトロ
ンスパッタリング装置が特に好ましく使用される。予備
排気は残留ガス（特に酸素）の影響を除くためできるだ
け高真空、好ましくはＩ　Ｘ　１０−’Ｐａ以下まで行
なうことがよい。基板温度は樹脂基板の場合には１００
℃以下に抑制することが必要である場合が多い。ターゲ
ットはＳｉＣ量論組成のものか、量論組成に出来るだけ
近似したもの（Ｃ量５０±３原子％）が望ましい。Ｎ２
分圧は５〜５０分子％が好ましく、全圧は０．１５〜Ｉ
Ｐａ、電力は１００〜５００Ｗの範囲で行なうことが好
ましい。

このような膜の作製方法によれば、■量産性が良好であ
る、■得られる膜質（Ｉｌｉの密着性、膜成分がコント
ロールし易い）が良好となる、等の効果がある。

（作用） 本発明は光磁気記録媒体は、前記の構成をなすことによ
って書き込み性能に優れ、記録感度が高く、信頼性の高
いものとなる。

（実施例） 以下本発明を図面を参照しつつ実施態様に基づいて説明
する。

第１図は、光磁気記録媒体の実施態様の概要をその厚み
断面で示した図であり、この図において１はガラス、ポ
リメタクリレート酸メチル、ポリカーボネート等で形成
された透明な基板を示している。この基板にはトラキン
ラグ案内用の図示しない溝が形成される。

２はカー効果エンハンスメントと保護機能を兼ねて基板
１と磁性膜３の間に介挿された第１の被覆膜（以下保護
膜という）であり、３の６ｎ性膜は例えばＴｂＦｅＣｏ
系のＲＥ−７Ｍ膜を示している。

４は保護機能をもつ第２の（背面）保護膜である。

これらの第１の保護膜１および第２の保護膜４が、例え
ばＳｉ、ＣおよびＮの元素からなる組成の保護膜とされ
て本発明の光磁気記録媒体が形成される。

第２図は光磁気記録媒体の他の実施態様の概要をその厚
み断面で示した図である。

この例では基板５と磁性膜８間の被覆膜を２層に形成さ
せており、例えばこれらの２層を保護作用を目的とする
５ｉｎ２膜６と、カー効果エンハンスメント作用を目的
とするＺｎＳｎＳ上して形成することができる。８は磁
性膜、９は背面保護膜である。

参考例１ 本発明の光磁気記録媒体の特徴的構成である保護膜の特
性（屈折率および透過率）を測定するために、石英ガラ
ス基板の上にＳ、ＣおよびＮの構成元素からなる保護膜
（以下５ｔ（Ｃ，Ｎ）膜という）を形成させてその透過
率を測定すると共に、ｎ型シリコンウェハー基板の上に
同組成の保護膜を形成させたものを作製した。

作製は高周波電源（電源周波数１３．５６ＭＨｚ）と直
流電源を有した２極マグネトロン装置（ＣＦＳ−８ＥＰ
徳田製作所社製）を用い、保護膜は高周波スパッタによ
り、予備排気Ｉ　Ｘ　１０−’Ｐａ以下、基板を加熱な
しで１４ｒｐｍで回転させ、Ｎ　ｄｏ！ｌｆｉ　、Ａｒ
８０￥の霊囲気下でガス圧０．６Ｐａ　、パワー２００
Ｗの条件で行なった。ターゲットは表１に記載の化学量
論組成のものを用いた。

得られた保護膜の膜厚は２５０ｎｍであった。

この保護膜の特性を、エリプソメータを使用して波長８
３（ｌｎ＋ｎの屈折率を測定すると共に、分光光度計を
使用して波長８３０ｒ＋ｍの透過率を測定し、その結果
を表１中に示した。

参考例２〜７ 比較のために他の保護膜を、表１に示した組成のターゲ
ット、スパッタガスを使用して上記と参考例１と同様の
方法で作製（２５０±１０ｎｍ）し、同様に特性（屈折
率および透過率）を測定してその結果を表１に示した。

以上の参考例の結果から、　ＳｉＣ膜は屈折率は大きい
ものの高い光吸収性を示す難があるのに対し、Ｓｔ（［
：、Ｎ）膜は、　ＳｉＮ、ＡｆｌＮの各膜と開等の透過
性を示し、屈折率も２以上の大きな値を示すことから良
好なエンハンスメントが期待できることが分った。

実施例１ 第１図に示した構成の光磁気記録媒体（以下光ディスク
という）を、ポリカーボネート基板（１，６μｍピッチ
の案内溝付（溝幅０．６μｍ）の直径１３０ｍｍの板）
の上に、　７５０人の厚みのＴｂ２４　Ｆｅａ４．ｓ　
Ｃｏ＋＋、ｓ　　（ａｔ％Ｆ　）　６Ｑ性膜３と、この
磁性膜３をサンドイッチする表裏面の組成からなる５ｉ
（Ｃ，Ｎ）保護膜（ただし保護膜２の厚みを７６０人、
背面保護膜４を１０００人）として積層して形成させた
。

光ディスクの製造は、高周波電源（を源周波数１３．５
６ＭＨｚ）と直流電源を有した２極マグネトロン装置（
ＣＦＳ−８ＥＰ徳田製作所社製）を用い、保護膜は高周
波スパッタにより、また磁性膜は直流スパッタにより下
記に従って行なった。

保護膜形成の高周波スパッタは、保護膜用ターゲットに
上記表１に示したＳｉＣターゲットを用い、参考例１と
同様にして予備排気Ｉ　Ｘ　１０−’Ｐａ以下、基板を
加熱なしで１４ｒｐｍで回転させ、Ｎ　２２０％Ｆ　、
　Ａ　ｒ８０９６の罪囲気下でガス圧０．６Ｐａ　、パ
ワー２００　Ｗで行なった。

また磁性膜形成の直流スパッタは、ターゲットをＴｂＦ
ｅＣｏに換え上記と同様のスパッタ条件で行なった。

参考例８ この条件で作製した５ｔ（（：、Ｎ）膜の構造および厚
さ方向の組成分布を確認するために、同一の作製条件で
Ｓｉ基板に上記実施例１の膜より厚い５ｉ（Ｃ，Ｎ）膜
を形成させた分析試料ａを作製して組成、オージェおよ
びＦＴ−ＩＲ分析を行なった。

この分析試料の膜厚は１５７０人であった。

また製造条件の変動により５ｉ（ｃ、Ｎ）膜の構造に影
響がないことを確認するためにスパッタリングの際のガ
ス圧を０．３Ｐａに変えて分析試料すを作製して同様の
分析を行なった。この分析試料すの膜厚は１７９０人で
あった。

なお比較のために同様のＳｉ基板の上に上記参考例５の
ＳｉＣ膜を試料ａと同様の条件で作製し試料Ｃとした。

この試料Ｃの膜厚は７２１人であった。

これらの試料について、オージェ電子分光法により膜深
さ方向について元素の分析を行ないその結果を第４図（
ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　　に示した。

次に上記試料ａ、ｂ、ｃのそれぞれについてＥＰＭＡ　
（Ｅｌｃｔｏｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　Ｍｉｃｒｏ　Ａｎａ
ｌｙｓｅｓ）で組成分析を行なった。分析条件は加速電
圧＝３にＶ、照射電流Ｉ　Ｘ　１０−’Ａであり、その
結果を表４に示した。この結果から５ｔ（Ｃ，Ｎ）膜の
組成はスパッタリングの条件によって制御することが可
能であることが分かる。例えば表４中の試料ｂ（才、試
料ａ、Ｃに比べて低ガス圧で作製しているが窒素含有量
の増加していることが分かる。

表４　：　ＥＰＭＡによる５ｉ（（：、Ｎ）膜の組成分
析また５ｉ（Ｇ、Ｎ）膜のＸ線回折パターンを測定する
ために、ガラス基板上に上記試料ａ、ｂと同様の膜を形
成させた試料ａ’　、ｂ’　を作製し、薄膜測定用Ｘ線
回折装置（ＲＡＤＯ−ＲＢ理学電機■社製）を用いて測
定した。その結果を第５図（ａ）　、　（ｂ）に示した
。これらの図から本発明の光りディスクにおける５ｆ（
Ｃ，Ｎ）膜は非晶質であることが分かる。

また上記試料ａ、ｂ、ｃ、および参考例３のＳｉＮ膜を
スパッタガス圧：　０ｙ６Ｐａ、　パワ−６００Ｗで試
料ａと同様に作製して試料ｄ（試料ｄの膜圧は１４３０
人）とし、ＦＴ−ＩＲスペクトルを測定した。測定はフ
ーリエ変換赤外光度計（ＪＩＲ−１００日本電子味社製
）を使用して、２ビ一ム方式で積算５０回で行なフな。

その結果を第６図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　、
　（ｄ）　に示した。なお結果は基板であるシリコンウ
ェハーの吸収を補正したもので示している。

これらの結果から試料ｃ、ｄではそれぞれ７６０ｃｍ−
’　、８２０ｃｍ−’付近に急峻な吸収ピークが認めら
れるが（第６図（ｃ）　、　（ｄ）参照）　、　５ｔ（
Ｃ，Ｎ）膜では９４０ｃｍ””　、８４０ｃｍ−’　に
吸収ピークがシフトしてブロードになっている。また該
５ｔ（Ｃ，Ｎ）膜は２２００ｃｍ−’付近に固有の吸収
が認められる（第６図（ａ）　、　（ｂ）参照）。

以上の結果より、上記実施例１の光りディスクにおける
磁性膜３をサンドイッチしている保護膜である５ｉ（Ｃ
，Ｎ）膜は、Ｓｉ、Ｃ，Ｎの各構成元素からなり、Ｓｉ
Ｃ膜、　ＳｉＮ膜とは異なることが分かる。

実施例２．３ 第１図における第１の保護膜２の厚みを８００Å（実施
例２）、７６０人（実施例３）に変更した以外は実施例
１と同様にして光ディスクを製造した。

比較例 表１に示したターゲットを使用して表２に示したように
保護膜の材料を変更した以外は、実施例１と同様の方法
で比較例１〜１５の光ディスクを製造した。なお比較例
１３〜１５は第２図で示した実施態様の構成をなす光デ
ィスクとして形成させたものである。

表　　　　２ 評価試験１ 上記実施例１〜３および比較例１〜１５で示した光ディ
スクについて、ドライブ装置を用いその記録再生特性を
測定した。

使用したドライブ装置の諸元は、波長８３０ｎｍ、ＮＡ
：０．５であり、測定条件は線速：４ｍ／ｓ。

外部磁場：　５０００ｅ、記録周波数：　Ｉ　Ｍ）ｌｚ
　、デユーティ比５０＊、リードパワー：　０．８ｍＷ
とした。

記録パワーは、３　　ｍＷから８　　ｍＷの範囲で０．
２ｍＷ間隔で測定して、第２高調波が最低となるパワー
を最適記録パワーとした。

なお基板１の案内溝のピッチは１．６μｍ１溝幅は０．
６μｍであり、測定はランド記録で行なった。

測定結果を表３に示した。

表３中のＣ／Ｎ値は、最適記録パワーでの値を示してい
る。

この表３の結果から明らかであるように、最適記録パワ
ーでのＣ／Ｎ値が大きな値を示してイルノは、５ｉ（Ｃ
，Ｎ）膜、＋ｌＮ膜、５ＩＯｚ／ＺｎＳ膜を第１の保護
膜として使用した光ディスクであり、また感度が優れて
いるのは５ｉ（（：、Ｎ）膜、５ｉｎ２／ＺｎＳ膜を使
用した光ディスクであることが分る。

以上により本発明よりなる５ｉ（Ｃ，Ｎ）膜を第１の保
護膜２として積層した実施例１〜３の光ディスクは、従
来の他の組成の保護膜と比べて同等ないしより優れた読
み出し性能を有すると共に、記録感度においても優れて
いることが分る。すなわち５ｉ（Ｃ，Ｎ）膜はカー効果
エンハンスメントにおいて優れていることが分かる。

評価試験２ 上記実施例１〜３および比較例１〜１５で示した光ディ
スクについての耐久性を試験した。

試験はこれら各側の光ディスクを６５℃、９ｏ！￥相対
湿度雰囲気に保持し、該光ディスクの反射率変化を測定
することにより行なった。反射率の測定は分光光度計を
用いて波長８３０ｎｍの光を５８人射させることで基板
側から行なった。

その測定結果を第３図の（ａ）〜（ｆ）　に三個づつに
分けて示した。

この測定結果から明らかであるように、ＳｉＣ膜を保護
膜として形成させた光ディスク（比較例１〜３：第３図
（ｂ）参照）、ＡｕＮ膜を保護膜として形成させた光デ
ィスク（比較例７〜９；第３図（ｄ）参照）、５ｉ０２
／ＺｎＳ膜を保護膜として形成させた光ディスク（比較
例１３〜１５：第３図（ｆ）参照）は、経時的な反射率
の低下が著しく特にＡＪ：ｌＮ膜を保護膜として形成さ
せた光ディスクでは孔食の発生が顕著であった。

他方ＳｉＮ膜とＳｉＣ膜を保護膜とした光ディスクは経
時的な反射率の低下が少なく、これらに比べて更に本発
明の５ｔ（Ｃ，Ｎ）膜を保護膜として有する光ディスク
は、２５００時間経過時点においても反射率は９０零以
上保持しており、優れた信頼性のあることが分った。Ｓ
ｉＮについては、経時的な反射率の低下は少なかったも
のの、保持時間が２００時間で微小なりラックが部分的
に発生し、　１０００時間ではディスク全面にクラック
が進行した。これに対し、本発明の５ｉ（Ｃ，Ｎ）膜を
用いた。ディスクでは２５００時間経過後においても全
くクラックは発生しなかった。すなわち、５ｉ（Ｃ，Ｎ
）膜の密着性が良好であることが分かる。

（発明の効果） 以上述べたように、本発明よりなる光磁気記録媒体は、
Ｓ、（Ｎ、Ｃ）膜を光磁気記録膜の保護膜及び／又は背
面保護膜として備えたものであり、Ｓ、（Ｎ、Ｃ）膜に
よる光磁気記録磁性膜の腐食からの保護、及び／又は磁
気光学効果エンハスメントが得られ、読み出し性能の向
上、書き込み感度、信頼性に優れた光磁気記録媒体を提
供できるという効果がありその有用性は極めて大なるも
のである。

【図面の簡単な説明】

図面第１図および第２図は本発明の対象である光磁気記
録媒体の構成概要を示した図、第３図（ａ）〜（ｆ）は
実施例及び比較例の光ディスクの経時的な反射率の低下
を測定した結果を示した図、第４図（ａ）〜（ｃ）は試
料ａ　−ｃのオージェ電子分光分析による深さ方向の状
態を示した図、第５図（ａ）及び（ｂ）は試料ａ’、ｂ
’のＸ線回折パターンを示した図、第６図（ａ）〜（ｄ
）は試料ａ〜ｄのＦＴ−ＩＲスペクトルの測定結果を示
した図である。 １：基板　　　　　　２：保護膜 ３：磁性膜　　　　　４：背面保護膜 ５：基板　　　　　　６：保護膜 ７：保護膜　　　　　８：磁性膜 ９：背面保護膜 第１図 １：基板−−−− 第２図 ５〜 第３図（α〕 保持時間／ｈ 第３図（ｂ） 保↑仔時間／ｈ 第３図（Ｃ） 保持時間／ｈ 第３園（ｄ） 保持開開／ｈ 第３図（ｅ） 保十汚時間／ｈ 第３図（ｆ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上で、光磁気記録磁性膜と共にその表裏面に
   磁性膜保護及び／又はカー効果エンハスメントのための
   被覆膜を積層して構成される光磁気記録媒体であって、
   上記被覆膜の少なくとも一方をＳｉ、ＣおよびＮを構成
   元素として形成させたことを特徴とする光磁気記録媒体
   。
2. （２）上記Ｓｉ、ＣおよびＮを構成元素とする被覆膜の
   組成が Ｓｉ＿ｘＣ＿ｙＮ＿ｚ 但しｘ、ｙ、ｚはアトミック％表示で ｘ＝４１〜７５ ｙ＝２〜４８ ｚ＝２〜５６ で表わされることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
   項記載の光磁気記録媒体。
3. （３）上記光磁気記録磁性膜が、希土類−遷移金属合金
   薄膜又はＭｎＢｉ薄膜であることを特徴とする特許請求
   の範囲第（１）項又は第（２）項記載の光磁気記録媒体
   。