JPH02282265A - 電子写真用感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02282265A JPH02282265A JP1706690A JP1706690A JPH02282265A JP H02282265 A JPH02282265 A JP H02282265A JP 1706690 A JP1706690 A JP 1706690A JP 1706690 A JP1706690 A JP 1706690A JP H02282265 A JPH02282265 A JP H02282265A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- layer
- alloy
- cgl
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、導電性基体上にセレン・ひ素合金からなる
感光層を備えた電子写真用感光体およびその製造方法に
関する。
感光層を備えた電子写真用感光体およびその製造方法に
関する。
普通紙複写機、光プリンタなどの電子写真応用装置の像
形成部材として用いられる電子写真用感光体に要求され
る性能の中で重要なものとして、装置の高速化および低
消費電力化に伴う高光感度性能および原稿の色再現性、
特に青色再現性が挙げられる。
形成部材として用いられる電子写真用感光体に要求され
る性能の中で重要なものとして、装置の高速化および低
消費電力化に伴う高光感度性能および原稿の色再現性、
特に青色再現性が挙げられる。
従来の純Ｓｅあるいは５ｅ−Ｔｅ合金を主体とする感光
層を備えた感光体では、こうした性能におい−Ｃ限界が
Ｓ忍められ、特開昭５６−７４．２５５号公報などに見
られるように、５ａ−Ａｓ合金を主体とする感光層を備
えた感光体が開発されている。この材料については、化
学量論的結合であるＡｓ、Ｓｅ３がその物性面から最も
安定であり、八５２Ｓｅ３およびそれに近い組成を有す
るＳｅ−Ａｓ合金を用いた単層型の感光層を備えた感光
体が広く採用されている。
層を備えた感光体では、こうした性能におい−Ｃ限界が
Ｓ忍められ、特開昭５６−７４．２５５号公報などに見
られるように、５ａ−Ａｓ合金を主体とする感光層を備
えた感光体が開発されている。この材料については、化
学量論的結合であるＡｓ、Ｓｅ３がその物性面から最も
安定であり、八５２Ｓｅ３およびそれに近い組成を有す
るＳｅ−Ａｓ合金を用いた単層型の感光層を備えた感光
体が広く採用されている。
しかしながら、Ａｓ２Ｓｅ３およびそれに近い組成を有
する５ｅ−Ａｓ合金の欠点としては、比誘電率か比較的
大きなことから、出力画像を形成するために要する表面
電位を得るための電源負荷を増大させねばならないこと
、また繰り返し使用時の疲労特性１例えば帯電位変動、
暗減衰の増大、残留電位の上昇（特に室温以下の場合）
のために出力画像に濃度変化、地汚れが生じるという問
題、さらに電子写真応用装置の高速化に伴い、感光体の
光感度が不足するという問題があった。。
する５ｅ−Ａｓ合金の欠点としては、比誘電率か比較的
大きなことから、出力画像を形成するために要する表面
電位を得るための電源負荷を増大させねばならないこと
、また繰り返し使用時の疲労特性１例えば帯電位変動、
暗減衰の増大、残留電位の上昇（特に室温以下の場合）
のために出力画像に濃度変化、地汚れが生じるという問
題、さらに電子写真応用装置の高速化に伴い、感光体の
光感度が不足するという問題があった。。
これに対して、既に本１」３願人が特開昭６４−２ ｆ
１６５ ：（号公報にて開示しているように、導電性基
体上に形成されるＳｅ−ΔＳｔ、１料からなる感光層を
、主として暗所での帯電位の保持および露光時のキャリ
アの輸送を行う機能を有する電荷輸送層（ＣＴｉ＝）と
、主として露光時のキャリアの発生の機能を有する電荷
発生層（ＣＧＬ）とに機能分離した層の積層とし、ｃ
ｃ ｒ、としてＡｓ２Ｓｅ３またはそれに近い組成の材
料を、ＣＴ ＬとしてＣＧＬに比べてＡｓｆｉ度の低（
＋）Ｓｅ−Ａｓ合金（好ましくはＡｓａ度３０重量％〜
３３．５重量％）で、かつ、ハロゲン元素を含む（好ま
しくは１重量ｐｐｍ〜］、 ００００重量ｐｐｍ）材料
を用い、それぞれを真空中で抵抗加熱蒸着してＣＴＬ、
ＣＧＬを順次形成して感光層とすることにより、Ａｓ２
Ｓｅ３またはそれに近い組成をする５ａ−Ａｓ合金の単
一層の感光層を備えた感光体の高光感度で色再現性の良
い利点を生かし７つつ、その欠点である帯電性能。
１６５ ：（号公報にて開示しているように、導電性基
体上に形成されるＳｅ−ΔＳｔ、１料からなる感光層を
、主として暗所での帯電位の保持および露光時のキャリ
アの輸送を行う機能を有する電荷輸送層（ＣＴｉ＝）と
、主として露光時のキャリアの発生の機能を有する電荷
発生層（ＣＧＬ）とに機能分離した層の積層とし、ｃ
ｃ ｒ、としてＡｓ２Ｓｅ３またはそれに近い組成の材
料を、ＣＴ ＬとしてＣＧＬに比べてＡｓｆｉ度の低（
＋）Ｓｅ−Ａｓ合金（好ましくはＡｓａ度３０重量％〜
３３．５重量％）で、かつ、ハロゲン元素を含む（好ま
しくは１重量ｐｐｍ〜］、 ００００重量ｐｐｍ）材料
を用い、それぞれを真空中で抵抗加熱蒸着してＣＴＬ、
ＣＧＬを順次形成して感光層とすることにより、Ａｓ２
Ｓｅ３またはそれに近い組成をする５ａ−Ａｓ合金の単
一層の感光層を備えた感光体の高光感度で色再現性の良
い利点を生かし７つつ、その欠点である帯電性能。
疲労特性の改善された感光体を得ることができる。
近年、電子写真応用装置の小型化、高速化がさらに進め
られ、また、出力画像の画質に対する要望がますまず厳
しくなってきている。
られ、また、出力画像の画質に対する要望がますまず厳
しくなってきている。
ところが、装置の小型化、高速化に対応するために、感
光体の高光感度化を図り感光層に用いる材料のＡｓｆｉ
度を高めると２．帯電性能、疲労特性が悪化し、また、
感光層表面、すなわち感光体表面の外観欠陥が多くなり
、ｌ−１，１力画像の画質が低Ｆするという問題が生じ
てくる。
光体の高光感度化を図り感光層に用いる材料のＡｓｆｉ
度を高めると２．帯電性能、疲労特性が悪化し、また、
感光層表面、すなわち感光体表面の外観欠陥が多くなり
、ｌ−１，１力画像の画質が低Ｆするという問題が生じ
てくる。
この発明が解決しようとする課題は、（： （’、 Ｌ
、およびＣＴＬの材料組成、形成方法を検討し−Ｃ１−
述の問題点を解消し、高光感度で、か゛つ、帯電性能疲
労特性が改善された表面外観の良好な感光体およびその
製造方法を提供することにある１゜〔課題を解決するだ
めの手段〕 上記の課題は、この発明によれば、導電性基体上に暗所
での帯電位の保持および露光時のヰ１．リアの輸送を主
たる機能とする電荷輸送層と。その１′に形成された露
光時のキャリ゛ｒの発生をｔたる機能とする電荷発生層
とからなる感光層を備えた電子写真用感光体においで、
電荷輸送層が局濃度が３０重量％以上３６゜８重量％１
ユン）、 −１” ”（−が′）ハ１１ゲニ′元累を１
００重量ｐｐｍ以上１００００重量ｐｐｍ以下含む５ｅ
−Ａｓ合金からなり、電荷発生層が５ｅ−Ａｓ合金から
なり、そのＡｓ４度が電荷輸送層に接する側では電荷輸
送層のＡＳａ度に等しく、電荷輸送層に接する側から反
対側の電荷発生層表面に向かって増大する濃度勾配を有
し、その電荷発生層表面で３６，８重量％を超え４５重
量％以下である電子写真用感光体とすることにより解決
される。
、およびＣＴＬの材料組成、形成方法を検討し−Ｃ１−
述の問題点を解消し、高光感度で、か゛つ、帯電性能疲
労特性が改善された表面外観の良好な感光体およびその
製造方法を提供することにある１゜〔課題を解決するだ
めの手段〕 上記の課題は、この発明によれば、導電性基体上に暗所
での帯電位の保持および露光時のヰ１．リアの輸送を主
たる機能とする電荷輸送層と。その１′に形成された露
光時のキャリ゛ｒの発生をｔたる機能とする電荷発生層
とからなる感光層を備えた電子写真用感光体においで、
電荷輸送層が局濃度が３０重量％以上３６゜８重量％１
ユン）、 −１” ”（−が′）ハ１１ゲニ′元累を１
００重量ｐｐｍ以上１００００重量ｐｐｍ以下含む５ｅ
−Ａｓ合金からなり、電荷発生層が５ｅ−Ａｓ合金から
なり、そのＡｓ４度が電荷輸送層に接する側では電荷輸
送層のＡＳａ度に等しく、電荷輸送層に接する側から反
対側の電荷発生層表面に向かって増大する濃度勾配を有
し、その電荷発生層表面で３６，８重量％を超え４５重
量％以下である電子写真用感光体とすることにより解決
される。
このような感光体は導電性基体上にハロゲンを含む５ｅ
−Ａｓ合金を真空中で抵抗加熱蒸着して電荷輸送層を形
成し、その上に５ｅ−Ａｓ合金を真空中でフラッシュ蒸
着して電荷発生層を形成し、かつ、フラッシュ蒸着され
る５ｅ−Ａｓ合金のＡｓ濃度を低濃度から高濃度へと変
化させながらフラッシュ蒸着を行うことによって製造さ
れる。
−Ａｓ合金を真空中で抵抗加熱蒸着して電荷輸送層を形
成し、その上に５ｅ−Ａｓ合金を真空中でフラッシュ蒸
着して電荷発生層を形成し、かつ、フラッシュ蒸着され
る５ｅ−Ａｓ合金のＡｓ濃度を低濃度から高濃度へと変
化させながらフラッシュ蒸着を行うことによって製造さ
れる。
３ｅ−へｓ合金層の特性は、第４図、第５図、第６図に
示すように、Ａｓ濃度に依存して変化する。第４図はＡ
ｓ濃度と光感度に反比例する半減衰露光量との関係を示
す線図であり、市場要求を充たす光感度を得るためには
３６．８重量％を超えるＡｓ濃度が好ましいことが判る
。また、第５図はＡｓａ度と帯電位との関係、第６図は
Ａｓａ度と帯電−露光−光除電を１０００回繰り返した
ときの帯電低下との関係をそれぞれ示す線図であるが、
各図より、これらの特性についてはＡＳａ度３６，８重
里％以下のＡｓ４度が好ましいことが判る。
示すように、Ａｓ濃度に依存して変化する。第４図はＡ
ｓ濃度と光感度に反比例する半減衰露光量との関係を示
す線図であり、市場要求を充たす光感度を得るためには
３６．８重量％を超えるＡｓ濃度が好ましいことが判る
。また、第５図はＡｓａ度と帯電位との関係、第６図は
Ａｓａ度と帯電−露光−光除電を１０００回繰り返した
ときの帯電低下との関係をそれぞれ示す線図であるが、
各図より、これらの特性についてはＡＳａ度３６，８重
里％以下のＡｓ４度が好ましいことが判る。
こうした特性変化の要因については解明されていない点
が多いが、雑誌「フィロソフィカル・マガジン（Ｐｈｉ
ｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｍａｇａｚｉｎ） Ｊ ３３巻
（１，９７６年）２６１ページにフィッシャ（ｌｉｉｓ
ｈｅｒ）ほかによって示されているように、Ａｓ濃度に
よりＳＢ−へＳ合金ではホール移動度が大きく変化する
とともに、Ｇａｐ３ｔａｔｅ 内の準位に大きな変化が
生じ、上述のような特性変動が生じるものと推定される
。
が多いが、雑誌「フィロソフィカル・マガジン（Ｐｈｉ
ｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｍａｇａｚｉｎ） Ｊ ３３巻
（１，９７６年）２６１ページにフィッシャ（ｌｉｉｓ
ｈｅｒ）ほかによって示されているように、Ａｓ濃度に
よりＳＢ−へＳ合金ではホール移動度が大きく変化する
とともに、Ｇａｐ３ｔａｔｅ 内の準位に大きな変化が
生じ、上述のような特性変動が生じるものと推定される
。
」−述の５ｅ−Ａｓ合金層の特性から、感光層をＣＴＬ
とＣＧＬとの積層とし、ＣＴ １．、、をへｓｉ度が３
６．８重量％以下の５ｅ−Ａｓ合金で形成し、その土に
Ｓｅ后金合金らなり、そのＡｓ４度がＣＴ Ｉ−に接す
る側ではＣＴ ＬのＡｓａ度に等しく、ＣＧｒ、、表面
側では３６．８重量％を超える濃度となるような濃度勾
配を有するＣＧＬを形成することにより、八５２Ｓｅ３
およびそれに近い組成を有する単層からなる感光層の欠
点を除去し、高光感度でかつ帯電性能、疲労特性の改善
された感光体を得ることが可能となる。
とＣＧＬとの積層とし、ＣＴ １．、、をへｓｉ度が３
６．８重量％以下の５ｅ−Ａｓ合金で形成し、その土に
Ｓｅ后金合金らなり、そのＡｓ４度がＣＴ Ｉ−に接す
る側ではＣＴ ＬのＡｓａ度に等しく、ＣＧｒ、、表面
側では３６．８重量％を超える濃度となるような濃度勾
配を有するＣＧＬを形成することにより、八５２Ｓｅ３
およびそれに近い組成を有する単層からなる感光層の欠
点を除去し、高光感度でかつ帯電性能、疲労特性の改善
された感光体を得ることが可能となる。
このような感光体は真空中でＣＴＬを抵抗加熱蒸着で形
成し、ＣＧＬをフラッシュ蒸着で形成することにより製
造することができる。
成し、ＣＧＬをフラッシュ蒸着で形成することにより製
造することができる。
第８図は抵抗加熱蒸着で用いられる蒸発源の一例を示す
概念図であり、５ｅ−Ａｓ合金１１はボルト１０内に充
填され、ヒータ９により加熱されて全体が溶融した後蒸
発する。第９図はフラッシュ蒸着で用いられる蒸発源の
一例を示す概念図であり、ＳεＡｓ合金は微粉末とされ
ており、この５ｅ−Ａｓ合金微粉末１４は搬送ベルト１
３でボート兼ヒータ１２のところまで少量ずつ順次搬送
されてきて、加熱されたボート兼ヒータ１２上に落下し
瞬時に蒸発する。
概念図であり、５ｅ−Ａｓ合金１１はボルト１０内に充
填され、ヒータ９により加熱されて全体が溶融した後蒸
発する。第９図はフラッシュ蒸着で用いられる蒸発源の
一例を示す概念図であり、ＳεＡｓ合金は微粉末とされ
ており、この５ｅ−Ａｓ合金微粉末１４は搬送ベルト１
３でボート兼ヒータ１２のところまで少量ずつ順次搬送
されてきて、加熱されたボート兼ヒータ１２上に落下し
瞬時に蒸発する。
従って、ＣＧＬの成膜に際して抵抗加熱蒸発方式を採る
とＣＧＬ内の厚さ方向のＡｓ濃度に所要の濃度勾配を持
たせることは困難であるが、フラッシュ蒸着法を採れば
順次搬送しボート兼ヒータに供給する５ｅ−Ａｓ合金微
粉末の昼濃度を変化させることによりＡｓの濃度プロフ
ァイルを自由に設計することができ、所要の適切な濃度
勾配を持たせることが可能となる。
とＣＧＬ内の厚さ方向のＡｓ濃度に所要の濃度勾配を持
たせることは困難であるが、フラッシュ蒸着法を採れば
順次搬送しボート兼ヒータに供給する５ｅ−Ａｓ合金微
粉末の昼濃度を変化させることによりＡｓの濃度プロフ
ァイルを自由に設計することができ、所要の適切な濃度
勾配を持たせることが可能となる。
このようにして、ＣＧ Ｌ内のＡｓ４度に濃度勾配を持
たせ、ＣＴＬ側ではＣＴＬのＡｓ１度に等しい濃度とし
、表面側に向かって濃度を高くしていき、表面を高濃度
おすることにより、高光感度で、かつ、ＣＧＬからＣＴ
Ｌへのキャリアの注入性の良好な感光体が得られる。
たせ、ＣＴＬ側ではＣＴＬのＡｓ１度に等しい濃度とし
、表面側に向かって濃度を高くしていき、表面を高濃度
おすることにより、高光感度で、かつ、ＣＧＬからＣＴ
Ｌへのキャリアの注入性の良好な感光体が得られる。
また、Ａｓ４度が化学景論的結合以上のＳｅ−へＳ合金
を抵抗加熱蒸着法で成膜すると、Ｓｅ、Ａｓの分留のた
めに得られる層の外観欠陥が多くなるが、フラッジ、蒸
着法で成膜すると５ｅ−＝Ａｓ合金は瞬時に蒸発しＳｅ
、 Ａｓが分留しないために外観は良好となる。昼濃度
の高い５ｅ−Ａｓ合金をフラッシュ蒸着法で成膜４−る
ことにより、高光感度ごかつ表面外観の良好な感光層を
形成することができる。
を抵抗加熱蒸着法で成膜すると、Ｓｅ、Ａｓの分留のた
めに得られる層の外観欠陥が多くなるが、フラッジ、蒸
着法で成膜すると５ｅ−＝Ａｓ合金は瞬時に蒸発しＳｅ
、 Ａｓが分留しないために外観は良好となる。昼濃度
の高い５ｅ−Ａｓ合金をフラッシュ蒸着法で成膜４−る
ことにより、高光感度ごかつ表面外観の良好な感光層を
形成することができる。
しかしながら外観欠陥ｌよＡｓｆｉ度が高くなる程発生
し易くなり、Ａｓ濃度が４５重量％を超えて高くなると
、フラッシュ蒸着を行っても外観欠陥が実用上問題とな
る程度に発生するようになる。従って、ＣＧＬに用いる
５ｅ−Ａｓ合金のＡｓ濃度は４５重量％以下におさえる
ことが好ましい。
し易くなり、Ａｓ濃度が４５重量％を超えて高くなると
、フラッシュ蒸着を行っても外観欠陥が実用上問題とな
る程度に発生するようになる。従って、ＣＧＬに用いる
５ｅ−Ａｓ合金のＡｓ濃度は４５重量％以下におさえる
ことが好ましい。
また、ＣＴＬに用いるＳｅ −Ａｓ合金のＡｓ濃度は３
６６８重量％以下が好ましいが、低くなると得られる層
が結晶化し易くなり、かつ、硬度もさがってくるので３
０重量％以上とすることが好ましい。
６６８重量％以下が好ましいが、低くなると得られる層
が結晶化し易くなり、かつ、硬度もさがってくるので３
０重量％以上とすることが好ましい。
さらに、第７図はよう素を含有しＡｓｆｉ度が３６．８
重量％のＳｅ−へＳ合金からなり膜厚６０μｍの単層の
感光層を備えた感光体の初期の残留電位の温度依存性を
５ｅ−Ａｓ合金に含有させたよう素中をパラメータとし
て示した線図である。第７図より、５ｅＡｓ合金に第３
元素としてよう素を微量含有させることにより感光体の
残留電位を低減し、かつ、その温度依存性を改善できる
ことが判る。ＣＴＬおよびＣＧＬの積層された感光層を
備えた感光体においても、感光層の膜厚の大部分を占め
るＣＴＬによう素を含有させると同様の効果が得られる
。
重量％のＳｅ−へＳ合金からなり膜厚６０μｍの単層の
感光層を備えた感光体の初期の残留電位の温度依存性を
５ｅ−Ａｓ合金に含有させたよう素中をパラメータとし
て示した線図である。第７図より、５ｅＡｓ合金に第３
元素としてよう素を微量含有させることにより感光体の
残留電位を低減し、かつ、その温度依存性を改善できる
ことが判る。ＣＴＬおよびＣＧＬの積層された感光層を
備えた感光体においても、感光層の膜厚の大部分を占め
るＣＴＬによう素を含有させると同様の効果が得られる
。
よう素の含有量は１００重量！＋ｐｍ以上１００００重
量叶ｍ以下が好ましい。また、含有させる第３元素はよ
う素に限られることはなく、ハロゲン元素ならば同様に
有効である。
量叶ｍ以下が好ましい。また、含有させる第３元素はよ
う素に限られることはなく、ハロゲン元素ならば同様に
有効である。
第１図は、この発明の一実施例の感光体の模式的断面図
を示すもので、１は導電性基体、２は電荷輸送層２１と
電荷発生層２２とが積層されてなる感光層である。
を示すもので、１は導電性基体、２は電荷輸送層２１と
電荷発生層２２とが積層されてなる感光層である。
外径１２０ｍｍのＪ ｒ Ｓ Ａ３００３材八１合金
管の外表面を鏡面に仕上げた後、脱脂、 ＨＮＯ３によ
るエツチングを施して導電性基体とする。この基体を温
度制御可能な回転支持軸に装着し、回転支持軸の下方に
配置された抵抗加熱蒸着方式の蒸発源のボートによう素
を５０００重量ｐｐＩＴｌ含む５ｅ−Ａｓ合金を充填す
る。基体を回転させながら１．５０℃の温度に加熱し、
Ｉ ｘｌＯ−５Ｔｏｒｒの真空中で蒸発源のヒータを加
熱しボート中のよう素を含む５ｅ−Ａｓ合金を成膜速度
１μｍ／分となるような速さで蒸発させ基体上に膜厚５
５μｍのＣＴＬを形成する。続いて、回転支持軸の下方
に設けられたフラッシュ蒸着方式の蒸発源により５ｅ−
Ａｓ合金をフラッシュ蒸着してＣＴＬ上に膜厚５μｍの
ＣＧＬを形成する。
管の外表面を鏡面に仕上げた後、脱脂、 ＨＮＯ３によ
るエツチングを施して導電性基体とする。この基体を温
度制御可能な回転支持軸に装着し、回転支持軸の下方に
配置された抵抗加熱蒸着方式の蒸発源のボートによう素
を５０００重量ｐｐＩＴｌ含む５ｅ−Ａｓ合金を充填す
る。基体を回転させながら１．５０℃の温度に加熱し、
Ｉ ｘｌＯ−５Ｔｏｒｒの真空中で蒸発源のヒータを加
熱しボート中のよう素を含む５ｅ−Ａｓ合金を成膜速度
１μｍ／分となるような速さで蒸発させ基体上に膜厚５
５μｍのＣＴＬを形成する。続いて、回転支持軸の下方
に設けられたフラッシュ蒸着方式の蒸発源により５ｅ−
Ａｓ合金をフラッシュ蒸着してＣＴＬ上に膜厚５μｍの
ＣＧＬを形成する。
ＣＴＬ用のよう素を５０００重量ｐｐｍ含むＳｅ−へＳ
合金のＡＳａ度を第１表に示すように変化させてＣＴＬ
を形成した。次に、これらのＣＴＬ上にフラッシュ蒸着
でＣＧＬを形成するが、そのとき、蒸発源に供給する５
ｅ−Ａｓ微粉末のＡｓ濃度を、下地となるＣＴＬのＡＳ
ａ度と等しい濃度からはじめて高めていき、第１表に示
したＣＧＬの表面Ａｓ１度まで高めていきながらフラッ
シュ蒸着を行い、ＣＴＬに接する側のＡｓ１度がＣＴＬ
のＡｓ濃度と等しく、ＣＧＬの表面のＡＳａ度が第１表
に示したＣＧＬ表面Ａｓ１度となるようなＡＳａ度勾配
を持つＣＧＬをそれぞれ形成し、実施例１〜７の感光体
を作製した。
合金のＡＳａ度を第１表に示すように変化させてＣＴＬ
を形成した。次に、これらのＣＴＬ上にフラッシュ蒸着
でＣＧＬを形成するが、そのとき、蒸発源に供給する５
ｅ−Ａｓ微粉末のＡｓ濃度を、下地となるＣＴＬのＡＳ
ａ度と等しい濃度からはじめて高めていき、第１表に示
したＣＧＬの表面Ａｓ１度まで高めていきながらフラッ
シュ蒸着を行い、ＣＴＬに接する側のＡｓ１度がＣＴＬ
のＡｓ濃度と等しく、ＣＧＬの表面のＡＳａ度が第１表
に示したＣＧＬ表面Ａｓ１度となるようなＡＳａ度勾配
を持つＣＧＬをそれぞれ形成し、実施例１〜７の感光体
を作製した。
このようにして作製した感光体の感光層のＡｓ濃度プロ
ファイルの一例として、実施例６の感光体のプロファイ
ルを第２図に示す。
ファイルの一例として、実施例６の感光体のプロファイ
ルを第２図に示す。
比較例として、感光層を５ｅ−Ａｓ合金単層とじた感光
体を作製した。感光層は抵抗加熱蒸着で形成し、Ａｓ濃
度を第１表に示すように変化させて比較例１〜３の感光
体とした。
体を作製した。感光層は抵抗加熱蒸着で形成し、Ａｓ濃
度を第１表に示すように変化させて比較例１〜３の感光
体とした。
第 １ 表
返したときの帯電低下を測定した。また、感光体の表面
外観を調べた。その結果を第２表に示す。
外観を調べた。その結果を第２表に示す。
第２表
実施例および比較例の感光体について、電気特性として
一定の除電光量下での帯電位、半減衰露光量、残留電位
、帯電−露光−光除電を１０００回繰り第２表より明ら
かに実施例が比較例より優れていることが３忍められる
。
一定の除電光量下での帯電位、半減衰露光量、残留電位
、帯電−露光−光除電を１０００回繰り第２表より明ら
かに実施例が比較例より優れていることが３忍められる
。
第３図は実施例の感光体の帯電低下とＣＧＬ表面ＡｓＪ
度との関係を示す線図であるが、Ｓｅ −八ｓ合全単層
感光層を備えた感光体についての第６図と比較すると、
第６図ではＡｓ４度が増すにつれて帯電低下が大幅に増
大するが、第３図では帯電低ドは変わらず、疲労特性で
ある帯電低下が改善されたことが明らかである。
度との関係を示す線図であるが、Ｓｅ −八ｓ合全単層
感光層を備えた感光体についての第６図と比較すると、
第６図ではＡｓ４度が増すにつれて帯電低下が大幅に増
大するが、第３図では帯電低ドは変わらず、疲労特性で
ある帯電低下が改善されたことが明らかである。
また、実施例１〜７の感光体において、ＣＧＬに用いる
５ｅ−Ａｓ合金のＡｓｆｉ度をそれぞれの感光体のＣＧ
Ｌ表面のＡｓ１度一定とし、かつＣＧＬをフラッシュ蒸
着でなく抵抗加熱蒸着で形成し、その他は実施例１〜７
と同様にして感光体を作製したところ、各感光体ともＣ
ＧＬ表面すなわち感光体表面に外観欠陥が生じ、出力画
像に欠陥が発生した。実施例のようにＣＧＬをフラッン
ユ蒸着で形成することが外観欠陥の発生の防止に極めて
有効であることが判った。
５ｅ−Ａｓ合金のＡｓｆｉ度をそれぞれの感光体のＣＧ
Ｌ表面のＡｓ１度一定とし、かつＣＧＬをフラッシュ蒸
着でなく抵抗加熱蒸着で形成し、その他は実施例１〜７
と同様にして感光体を作製したところ、各感光体ともＣ
ＧＬ表面すなわち感光体表面に外観欠陥が生じ、出力画
像に欠陥が発生した。実施例のようにＣＧＬをフラッン
ユ蒸着で形成することが外観欠陥の発生の防止に極めて
有効であることが判った。
この発明によれば、５ｅ−Ａｓ合金からなる感光層をＣ
ＴＬとＣＧＬとに分離し、ＣＴＬを抵抗加熱蒸着で形成
し、ＣＧ １．−、をフラッシュ蒸着で形成し、ｃ ′
ｒ ｒ＝のＡ ｓ ’ｌｊＪ度を３０重晴％以−１−３
［ｉ 、 ８重量％以下とし、かつ、ハロゲン元素を
１００重量ｐｐｒｎ以上１００００重量ｐｐｍ以下含有
させ、ＣＧＬのへＳ濃度をＣＴＬに接する側ではＣＴＬ
のＡｓ濃度に等しくし、ＣＧ Ｌ表面に向かって濃度が
増大する濃度勾配を持たせ、ＣＧＬ表面での濃度を３６
８重量％を超え４５重量％以下とする。このような感光
体材料構成、製造方法とすることにより、高光感度でか
つ、Ａｓ２Ｓｅ３およびそれに近い組成を有する５ｅ−
Ａｓ合金の単層からなる感光体の欠点である帯電性能、
疲労特性が改善された表面外観の良好な感光体を得るこ
とができる。
ＴＬとＣＧＬとに分離し、ＣＴＬを抵抗加熱蒸着で形成
し、ＣＧ １．−、をフラッシュ蒸着で形成し、ｃ ′
ｒ ｒ＝のＡ ｓ ’ｌｊＪ度を３０重晴％以−１−３
［ｉ 、 ８重量％以下とし、かつ、ハロゲン元素を
１００重量ｐｐｒｎ以上１００００重量ｐｐｍ以下含有
させ、ＣＧＬのへＳ濃度をＣＴＬに接する側ではＣＴＬ
のＡｓ濃度に等しくし、ＣＧ Ｌ表面に向かって濃度が
増大する濃度勾配を持たせ、ＣＧＬ表面での濃度を３６
８重量％を超え４５重量％以下とする。このような感光
体材料構成、製造方法とすることにより、高光感度でか
つ、Ａｓ２Ｓｅ３およびそれに近い組成を有する５ｅ−
Ａｓ合金の単層からなる感光体の欠点である帯電性能、
疲労特性が改善された表面外観の良好な感光体を得るこ
とができる。
第１図ないし第３図はこの発明の一実施例の感光体に関
するもので、第１図は感光体の模式的断面図、第２図は
感光層の厚さ方向のＡｓ４度プロファイルを示す線図、
第３図は帯電低下量のＡｓ１度依存性を示す線図、第４
図ないし第６図はＳｅ−昼合金単層感光層を備えた感光
体の特性に関するもので、第４図は半減衰露光量のＡｓ
ａ度依存性を示す線図、第５図は帯電位のＡｓ５度依存
性を示す線図、第６図は帯電低下量のＡｓ１度依存性を
示ず線図、第７図はよう素を含む５ｅ−Ａｓ合金からな
る単層感光層を備えた感光体の残留電位の温度依存性を
よう素含有量をパラメータとして示す線図、第８図は抵
抗加熱蒸着で用いられる蒸発源の一例の概念図、第９図
はフラッシュ蒸着で用いられる蒸発源の一例の概念図で
ある。 ■ 導電性基体、２ 感光層、２１ 電荷輸送層、第 ］ 図 第 図 ＣＧＬ表面Ａｓ濃度（重量％） 第３図 （重量％） Ａｓ濃度 第 図 Ａｓ濃度（重量％） 第 図 温度（°Ｃ） 第 ア 図
するもので、第１図は感光体の模式的断面図、第２図は
感光層の厚さ方向のＡｓ４度プロファイルを示す線図、
第３図は帯電低下量のＡｓ１度依存性を示す線図、第４
図ないし第６図はＳｅ−昼合金単層感光層を備えた感光
体の特性に関するもので、第４図は半減衰露光量のＡｓ
ａ度依存性を示す線図、第５図は帯電位のＡｓ５度依存
性を示す線図、第６図は帯電低下量のＡｓ１度依存性を
示ず線図、第７図はよう素を含む５ｅ−Ａｓ合金からな
る単層感光層を備えた感光体の残留電位の温度依存性を
よう素含有量をパラメータとして示す線図、第８図は抵
抗加熱蒸着で用いられる蒸発源の一例の概念図、第９図
はフラッシュ蒸着で用いられる蒸発源の一例の概念図で
ある。 ■ 導電性基体、２ 感光層、２１ 電荷輸送層、第 ］ 図 第 図 ＣＧＬ表面Ａｓ濃度（重量％） 第３図 （重量％） Ａｓ濃度 第 図 Ａｓ濃度（重量％） 第 図 温度（°Ｃ） 第 ア 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導電性基体上に暗所での帯電位の保持および露光時
のキャリアの輸送を主たる機能とする電荷輸送層とその
上に形成された露光時のキャリアの発生を主たる機能と
する電荷発生層とからなる感光層を備えた電子写真用感
光体において、電荷輸送層がひ素濃度が３０重量％以上
３６．８重量％以下でかつハロゲン元素を１００重量ｐ
ｐｍ以上１００００重量ｐｐｍ以下含むセレン・ひ素合
金からなり、電荷発生層がセレン・ひ素合金からなり、
そのひ素濃度が電荷輸送層に接する側では電荷輸送層の
ひ素濃度に等しく、電荷輸送層に接する側から反対側の
電荷発生層表面に向かって増大する濃度勾配を有し、そ
の電荷発生層表面で３６．８重量％を超え４５重量％以
下であることを特徴とする電子写真用感光体。 ２）導電性基体上に電荷輸送層とその上に形成された電
荷発生層とからなる感光層を備えた電子写真用感光体の
製造方法において、電荷輸送層がハロゲン元素を含むセ
レン・ひ素合金を真空中で抵抗加熱蒸着して形成され、
電荷発生層がセレン・ひ素合金を真空中でフラッシュ蒸
着して形成され、かつ、フラッシュ蒸着されるセレン・
ひ素合金のひ素濃度を低濃度から高濃度へと変化させな
がらフラッシュ蒸着が行われることを特徴とする電子写
真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1706690A JPH02282265A (ja) | 1989-01-30 | 1990-01-26 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2036289 | 1989-01-30 | ||
| JP1-20362 | 1989-01-30 | ||
| JP1706690A JPH02282265A (ja) | 1989-01-30 | 1990-01-26 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02282265A true JPH02282265A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=26353525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1706690A Pending JPH02282265A (ja) | 1989-01-30 | 1990-01-26 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02282265A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228545B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-05-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic selenium photoconductor |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP1706690A patent/JPH02282265A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228545B1 (en) | 1998-06-11 | 2001-05-08 | Fuji Electric Co., Ltd. | Electrophotographic selenium photoconductor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4609605A (en) | Multi-layered imaging member comprising selenium and tellurium | |
| JPS59223439A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59223444A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US4296191A (en) | Two-layered photoreceptor containing a selenium-tellurium layer and an arsenic-selenium over layer | |
| JPS614066A (ja) | インターフエース層を用いる電子写真画像化方法および部材 | |
| JPH01172970A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS60102642A (ja) | 電子写真用セレン或いはセレン合金蒸着膜とその製造方法 | |
| JPS5854342A (ja) | 電子写真記録材料 | |
| JP3011184B2 (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JP2574485B2 (ja) | カルコゲナイド合金の分晶抑制方法 | |
| JPS5882252A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62251754A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59176748A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
| JPS604945A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPS6348558A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH073596B2 (ja) | 電子写真用感光体およびその製造方法 | |
| JPS5882250A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS58174955A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPH073594B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS5974564A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0117574B2 (ja) | ||
| JPS5842054A (ja) | 電子写真感光体の蒸着方法 | |
| JPS6076750A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS61132956A (ja) | 電子写真感光体 |